專利名稱：音樂、圖像用電纜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及音樂、圖像用電纜。
背景技術(shù)：
在近年的科學(xué)技術(shù)中，電被用于作為動力源的電力、電信號等所有部分，為了傳送它們而使用電纜、引線等導(dǎo)線。因此，作為用于該導(dǎo)線的原材料，使用銅、銀等電導(dǎo)率高的金屬，特別是考慮到成本方面等，極大多數(shù)使用銅線。所有銅中，根據(jù)其分子的排列等進(jìn)行大致分類，可以分成硬質(zhì)銅和軟質(zhì)銅。因此根據(jù)利用目的來使用具有所希望的性質(zhì)的種類的銅。就電子部件用引線而言，多數(shù)使用硬質(zhì)銅線，另一方面，用于醫(yī)療設(shè)備、產(chǎn)業(yè)用機(jī)器人、筆記本型個人電腦等電子設(shè)備等的電纜由于在反復(fù)負(fù)載由苛刻的彎曲、扭轉(zhuǎn)、拉伸等組合而成的外力的環(huán)境下使用，因此硬直的硬質(zhì)銅線是不恰當(dāng)?shù)模梢允褂密涃|(zhì)銅線。就用于這樣的用途的導(dǎo)線而言，要求導(dǎo)電性良好(高電導(dǎo)率)且彎曲特性良好這樣的相反特性，但是迄今為止，還在進(jìn)行維持高導(dǎo)電性和耐彎曲性的銅材料的開發(fā)。例如，關(guān)于拉伸強(qiáng)度、伸長率和電導(dǎo)率良好的耐彎曲電纜用導(dǎo)體，已知將銅合金形成線材的耐彎曲電纜用導(dǎo)體，特別是所述銅合金在純度99. 99wt%以上的無氧銅中以 0. 05 0. 70質(zhì)量％的濃度范圍含有純度99. 99wt%以上的銦、以0. 0001 0. 003質(zhì)量％ 的濃度范圍含有純度99. 9wt%以上的P(例如，參照專利文獻(xiàn)1。)。在音樂、圖像用電纜中，有音頻電纜、視頻電纜、揚(yáng)聲器電纜、S端子視頻電纜、D端子視頻電纜、HDMI電纜等。例如，音頻電纜可在用放大器等再現(xiàn)CD播放機(jī)的立體聲等時使用。此外，視頻電纜可在用立體電視再現(xiàn)DVD播放機(jī)、錄像機(jī)的圖像和立體聲等時使用。此外，揚(yáng)聲器電纜可在用揚(yáng)聲器再現(xiàn)放大器的聲音等時使用。此外，S端子視頻電纜可在用帶S端子的立體電視再現(xiàn)HDD/DVD刻錄機(jī)等的S圖像等時使用，D端子視頻電纜可在用帶D端子的立體電視再現(xiàn)HDD/DVD刻錄機(jī)、數(shù)碼播放調(diào)諧器的圖像等時使用，HDMI電纜可在用帶HDMI端子的立體電視再現(xiàn)HDD/DVD刻錄機(jī)的圖像和聲音等時使用。在這些電纜的導(dǎo)體所用的銅的種類中，可列舉韌銅(TPC)、無氧銅(OFC)、線形結(jié)晶狀的無氧銅(LC-OFC)、單晶狀的無氧銅(PCOCC)、純度99. 9999% (6N)的0FC(6N_0FC) 等。此外，有將這些原材料用作硬銅線的想法。這是因?yàn)檎J(rèn)為晶粒的平均長度越長，電纜的傳輸損耗就越少，因此音質(zhì)和畫質(zhì)的惡化就越少?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-363668號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
然而，對于硬銅線而言，晶粒的長度通常按照TPC、0FC、6N-0FC、LC-OFC, PCOCC的順序變長，但如果進(jìn)行加熱而形成軟銅線，則晶粒長度的差異變得不明顯。例如，LC-OFC由于加熱而線形大結(jié)晶結(jié)構(gòu)崩解，并且再結(jié)晶化而形成小的晶粒。這是因?yàn)橥ǔＵJ(rèn)為晶界數(shù)越少，電纜的傳輸損耗就越少，因此音質(zhì)和畫質(zhì)的惡化就越少，從音質(zhì)、畫質(zhì)的提高方面出發(fā)，要求在軟銅線的狀態(tài)下晶界數(shù)少的導(dǎo)體。此外，在硬銅線的狀態(tài)下，例如，如果卷繞在拉絲絞盤上而拉出，則線上會殘留皺痕，而且由于伸長率小，因此容易斷線。因此，難以將硬銅線作為電纜的導(dǎo)體進(jìn)行加工。例如，還存在將OFC等用作軟銅線的情況，雖然可獲得晶粒的大小在容許范圍內(nèi)的軟銅線，但為了進(jìn)一步提高音質(zhì)，而需要增大晶粒的大小、減少晶界數(shù)，對于軟銅線而言， 要求晶界數(shù)少的銅線。因此，本發(fā)明的目的是提供具有高導(dǎo)電性且即使為軟質(zhì)銅材也具有高彎曲壽命的音樂、圖像用電纜。此外，本發(fā)明的另一目的是提供雖然是軟銅線但具有與OFC等的銅線相比具備大的晶粒的結(jié)晶組織，且彎曲性優(yōu)異的音樂、圖像用電纜。為了解決上述課題，本發(fā)明提供了一種音樂、圖像用電纜，其是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線并行排列成的音樂、圖像用電纜，所述銅導(dǎo)體由含有純銅和添加元素、剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，所述表層的結(jié)晶組織從所述表層的表面向著所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至 50 μ m深度的平均晶粒尺寸為20 μ m以下。此外，為了解決上述課題，本發(fā)明提供了一種音樂、圖像用電纜，其是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線對絞，在它們的外周覆蓋護(hù)套而得的音樂、圖像用電纜，所述銅導(dǎo)體由含有純銅和添加元素、剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，所述表層的結(jié)晶組織從所述表層的表面向著所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至50 μ m深度的平均晶粒尺寸為20 μ m以下。此外，在所述音樂、圖像用電纜中，所述添加元素可以選自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、 Ni、Mn和Cr所組成的組。此外，在所述音樂、圖像用電纜中，所述Ti可以以TiO、Ti02、TiS、Ti-O-S的任一種形式包含于所述純銅的晶粒內(nèi)或晶界。此外，在所述音樂、圖像用電纜中，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料可以含有2質(zhì)量 ppm 12質(zhì)量ppm的硫、超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧、和4質(zhì)量ppm 55質(zhì)量ppm的鈦。發(fā)明的效果本發(fā)明涉及的音樂、圖像用電纜可以提供具有高導(dǎo)電性且即使為軟質(zhì)銅材料也具有高彎曲壽命的音樂、圖像用電纜。此外，本發(fā)明涉及的音樂、圖像用電纜可以提供雖然為軟銅線但具有與OFC等的銅線相比具備大的晶粒的結(jié)晶組織，且彎曲性優(yōu)異的音樂、圖像用電纜。


圖1是TiS粒子的SEM圖像。圖2是表示圖1的分析結(jié)果的圖。圖3是TiA粒子的SEM圖像。圖4是表示圖3的分析結(jié)果的圖。圖5是Ti-O-S粒子的SEM圖像。圖6是表示圖5的分析結(jié)果的圖。圖7是表示彎曲疲勞試驗(yàn)的概略的圖。圖8是表示測定在400°C下實(shí)施1小時退火處理后的、使用無氧銅的比較例13的盤條和使用在低氧銅中添加了 Ti的軟質(zhì)低濃度銅合金線而制作的實(shí)施例7的盤條的彎曲壽命得到的結(jié)果的圖。圖9是表示測定在600°C下實(shí)施1小時退火處理后的、使用無氧銅的比較例14的盤條和使用在低氧銅中添加了 Ti的軟質(zhì)低濃度銅合金線而制作的實(shí)施例8的盤條的彎曲壽命得到的結(jié)果的圖。圖10是表示實(shí)施例8的試樣的寬度方向的斷面組織的圖。
圖11是表示比較例14的試樣的寬度方向的斷面組織的圖。
圖12是表層中的平均晶粒尺寸的測定方法的示意圖。
圖13是實(shí)施例的LOC-Ti材料的斷面圖。
圖14是比較例的OFC的斷面圖。
圖15是表示伸長率與退火溫度的關(guān)系的圖。
圖16是表示音頻電纜的圖。
圖17是表示視頻電纜的圖。
圖18是表示揚(yáng)聲器電纜的圖。
符號說明
1同軸電纜
2輸入側(cè)管腳插孔
3輸出側(cè)管腳插孔
4同軸電纜
5輸入側(cè)管腳插孔
6輸出側(cè)管腳插孔
7絞線
8電纜
9護(hù)套
10環(huán)
12夾具
14彎曲頭
16錘
20試樣
30樹脂基板
30a凹凸形狀
40 導(dǎo)體50樹脂層。
具體實(shí)施例方式本實(shí)施方式涉及的音樂、圖像用電纜使用作為滿足電導(dǎo)率98% IACS(國際標(biāo)準(zhǔn)軟銅(International Anneld Copper Standard)，以電阻率 1· 7241 X 1(Γ8 Ω m 為 100% 時的電導(dǎo)率)以上、優(yōu)選為100% IACS以上、更優(yōu)選為102% IACS以上的軟質(zhì)型銅材的軟質(zhì)低濃度銅合金材料來構(gòu)成。此外，本實(shí)施方式涉及的音樂、圖像用電纜使用SCR連續(xù)鑄造設(shè)備，表面損傷少， 制造范圍寬，可以穩(wěn)定生產(chǎn)。此外，使用對盤條的加工度為90% (例如從Φ 8mm的線加工成 Φ 2. 6mm的線)時的軟化溫度為148°C以下的材料來構(gòu)成。具體地說，本實(shí)施方式涉及的音樂、圖像用電纜是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線并行排列成的音樂、圖像用電纜，銅導(dǎo)體由含有純銅和微量的添加元素、 剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成。此外，軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，表層的結(jié)晶組織從表層的表面向著軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至50 μ m深度的平均晶粒尺寸為20 μ m以下。此外，所謂的晶粒，是指銅的結(jié)晶組織。此外，本實(shí)施方式的另一方式涉及的音樂、圖像用電纜是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線對絞，在它們的外周覆蓋護(hù)套而得的音樂、圖像用電纜，銅導(dǎo)體由含有純銅和添加元素、剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成。由此， 軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，表層的結(jié)晶組織從表層的表面向著軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至 50 μ m深度的平均晶粒尺寸為20 μ m以下。其中，添加元素選自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所組成的組。作為添加元素，選擇選自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、V、Ni、Mn和Cr所組成的組中的元素的理由是由于，這些元素是容易與其他元素結(jié)合的活性元素，由于容易與S結(jié)合，因此可以捕捉S,可將銅母材(基體)高純度化。添加元素可以含有1種以上。此外，在合金中還可以含有不會對合金性質(zhì)產(chǎn)生不良影響的其他元素和雜質(zhì)。此外，在以下說明的優(yōu)選實(shí)施方式中，雖然說明了氧含量超過2且為30質(zhì)量ppm以下說明是良好的，但根據(jù)添加元素的添加量和S的含量， 在具有合金性質(zhì)的范圍內(nèi)，可以含有超過2且為400質(zhì)量ppm以下。此外，Ti可以以TiO、 TiO2, TiS、Ti-O-S的任一種形式在純銅的晶粒內(nèi)或晶界析出而含有。此外，軟質(zhì)低濃度銅合金材料可以含有2質(zhì)量ppm 12質(zhì)量ppm的硫、超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧、和4質(zhì)量ppm 55質(zhì)量ppm的鈦。由于含有超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧，因此在該實(shí)施方式中，以所謂的低氧銅(LOC)為對象。以下，在本實(shí)施方式涉及的音樂、圖像用電纜的實(shí)現(xiàn)中，對本發(fā)明人研究的內(nèi)容進(jìn)行說明。首先，純度為6N(即，99. 9999% )的高純度銅在加工度90 %時的軟化溫度為 130°C。因此，關(guān)于在可以穩(wěn)定生產(chǎn)的130°C以上148°C以下的軟化溫度下，能夠穩(wěn)定制造軟質(zhì)材料的電導(dǎo)率為98% IACS以上、優(yōu)選100% IACS以上、更加優(yōu)選102% IACS以上的軟質(zhì)銅的軟質(zhì)低濃度銅合金材料以及該軟質(zhì)低濃度銅合金材料的制造方法，本發(fā)明人進(jìn)行了研這里，準(zhǔn)備氧濃度為1 2質(zhì)量ppm的高純度銅0N)，使用設(shè)置在實(shí)驗(yàn)室的小型連續(xù)鑄造機(jī)(小型連鑄機(jī))，將該Cu制成Cu的熔液。然后，在該熔液中添加幾質(zhì)量ppm的鈦。 接著，由添加了鈦的熔液制造Φ 8mm的盤條。接著，將Φ 8mm的盤條加工成Φ2.6πιπι(即，加工度為90% )。該Φ2. 6mm的盤條的軟化溫度為160°C 168°C，低于該溫度的軟化溫度是不行的。另外，該Φ 2. 6mm的盤條的電導(dǎo)率為101.7% IACS左右。也就是說，本發(fā)明人得到如下見解即使降低盤條中所含的氧濃度、在熔液中添加鈦，也無法降低盤條的軟化溫度， 并且電導(dǎo)率低于高純度銅(6N)的電導(dǎo)率102. 8% IACS。無法降低軟化溫度、電導(dǎo)率低于6N的高純度銅的原因推測是由于，含有作為在熔液的制造中不可避免的雜質(zhì)的幾質(zhì)量ppm以上的硫( 。即推測，由于在熔液中所含的硫與鈦之間未充分形成TiS等硫化物，因此盤條的軟化溫度未降低。因此，為了實(shí)現(xiàn)軟質(zhì)低濃度銅合金材料的軟化溫度的降低和軟質(zhì)低濃度銅合金材料的電導(dǎo)率的提高，本發(fā)明人研究了以下兩個方案。而且，通過將以下兩個方案并用于銅盤條的制造，從而得到構(gòu)成本實(shí)施方式的音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料。圖1是TiS粒子的SEM圖像，圖2表示圖1的分析結(jié)果。另夕卜，圖3是TW2粒子的SEM圖像，圖4表示圖3的分析結(jié)果。此外，圖5是Ti-O-S粒子的SEM圖像，圖6表示圖 5的分析結(jié)果。另外，SEM圖像中，拍攝了中央附近的各粒子。圖1 6是通過SEM觀察和 EDX分析來評價具有示于表1的實(shí)施例1的由上第三段的氧濃度、硫濃度、Ti濃度的Φ 8mm 的銅線(盤條)的橫截面而得的圖。觀察條件設(shè)為加速電壓15keV、發(fā)射電流ΙΟμΑ。首先，第1方案是以在氧濃度超過2質(zhì)量ppm的量的Cu中添加鈦(Ti)的狀態(tài)來制作Cu的熔液。在該熔液中，可認(rèn)為形成TiS、鈦的氧化物(例如，TiO2)和Ti-O-S粒子。這是來自圖1的SEM圖像和圖2的分析結(jié)果、圖3的SEM圖像和圖4的分析結(jié)果的考察。另外，圖2、圖4和圖6中，Pt和Pd是進(jìn)行SEM觀察時蒸鍍在觀察對象物上的金屬元素。接著，第2方案是以通過在銅中導(dǎo)入位錯而容易析出硫( 為目的，將熱軋工序時的溫度設(shè)定在比通常的銅的制造條件的溫度(即，950°C 600°C )更低的溫度(880°C 550°C)。通過這樣的溫度設(shè)定，可以使S在位錯上析出，或者以鈦的氧化物(例如，TiO2)為核而使S析出。作為一例，如圖5和圖6所示，與熔融銅一起形成Ti-O-S粒子等。通過以上的第1方案和第2方案，銅中所含的硫結(jié)晶并析出，因此在冷拉絲加工后可以得到具有所希望的軟化溫度和所希望的電導(dǎo)率的銅盤條。另外，構(gòu)成本實(shí)施方式的音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料使用SCR連續(xù)鑄造軋制設(shè)備來制造。這里，作為使用SCR連續(xù)鑄造軋制設(shè)備時的制造條件的限制，設(shè)置以下的3個條件。(1)關(guān)于組成得到電導(dǎo)率為98% IACS以上的軟質(zhì)銅材的情況下，作為含有不可避免的雜質(zhì)的純銅(基礎(chǔ)原材料)，使用含有3 12質(zhì)量ppm的硫、超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧、和4 55質(zhì)量ppm的鈦的軟質(zhì)低濃度銅合金材料，由該軟質(zhì)低濃度銅合金材料制造盤條(線坯)。這里，得到電導(dǎo)率為100% IACS以上的軟質(zhì)銅材的情況下，作為含有不可避免的雜質(zhì)的純銅(基礎(chǔ)原材料)，使用含有2 12質(zhì)量ppm的硫、超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧、和4 37質(zhì)量ppm的鈦的軟質(zhì)低濃度銅合金材料。另外，得到電導(dǎo)率為 102% IACS以上的軟質(zhì)銅材的情況下，作為含有不可避免的雜質(zhì)的純銅(基礎(chǔ)原材料)，使用含有3 12質(zhì)量ppm的硫、超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧、和4 25質(zhì)量 ppm的鈦的軟質(zhì)低濃度銅合金材料。通常，在純銅的工業(yè)制造中，由于在制造電解銅時在銅中引入硫，因此難以使硫在 3質(zhì)量ppm以下。通用電解銅的硫濃度的上限是12質(zhì)量ppm。氧濃度低時，構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料的軟化溫度難以降低，因此氧濃度控制為超過2質(zhì)量ppm的量。另外，氧濃度高時，在熱軋工序中容易在構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料的表面上產(chǎn)生損傷，因此控制為30質(zhì)量ppm以下。(2)關(guān)于分散的物質(zhì)優(yōu)選分散在構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料內(nèi)的分散粒子的尺寸小，而且優(yōu)選分散粒子大量分散在構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料內(nèi)。其理由是由于分散粒子具有作為硫的析出位點(diǎn)的功能，作為析出位點(diǎn)要求尺寸小、數(shù)量多。構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料中所含的硫和鈦?zhàn)鳛門iO、TiO2, TiS或具有Ti-O-S鍵的化合物、或者TiO、TiO2, TiS或具有Ti-O-S鍵的化合物的凝集物而含有，殘余部分的Ti和S作為固溶體而含有。作為構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料，使用TiO具有200nm以下的尺寸、TW2具有IOOOnm以下的尺寸、TiS具有200nm 以下的尺寸、Ti-O-S的形態(tài)的化合物具有300nm以下的尺寸、且它們分布在晶粒內(nèi)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料。另外，根據(jù)鑄造時的熔融銅的保持時間和冷卻條件，晶粒內(nèi)形成的粒子尺寸會變化，因此鑄造條件也適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。(3)關(guān)于鑄造條件利用SCR連續(xù)鑄造軋制，以鑄條的加工度為90% (30mm) 99. 8% (5mm)制作盤條。作為一例，采用以加工度99. 3%制造Φ8πιπι的盤條的條件。以下，對鑄造條件(a) (b)進(jìn)行說明。[鑄造條件(a)]熔化爐內(nèi)的熔融銅溫度控制在1100°C以上1320°C以下。熔融銅的溫度高時，有氣孔增多、產(chǎn)生損傷、同時粒子尺寸變大的傾向，因此控制在1320°C以下。另外，就控制在 1100°C以上的理由而言，雖然銅容易凝固、制造不穩(wěn)定是理由，但是熔融銅溫度優(yōu)選盡可能低的溫度。[鑄造條件(b)]就熱軋加工的溫度而言，將最初的軋輥的溫度控制在880°C以下，并且將最終的軋輥的溫度控制在550°C以上。與通常的純銅的制造條件不同，為了進(jìn)一步減小作為熔融銅中的硫的結(jié)晶和熱軋中的硫的析出的驅(qū)動力的固溶限，優(yōu)選將熔融銅溫度和熱軋加工的溫度設(shè)定在[鑄造條件 (a)]和[鑄造條件(b)]中說明的條件。另外，就通常的熱軋加工的溫度而言，最初的軋輥中為950°C以下，最終的軋輥中為600°C以上，但是為了進(jìn)一步減小固溶限，在本實(shí)施方式中，最初的軋輥中設(shè)定為880°C 以下，最終的軋輥中設(shè)定為550°C以上。另外，將最終的軋輥的溫度設(shè)定在550°C的理由是由于在低于550°C的溫度下獲得的盤條的損傷增多，無法將構(gòu)成所制造的音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料用作制品。就熱軋加工的溫度而言，最初的軋輥中控制在880°C以下的溫度，最終的軋輥中控制在550°C以上的溫度，并且優(yōu)選為盡可能低的溫度。通過進(jìn)行這樣的溫度設(shè)定，可以使構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料的軟化溫度(從Φ8πιπι加工成Φ2.6πιπι后的軟化溫度)接近6Ν的Cu的軟化溫度(即130°C )。無氧銅的電導(dǎo)率為101.7% IACS左右，6N的Cu的電導(dǎo)率為102. 8% IACS。在本實(shí)施方式中，例如直徑Φ8mm尺寸的盤條的電導(dǎo)率為98% IACS以上，優(yōu)選為100% IACS以上，更加優(yōu)選為102% IACS以上。另外，在本實(shí)施方式中，制造冷拉絲加工后的線材(例如， Φ 2. 6mm)的盤條的軟化溫度為130°C以上且為148°C以下的軟質(zhì)低濃度銅合金，并將該軟質(zhì)低濃度銅合金用于音樂、圖像用電纜的制造。為了在工業(yè)上使用，作為由電解銅制造的可工業(yè)利用的純度的軟質(zhì)銅線的電導(dǎo)率，要求98% IACS以上的電導(dǎo)率。另外，從工業(yè)價值判斷，軟化溫度為148°C以下。由于6N 的Cu的軟化溫度為127°C 130°C，因此從所得的數(shù)據(jù)將軟化溫度的上限值設(shè)定在130°C。 這略微不同是由于存在6N的Cu中所不含的不可避免的雜質(zhì)?；A(chǔ)材料的銅優(yōu)選在豎爐中熔化后，以還原狀態(tài)流過槽。即，優(yōu)選在還原氣體(例如CO)氛圍下，一邊控制低濃度銅合金的硫濃度、鈦濃度和氧濃度一邊進(jìn)行鑄造，并且對材料實(shí)施軋制加工，從而穩(wěn)定地制造盤條。另外，銅氧化物混入和/或粒子尺寸大于規(guī)定尺寸會使所制造的音樂、圖像用電纜的品質(zhì)降低。這里，在構(gòu)成音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料中添加鈦?zhàn)鳛樘砑游锏睦碛扇缦滤觥＜?，由?a)鈦在熔融銅中容易與硫結(jié)合從而形成化合物；(b)與^ 等其他金屬相比，容易加工且易于處理；(c)與Nb等相比便宜；(d)容易以氧化物為核而析出。由上，可以得到生產(chǎn)率高，電導(dǎo)率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)異的實(shí)用的軟質(zhì)低濃度銅合金材料作為構(gòu)成本實(shí)施方式的音樂、圖像用電纜的軟質(zhì)低濃度銅合金材料的原料。另外，也可以在軟質(zhì)低濃度銅合金材料的表面上形成鍍層。鍍層可以使用例如以錫、鎳、銀為主成分的材料或者無1 鍍。另外，在本實(shí)施方式中，也可以使用將多根軟質(zhì)低濃度銅合金線絞合成的軟質(zhì)低濃度銅合金絞線。另外，在本實(shí)施方式中，利用SCR連續(xù)鑄造軋制法來制作盤條，并且利用熱軋來制作軟質(zhì)材料，但也可以采用雙輥式連續(xù)鑄造軋制法或普羅佩茲式連續(xù)鑄造軋制法。(實(shí)施方式的效果)本實(shí)施方式中的音樂、圖像用電纜具有高電導(dǎo)率，并且具有高彎曲壽命。另外，本實(shí)施方式中的音樂、圖像用電纜雖然是軟銅線但具有與OFC等銅線相比具備大的晶粒的結(jié)晶組織，且彎曲性優(yōu)異。實(shí)施例表1表示實(shí)驗(yàn)條件和結(jié)果。表1CN 102543275 A
權(quán)利要求
1.一種音樂、圖像用電纜，其是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線并行排列成的音樂、圖像用電纜，所述銅導(dǎo)體由含有純銅和添加元素、剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，所述表層的結(jié)晶組織從所述表層的表面向著所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至 50 μ m深度的平均晶粒尺寸為20pm以下。
2.一種音樂、圖像用電纜，其是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線對絞， 在它們的外周覆蓋護(hù)套而得的音樂、圖像用電纜，所述銅導(dǎo)體由含有純銅和添加元素、剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，所述表層的結(jié)晶組織從所述表層的表面向著所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至 50 μ m深度的平均晶粒尺寸為20 μ m以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的音樂、圖像用電纜，所述添加元素選自由Ti、Mg、Zr、Nb、Ca、 V、Ni、Mn和Cr所組成的組。
4.如權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的音樂、圖像用電纜，所述Ti以TiO、TiO2,TiS、 Ti-O-S的任一種形式包含于所述純銅的晶粒內(nèi)或晶界。
5.如權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的音樂、圖像用電纜，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料含有2質(zhì)量ppm 12質(zhì)量ppm的硫、超過2質(zhì)量ppm且為30質(zhì)量ppm以下的氧、和4質(zhì)量 ppm 55質(zhì)量ppm的鈦。
全文摘要
本發(fā)明的課題是提供一種具有高導(dǎo)電性且即使為軟質(zhì)銅材也具有高彎曲壽命的音樂、圖像用電纜。本發(fā)明涉及的音樂、圖像用電纜是將在銅導(dǎo)體的外周形成有絕緣層的多根絕緣電線并行排列成的音樂、圖像用電纜，上述銅導(dǎo)體由含有純銅和添加元素、剩余部分為不可避免的雜質(zhì)的軟質(zhì)低濃度銅合金材料構(gòu)成，所述軟質(zhì)低濃度銅合金材料具有下述再結(jié)晶組織，所述再結(jié)晶組織具有表層的晶粒小于內(nèi)部的晶粒的粒度分布，所述表層的結(jié)晶組織從所述表層的表面向著上述軟質(zhì)低濃度銅合金材料的內(nèi)部直至50μm深度的平均晶粒尺寸為20μm以下。
文檔編號H01B7/04GK102543275SQ20111032776
公開日2012年7月4日 申請日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月20日
發(fā)明者后藤正義, 青山正義, 鷲見亨 申請人:日立電線株式會社