專(zhuān)利名稱(chēng)：通用微功率無(wú)線通信模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
通用微功率無(wú)線通信模塊
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子電路及無(wú)線通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及微功率無(wú)線通信裝置。背景技術(shù)：
隨著微電子技術(shù)和通信技術(shù)的快速發(fā)展，射頻技術(shù)瓶頸得以突破，微功率無(wú)線通信技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，但是現(xiàn)有微功率無(wú)線通信技術(shù)還存在通信距離短，穿透能力弱等缺點(diǎn)，直接影響了該技術(shù)在各領(lǐng)域中的推廣和應(yīng)用。此外，現(xiàn)有微功率無(wú)線通信裝置普遍存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、使用不便的問(wèn)題，且成本高、通用性低、可靠性差。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型目的是解決現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供一種通信距離更長(zhǎng)、穿透能力好，且集成度高，使用方便的微功率無(wú)線通信裝置。實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案如下一種通用微功率無(wú)線通信模塊，其特征在于，包括MCU芯片、射頻芯片、EEPROM芯片、RTC晶振及射頻晶振，RTC晶振接MCU，射頻晶振接射頻芯片，MCU與射頻芯片之間通過(guò) SPI進(jìn)行通信，EEPROM連接MCU芯片；所述MCU芯片、射頻芯片、EEPROM芯片、MCU晶振及射頻晶振設(shè)置在一塊電路板上并封裝起來(lái)，通過(guò)管腳將各器件的對(duì)外交互端引出封裝模塊。所述MCU芯片和射頻芯片通過(guò)SIlOXX系列的SOC芯片實(shí)現(xiàn)。所述封裝模塊采用30mm X 25mm X 3mm的尺寸結(jié)構(gòu)。所述管腳通過(guò)郵票孔工藝加工在模塊的兩側(cè)，郵票孔間距為2. OOmm,郵票孔直徑為 1. OOmm0所述封裝模塊的兩端對(duì)角設(shè)置便于和接口板定位的定位孔。本實(shí)用新型基于統(tǒng)一微功率無(wú)線通信模塊平臺(tái)化的方針，推行通信單元模塊化的目標(biāo)，增強(qiáng)了 MCU硬件資源、降低了功耗，并且提供連續(xù)的工作頻段，提升了最大發(fā)送功率， 增加了可視范圍通信距離，支持軟件編程控制發(fā)送功率，可調(diào)發(fā)送功率檔位可達(dá)八級(jí)；此夕卜，本實(shí)用新型制定了通用微功率無(wú)線通信模塊的接口規(guī)范，規(guī)定了微功率無(wú)線通信模塊尺寸及管腳分布。

圖1是實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊的功能電路構(gòu)造圖。圖2是實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊中MCU芯片和射頻芯片的接線圖。圖3是實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊中EEPROM和MCU芯片的接線圖。圖4是實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊的尺寸規(guī)格示意圖。圖5是實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊的管腳定義示意圖。
具體實(shí)施方式[0016]如圖1所示，本實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊，包括SIlOXX系列SOC芯片、 EEPR0M、RTC晶振及射頻晶振。其中，SIlOXX系列SOC芯片是由silicon labs公司出品的， 其內(nèi)部包含MCU芯片C8051F93X和射頻芯片SI4432，射頻芯片SI4432的工作頻率范圍支持 260MHz 930MHz，調(diào)制方式為00K/FSK/GFSK，最大發(fā)射功率100mW，工作電壓為2. OV-3. 6V, 支持軟件編程控制發(fā)送功率，可調(diào)八級(jí)功率等級(jí)。射頻晶振在-40°C +85°C溫度范圍內(nèi)為 30MHz 士 lOppm，RTC 晶振在 40°C +85°C溫度范圍內(nèi)為 32. 768KHz 士 15ppm。如圖2所示，射頻芯片SI4432的GPIOl管腳控制天線開(kāi)關(guān)的發(fā)送狀態(tài)，GPI02管腳控制天線開(kāi)關(guān)的接收狀態(tài)(即SI4432內(nèi)部寄存器OxOC的值為0x12，寄存器OxOD的值為0x15)。繼續(xù)參見(jiàn)圖2，MCU芯片C8051F93X和射頻芯片SI4432之間通過(guò)SPI進(jìn)行通信， 具體地，MCU的P0. 3與SI4432的nIRQ管腳相連，Pl. 5與SI4432的SDN管腳相連，Pl. 0與 SI4432的SCK管腳相連，Pl. 1與SI4432的MISO管腳相連，Pl. 2與SI4432的MOSI管腳相連，Pl. 4與SI4432的NSS管腳相連。本實(shí)施例中，MCU芯片C8051F93X與EEPROM存儲(chǔ)器的連線定義如圖3所示，EEPROM 選用4K字節(jié)的EEPR0M，用于存儲(chǔ)通信模塊出廠配置參數(shù)和預(yù)留一定的空間供用戶(hù)使用，例如射頻配置信息、頻率校準(zhǔn)信息及溫度補(bǔ)償參數(shù)等。本實(shí)施例將上述各器件設(shè)置在一塊電路板上并封裝起來(lái)，通過(guò)管腳將各器件的對(duì)外交互端引出封裝模塊。如圖4所示，模塊的封裝采用長(zhǎng)X寬X高為30mm X25mmX3mm 的尺寸結(jié)構(gòu)，設(shè)置二十八個(gè)管腳，管腳通過(guò)郵票孔工藝加工在封裝模塊的兩側(cè)，郵票孔間距為2. OOmm,郵票孔直徑為1. 00mm，在模塊的兩端對(duì)角放置了定位孔，以便于和接口板定位。如圖5所示，本實(shí)施例提供的微功率無(wú)線通信模塊的二十八個(gè)管腳定義說(shuō)明，如下表
權(quán)利要求1.一種通用微功率無(wú)線通信模塊，其特征在于，包括MCU芯片、射頻芯片、EEPROM芯片、 RTC晶振及射頻晶振，RTC晶振接MCU，射頻晶振接射頻芯片，MCU與射頻芯片之間通過(guò)SPI 進(jìn)行通信，EEPROM連接MCU芯片；所述MCU芯片、射頻芯片、EEPROM芯片、MCU晶振及射頻晶振設(shè)置在一塊電路板上并封裝起來(lái)，通過(guò)管腳將各器件的對(duì)外交互端引出封裝模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的通用微功率無(wú)線通信模塊，其特征在于所述MCU芯片和射頻芯片通過(guò)SIlOXX系列的SOC芯片實(shí)現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的通用微功率無(wú)線通信模塊，其特征在于所述封裝模塊采用30mm X 25mm X 3mm的尺寸結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的通用微功率無(wú)線通信模塊，其特征在于所述管腳通過(guò)郵票孔工藝加工在模塊的兩側(cè)，郵票孔間距為2. OOmm,郵票孔直徑為1. 00mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的通用微功率無(wú)線通信模塊，其特征在于所述封裝模塊的兩端對(duì)角設(shè)置便于和接口板定位的定位孔。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種通用微功率無(wú)線通信模塊，包括MCU芯片、射頻芯片、EEPROM芯片、RTC晶振及射頻晶振，RTC晶振接MCU，射頻晶振接射頻芯片，MCU與射頻芯片之間通過(guò)SPI進(jìn)行通信，EEPROM連接MCU芯片；所述MCU芯片、射頻芯片、EEPROM芯片、MCU晶振及射頻晶振設(shè)置在一塊電路板上并封裝起來(lái)，通過(guò)管腳將各器件的對(duì)外交互端引出封裝模塊。本實(shí)用新型通信距離更長(zhǎng)、穿透能力更好，且集成度高，使用方便。
文檔編號(hào)H01L25/00GK202309705SQ20112023386
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月30日
發(fā)明者劉述鋼, 崔宇昊, 張波, 彭燚, 李宏文, 邱仁峰, 陳剛 申請(qǐng)人:珠海中慧微電子有限公司