專利名稱：整流管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及整流管，具體地，涉及一種整流管芯片，屬半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
通常整流管芯片，尤其是大功率低壓高電流密度整流管(7100A/200V)芯片采用直拉單晶和紙?jiān)磾U(kuò)散的方法制造，但是這種方法制造出來的整流管芯片存在方方面面的缺陷，例如擴(kuò)散時(shí)間長，晶體缺陷多，PN結(jié)不平整，體電阻大，造成器件的壓降大，可靠性下降。鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，需要設(shè)計(jì)一種新型的整流管芯片。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種新型的整流管芯片，以克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷， 該整流管芯片晶體缺陷少、壓降小，工作可靠性高。上述目的通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)整流管芯片，包括依次層疊的鉬片層、電阻率為 10-15Qcm的外延片高阻層、P型半導(dǎo)體擴(kuò)散層以及鋁層，其中所述外延片高阻層的厚度為 45-50 μ m0具體地，所述外延片層包括相互層疊的N-型外延片層和N+型外延片層。選擇地，所述整流管芯片還包括用于保護(hù)該整流管芯片臺面的臺面保護(hù)膜。優(yōu)選地，所述整流管芯片的P型擴(kuò)散結(jié)深為15-18 μ m，表面方塊電阻為20-30 Ω。優(yōu)選地，所述整流管芯片的直徑為47. 95-48. 05mm。優(yōu)選地，所述鉬片層得厚度為1. 15-1. 25mm。本實(shí)用新型的整流管芯片，其正向壓降在5000A條件下可小于1. 05V，反向阻斷電壓大于200V，性能優(yōu)越，完全可替代進(jìn)口芯片。本發(fā)明的整流管芯片適于大批量生產(chǎn)，最終封裝合格率高，成本降低，產(chǎn)品可靠性高，性能優(yōu)越，可替代國外進(jìn)口芯片。

圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式
的整流管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1P型半導(dǎo)體擴(kuò)散層；2N+型外延片層；3N-型外延片層；4鋁層；5鉬片層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖描述本實(shí)用新型整流管芯片的具體實(shí)施方式
。參見圖1所示，本實(shí)用新型的整流管芯片包括依次層疊的鉬片層5、外延片高阻層、P型半導(dǎo)體擴(kuò)散層1以及鋁層4，所述外延片高阻層的電阻率為10-15 Ω cm，厚度為 45-50 μ m0具體地，所述外延片層包括相互層疊的N-型外延片層3和N+型外延片層2，在圖 1中符號EPI代表外延片層，其含義對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的。所述整流管芯片還包括用于保護(hù)該整流管芯片臺面的臺面保護(hù)膜。[0018]優(yōu)選地，所述整流管芯片的P型擴(kuò)散結(jié)深為15-18 μ m，表面方塊電阻為20-30 Ω。優(yōu)選地，所述整流管芯片的直徑為48mm，公差可以為士 0. 05mm,艮P 47. 95-48. 05mm。優(yōu)選地，所述鉬片層得厚度為1. 2mm,公差可以為士0. 05mm,即1. 15-1. 25_。本實(shí)用新型的上述整流管芯片可以首先選擇外延片高阻層電阻率10_15Qcm的 N+外延片作為加工材料，進(jìn)行P型擴(kuò)散，結(jié)深15-18微米，表面方塊電阻為20-30 Ω，再依次進(jìn)行背面減薄硅片到200微米、割圓、燒結(jié)、鋁蒸發(fā)、臺面造型、臺面鈍化測試工序，從而制得本實(shí)用新型的整流管芯片。本實(shí)用新型的上述整流管芯片，其正向壓降在5000Α條件下可小于1. 05V，反向阻斷電壓大于200V，性能優(yōu)越，完全可替代進(jìn)口芯片。本發(fā)明的整流管芯片適于大批量生產(chǎn)， 最終封裝合格率高，成本降低，產(chǎn)品可靠性高，性能優(yōu)越，可完全替代國外進(jìn)口芯片。在上述具體實(shí)施方式
中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，可以通過任何合適的方式進(jìn)行任意組合，其同樣落入本實(shí)用新型所公開的范圍之內(nèi)。同時(shí)，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。此外，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。本實(shí)用新型的保護(hù)范圍由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.整流管芯片，其特征是，包括依次層疊的鉬片層(5)、電阻率為10-15Qcm的外延片高阻層、P型半導(dǎo)體層(1)以及鋁層(4)，其中所述外延片厚度為45-50 μ m。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述外延片層包括相互層疊的N-型外延片層(3)和N+型外延片層(2)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述整流管芯片還包括用于保護(hù)該整流管芯片臺面的臺面保護(hù)膜(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述整流管芯片的P型擴(kuò)散結(jié)深為 15-18 μ m，表面方塊電阻為20-30 Ω。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述整流管芯片的直徑為 47. 95-48. 05mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述鉬片層得厚度為1.15-1. 25mm。
專利摘要整流管芯片，包括依次層疊的鉬片層(5)、電阻率為10-15Ωcm的外延片高阻層、P型半導(dǎo)體層(1)以及鋁層(4)，所述外延片高阻層的厚度為45-50μm。本實(shí)用新型的整流管芯片，其正向壓降在5000A條件下可小于1.05V，反向阻斷電壓大于200V，性能優(yōu)越，完全可替代進(jìn)口芯片。本實(shí)用新型的整流管芯片適于大批量生產(chǎn)，最終封裝合格率高，成本降低，產(chǎn)品可靠性高，性能優(yōu)越，可替代國外進(jìn)口芯片。
文檔編號H01L29/06GK202120921SQ201120151378
公開日2012年1月18日 申請日期2011年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月13日
發(fā)明者徐愛民, 顧標(biāo)琴, 高占成 申請人:潤奧電子(揚(yáng)州)制造有限公司