專利名稱：氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片，特別涉及一種氮化鋁陶瓷基板50W負(fù)載片。
背景技術(shù)：
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率， 如果不能承受要求的功率，負(fù)載就會(huì)燒壞，可能導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備燒壞。在氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片的實(shí)際使用過程中，都需要有引線焊接到負(fù)載片的焊盤上，目前市場(chǎng)上大多采用小焊盤的設(shè)計(jì)工藝，因?yàn)楹副P放大后會(huì)直接影響到產(chǎn)品的回波損耗，使得回波損耗增大，但如果采用小焊盤則會(huì)多焊接的方便性及焊接的牢固性造成不利的影響。因?yàn)榈X陶瓷負(fù)載片還屬于新型產(chǎn)業(yè)，存在著負(fù)載片尺寸規(guī)格的相對(duì)集中的現(xiàn)象，沒有呈現(xiàn)客戶導(dǎo)向的多元化生產(chǎn)，導(dǎo)致了市場(chǎng)上普遍使用較高規(guī)格等級(jí)來(lái)替代較低規(guī)格的需求，比如需要50W的負(fù)載片時(shí)，就使用主流的100W負(fù)載片。而同時(shí)生產(chǎn)制造企業(yè)在基板尺寸上也普遍選用比較單一的尺寸完成各自不同的設(shè)計(jì)，這帶來(lái)的弊病就是價(jià)格優(yōu)勢(shì)的相對(duì)削弱和產(chǎn)品選擇的相對(duì)單一性。同時(shí)限制了客戶產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，因?yàn)樨?fù)載片擺放位置的尺寸背限制了，然而隨著不斷的發(fā)展，客戶要求自身產(chǎn)品設(shè)計(jì)的多樣性，這就要求負(fù)載片的尺寸規(guī)格需要呈現(xiàn)多樣性發(fā)展。

實(shí)用新型內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種設(shè)有大焊盤的，尺寸為4*4*lmm的氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案一種氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片，其包括一 4*4*1MM的氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及數(shù)個(gè)電阻，所述數(shù)個(gè)電阻通過所述導(dǎo)線并聯(lián)形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述負(fù)載電路上設(shè)有焊盤。優(yōu)選的，所述焊盤的尺寸為0.淋2匪。優(yōu)選的，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷
有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的，所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。優(yōu)選的，所述電路采用了雙電阻設(shè)計(jì)方案，增加電阻面積.上述技術(shù)方案具有如下有益效果該負(fù)載片以4*4*1MM的氮化鋁基板作為基板， 負(fù)載電路采用并聯(lián)電阻的設(shè)計(jì)工藝，而沒有采用傳統(tǒng)的單個(gè)電阻的設(shè)計(jì)工藝，這樣可有效增加電阻的面積，使得負(fù)載片承受功率的能力得到進(jìn)一步鞏固，同時(shí)采用這種設(shè)計(jì)工藝使得導(dǎo)線的走位排布突破原有傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的限制，使焊盤在增大的同時(shí)夠得到優(yōu)良的回波損耗特性，而焊盤的增大可使焊接更加的方便和牢固。[0012]豐富了氮化鋁產(chǎn)品規(guī)格，實(shí)現(xiàn)了氮化鋁產(chǎn)品間不同功率的銜接，并通過基板的尺寸縮小降低了成本，使得客戶有更多的選擇得到了性價(jià)比更高的產(chǎn)品。上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖1所示，該氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片包括一 4*4*1MM的氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線2及數(shù)個(gè)電阻3，數(shù)個(gè)電阻 3通過導(dǎo)線2并聯(lián)形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過銀漿電連接，這樣即可使負(fù)載電路接地形成回路。負(fù)載電路上設(shè)有焊盤，焊盤的尺寸為0.8*2mm。背導(dǎo)層及導(dǎo)線2由導(dǎo)電銀漿印刷而成，電阻由電阻漿料印刷而成。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4，導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5，這樣可對(duì)電阻3、導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4 做進(jìn)一步的保護(hù)。該負(fù)載片以4*4*1匪的氮化鋁基板作為基板，負(fù)載電路采用并聯(lián)電阻的設(shè)計(jì)工藝，而沒有采用傳統(tǒng)的單個(gè)電阻的設(shè)計(jì)工藝，這樣可有效增加電阻的面積，使得負(fù)載片承受功率的能力得到進(jìn)一步鞏固。采用該結(jié)構(gòu)的負(fù)載片可使上述尺寸規(guī)格的氮化鋁基板的負(fù)載功率到達(dá)50W，且滿足阻抗50 士 1. 5 Ω，回波損耗在3G以及3G頻段以內(nèi)能滿足實(shí)際生產(chǎn)要求，同時(shí)采用這種設(shè)計(jì)工藝使得導(dǎo)線的走位排布突破原有傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的限制，使焊盤在增大的同時(shí)夠得到優(yōu)良的回波損耗特性，而焊盤的增大可使焊接更加的方便和牢固。豐富了氮化鋁產(chǎn)品規(guī)格，實(shí)現(xiàn)了氮化鋁產(chǎn)品間不同功率的銜接，并通過基板的尺寸縮小降低了成本，使得客戶有更多的選擇得到了性價(jià)比更高的產(chǎn)品。以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡依本實(shí)用新型設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片，其特征在于其包括一 4*4*1MM的氮化鋁基板， 所述氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，所述氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及數(shù)個(gè)電阻，所述數(shù)個(gè)電阻通過所述導(dǎo)線并聯(lián)形成負(fù)載電路，所述負(fù)載電路的接地端與所述背導(dǎo)層電連接，所述負(fù)載電路上設(shè)有焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片，其特征在于所述焊盤的尺寸為0.淋2讓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片，其特征在于所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜，所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片，其特征在于所述背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成，所述電阻由電阻漿料印刷而成。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種氮化鋁陶瓷基板50瓦負(fù)載片，其包括一4*4*1MM的氮化鋁基板，氮化鋁基板的背面印刷有背導(dǎo)層，氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線及數(shù)個(gè)電阻，數(shù)個(gè)電阻通過導(dǎo)線并聯(lián)形成負(fù)載電路，負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層電連接，負(fù)載電路上設(shè)有焊盤。該負(fù)載片以4*4*1MM的氮化鋁基板作為基板，負(fù)載電路采用并聯(lián)電阻的設(shè)計(jì)工藝，而沒有采用傳統(tǒng)的單個(gè)電阻的設(shè)計(jì)工藝，這樣可有效增加電阻的面積，使得負(fù)載片承受功率的能力得到進(jìn)一步鞏固，同時(shí)采用這種設(shè)計(jì)工藝使得導(dǎo)線的走位排布突破原有傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的限制，使焊盤在增大的同時(shí)夠得到優(yōu)良的回波損耗特性，而焊盤的增大可使焊接更加的方便和牢固。
文檔編號(hào)H01P1/22GK202259629SQ20112033546
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者郝敏 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司