專利名稱：一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管，尤其涉及一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
二極管廣泛應(yīng)用在各種電路中，可以說凡有電路處皆有二級(jí)管，利用其單向?qū)ǖ奶匦园呀涣麟娹D(zhuǎn)化為直流電，使電路的終端部件可以獲得穩(wěn)定的直流電輸入。如附圖1 所示，現(xiàn)有二極管晶粒在封裝過程中容易產(chǎn)生偏位，造成焊片與引線框凸點(diǎn)或者晶粒玻璃保護(hù)環(huán)接觸，從而會(huì)大大增加了電性以及可靠性失效的風(fēng)險(xiǎn)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)，此封裝結(jié)構(gòu)可防止二極管晶粒在組裝過程中產(chǎn)生偏位，有效避免了凸點(diǎn)或焊片與晶粒玻璃保護(hù)環(huán)接觸，實(shí)現(xiàn)了銅粒凸點(diǎn)與晶粒P極面精確定位。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)，包括二極管晶粒，其具有P極面和N極面，此二極管晶粒P極面一端四周邊緣具有玻璃保護(hù)環(huán)；還包括一端具有凸點(diǎn)的銅粒，此銅粒具有凸點(diǎn)的一端與所述二極管晶粒P極面通過第一焊片連接；第一引線框，此第一引線框一端通過第二焊片連接到二極管晶粒的N極面；第二引線框，此第二引線框一端通過第三焊片連接到銅粒的另一端。上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下上述方案中，所述銅粒和第一焊片均與所述玻璃保護(hù)環(huán)之間留有間隙。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)可防止二極管晶粒在組裝過程中產(chǎn)生偏位，有效避免了引線框凸點(diǎn)與晶粒玻璃保護(hù)環(huán)接觸，實(shí)現(xiàn)了銅粒凸點(diǎn)與芯片焊接區(qū)域精確定位，避免了以后帶來的電性以及可靠性產(chǎn)生的失效；其次，二極管晶粒玻璃保護(hù)環(huán)與金屬焊料以及銅接觸后， 由于金屬焊料(鉛錫銀)與玻璃的熱膨脹系數(shù)差異極大，當(dāng)環(huán)境溫度的變化時(shí)，極易破壞晶粒的玻璃保護(hù)環(huán)，最終會(huì)導(dǎo)致電性良品率降低、可靠性能(耐熱性能)降低、器件早期失效等，而本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)大大降低了這種風(fēng)險(xiǎn)；再次，本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)避免了晶粒玻璃保護(hù)環(huán)掛錫，使得電極延展遠(yuǎn)離了晶粒的PN結(jié)，加反向電壓后，不易產(chǎn)生電弧放電而擊穿。

附圖1為現(xiàn)有二極管晶粒封裝結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為本實(shí)用新型二極管晶粒封裝結(jié)構(gòu)示意圖。以上附圖中1、二極管晶粒；2、P極面；3、N極面；4、玻璃保護(hù)環(huán)；5、銅粒；6、凸點(diǎn)； 7、第一焊片；8、第一引線框；9、第二引線框；10、第二焊片；11、第三焊片。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)，如附圖2所示，包括二極管晶粒1，其具有P 極面2和N極面3，此二極管晶粒P極面2 —端四周邊緣具有玻璃保護(hù)環(huán)4 ；還包括一端具有凸點(diǎn)6的銅粒5，此銅粒5具有凸點(diǎn)6的一端與所述二極管晶粒P極面2通過第一焊片7 連接；第一引線框8，此第一引線框8 一端通過第二焊片10連接到二極管晶粒1的N極面3 ；第二引線框9，此第二引線框9 一端通過第三焊片11連接到銅粒5的另一端。上述銅粒5和第一焊片7均與所述玻璃保護(hù)環(huán)4之間留有間隙。采用上述封裝結(jié)構(gòu)可防止二極管晶粒在組裝過程中產(chǎn)生偏位，有效避免了引線框凸點(diǎn)與晶粒玻璃保護(hù)環(huán)接觸，實(shí)現(xiàn)了銅粒凸點(diǎn)與芯片焊接區(qū)域精確定位，避免了以后帶來的電性以及可靠性產(chǎn)生的失效；其次，二極管晶粒玻璃保護(hù)環(huán)與金屬焊料以及銅接觸后，由于金屬焊料(鉛錫銀)與玻璃的熱膨脹系數(shù)差異極大，當(dāng)環(huán)境溫度的變化時(shí)，極易破壞晶粒的玻璃保護(hù)環(huán)，最終會(huì)導(dǎo)致電性良品率降低、可靠性能(耐熱性能)降低、器件早期失效等， 而本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)大大降低了這種風(fēng)險(xiǎn)；再次，本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)避免了晶粒玻璃保護(hù)環(huán)掛錫，使得電極延展遠(yuǎn)離了晶粒的PN結(jié)，加反向電壓后，不易產(chǎn)生電弧放電而擊穿。上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。 凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)，包括二極管晶粒(1)，其具有P極面(2)和N極面(3)， 此二極管晶粒P極面(2) —端四周邊緣具有玻璃保護(hù)環(huán)(4)；其特征在于還包括一端具有凸點(diǎn)(6)的銅粒(5)，此銅粒(5)具有凸點(diǎn)(6)的一端與所述二極管晶粒P極面(2)通過第一焊片(7)連接；第一引線框(8)，此第一引線框(8)—端通過第二焊片(10)連接到二極管晶粒(I)WN 極面(3)；第二引線框(9)，此第二引線框(9) 一端通過第三焊片(11)連接到銅粒(5)的另一端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述銅粒(5)和第一焊片(7)均與所述玻璃保護(hù)環(huán)(4)之間留有間隙。
專利摘要一種半導(dǎo)體晶粒的封裝結(jié)構(gòu)，包括二極管晶粒，其具有P極面和N極面，此二極管晶粒P極面一端四周邊緣具有玻璃保護(hù)環(huán)；還包括一端具有凸點(diǎn)的銅粒，此銅粒具有凸點(diǎn)的一端與所述二極管晶粒P極面通過第一焊片連接；第一引線框，此第一引線框一端通過第二焊片連接到二極管晶粒的N極面；第二引線框，此第二引線框一端通過第三焊片連接到銅粒的另一端；所述銅粒和第一焊片均與所述玻璃保護(hù)環(huán)之間留有間隙。本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)可防止二極管晶粒在組裝過程中產(chǎn)生偏位，有效避免了凸點(diǎn)或焊片與晶粒玻璃保護(hù)環(huán)接觸，實(shí)現(xiàn)了銅粒凸點(diǎn)與晶粒P極面精確定位。
文檔編號(hào)H01L23/495GK202094115SQ201120083968
公開日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2011年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月28日
發(fā)明者任志龍, 葛永明, 韋德富 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司