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具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體的制作方法

文檔序號:7159846閱讀:203來源:國知局
專利名稱:具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例涉及一種半導(dǎo)體本體和一種具有帶有受應(yīng)力(versparmt)區(qū)域的半導(dǎo)體本體的電子元件以及一種用于制造這種半導(dǎo)體本體的方法。
背景技術(shù)
尤其是在MOS晶體管中需要具有張緊區(qū)域的半導(dǎo)體本體。圖Ia例如示出半導(dǎo)體本體4中的具有漏極區(qū)1、源極區(qū)2和溝道區(qū)域3的PMOS晶體管。在溝道區(qū)域4上布置有通過柵極氧化物6與溝道區(qū)域3分開的柵電極5。漏極區(qū)1 以及源極區(qū)2配備有接點7或8。在所示的示例中,漏極區(qū)1和源極區(qū)2由硅鍺制成,而溝道區(qū)域3由硅制造。由于硅鍺的與硅相比較大的晶格常數(shù),所以在硅中在平行于溝道區(qū)域3中的表面的平面中生成了壓應(yīng)力。箭頭象征了所生成的壓應(yīng)力。該壓應(yīng)力導(dǎo)致自由空穴的有效質(zhì)量的降低,并因此導(dǎo)致空穴移動性的提高。圖Ib中所示出的另一個示例示出了,由于在柵極上采用了合適的覆蓋材料9而誘導(dǎo)了溝道區(qū)域3中的拉應(yīng)力(作為箭頭示出)。該誘導(dǎo)的拉應(yīng)力導(dǎo)致自由電子的有效質(zhì)量的降低,并因此導(dǎo)致電子移動性的提高,使得以此方式可以生成具有較小溝道電阻的NMOS晶體管。不過將不同的材料用于生成應(yīng)力具有多種缺點。一方面使得制造過程昂貴。除此之外,不同材料的采用常常也要求附加的材料專門的附著層材料、金屬化材料和鈍化材料, 以至于制造過程更復(fù)雜和因此進(jìn)一步使其昂貴。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)所以是,提供一種可以更便宜和更簡單地制造的具有受應(yīng)力的層的半導(dǎo)體本體。通過獨立權(quán)利要求1和6所述的特征表征了本發(fā)明。本發(fā)明的改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中找出。本發(fā)明的實施形式一般涉及由半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體本體,該半導(dǎo)體本體具有沿參考方向具有第一晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第一單晶區(qū)域、沿參考方向具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第二單晶區(qū)域、以及在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三受應(yīng)力的單晶區(qū)域。在此和在以下,“受應(yīng)力”意味著,第一區(qū)域的晶格常數(shù)在第二區(qū)域中繼續(xù)延續(xù),盡管第二區(qū)域的晶格常數(shù)大于或小于第一區(qū)域的晶格常數(shù)。因此在晶體中形成了出現(xiàn)在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的受應(yīng)力區(qū)域中的機械應(yīng)力。在無應(yīng)力的半導(dǎo)體本體中,由晶格結(jié)構(gòu)中的晶格缺陷(Fehlstellen)來補償晶格常數(shù)之間的差別。通過對于第一區(qū)域和第二區(qū)域采用同一種例如硅的半導(dǎo)體材料一但是兩個區(qū)域具有不同的晶格常數(shù),能夠提供一種可以更便宜和更簡單地制造的、具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體,因為不必采用不同的材料。一種用于在同一半導(dǎo)體材料的兩個區(qū)域之間使晶格結(jié)構(gòu)受應(yīng)力的可能性在于,半導(dǎo)體材料的第一單晶區(qū)域具有第一晶體取向并且第二單晶區(qū)域具有不同于第一晶體取向的第二晶體取向。尤其合適的是,第一晶體取向是(100)并且第二晶體取向是(111)或(311)。在此,在括號中的數(shù)字說明表示立方晶格的米勒指數(shù)(Millerindiz)。第二區(qū)域在第一區(qū)域的 (100)取向上的(111)或(311)取向可以特別有利地實現(xiàn)。一種特別的實施形式涉及一種具有上述半導(dǎo)體本體的電子元件,其中在半導(dǎo)體本體中含有構(gòu)成至少一個PN結(jié)的至少兩個摻雜物區(qū)。所述電子元件尤其是可以具有一種半導(dǎo)體本體,在該半導(dǎo)體本體中構(gòu)成有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜物區(qū)、第一導(dǎo)電類型的第二摻雜物區(qū)、和與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的處于第一和第二摻雜物區(qū)之間的第三摻雜物區(qū),并且其中至少第三摻雜物區(qū)至少部分地包括半導(dǎo)體本體的受應(yīng)力的區(qū)域。例如在如此構(gòu)成的MOSFET中,通過受應(yīng)力的區(qū)域可以提高在第三摻雜物區(qū)(溝道區(qū))中的載流子移動性,或降低溝道電阻。第三受應(yīng)力的單晶區(qū)域可以因此完全大致上只設(shè)置在載流子移動性的提高是有利的元件區(qū)域中,例如在MOSFET控制電極之下的反向溝道的區(qū)域中是這種情況。在pn結(jié)的邊緣端接的區(qū)域中,也就是在電子功率半導(dǎo)體元件的活性區(qū)域之外,可能有利的是,不提高載流子的移動性,因為這由于在較低電壓下開始的雪崩擊穿而可能導(dǎo)致?lián)舸╇妷旱慕档?。本發(fā)明的實施形式還涉及一種用于生成具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體的方法,其中該方法具有以下的特征提供由沿參考方向具有第一晶格常數(shù)的例如硅的半導(dǎo)體材料制成的第一單晶半導(dǎo)體區(qū),生成由與第一半導(dǎo)體區(qū)鄰接并沿參考方向具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)的相同的半導(dǎo)體材料制成的第二單晶半導(dǎo)體區(qū),其中在第一和第二半導(dǎo)體區(qū)之間形成第三受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)。由此可以由相同的半導(dǎo)體材料生成具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體。例如在半導(dǎo)體片的情況下,第三受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)可以在整個半導(dǎo)體片面積上延伸。但是也可能只局限于半導(dǎo)體本體的特定部分區(qū)域上,在這些部分區(qū)域中,第三受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)的正面特性——例如提高的載流子移動性——對于半導(dǎo)體本體在例如電半導(dǎo)體元件中的使用可以看出是正面的。尤其適合于本方法的是,第二半導(dǎo)體區(qū)的生成具有以下的特征在第一半導(dǎo)體區(qū)的表面上生成μ結(jié)晶的或非晶的層或部分地μ結(jié)晶的和部分地非晶的層,并且用800°C之上的溫度——例如在800°C和1250°C之間并且尤其是在1100°C和1200°C之間的溫度區(qū)域中——熱處理μ結(jié)晶的和/或非晶的層,其中該層再結(jié)晶。由此可以用簡單的方法步驟來生成具有不同于第一半導(dǎo)體區(qū)的晶格常數(shù)的第二半導(dǎo)體區(qū),這于是導(dǎo)致所希望的受應(yīng)力的區(qū)域。在此,將典型地具有在從約10 nm直至大致100 μ m數(shù)量級上的、尤其是從100 nm 直至30 μ m數(shù)量級上的平均大小的晶粒的層稱為μ結(jié)晶。用于生成μ結(jié)晶的和/或非晶的層的一種有利的途徑是,通過將層在第一半導(dǎo)體區(qū)的表面上的析出方法來進(jìn)行生成。對此合適的尤其是一種析出方法,該析出方法具有以下的特征用低能粒子——例如通過氫等離子體處理——照射或處理第一半導(dǎo)體區(qū)的表面,其中低能粒子從單晶的第一半導(dǎo)體區(qū)中分離出半導(dǎo)體材料的原子,并且將這些分離出的原子析出在第一半導(dǎo)體區(qū)的剩余的表面上。例如可將氫離子用作為低能粒子。在此也可以用氫摻雜所析出的半導(dǎo)體材料。如果借助濺射或蒸鍍進(jìn)行析出,則是一種用于析出μ結(jié)晶的和/或非晶的層的一種替代的方法。例如可以用0. 5 μ m至5 μ m的層厚來制造μ結(jié)晶的和/或非晶的層。另一種用于生成第二單晶半導(dǎo)體區(qū)的變型是,通過晶片接合將第二半導(dǎo)體區(qū)安放在第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)上,其中將兩個晶片或片一其中一個是第一半導(dǎo)體區(qū)并且另一個是第二半導(dǎo)體區(qū)——互相連接。如果兩個單晶的半導(dǎo)體區(qū)由硅制成,則該方法變型是尤其合適的。


圖Ia以示意的截面圖示出了具有受壓應(yīng)力的溝道區(qū)域的MOS晶體管。圖Ib以示意的截面圖示出了具有受拉應(yīng)力的溝道區(qū)域的MOS晶體管。圖2以示意的截面圖示出了,由在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間具有受應(yīng)力的單晶區(qū)域的統(tǒng)一的半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體本體。圖3示出了用于生成具有受應(yīng)力層的半導(dǎo)體本體的示范性的方法流程。圖4示出了用于生成半導(dǎo)體本體中的受應(yīng)力區(qū)域的示范性的方法流程。
具體實施例方式以下根據(jù)附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明的實施例。但是本發(fā)明不局限于具體說明的實施形式,而是可以以合適的方式加以修改和變換。在本發(fā)明框架中,將一種實施形式的單個的特征和特征組合與另一種實施形式的特征和特征組合合適地相聯(lián)合,以便獲得其它的根據(jù)本發(fā)明的實施形式。在以下借助附圖詳細(xì)闡述本發(fā)明的實施例之前,要指明的是,附圖中的相同的元件配備了相同的或類似的附圖標(biāo)記,并且略去了這些元件的重復(fù)的說明。此外,附圖不一定是符合尺寸比例的,更確切地說重點在于基本原理的闡述。圖2中以示意的方式示出了通過半導(dǎo)體本體10的截面圖。半導(dǎo)體本體10由諸如硅的統(tǒng)一的半導(dǎo)體材料組成。在此,半導(dǎo)體本體10具有沿著參考方向X具有第一晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第一單晶區(qū)域11。該第一單晶區(qū)域11例如由(100)取向的硅單晶組成,并且例如可以是一種通常用(100)晶體取向制造的商業(yè)上通用的硅襯底片。此外,半導(dǎo)體本體10也還具有由相同的半導(dǎo)體材料子層的第二單晶區(qū)域12,該半導(dǎo)體材料沿著參考方向X 具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)。在第一區(qū)域11和第二區(qū)域12之間形成了第三受應(yīng)力的單晶區(qū)域13。受應(yīng)力的第三區(qū)域13通常具有與第一區(qū)域11相同的晶體取向,并且通過第二區(qū)域受到應(yīng)力。包括第一區(qū)域11、第二區(qū)域12和受應(yīng)力的第三區(qū)域13的整個半導(dǎo)體本體10因此由相同的但是具有不同晶格常數(shù)和應(yīng)力的半導(dǎo)體材料組成。這尤其是適用于由硅制成的半導(dǎo)體本體10,該半導(dǎo)體本體10具有擁有第一晶體取向(例如(100))的第一區(qū)域11和擁有不同于第一晶體取向的第二晶體取向(例如(111)或(311))的第二區(qū)域 12。按照第二區(qū)域12相對于第一區(qū)域11是否沿參考方向X具有較大的晶格常數(shù)或較小的晶格常數(shù),在第三受應(yīng)力的區(qū)域13中出現(xiàn)沿參考方向X的拉應(yīng)力或壓應(yīng)力。因此例如在硅半導(dǎo)體本體10中,第三區(qū)域13在第二區(qū)域12為(311)晶體取向時相對于第一區(qū)域11 的(100)晶體取向受拉應(yīng)力。可將像上述那樣的具有受應(yīng)力層的半導(dǎo)體本體用在一種電子元件中,該電子元件在半導(dǎo)體本體中具有構(gòu)成至少一個pn結(jié)的至少兩個摻雜物區(qū)。電子元件例如可以在半導(dǎo)體本體中具有第一導(dǎo)電類型的第一摻雜物區(qū)、第一導(dǎo)電類型的第二摻雜物區(qū)、和與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的處于第一和第二摻雜物區(qū)之間的第三摻雜物區(qū)。尤其是在MOSFET中,將這種結(jié)構(gòu)實現(xiàn)為漏極區(qū)、源極區(qū)和位于其間的溝道區(qū)。至少第三摻雜物區(qū) (M0SFET中的溝道區(qū))在此情況下應(yīng)至少部分地包括半導(dǎo)體本體的受應(yīng)力的第三區(qū)域。圖3a中示出了用于生成具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體的實施例的第一方法階段。在此,提供了由沿參考方向X具有第一晶格常數(shù)的例如硅的半導(dǎo)體材料制成的第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)20。將例如可以是半導(dǎo)體片或也可以只是例如像外延層那樣的半導(dǎo)體片的一部分的該第一單晶區(qū)域,用低能粒子在第一表面M上在真空中進(jìn)行處理,例如通過氫等離子體處理。低能粒子在此典型地具有在10 eV至100 eV區(qū)域中的能量和例如加速的氫離子。在此可將第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)用為電極。通過該照射或處理,來自單晶半導(dǎo)體區(qū)20的第一表面M中的原子受到撞擊。這些從第一單晶半導(dǎo)體區(qū)M的復(fù)合物中所釋放的原子, 于是在硅半導(dǎo)體材料的示范性的情況下,形成了硅烷分子或在氣相下類似的復(fù)合物,這些復(fù)合物于是又以μ結(jié)晶硅、即具有10 nm至100 μ m的平均結(jié)晶直徑的硅結(jié)晶的形式或以非晶硅的形式析出在第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)20上。在具有硅半導(dǎo)體材料的示范性的實施形式中,因此在用低能粒子處理硅半導(dǎo)體片20之后,生成了約0.5μπ 至5 μπ 厚的μ結(jié)晶的、非晶的層或由μ結(jié)晶的和非晶的硅組成的層。原則上可以設(shè)想,但是也可以通過從氣相中或從另外合適的析出方法中析出半導(dǎo)體材料,來生成也可以含有氫原子的μ結(jié)晶的和/或非晶的層,而不用為此事先用高能粒子照射表面。圖北中示出了該生成的μ結(jié)晶的和/或非晶的層21。圖3c中示出了在另一方法步驟之后的結(jié)果,在該方法步驟中,μ結(jié)晶的和/或非晶的層21經(jīng)受了具有800°C之上的溫度的、尤其是具有在1100°C至1200°C區(qū)域中的溫度的熱處理。在經(jīng)過足夠長的持續(xù)時間、例如在30分鐘直至四小時的、尤其是兩小時的該熱處理中,μ結(jié)晶的和/或非晶的層21再結(jié)晶,并且形成了由與第一單晶半導(dǎo)體區(qū)20相同的半導(dǎo)體材料制成的第二單晶的半導(dǎo)體區(qū)22。在具有第一單晶區(qū)域20的(100)晶體取向的所采用硅半導(dǎo)體材料的示例中,將具有另一種晶體取向的第二半導(dǎo)體區(qū)22再結(jié)晶,例如具有(111)或(311)晶體取向。由此在第一單晶半導(dǎo)體區(qū)20和第二單晶半導(dǎo)體區(qū)22之間,形成了第三受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)23。例如可以通過μ結(jié)晶的和/或非晶的層21的熱處理的持續(xù)時間和溫度來影響在該第三半導(dǎo)體區(qū)23中的應(yīng)力的強度。在1200°C時對μ結(jié)晶的和/ 或非晶的層21的兩小時熱處理的情況下,可以達(dá)到從當(dāng)前觀點看為最大的應(yīng)力。在熱處理的持續(xù)時間較少和/或溫度較低的情況下,可以調(diào)定較弱的應(yīng)力。圖4中示出了一種用于在半導(dǎo)體本體中生成受應(yīng)力區(qū)域的本發(fā)明的替代的實施形式。圖如作為本方法的初始情況示出了一種由沿參考方向X具有第一晶格常數(shù)的例如硅的半導(dǎo)體材料制成的第一單晶半導(dǎo)體區(qū)30。第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30例如可以是一種
7半導(dǎo)體片或也可以只是例如像外延層那樣的半導(dǎo)體片的一部分。在該第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30中,在主表面37上,例如通過刻蝕方法構(gòu)成了溝槽 35,該溝槽35從主表面37垂直延伸到第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30中,并且具有側(cè)壁38以及底面39。圖4b中示出了,在硅半導(dǎo)體材料的情況下,在主表面37上以及在溝槽35的側(cè)壁 38上和底面39上已構(gòu)成了例如像氧化層那樣的保護(hù)層36、尤其是SiO2層之后的情況。圖如示出了另一方法步驟的結(jié)果,按照該方法步驟,溝槽35的側(cè)壁38已從保護(hù)層36中脫離,使得在溝槽35的這些側(cè)壁38上暴露出第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30。隨后在側(cè)壁38上生成了由與第一單晶半導(dǎo)體區(qū)30相同的半導(dǎo)體材料制成的第二單晶的半導(dǎo)體區(qū)34。該第二單晶的半導(dǎo)體區(qū)34沿參考方向X具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù),使得沿著在第一單晶半導(dǎo)體區(qū)30和第二單晶半導(dǎo)體區(qū)34之間的側(cè)壁38形成了第三受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)33。例如用已經(jīng)對于圖3所描述的類似的方法,進(jìn)行第二單晶的半導(dǎo)體區(qū)34的生成。在此,在本實施例中,用諸如氫離子的低能粒子來處理在側(cè)壁38上暴露出的第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30。由此從第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30的復(fù)合物中釋放出原子, 這些原子于是作為具有另一種晶格常數(shù)的、尤其是具有另一種晶體取向的第二單晶的半導(dǎo)體區(qū)34重新積聚到第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)30上并且導(dǎo)致應(yīng)力??蓪⑦@種結(jié)構(gòu)例如用于溝槽M0SFET,在該溝槽MOSFET中,在溝槽中構(gòu)成了柵電極,該柵電極通過柵極電介質(zhì)與半導(dǎo)體區(qū)30、33和34隔離。在該溝槽MOSFET中,沿著側(cè)壁存在溝道區(qū),其中溝道區(qū)至少部分地包括受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)33。在沒有示出的另一方法中,借助晶片接合可將優(yōu)選由硅組成的第二半導(dǎo)體層安放在優(yōu)選同樣由硅組成的第一層上,并且然后減薄到所希望的最終厚度上。對于減薄提供諸如靈巧切削法(Smart-Cut-Verfahren)的公知方法,或替代地也出現(xiàn)了磨削步驟和/或刻蝕步驟。不過這些變型帶來了不可避免的“旋轉(zhuǎn)晶片誤取向”的缺點,雖然通過晶片互相的最佳校準(zhǔn)可將該“旋轉(zhuǎn)晶片誤取向”保持得盡可能地小,但是不能像在上述方法中那樣完全避免。
權(quán)利要求
1.一種由半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體本體,具有-沿參考方向(X)具有第一晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第一單晶區(qū)域(11,20,30),-沿參考方向(X)具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第二單晶區(qū)域(12,22,34),和-在第一區(qū)域(11,20,30)和第二區(qū)域(12,22,34)之間的第三受應(yīng)力的單晶區(qū)域(13, 23,33)。
2.按照權(quán)利要求1的半導(dǎo)體本體,其中半導(dǎo)體材料的第一單晶區(qū)域(11,20,30)具有第一晶體取向,并且第二單晶區(qū)域(12,22,34)具有不同于第一晶體取向的第二晶體取向。
3.按照權(quán)利要求2的半導(dǎo)體本體,其中第一晶體取向是(100),并且第二晶體取向是 (111)或(311)。
4.一種電子元件,具有-按照以上權(quán)利要求之一的半導(dǎo)體本體,和-在半導(dǎo)體本體中的構(gòu)成至少一個pn結(jié)的至少兩個摻雜物區(qū)(1,2,3)。
5.按照權(quán)利要求4的電子元件,其中在半導(dǎo)體本體中構(gòu)成有第一導(dǎo)電類型(1,2)的第一摻雜物區(qū)、第一導(dǎo)電類型(1,2)的第二摻雜物區(qū)以及與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的處于第一和第二摻雜物區(qū)之間的第三摻雜物區(qū)(3),并且其中至少第三摻雜物區(qū)(3) 至少部分地包括半導(dǎo)體本體的受應(yīng)力的第三區(qū)域(13,23,33)。
6.一種用于生成具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體的方法,具有以下的特征-提供沿參考方向(X)具有第一晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料制成的第一單晶半導(dǎo)體區(qū) (11,20,30),-生成由與第一半導(dǎo)體區(qū)(11,20,30)鄰接并沿參考方向(X)具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)的相同的半導(dǎo)體材料制成的第二單晶半導(dǎo)體區(qū)(12,22,34),其中在第一和第二半導(dǎo)體區(qū)(20,22)之間形成第三受應(yīng)力的半導(dǎo)體區(qū)(13,23,33)。
7.按照權(quán)利要求6的方法,其中第二半導(dǎo)體區(qū)(12,22,34)的生成具有以下的特征-在第一半導(dǎo)體區(qū)(20)的表面(24)上生成μ結(jié)晶的或非晶的層(21),或部分μ結(jié)晶的和部分非晶的層(21),-用800°C之上的溫度對μ結(jié)晶的和/或非晶的層(21)熱處理,其中所述層再結(jié)晶。
8.按照權(quán)利要求7的方法,其中通過析出方法在第一半導(dǎo)體區(qū)(20)的表面(24)上進(jìn)行μ結(jié)晶的和/或非晶的層(21)的生成。
9.按照權(quán)利要求8的方法,其中所述析出方法具有以下的特征-用低能粒子處理第一半導(dǎo)體區(qū)(11,20,30)的表面,其中所述低能粒子從單晶的第一半導(dǎo)體區(qū)(11,20,30)中分離出半導(dǎo)體材料的原子,-在第一半導(dǎo)體區(qū)(11,20,30)的剩余的表面上將這些分離出的原子析出。
10.按照權(quán)利要求9的方法,其中所述低能粒子是氫離子。
11.按照權(quán)利要求8的方法,其中借助濺射或蒸鍍進(jìn)行所述析出。
12.按照權(quán)利要求7至11之一的方法,其中制造具有0.5μπι至5 ym厚度的μ結(jié)晶的和/或非晶的層(21)。
13.按照權(quán)利要求6至12之一的方法,其中在1100°C至1200°C之間的溫度區(qū)域中進(jìn)行所述熱處理。
14.按照權(quán)利要求6至13之一的方法,其中經(jīng)過在30分鐘直至四小時范圍中的持續(xù)時間來進(jìn)行所述熱處理。
15.按照權(quán)利要求6的方法,其中將第二單晶的半導(dǎo)體區(qū)通過晶片接合安放在第一單晶的半導(dǎo)體區(qū)上。
全文摘要
具有受應(yīng)力區(qū)域的半導(dǎo)體本體。由半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體本體具有沿參考方向具有第一晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第一單晶區(qū)域、沿參考方向具有不同于第一晶格常數(shù)的第二晶格常數(shù)的半導(dǎo)體材料的第二單晶區(qū)域、以及在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三受應(yīng)力的單晶區(qū)域。
文檔編號H01L21/336GK102412259SQ201110281239
公開日2012年4月11日 申請日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月21日
發(fā)明者J. 尼德諾斯泰德 F., 舒爾策 H-J., 約布 R. 申請人:英飛凌科技奧地利有限公司
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