專利名稱：高壓大功率驅(qū)動器模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體混合集成電路器件，尤其是涉及一種高壓大功率驅(qū)動器模塊。
背景技術(shù)：
大部分高壓大功率驅(qū)動器是通過多個半導(dǎo)體元器件組合使用來實現(xiàn)電路功能，雖然可以實現(xiàn)高壓大功率應(yīng)用，但是占用空間大，重量重，組裝繁瑣。尤其是在空間要求小，重量要求輕，可靠性要求高的條件下，用多個半導(dǎo)體分立器件實現(xiàn)大功率驅(qū)動電路具有一定困難。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，重量輕，組裝方便，可實現(xiàn)高壓大功率推挽輸出功能的高壓大功率驅(qū)動器模塊。本實用新型涉及的高壓大功率驅(qū)動器模塊，包括管殼，鉬片及可伐片，功率三極管芯片、功率MOSFET芯片和片式電阻，其特殊之處是在管殼底座上通過高溫合金焊料焊接有金屬化陶瓷基板，所述的鉬片、可伐片與金屬化陶瓷基板通過高溫合金焊料進(jìn)行焊接，所述的功率三極管、功率MOSFET芯片和片式電阻通過真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個元器件之間采用硅鋁絲互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼上設(shè)有外引線，在管殼內(nèi)填充有氮氣。本實用新型的優(yōu)點是結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，耐壓高，承受電流大布局合理，特別是將功率三極管、功率MOSFET和片式電阻通過真空燒結(jié)工藝進(jìn)行焊接，實現(xiàn)低的孔洞率， 降低了芯片到管殼的熱阻，散熱性好，在管殼內(nèi)填充有氮氣并采用氣密性封裝，大大提高了高壓大功率逆變器模塊的可靠性，可適用于-45 125°C的工作環(huán)境。通過將功率三極管、 功率MOSFET芯片和片式電阻集成在一個管殼內(nèi)，進(jìn)行模塊化封裝，功率器件芯片之間在達(dá)到散熱要求條件下實現(xiàn)了小的間距，同時電路的連接采用硅鋁絲，減小了管殼體積。
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實用新型的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實用新型的電路結(jié)構(gòu)圖；圖中管殼1、功率三極管芯片2、硅鋁絲3、金屬化陶瓷基板4、鉬片5、鉛錫銀合金焊料6、可伐片7、高溫合金焊料8、片式電阻9、功率MOSFET芯片10。
具體實施方式
如圖所示，本實用新型包括由底座和蓋板構(gòu)成的管殼1、功率三極管芯片2、硅鋁絲3、金屬化陶瓷基板4、鉬片5、鉛錫銀合金焊料6、可伐片7、高溫合金焊料8、片式電阻9、 功率MOSFET芯片10。管殼底1和金屬化陶瓷基板.4通過高溫合金焊料8進(jìn)行焊接，鉬片5、可伐片7與金屬化陶瓷基板4通過高溫合金焊料8進(jìn)行焊接，所述的功率三極管芯片2、 功率MOSFET芯片10和片式電阻9通過鉛錫銀合金焊料6真空燒結(jié)焊接在鉬片5上，各個功率三極管芯片、功率MOSFET芯片和片式電阻9之間采用硅鋁絲3互連構(gòu)成，通過硅鋁絲 3互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼1內(nèi)填充氮氣，在氮氣氛圍中采用平行封焊工藝進(jìn)行氣密性封裝。
權(quán)利要求1. 一種高壓大功率驅(qū)動器模塊，包括管殼，鉬片及可伐片，功率三極管芯片、功率 MOSFET芯片和片式電阻，其特征是在管殼底座上通過高溫合金焊料焊接有金屬化陶瓷基板，所述的鉬片、可伐片與金屬化陶瓷基板通過高溫合金焊料進(jìn)行焊接，所述的功率三極管、功率MOSFET芯片和片式電阻通過真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個元器件之間采用硅鋁絲互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼上設(shè)有外引線，在管殼內(nèi)填充有氮氣。
專利摘要一種結(jié)構(gòu)緊湊，占用空間小，重量輕，組裝方便，可實現(xiàn)高壓大功率推挽輸出功能的高壓大功率驅(qū)動器模塊，包括管殼，鉬片及可伐片，功率三極管芯片、功率MOSFET芯片和片式電阻，其特殊之處是在管殼底座上通過高溫合金焊料焊接有金屬化陶瓷基板，所述的鉬片、可伐片與金屬化陶瓷基板通過高溫合金焊料進(jìn)行焊接，所述的功率三極管、功率MOSFET芯片和片式電阻通過真空燒結(jié)焊接在鉬片上，各個元器件之間采用硅鋁絲互連構(gòu)成推挽輸出電路，在管殼上設(shè)有外引線，在管殼內(nèi)填充有氮氣。優(yōu)點是耐壓高，承受電流大布局合理，占用空間小，散熱性好，可靠性高，適用于-45～125℃的工作環(huán)境。
文檔編號H01L25/18GK202042482SQ201120093568
公開日2011年11月16日 申請日期2011年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月1日
發(fā)明者潘蕊, 王建翼, 王立偉, 蘇舟, 高廣亮 申請人:錦州遼晶電子科技有限公司