專利名稱：直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別涉及一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
電燈的發(fā)明可以說是徹底地改變了全人類的生活方式，倘若我們的生活沒有電燈，夜晚或天氣狀況不佳的時候，一切的工作都將要停止；倘若受限于照明，極有可能使房屋建筑方式或人類生活方式都徹底改變，全人類都將因此而無法進步，繼續(xù)停留在較落后的年代。發(fā)光二極管(LED)與傳統(tǒng)光源比較，發(fā)光二極管具有體積小、省電、發(fā)光效率佳、 壽命長、操作反應(yīng)速度快、且無熱輻射與水銀等有毒物質(zhì)的污染等優(yōu)點，因此近幾年來，發(fā)光二極管的應(yīng)用已極為廣泛。過去由于發(fā)光二極管的亮度還無法取代傳統(tǒng)的照明光源，但隨著技術(shù)領(lǐng)域的不斷提升，目前已研發(fā)出高照明輝度的高功率發(fā)光二極管，其足以取代傳統(tǒng)的照明光源。然而，傳統(tǒng)使用發(fā)光二極管裸晶只能夠在有限的橫向空間內(nèi)朝橫向的方向排列設(shè)置，故傳統(tǒng)發(fā)光二極管裸晶的排列數(shù)量將受到限制，進而導(dǎo)致傳統(tǒng)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的發(fā)光強度無法有效提升。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的在于提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其可將多個發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊，使得本實用新型的發(fā)光強度在有限的橫向空間下能夠得到有效的提升。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取了以下技術(shù)方案。一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括一基板單元，其包括至少一基板本體；一堆疊式發(fā)光模塊，其包括一第一發(fā)光單元與一導(dǎo)光單元，其中所述第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述基板本體上且電性連接于所述基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶，所述第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊，且所述導(dǎo)光單元包括至少一設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶上的導(dǎo)光本體；以及一覆晶式發(fā)光模塊，其包括一第二發(fā)光單元，其中所述第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述導(dǎo)光本體上且電性連接于所述基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且所述第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊；所述第一發(fā)光二極管裸晶、所述導(dǎo)光本體、及所述第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述第一發(fā)光二極管裸晶的下表面接觸所述基板本體的上表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊皆設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面且分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體，其中所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊同時接觸所述導(dǎo)光本體的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。[0008]進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面接觸所述導(dǎo)光本體的下表面，所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊皆設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶的下表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊同時接觸所述導(dǎo)光本體的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)光單元包括至少兩個成形在所述導(dǎo)光本體上的導(dǎo)電軌跡及至少兩個設(shè)置于所述基板本體與所述導(dǎo)光本體之間的支撐導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電軌跡分別通過所述支撐導(dǎo)電體電性連接于所述基板本體，且所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述導(dǎo)電軌跡。本實用新型還提供了一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括一基板單元，其包括至少一基板本體；一堆疊式發(fā)光模塊，其包括一導(dǎo)光單元與一第一發(fā)光單元，其中所述導(dǎo)光單元包括至少一設(shè)置于所述基板本體上方的導(dǎo)光本體、至少兩個成形在所述導(dǎo)光本體上的導(dǎo)電軌跡、及至少兩個設(shè)置于所述基板本體與所述導(dǎo)光本體之間的支撐導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電軌跡分別通過所述支撐導(dǎo)電體電性連接于所述基板本體，所述第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述導(dǎo)光本體的下表面且電性連接于所述導(dǎo)電軌跡的第一發(fā)光二極管裸晶，且所述第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊；以及一覆晶式發(fā)光模塊，其包括一第二發(fā)光單元，其中所述第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述導(dǎo)光本體的上表面且電性連接于所述導(dǎo)電軌跡的第二發(fā)光二極管裸晶，且所述第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊；所述第一發(fā)光二極管裸晶、所述導(dǎo)光本體、及所述第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述導(dǎo)電軌跡彼此分離且成形在所述導(dǎo)光本體的外表面上，所述第一發(fā)光二極管裸晶通過至少兩個第一導(dǎo)電元件分別電性連接于所述導(dǎo)電軌跡，且所述第二發(fā)光二極管裸晶通過至少兩個第二導(dǎo)電元件分別電性連接于所述導(dǎo)電軌跡。本實用新型還提供了一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，包括一基板單元，其包括至少一基板本體；一堆疊式發(fā)光模塊，其包括一第一發(fā)光單元，其中所述第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述基板本體上且電性連接于所述基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶，且所述第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊；以及一覆晶式發(fā)光模塊，其包括一第二發(fā)光單元，其中所述第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶上且電性連接于所述基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且所述第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊；所述第一發(fā)光二極管裸晶及所述第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的上述至少一第一發(fā)光二極管裸晶的下表面接觸所述基板本體的上表面，所述第一正極焊墊及所述第一負極焊墊皆設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體，所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊分別接觸所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊且分別通過所述第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。進一步地，本實用新型的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的所述第一正極焊墊及所述第一負極焊墊皆位于所述第一發(fā)光二極管裸晶的下表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體，所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊同時接觸所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。由此可知，本實用新型提供了一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一堆疊式發(fā)光模塊、及一覆晶式發(fā)光模塊?；鍐卧ㄖ辽僖换灞倔w。堆疊式發(fā)光模塊包括一第一發(fā)光單元與一導(dǎo)光單元，其中第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于基板本體上且電性連接于基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶，第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊，且導(dǎo)光單元包括至少一設(shè)置于第一發(fā)光二極管裸晶上的導(dǎo)光本體。覆晶式發(fā)光模塊包括一第二發(fā)光單元，其中第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于導(dǎo)光本體上且電性連接于基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊。此外，第一發(fā)光二極管裸晶、導(dǎo)光本體、及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。本實用新型還提供了一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一堆疊式發(fā)光模塊、及一覆晶式發(fā)光模塊。基板單元包括至少一基板本體。堆疊式發(fā)光模塊包括一導(dǎo)光單元與一第一發(fā)光單元，其中導(dǎo)光單元包括至少一設(shè)置基板本體上方的導(dǎo)光本體、 至少兩個成形在導(dǎo)光本體上的導(dǎo)電軌跡、及至少兩個設(shè)置于基板本體與導(dǎo)光本體之間的支撐導(dǎo)電體，上述至少兩個導(dǎo)電軌跡分別通過上述至少兩個支撐導(dǎo)電體以電性連接于基板本體，第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于導(dǎo)光本體的下表面且電性連接于上述至少兩個導(dǎo)電軌跡的第一發(fā)光二極管裸晶，且第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊。覆晶式發(fā)光模塊包括一第二發(fā)光單元，其中第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于導(dǎo)光本體的上表面且電性連接于上述至少兩個導(dǎo)電軌跡的第二發(fā)光二極管裸晶，且第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊。此外，第一發(fā)光二極管裸晶、導(dǎo)光本體、及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。本實用新型還提供了一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一堆疊式發(fā)光模塊、及一覆晶式發(fā)光模塊。基板單元包括至少一基板本體。堆疊式發(fā)光模塊包括一第一發(fā)光單元，其中第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于基板本體上且電性連接于基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶，且第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊。覆晶式發(fā)光模塊包括一第二發(fā)光單元，其中第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于第一發(fā)光二極管裸晶上且電性連接于基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊。此外，第一發(fā)光二極管裸晶及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。綜上所述，本實用新型提供的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其可通過“第一發(fā)光二極管裸晶、導(dǎo)光本體、及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊”或“第一發(fā)光二極管裸晶及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊”的設(shè)計，使得本實用新型的發(fā)光強度在有限的橫向空間下能夠得到有效的提升。[0020]為能更進一步了解本實用新型的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本實用新型的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本實用新型加以限制。

圖1為本實用新型第一實施例的側(cè)視示意圖；圖2為本實用新型第二實施例的側(cè)視示意圖；圖3為本實用新型第三實施例的側(cè)視示意圖；圖4為本實用新型第四實施例的側(cè)視示意圖；圖5為本實用新型第五實施例的側(cè)視示意圖；圖6為本實用新型第六實施例的側(cè)視示意圖；圖7為本實用新型第七實施例的側(cè)視示意圖；圖8為本實用新型第八實施例的側(cè)視示意圖；圖9為本實用新型第九實施例的側(cè)視示意圖；圖10為本實用新型第十實施例的側(cè)視示意圖；圖11為本實用新型第十一實施例的側(cè)視示意圖；圖12為本實用新型第十二實施例的側(cè)視示意圖；圖13為本實用新型第十三實施例的側(cè)視示意圖；圖14為本實用新型第十四實施例的側(cè)視示意圖；圖15為本實用新型第十五實施例的側(cè)視示意圖。主要元件符號說明基板單元1基板本體 10第一發(fā)光單元2第一發(fā)光二極管裸晶20第一正極焊墊20A第一負極焊墊20B第一導(dǎo)電元件20C導(dǎo)光單元3 導(dǎo)光本體30導(dǎo)電軌跡30A導(dǎo)電軌跡30B支撐導(dǎo)電體30C第二發(fā)光單元4第二發(fā)光二極管裸晶40第二正極焊墊40A第二負極焊墊40B第二導(dǎo)電元件40C
具體實施方式
第一實施例請參閱圖1所示，本實用新型第一實施例提供ー種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板単元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā) 光単元2、導(dǎo)光單元3、及第ニ發(fā)光單元4從基板単元1依序垂直地向上堆疊。[0052]首先，基板單元1包括至少一基板本體10。舉例來說，基板本體10可為一電路基板，且電路基板的上表面具有多個導(dǎo)電線路(圖未示)。再者，第一發(fā)光單元2包括至少一設(shè)置于基板本體10上且電性連接于基板本體10 的第一發(fā)光二極管裸晶20。當(dāng)然，依據(jù)不同的設(shè)計需求，本實用新型的第一發(fā)光單元2亦可包括多個相互彼此堆疊地設(shè)置于基板本體10上且同時電性連接于基板本體10的第一發(fā)光二極管裸晶20。此外，第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面接觸基板本體10的上表面，第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面包括至少一第一正極焊墊20A及至少一第一負極焊墊20B，且第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件20C (例如兩條金屬導(dǎo)線)電性連接于基板本體10。舉例來說，第一發(fā)光二極管裸晶 20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B可通過打線(wire-bonding)的方式電性連接于基板本體10。另外，導(dǎo)光單元3包括至少一設(shè)置于第一發(fā)光二極管裸晶20上的導(dǎo)光本體30。導(dǎo)光單元3設(shè)置于第一發(fā)光單元2與第二發(fā)光單元4之間，且第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B同時接觸導(dǎo)光本體30的下表面。舉例來說，導(dǎo)光本體30 可為一由塑膠材料所制成的塑膠導(dǎo)光體、一由玻璃材料所制成的玻璃導(dǎo)光體…等等，然而本實用新型不以上述材料為限。此外，第二發(fā)光單元4包括至少一設(shè)置于導(dǎo)光本體30上且電性連接于基板本體10 的第二發(fā)光二極管裸晶40，因此第一發(fā)光二極管裸晶20、導(dǎo)光本體30、及第二發(fā)光二極管裸晶40可從基板本體10依序垂直地向上堆疊。當(dāng)然，依據(jù)不同的設(shè)計需求，本實用新型的第二發(fā)光單元4亦可包括多個相互彼此堆疊地設(shè)置于基板本體10上且同時電性連接于基板本體10的第二發(fā)光二極管裸晶40。此外，第二發(fā)光二極管裸晶40的下表面接觸導(dǎo)光本體30的上表面，第二發(fā)光二極管裸晶40的上表面包括至少一第二正極焊墊40A及至少一第二負極焊墊40B，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件40C(例如兩條金屬導(dǎo)線)以電性連接于基板本體10。舉例來說，第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B可通過打線的方式電性連接于基板本體10。第二實施例請參閱圖2所示，本實用新型第二實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2與導(dǎo)光單元3組合成一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖2與圖1的比較可知，本實用新型第二實施例與第一實施例最大的不同在于在第二實施例中，第二發(fā)光二極管裸晶40的下表面包括至少一第二正極焊墊40A及至少一第二負極焊墊40B，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B可同時接觸導(dǎo)光本體30的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件40C (例如兩條金屬導(dǎo)線)電性連接于基板本體10。舉例來說，第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊 40B可通過打線的方式電性連接于基板本體10。第三實施例請參閱圖3所示，本實用新型第三實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4。由圖3與圖1的比較可知，本實用新型第三實施例與第一實施例最大的不同在于在第三實施例中，第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面接觸導(dǎo)光本體30的下表面，第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面包括至少一第一正極焊墊20A及至少一第一負極焊墊20B，且第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件20C (例如兩顆錫球)以電性連接于基板本體10。舉例來說，第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B可通過覆晶(flip-chip)的方式電性連接于基板本體10。第四實施例請參閱圖4所示，本實用新型第四實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2與導(dǎo)光單元3組合成一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖4與圖3的比較可知，本實用新型第四實施例與第三實施例最大的不同在于在第四實施例中，第二發(fā)光二極管裸晶40的下表面包括至少一第二正極焊墊40A及至少一第二負極焊墊40B，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B可同時接觸導(dǎo)光本體30的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件40C (例如兩條金屬導(dǎo)線)電性連接于基板本體10。舉例來說，第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊 40B可通過打線的方式電性連接于基板本體10。第五實施例請參閱圖5所示，本實用新型第五實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2及第二發(fā)光單元4從基板單元1依序垂直地向上堆疊。由圖5與圖1的比較可知，本實用新型第五實施例與第一實施例最大的不同在于第五實施例可以省略第一實施例所使用的導(dǎo)光單元3，因此第二發(fā)光單元4包括至少一設(shè)置于第一發(fā)光二極管裸晶20上且電性連接于基板本體10的第二發(fā)光二極管裸晶40，其中第一發(fā)光二極管裸晶20及第二發(fā)光二極管裸晶 40依序垂直地向上堆疊。再者，第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面接觸基板本體10的上表面，第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面包括至少一第一正極焊墊20A及至少一第一負極焊墊20B，且第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件 20C (例如兩條金屬導(dǎo)線)電性連接于基板本體10。舉例來說，第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B可通過打線的方式電性連接于基板本體10。另外， 第二發(fā)光二極管裸晶40的下表面可接觸第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B，第二發(fā)光二極管裸晶40的上表面包括至少一第二正極焊墊40A及至少一第二負極焊墊40B，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B分別通過兩個第二導(dǎo)電元件40C(例如兩條金屬導(dǎo)線)電性連接于基板本體10。舉例來說，第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B可通過打線的方式電性連接于基板本體10。第六實施例請參閱圖6所示，本實用新型第六實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2為一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖6與圖5的比較可知，本實用新型第六實施例與第五實施例最大的不同在于在第六實施例中，第二發(fā)光二極管裸晶40 的下表面包括至少一第二正極焊墊40A及至少一第二負極焊墊40B，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B分別接觸第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B且分別通過上述兩個第一導(dǎo)電元件20C以電性連接于基板本體10。第七實施例請參閱圖7所示，本實用新型第七實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4。由圖7與圖5的比較可知，本實用新型第七實施例與第五實施例最大的不同在于在第七實施例中，第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面包括至少一第一正極焊墊20A及至少一第一負極焊墊20B，且第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件 20C (例如兩顆錫球)電性連接于基板本體10。再者，第二發(fā)光二極管裸晶40的下表面接觸第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面。第八實施例請參閱圖8所示，本實用新型第八實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2為一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖8與圖7的比較可知，本實用新型第八實施例與第七實施例最大的不同在于在第八實施例中，第二發(fā)光二極管裸晶40 的下表面包括至少一第二正極焊墊40A及至少一第二負極焊墊40B，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B同時接觸第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件40C(例如兩條金屬導(dǎo)線)以電性連接于基板本體10。第九實施例請參閱圖9所示，本實用新型第九實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2、導(dǎo)光單元3、及第二發(fā)光單元4從基板單元1依序垂直地向上堆疊。由圖9與圖1 的比較可知，本實用新型第九實施例與第一實施例最大的不同在于在第九實施例中，第一發(fā)光單元2可以包括多個設(shè)置于基板本體10上且電性連接于基板本體10的第一發(fā)光二極管裸晶20，其中上述多個第一發(fā)光二極管裸晶20可依序垂直地向上堆疊。導(dǎo)光單元3包括至少一設(shè)置于第一發(fā)光單元2上的導(dǎo)光本體30。第二發(fā)光單元4可以包括多個設(shè)置于導(dǎo)光本體30上且電性連接于基板本體10的第二發(fā)光二極管裸晶40，其中上述多個第二發(fā)光二極管裸晶40可依序垂直地向上堆疊。換言之，第一發(fā)光單元2可以只使用一個第一發(fā)光二極管裸晶20 (如第一實施例所舉的例子)或同時使用多個第一發(fā)光二極管裸晶20 (如第九實施例所舉的例子)，且第二發(fā)光單元4可以只使用一個第二發(fā)光二極管裸晶40 (如第一實施例所舉的例子)或同時使用多個第二發(fā)光二極管裸晶40 (如第九實施例所舉的例子)。第十實施例請參閱圖10所示，本實用新型第十實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)， 其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2為一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖10與圖6的比較可知，本實用新型第十實施例與第六實施例最大的不同在于在第十實施例中，第一發(fā)光單元2(堆疊式發(fā)光模塊)包括多個依序垂直地向上堆疊的第一發(fā)光二極管裸晶20，其中第一正極焊墊 20A與第一負極焊墊20B皆位于第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面。再者，第二正極焊墊40A 與第二負極焊墊40B —定皆位于第二發(fā)光單元4(覆晶式發(fā)光模塊)的下表面。第i^一實施例請參閱圖11所示，本實用新型第十一實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2為一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖11與圖6的比較可知，本實用新型第十一實施例與第六實施例最大的不同在于在第十一實施例中，第一發(fā)光單元 2 (堆疊式發(fā)光模塊)包括多個依序垂直地向上堆疊的第一發(fā)光二極管裸晶20，其中第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B可選擇性地皆位于第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面或下表面。再者，第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B —定皆位于第二發(fā)光單元4 (覆晶式發(fā)光模塊)的下表面。第十二實施例請參閱圖12所示，本實用新型第十二實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2為一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖12與圖8的比較可知，本實用新型第十二實施例與第八實施例最大的不同在于在第十二實施例中，第一發(fā)光單元 2 (堆疊式發(fā)光模塊)包括多個依序垂直地向上堆疊的第一發(fā)光二極管裸晶20，其中第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B皆位于第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面。再者，第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B —定皆位于第二發(fā)光單元4(覆晶式發(fā)光模塊)的下表面。第十三實施例請參閱圖13所示，本實用新型第十三實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2為一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。由圖13與圖8的比較可知，本實用新型第十三實施例與第八實施例最大的不同在于在第十三實施例中，第一發(fā)光單元 2 (堆疊式發(fā)光模塊)包括多個依序垂直地向上堆疊的第一發(fā)光二極管裸晶20，其中第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B可選擇性地皆位于第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面或下表面。再者，第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B —定皆位于第二發(fā)光單元4 (覆晶式發(fā)光模塊)的下表面。第十四實施例請參閱圖14所示，本實用新型第十四實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4，其中第一發(fā)光單元2與導(dǎo)光單元3組合成一堆疊式發(fā)光模塊，第二發(fā)光單元4為一覆晶式發(fā)光模塊。 再者，基板單元1包括至少一基板本體10。導(dǎo)光單元3包括至少一設(shè)置于基板本體10上方的導(dǎo)光本體30、至少兩個成形在導(dǎo)光本體30上的導(dǎo)電軌跡(30A、30B)、及至少兩個設(shè)置于基板本體10與導(dǎo)光本體30之間的支撐導(dǎo)電體30C，其中上述至少兩個導(dǎo)電軌跡(30A、30B) 分別通過上述至少兩個支撐導(dǎo)電體30C電性連接于基板本體10。第一發(fā)光單元2包括至少一設(shè)置于導(dǎo)光本體30的下表面且電性連接于上述至少兩個導(dǎo)電軌跡(30A、30B)的第一發(fā)光二極管裸晶20，且第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面可選擇性地接觸或不接觸基板本體10的上表面。第二發(fā)光單元4包括至少一設(shè)置于導(dǎo)光本體10的上表面且電性連接于上述至少兩個導(dǎo)電軌跡(30A、30B)的第二發(fā)光二極管裸晶40。因此，第一發(fā)光二極管裸晶20、 導(dǎo)光本體30、及第二發(fā)光二極管裸晶40可依序垂直地向上堆疊。舉例來說，上述至少兩個導(dǎo)電軌跡(30A、30B)可彼此分離一特定距離且成形在導(dǎo)光本體30的外表面上，第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B 可分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件20C(例如兩條金屬導(dǎo)線或兩顆錫球)分別電性連接于上述至少兩個導(dǎo)電軌跡(30A、30B)，且第二發(fā)光二極管裸晶40的第二正極焊墊40A與第二負極焊墊40B可分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件40C分別電性連接于上述至少兩個導(dǎo)電軌跡(30A、30B)。第十五實施例請參閱圖15所示，本實用新型第十五實施例提供一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元1、一第一發(fā)光單元2、一導(dǎo)光單元3、及一第二發(fā)光單元4。由圖15 與圖14的比較可知，本實用新型第十五實施例與第十四實施例最大的不同在于在第十五實施例中，第一發(fā)光二極管裸晶20的下表面包括至少一第一正極焊墊20A及至少一第一負極焊墊20B，且第一發(fā)光二極管裸晶20的第一正極焊墊20A與第一負極焊墊20B分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件20C(例如兩顆錫球)以電性連接于基板本體10。在本實施例中，第一發(fā)光二極管裸晶20的上表面可選擇性地接觸或不接觸導(dǎo)光本體30的下表面。綜上所述，本實用新型所提供的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其可通過“第一發(fā)光二極管裸晶、導(dǎo)光本體、及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊”或“第一發(fā)光二極管裸晶及第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊”的設(shè)計，使得本實用新型的發(fā)光強度在有限的橫向空間下能夠得到有效的提升。
權(quán)利要求1.一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其包括至少一基板本體；一堆疊式發(fā)光模塊，其包括一第一發(fā)光單元與一導(dǎo)光單元，其中所述第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述基板本體上且電性連接于所述基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶，所述第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊，且所述導(dǎo)光單元包括至少一設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶上的導(dǎo)光本體；以及一覆晶式發(fā)光模塊，其包括一第二發(fā)光單元，其中所述第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述導(dǎo)光本體上且電性連接于所述基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且所述第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊；所述第一發(fā)光二極管裸晶、所述導(dǎo)光本體、及所述第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。
2.如權(quán)利要求1所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一發(fā)光二極管裸晶的下表面接觸所述基板本體的上表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊皆設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面且分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體，其中所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊同時接觸所述導(dǎo)光本體的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。
3.如權(quán)利要求1所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面接觸所述導(dǎo)光本體的下表面，所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊皆設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶的下表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。
4.如權(quán)利要求3所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊同時接觸所述導(dǎo)光本體的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。
5.如權(quán)利要求3所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)光單元包括至少兩個成形在所述導(dǎo)光本體上的導(dǎo)電軌跡及至少兩個設(shè)置于所述基板本體與所述導(dǎo)光本體之間的支撐導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電軌跡分別通過所述支撐導(dǎo)電體電性連接于所述基板本體，且所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述導(dǎo)電軌跡。
6.一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其包括至少一基板本體；一堆疊式發(fā)光模塊，其包括一導(dǎo)光單元與一第一發(fā)光單元，其中所述導(dǎo)光單元包括至少一設(shè)置于所述基板本體上方的導(dǎo)光本體、至少兩個成形在所述導(dǎo)光本體上的導(dǎo)電軌跡、 及至少兩個設(shè)置于所述基板本體與所述導(dǎo)光本體之間的支撐導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電軌跡分別通過所述支撐導(dǎo)電體電性連接于所述基板本體，所述第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述導(dǎo)光本體的下表面且電性連接于所述導(dǎo)電軌跡的第一發(fā)光二極管裸晶，且所述第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊；以及一覆晶式發(fā)光模塊，其包括一第二發(fā)光單元，其中所述第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述導(dǎo)光本體的上表面且電性連接于所述導(dǎo)電軌跡的第二發(fā)光二極管裸晶，且所述第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊；所述第一發(fā)光二極管裸晶、所述導(dǎo)光本體、及所述第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。
7.如權(quán)利要求6所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電軌跡彼此分離且成形在所述導(dǎo)光本體的外表面上，所述第一發(fā)光二極管裸晶通過至少兩個第一導(dǎo)電元件分別電性連接于所述導(dǎo)電軌跡，且所述第二發(fā)光二極管裸晶通過至少兩個第二導(dǎo)電元件分別電性連接于所述導(dǎo)電軌跡。
8.—種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板單元，其包括至少一基板本體；一堆疊式發(fā)光模塊，其包括一第一發(fā)光單元，其中所述第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述基板本體上且電性連接于所述基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶，且所述第一發(fā)光二極管裸晶包括至少一第一正極焊墊及至少一第一負極焊墊；以及一覆晶式發(fā)光模塊，其包括一第二發(fā)光單元，其中所述第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶上且電性連接于所述基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且所述第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括至少一第二正極焊墊及至少一第二負極焊墊；所述第一發(fā)光二極管裸晶及所述第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊。
9.如權(quán)利要求8所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，上述至少一第一發(fā)光二極管裸晶的下表面接觸所述基板本體的上表面，所述第一正極焊墊及所述第一負極焊墊皆設(shè)置于所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體，所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊分別接觸所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊且分別通過所述第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。
10.如權(quán)利要求8所述的直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一正極焊墊及所述第一負極焊墊皆位于所述第一發(fā)光二極管裸晶的下表面，且所述第一正極焊墊與所述第一負極焊墊分別通過至少兩個第一導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體，所述第二正極焊墊與所述第二負極焊墊同時接觸所述第一發(fā)光二極管裸晶的上表面且分別通過至少兩個第二導(dǎo)電元件電性連接于所述基板本體。
專利摘要本實用新型涉及一種直立堆疊式發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板單元、一堆疊式發(fā)光模塊、及一覆晶式發(fā)光模塊?；鍐卧ㄒ换灞倔w。堆疊式發(fā)光模塊包括一第一發(fā)光單元。第一發(fā)光單元包括至少一設(shè)置且電性連接于基板本體的第一發(fā)光二極管裸晶。覆晶式發(fā)光模塊包括一第二發(fā)光單元。第二發(fā)光單元包括至少一設(shè)置于第一發(fā)光二極管裸晶上且電性連接于基板本體的第二發(fā)光二極管裸晶，且第二發(fā)光二極管裸晶的下表面包括一第二正極焊墊及一第二負極焊墊。因此，本實用新型通過“第一與第二發(fā)光二極管裸晶依序垂直地向上堆疊”的設(shè)計，使得本實用新型的發(fā)光強度在有限的橫向空間下能夠得到有效的提升。
文檔編號H01L25/075GK202178254SQ20112025122
公開日2012年3月28日 申請日期2011年7月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月14日
發(fā)明者盧俊宇, 許志行, 郭明哲 申請人:海華科技股份有限公司