專利名稱：防爆型法蘭的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種法蘭，主要用于GTO、IGBT、IGCT等高端器件封裝用的陶瓷外殼中，屬于電力電子技術領域。
背景技術：
國際上IGBT (絕緣柵雙極型晶體管)作為一種主流器件，已經(jīng)發(fā)展商業(yè)化的第五代，它的封裝方式也已多樣化，目前普遍采用的是高性能塑料外殼的模塊結構，一個IGBT 模塊可以包含很多IGBT芯片，例如一個比較典型的3300V/1200A IGBT模塊中就是有60塊 IGBT芯片和超過450根連線，這些并聯(lián)的IGBT芯片固定在同一塊陶瓷基板上以保證良好的絕緣和導熱，這類模塊可以非常容易地安裝在散熱器上，但是這種結構限制了 IGBT模塊只能采用單面冷卻，連線采用鍵合工藝，這增加了在大電流條件下造成器件損壞的可能。
發(fā)明內容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種新型防爆型法蘭，在電路發(fā)生短路，避免發(fā)生安全事故。本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的一種防爆型法蘭，它包含法蘭本體，所述法蘭本體的局部區(qū)域內凹形成環(huán)狀，所述環(huán)狀的厚度比法蘭本體的厚度薄。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是本實用新型在器件失效短路時，可以通過法蘭上的環(huán)狀定點破裂釋放能量，防止器件爆炸發(fā)生設備和人身安全事故。

圖1為本實用新型的結構示意圖。圖2為本實用新型應用于陶瓷管殼上的截面圖。其中法蘭本體1、環(huán)狀2。
具體實施方式
參見圖1一圖2，本實用新型涉及的一種防爆型法蘭，包含法蘭本體1，所述法蘭本體1的局部區(qū)域內凹形成環(huán)狀2，所述環(huán)狀2的厚度比法蘭本體1的厚度薄，所述環(huán)狀2可通過沖壓方式形成。本實用新型應用于陶瓷管殼上的工作原理當反向關斷失效時，器件將處于短路狀態(tài)，會產(chǎn)生巨大的短路電流和瞬間高溫，釋放極高的能量，這時由于法蘭本體上的環(huán)狀結構厚度比法蘭本體的厚度薄，會產(chǎn)生定點破裂而釋放能量，起到保護器件和人身安全的作用。
權利要求1. 一種防爆型法蘭，它包含法蘭本體(1)，其特征在于所述法蘭本體(1)的局部區(qū)域內凹形成環(huán)狀(2)，所述環(huán)狀(1)的厚度比法蘭本體(1)的厚度薄。
專利摘要本實用新型涉及一種防爆型法蘭，它包含法蘭本體(1)，其特征在于所述法蘭本體(1)的局部區(qū)域內凹形成環(huán)狀(2)，所述環(huán)狀(2)的厚度比法蘭本體(1)的厚度薄。本實用新型適用于大電流電子領域中的安全裝置。
文檔編號H01L23/02GK202049936SQ20112014822
公開日2011年11月23日 申請日期2011年5月11日 優(yōu)先權日2011年5月11日
發(fā)明者徐宏偉, 陳國賢, 陳蓓璐 申請人:江陰市賽英電子有限公司