專利名稱：具有凸塊/基座的散熱座及半導(dǎo)體芯片組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于半導(dǎo)體芯片組，具體來講，是關(guān)于一種由半導(dǎo)體元件、導(dǎo)線、黏著層及散熱座組成的半導(dǎo)體芯片組及其制造方法。
背景技術(shù)：
例如經(jīng)封裝與未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體元件可提供高電壓、高頻率及高效能的應(yīng)用；該些應(yīng)用為執(zhí)行特定功能，所需消耗的功率很高，但是功率越高則半導(dǎo)體元件生熱越多。此外，在封裝密度提高及尺寸縮減后，可供散熱的表面積縮小，更導(dǎo)致生熱加劇。半導(dǎo)體元件在高溫操作下易產(chǎn)生效能衰退及使用壽命縮短等問題，甚至可能立即故障。高熱不僅影響芯片效能，也可能因熱膨脹不匹配而對芯片及其周遭元件產(chǎn)生熱應(yīng)力作用。因此，必須使芯片迅速有效散熱方能確保其操作的效率與可靠度。一條高導(dǎo)熱性路徑通常是將熱能傳導(dǎo)并發(fā)散至一表面積較芯片或芯片所在的芯片座(die pad)更大的區(qū)域。發(fā)光二極管(LED)近來已普遍成為白熾光源、熒光光源與鹵素光源的替代光源。 LED可為醫(yī)療、軍事、招牌、信號、航空、航海、車輛、可攜式設(shè)備、商用與住家照明等應(yīng)用領(lǐng)域提供高能源效率及低成本的長時間照明。例如，LED可為燈具、手電筒、車頭燈、探照燈、交通信號燈及顯示器等設(shè)備提供光源。LED中的高功率芯片在提供高亮度輸出的同時也產(chǎn)生大量熱能。然而，在高溫操作下，LED會發(fā)生色偏、亮度降低、使用壽命縮短及立即故障等問題。此外，LED在散熱方面有其限制，進而影響其光輸出與可靠度。因此，LED格外突顯市場對于具有良好散熱效果的高功率芯片的需求。LED封裝體通常包含一 LED芯片、一基座、電接點及一熱接點。所述基座熱連結(jié)至 LED芯片并用以支撐該LED芯片。電接點則電性連結(jié)至LED芯片的陽極與陰極。熱接點經(jīng)由該基座熱連結(jié)至LED芯片，其下方載具可充分散熱以預(yù)防LED芯片過熱。業(yè)界積極以各種設(shè)計及制造技術(shù)投入高功率芯片封裝體與導(dǎo)熱板的研發(fā)，以期在此極度成本競爭的環(huán)境中滿足效能需求。塑料球柵陣列(PBGA)封裝是將一芯片與一層壓襯底包裹于一塑料外殼中，然后再以錫球黏附于一印刷電路板(PCB)之上。所述層壓襯底包含一通常由玻璃纖維構(gòu)成的介電層。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由塑料及介電層傳至錫球，進而傳至印刷電路板。然而，由于塑料與介電層的導(dǎo)熱性低，PBGA的散熱效果不佳。方形扁平無引腳(QFN)封裝是將芯片設(shè)置在一焊接于印刷電路板的銅質(zhì)芯片座上。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由芯片座傳至印刷電路板。然而，由于其導(dǎo)線架中介層的路由能力有限，使得QFN封裝無法適用于高輸入/輸出(I/O)芯片或被動元件。導(dǎo)熱板為半導(dǎo)體元件提供電性路由、熱管理與機械性支撐等功能。導(dǎo)熱板通常包含一用于信號路由的襯底、一提供熱去除功能的散熱座或散熱裝置、一可供電性連結(jié)至半導(dǎo)體元件的焊墊，以及一可供電性連結(jié)至下一層芯片組的端子。該襯底可為一具有單層或多層路由電路系統(tǒng)及一或多層介電層的層壓結(jié)構(gòu)。該散熱座可為一金屬基座、金屬塊或埋設(shè)金屬層。導(dǎo)熱板接合下一層芯片組。例如，下一層芯片組可為一具有印刷電路板及散熱裝置的燈座。在此范例中，一 LED封裝體是安設(shè)于導(dǎo)熱板上，該導(dǎo)熱板則安設(shè)于散熱裝置上， 導(dǎo)熱板/散熱裝置次芯片組與印刷電路板又安設(shè)于燈座中。此外，導(dǎo)熱板經(jīng)由導(dǎo)線電性連結(jié)至該印刷電路板。該襯底將電信號自該印刷電路板導(dǎo)向LED封裝體，而該散熱座則將LED 封裝體的熱能發(fā)散并傳遞至該散熱裝置。因此，該導(dǎo)熱板可為LED芯片提供一重要的熱路徑。授予Juskey等人的第6，507，102號美國專利公開了一種芯片組，其中一由玻璃纖維與固化的熱固性樹脂所構(gòu)成的復(fù)合襯底包含一中央開口。一具有類似前述中央開口正方或長方形狀的散熱塊是黏附于該中央開口側(cè)壁因而與該襯底結(jié)合。上、下導(dǎo)電層分別黏附于該襯底的頂部及底部，并通過貫穿該襯底的電鍍導(dǎo)孔互為電性連結(jié)。一芯片設(shè)置于散熱塊上并打線接合(wire bonded)至上導(dǎo)電層，一封裝材料模設(shè)成形于芯片上，而下導(dǎo)電層則設(shè)有錫球。
制造時，該襯底原為一置于下導(dǎo)電層上的乙階(B-stage)樹脂膠片。散熱塊是插設(shè)于中央開口，因而位于下導(dǎo)電層上，并與該襯底以一間隙相隔。上導(dǎo)電層則設(shè)于該襯底上。上、下導(dǎo)電層經(jīng)加熱及彼此壓合后，使樹脂熔化并流入前述間隙中固化。上、下導(dǎo)電層形成圖案，因而在該襯底上形成電路布線，并使樹脂溢料顯露于散熱塊上。然后去除樹脂溢料，使散熱塊露出。最后再將芯片安置于散熱塊上并進行打線接合與封裝。因此，芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由散熱塊傳至印刷電路板。然而在量產(chǎn)時，以手工方式將散熱塊放置于中央開口內(nèi)的作業(yè)極為費工，且成本高昂。此外，由于側(cè)向的安裝容差小， 散熱塊不易精確定位于中央開口中，導(dǎo)致襯底與散熱塊之間易出現(xiàn)間隙以及打線不均的情形。如此一來，該襯底僅部分黏附于散熱塊，無法從散熱塊獲得足夠支撐力，且容易脫層。 此外，用于去除部分導(dǎo)電層以顯露樹脂溢料的化學(xué)刻蝕液也將去除部分未被樹脂溢料覆蓋的散熱塊，使散熱塊不平且不易結(jié)合，最終導(dǎo)致芯片組的合格率偏低、可靠度不足且成本過尚ο授予Ding等人的第6，528，882號美國專利公開一種高散熱球柵陣列封裝體，其襯底包含一金屬芯層，而芯片則安置于金屬芯層頂面的芯片座區(qū)域。一絕緣層是形成于金屬芯層的底面。盲孔貫穿絕緣層直通金屬芯層，且孔內(nèi)填有散熱錫球，另在該襯底上設(shè)有與散熱錫球相對應(yīng)的錫球。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由金屬芯層流向散熱錫球，再流向印刷電路板。 然而，夾設(shè)于金屬芯層與印刷電路板間的絕緣層卻對流向印刷電路板的熱流造成限制。授予Lee等人的第6，670，219號美國專利提出一種凹槽向下球柵陣列(⑶BGA)封裝體，其中一具有中央開口的接地板是設(shè)置于一散熱座上以構(gòu)成一散熱襯底。一具有中央開口的襯底通過一具有中央開口的黏著層設(shè)置于該接地板上。一芯片是安裝于該散熱座上由接地板中央開口所形成的一凹槽內(nèi)，且該襯底上設(shè)有錫球。然而，由于錫球是位于襯底上，散熱座并無法接觸印刷電路板，導(dǎo)致該散熱座的散熱作用僅限熱對流而非熱傳導(dǎo)，因而大幅限制了其散熱效果。授予Woodall等人的第7，038，311號美國專利提供一種高散熱BGA封裝體，其散熱裝置為倒T形且包含一柱部與一寬基底。一設(shè)有窗型開口的襯底是安置于寬基底上，一黏著層則將柱部與寬基底黏附于該襯底。一芯片是安置于柱部上并打線接合至該襯底，一封裝材料是模制成形于芯片上，該襯底上則設(shè)有錫球。柱部延伸穿過該窗型開口，并由寬基底支撐該襯底，至于錫球則位于寬基底與襯底周緣之間。芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由柱部傳至寬基底，再傳至印刷電路板。然而，由于寬基底上必須留有容納錫球的空間，寬基底僅在對應(yīng)于中央窗口與最內(nèi)部錫球之間的位置突伸于該襯底下方。如此一來，該襯底在制造過程中便不平衡，且容易晃動及彎曲，進而導(dǎo)致芯片的安裝、打線接合以及封裝材料的模制成形均十分困難。此外，該寬基底可能因封裝材料的模制成形而彎折，且一旦錫球崩塌，便可能使該封裝體無法焊接至下一層芯片組。是以，此封裝體的合格率偏低、可靠度不足且成本過尚οErchak等人的美國專利申請公開案第2007/(^67642號提出一種發(fā)光裝置芯片組，其中一倒T形的基座包含一襯底、一突出部及一具有通孔的絕緣層，絕緣層上并設(shè)有電接點。一具有通孔與透明上蓋的封裝體是設(shè)置于電接點上。一 LED芯片是設(shè)置于突出部并以打線連接該襯底。該突出部是鄰接該襯底并延伸穿過絕緣層與封裝體上的通孔，進入封裝體內(nèi)。絕緣層是設(shè)置于該襯底上，且絕緣層上設(shè)有電接點。封裝體是設(shè)置于這些電接點上并與絕緣層保持間距。該芯片產(chǎn)生的熱能可經(jīng)由突出部傳至該襯底，進而到達一散熱裝置。然而，這些電接點不易設(shè)置于絕緣層上，難以與下一層芯片組電性連結(jié)，且無法提供多層路由。現(xiàn)有封裝體與導(dǎo)熱板具有重大缺點。舉例而言，例如環(huán)氧樹脂等低導(dǎo)熱性的電絕緣材料對散熱效果造成限制，然而，以陶瓷或碳化硅填充的環(huán)氧樹脂等具有較高導(dǎo)熱性的電絕緣材料則具有黏著性低且量產(chǎn)成本過高的缺點。該電絕緣材料可能在制作過程中或在操作初期即因受熱而脫層。該襯底若為單層電路系統(tǒng)則路由能力有限，但若該襯底為多層電路系統(tǒng)，則其過厚的介電層將降低散熱效果。此外，前述技術(shù)尚有散熱座效能不足、體積過大或不易熱連結(jié)至下一層芯片組等問題。前述技術(shù)的制造工藝也不適于低成本的量產(chǎn)作業(yè)。有鑒于現(xiàn)有高功率半導(dǎo)體元件封裝體及導(dǎo)熱板的種種發(fā)展情形及相關(guān)限制，業(yè)界確實需要一種具成本效益、效能可靠、適于量產(chǎn)、多功能、可靈活調(diào)整信號路由且具有優(yōu)異散熱性的半導(dǎo)體芯片組。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片組，其至少包含一半導(dǎo)體元件、一散熱座、一導(dǎo)線及一黏著層。該散熱座至少包含一凸塊及一基座。該導(dǎo)線包含一焊墊及一端子。該半導(dǎo)體元件是設(shè)置于該凸塊上，且位于該凸塊內(nèi)的一凹穴的相反側(cè)，同時電性連結(jié)至該導(dǎo)線，并與該凸塊熱連結(jié)。該凸塊自該基座延伸進入該黏著層的一開口，而該基座則自該凸塊側(cè)伸而出。該導(dǎo)線位于該凹穴外，并提供該焊墊與該端子間的信號路由。根據(jù)本發(fā)明的一樣式，一半導(dǎo)體芯片組至少包含一半導(dǎo)體元件、一黏著層、一散熱座與一導(dǎo)線。該黏著層至少具有一開口。該散熱座至少包含一凸塊與一基座，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于該第一垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋。該導(dǎo)線包含一焊墊與一端子。該半導(dǎo)體元件設(shè)置在該凸塊上，延伸于該凸塊沿該第一垂直方向的外側(cè)，且位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸。該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子。該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該凸塊，從而熱連結(jié)至該基座。該黏著層接觸該凸塊與該基座，并自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子。該導(dǎo)線位于該凹穴外。該凸塊與該凹穴均延伸進入該開口。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一半導(dǎo)體芯片組至少包含一半導(dǎo)體元件、一黏著層、一散熱座與一導(dǎo)線。該黏著層至少具有一開口。該散熱座至少包含一凸塊、一基座與一蓋體，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出，該凸塊也鄰接該蓋體，并自該蓋體沿一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向伸出；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于這些垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該蓋體在該第一垂直方向覆蓋該凸塊，并自該凸塊側(cè)伸而出；且(iv)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在該第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋，該凸塊將該凹穴與該蓋體隔開，且該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。該導(dǎo)線包含一焊墊及一端子。該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上，延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，且位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸。該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子。該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座。該黏著層接觸該凸塊、該基座與該蓋體，且位于該基座與該焊墊之間以及該基座與該蓋體之間，并自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子。該導(dǎo)線位于該凹穴外。該凸塊與該凹穴均延伸進入該開口。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一半導(dǎo)體芯片組至少包含一半導(dǎo)體元件、一黏著層、一散熱座、一襯底與一導(dǎo)線。該黏著層至少具有一開口。該散熱座至少包含一凸塊、一基座與一蓋體，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出，該凸塊也鄰接該蓋體，并自該蓋體沿一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向伸出； (ii)該基座自該凸塊沿著垂直于這些垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該蓋體在該第一垂直方向覆蓋該凸塊，并自該凸塊側(cè)伸而出；且(iv)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在該第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋，該凸塊將該凹穴與該蓋體隔開，且該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。該襯底包含一介電層，其中一通孔延伸穿過該襯底。該導(dǎo)線包含一焊墊及一端子。該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上，延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，且位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸。該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子。該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座。該黏著層接觸該凸塊、該基座、該蓋體與該介電層，但與該焊墊保持距離。該黏著層位于該凸塊與該介電層之間、該基座與該焊墊之間、該基座與該蓋體之間，以及該基座與該介電層之間，并自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子。該襯底設(shè)置于該黏著層上。該介電層接觸該焊墊與該蓋體，但與該凸塊及該基座保持距離。該導(dǎo)線位于該凹穴外。該凸塊與該凹穴均延伸進入該開口與該通孔，且該凸塊沿這些垂直方向延伸至該通孔外。該蓋體在該第一垂直方向覆蓋該開口及該通孔。該半導(dǎo)體元件可設(shè)置于該凸塊上，位于該凹穴外，并在該凸塊與該凹穴的周緣內(nèi)側(cè)向延伸。例如，該半導(dǎo)體元件可設(shè)置于該焊墊與該蓋體上，延伸于該焊墊與該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，同時利用一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連結(jié)至該蓋體。在此例中，該半導(dǎo)體元件可側(cè)向延伸于該導(dǎo)線的周緣內(nèi)及周緣外，并且側(cè)向延伸于該凸塊與該凹穴的周緣內(nèi)及周緣外?；蛘?，該半導(dǎo)體元件可設(shè)置于該蓋體而未設(shè)置于該焊墊上，并且延伸于該焊墊與該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，同時利用一打線電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。在此例中，該半導(dǎo)體元件可位于該導(dǎo)線的周緣外以及該凸塊與該凹穴的周緣內(nèi)，并在該第二垂直方向上由該凸塊與該凹穴覆蓋。在此例中，該半導(dǎo)體元件也可位于該導(dǎo)線的周緣外，側(cè)向延伸于該凸塊與該凹穴的周緣內(nèi)及周緣夕卜，并于該第一垂直方向覆蓋或不覆蓋該凸塊與該凹穴。在此例中，該半導(dǎo)體元件也可位于該導(dǎo)線的周緣外以及該凸塊的周緣內(nèi)，側(cè)向延伸于該凹穴的周緣內(nèi)及周緣外，并在該第一垂直方向覆蓋該凹穴，且在該第二垂直方向由該凸塊覆蓋。無論采用任一設(shè)置方式，該半導(dǎo)體元件均設(shè)置于該凸塊上，位于該凹穴外，并在該凹穴的周緣內(nèi)側(cè)向延伸。該半導(dǎo)體元件可為一經(jīng)封裝或未經(jīng)封裝的半導(dǎo)體芯片。例如，該半導(dǎo)體元件可為一包含LED芯片的LED封裝體，且設(shè)置于該焊墊與該蓋體上，并且延伸于該焊墊與該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，其中該半導(dǎo)體元件利用一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連結(jié)至該蓋體?；蛘?，該半導(dǎo)體元件可為一例如LED芯片的半導(dǎo)體芯片，且設(shè)置于該蓋體而未設(shè)置于該焊墊上，并且延伸于該焊墊與該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，其中該半導(dǎo)體元件利用一打線(wire bond)電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。該黏著層可在該通孔內(nèi)一位于該凸塊與該襯底間的缺口中接觸該凸塊與該介電層，并在該缺口的外接觸該基座、該蓋體與該介電層。該黏著層也可接觸并位于該凸塊與該基座之間、該凸塊與該蓋體之間、該凸塊與該介電層之間，以及該基座與該介電層之間。該黏著層也可在該第一垂直方向覆蓋該基座位于該凸塊以外的部分，并在該第二垂直方向覆蓋該襯底，同時在這些側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞該凸塊的一側(cè)壁。該黏著層也可同形被覆于該凸塊的該側(cè)壁、該基座的一表面部分以及該介電層的一表面，其中該基座的該表面部分鄰接該凸塊，且自該凸塊側(cè)向伸出，同時面朝該第一垂直方向，該介電層的該表面則面朝該第二垂直方向。該黏著層也可填滿該凸塊與該介電層間的空間、該基座與該蓋體間的空間，以及該基座與該襯底間的空間。該黏著層可自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子。例如，該黏著層與該端子可延伸至該芯片組的外圍邊緣。在此例中，該黏著層從該凸塊側(cè)向延伸至該端子。或者，該黏著層可延伸至該芯片組的外圍邊緣，而該端子則與該芯片組的外圍邊緣保持距離。在此例中，該黏著層從該凸塊側(cè)向延伸且越過該端子。該黏著層可單獨穿過該凸塊與該蓋體間的一假想水平線、該凸塊與該介電層間的一假想水平線、該凸塊與一被覆穿孔間的一假想水平線、該凸塊與該芯片組的一外圍邊緣間的一假想水平線、該基座與該蓋體間的一假想垂直線，以及該基座與該介電層間的一假想垂直線。若省略該介電層，該黏著層也可單獨穿過該基座與該焊墊間的一假想垂直線，以及該基座與該端子間的一假想垂直線。該凸塊可與該基座一體成型。例如，該凸塊與該基座可為單一金屬體，或于其接口包含單一金屬體，其中該單一金屬體可為銅。該凸塊與該黏著層可于該蓋體處共平面。該凸塊也可接觸該黏著層但與該介電層保持距離，并且延伸進入該開口及該通孔，同時沿這些垂直方向延伸至該通孔外。該凸塊延伸至該基座的部分可包含一第一彎折角落，該凸塊延伸至該蓋體的部分可包含一第二彎折角落。該凸塊鄰接該基座處可以約90度的角度沿側(cè)向向外彎折，而該凸塊鄰接該蓋體處可以約90度的角度沿側(cè)向向內(nèi)彎折。該凸塊也可具有沖壓而成的特有不規(guī)則厚度。此外，該凸塊在該基座處的直徑可大于該凸塊在該蓋體處的直徑。例如，該凸塊可為平頂圓錐或角錐形，其直徑是自該基座沿著該第一垂直方向朝該蓋體遞減。或者，該凸塊可為圓柱或矩形棱柱形，其直徑在該凸塊從該基座沿著該第一垂直方向延伸至該蓋體的過程中固定不變。該凹穴可為平頂圓錐或角錐形，其直徑是沿著該第一垂直方向朝該蓋體遞減?；蛘撸摪佳蔀閳A柱或矩形棱柱形，其直徑在該凹穴沿著該第一垂直方向朝該蓋體延伸的過程中乃固定不變。該凹穴也可具有圓形、正方形或矩形的周緣，以及圓形、正方形或矩形的入口。該凹穴也可具有與該凸塊相符的形狀，并且延伸進入該開口及該通孔，同時沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。
該凹穴可朝該第二垂直方向外露，或在該第二垂直方向被覆蓋。例如，該凹穴可呈中空且非密閉的狀態(tài)。在此例中，該凹穴可朝該第二垂直方向外露，并使該凸塊也朝該第二垂直方向外露?；蛘撸摪佳▋?nèi)可裝有一例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或焊錫的填充物，其中該填充物接觸該凸塊，并沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，此外，該填充物乃受限于該凹穴，并填滿該凹穴的大部分或全部。例如，該凹穴可呈未密封的狀態(tài)，且該填充物可與該基座大致共平面，并朝該第二垂直方向外露。又例如，該凹穴可由該基座加以密封，且該填充物可接觸該凸塊與該基座，同時被該兩者包圍在內(nèi)，并在該第二垂直方向上由該基座覆蓋。該基座可支撐該凸塊、該襯底與該黏著層，側(cè)向延伸至該蓋體外，并且延伸至該芯片組的外圍邊緣或與該芯片組的外圍邊緣保持距離。該基座也可接觸該黏著層并與該襯底保持距離，同時延伸于該黏著層與該襯底沿該第二垂直方向的外側(cè)。該基座也可在該第二垂直方向覆蓋該導(dǎo)線與該襯底。該蓋體可具有均勻或不均勻的厚度。例如，該蓋體可具有均勻的厚度，且與該導(dǎo)電層及該介電層保持距離。在此例中，該蓋體可自該凸塊側(cè)向延伸至該黏著層而未延伸至該導(dǎo)電層或該介電層，并在該第一垂直方向覆蓋該開口而未覆蓋該通孔?；蛘?，該蓋體可于鄰接該凸塊處具有一第一厚度，且于鄰接該介電層處具有一大于該第一厚度的第二厚度，此外另具有一面朝該第一垂直方向的平坦表面。在此例中，該蓋體可接觸該黏著層與該介電層，其中該蓋體鄰接該黏著層且與該介電層保持距離的部分可具有該第一厚度，而該蓋體接觸該介電層、鄰近該焊墊并于該第一垂直方向覆蓋該開口與該通孔的部分則具有該第二厚度。該蓋體也可與該芯片組的外圍邊緣保持距離，并為該半導(dǎo)體元件提供一芯片座。該蓋體可為矩形或正方形，該凸塊則可為圓形。在此例中，該蓋體的尺寸及形狀可配合該半導(dǎo)體元件的一熱接觸表面而設(shè)計，而該凸塊的尺寸及形狀則并非依照該半導(dǎo)體元件的該熱接觸表面而設(shè)計。但無論如何，該蓋體均通過該凸塊而與該基座熱連結(jié)。該散熱座可由該凸塊、該基座與該蓋體組成。該散熱座也可實際上由銅、鋁或銅/ 鎳/鋁合金組成。該散熱座也可由一內(nèi)部銅、鋁或銅/鎳/鋁合金核心及表層的被覆接點組成，其中這些被覆接點是由金、銀和/或鎳組成。無論采用任一組成方式，該散熱座都可提供散熱作用，將該半導(dǎo)體元件的熱能擴散至下一層芯片組。該襯底可接觸該蓋體，且與該凸塊及該基座保持距離。該襯底也可為一層壓結(jié)構(gòu)。 該襯底也可包含該焊墊，并且包含或不包含該端子。該焊墊與該蓋體彼此相鄰處可具有相同的厚度，但該蓋體鄰接該凸塊處的厚度可與該焊墊不同。此外，該焊墊與該蓋體可共同位于一面朝該第一垂直方向的表面。該焊墊與該端子可具有相同的厚度，且共同位于一面朝該第一垂直方向的表面。 或者，該基座與該端子可具有相同的厚度，且共同位于一面朝該第二垂直方向的表面。該導(dǎo)線可接觸該黏著層或與該黏著層保持距離。例如，該焊墊與該端子可接觸該黏著層，并延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)。在此例中，該焊墊與該端子可具有相同的厚度，且彼此共平面。同樣地，該焊墊可接觸該黏著層并延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，而該端子則接觸該黏著層并延伸于該黏著層沿該第二垂直方向的外側(cè)。在此例中，該基座與該端子可具有相同的厚度，且彼此共平面?；蛘撸摵笁|與該端子可接觸該介電層，并與該黏著層保持距離，同時延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)。在此例中，該焊墊與該端子可具有相同的厚度，且彼此共平面。又例如，該焊墊可接觸該介電層但與該黏著層保持距離，并且延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)，至于該端子則接觸該黏著層且與該介電層保持距離，并延伸于該黏著層與該介電層沿該第二垂直方向的外側(cè)。在此例中，該基座與該端子可具有相同的厚度，且彼此共平面。該導(dǎo)線可包含一路由線，該路由線延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)，且位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。例如，該焊墊、該端子與該路由線可延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)。在此例中，該路由線可在該焊墊與該端子之間提供水平路由。同樣地，該導(dǎo)線可包含一被覆穿孔，該被覆穿孔延伸穿過該黏著層與該介電層，且位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。例如，該焊墊可延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該端子可延伸于該黏著層與該介電層沿該第二垂直方向的外側(cè)，該被覆穿孔可貫穿該黏著層與該介電層。在此例中，該被覆穿孔可在該焊墊與該端子之間提供垂直路由。同樣地，該焊墊與該路由線可延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該端子可延伸于該黏著層與該介電層沿該第二垂直方向的外側(cè)，該被覆穿孔可貫穿該黏著層與該介電層，并電性連結(jié)該路由線與該端子。在此例中，該路由線可在該焊墊與該被覆穿孔之間提供水平路由，該被覆穿孔可在該路由線與該端子之間提供垂直路由。此外，該被覆穿孔可延伸至該芯片組的一外圍邊緣，或與該芯片組的外圍邊緣保持距離。該導(dǎo)線可實際上由銅組成。該導(dǎo)線也可由一內(nèi)部銅核心與表層的被覆接點組成， 其中這些被覆接點是由金、銀和/或鎳組成。無論采用任一組成方式，該導(dǎo)線都可提供該焊墊與該端子間的信號路由。該焊墊可作為該半導(dǎo)體元件的一電接點，該端子可作為下一層芯片組的一電接點，且該焊墊與該端子可在該半導(dǎo)體元件與該下一層芯片組之間提供信號路由。該基座、該蓋體、該焊墊與該端子可采用相同的金屬。例如，該基座、該蓋體、該焊墊與該端子可包含一金、銀或鎳質(zhì)表面層及一內(nèi)部銅核心，但主要為銅，至于該凸塊、該路由線與該被覆穿孔可主要為銅或全部為銅。在此例中，一被覆接點可包含一金或銀質(zhì)表面層及一內(nèi)部鎳層，其中該內(nèi)部鎳層接觸且位于該表面層與該內(nèi)部銅核心之間；或者，該被覆接點可包含一接觸該內(nèi)部銅核心的鎳質(zhì)表面層。該散熱座可包含一由該凸塊、該基座與該蓋體共享的銅核心，該導(dǎo)線可包含一由該焊墊與該端子共享的銅核心。例如，該散熱座可包含一設(shè)于該基座與該蓋體的金、銀或鎳質(zhì)表面層，以及一設(shè)于該凸塊、該基座與該蓋體的內(nèi)部銅核心，且該散熱座主要為銅。在此例中，該基座可包含一被覆接點以作為其表面層，該蓋體也可包含一被覆接點以作為其表面層，該凸塊可為銅，或者包含一被覆接點以作為該凸塊于該凹穴處的表面層。同樣地，該導(dǎo)線可包含一設(shè)于該焊墊與該端子的金、銀或鎳質(zhì)表面層，以及一設(shè)于該焊墊與該端子的內(nèi)部銅核心，且該導(dǎo)線主要為銅。在此例中，該焊墊可包含一被覆接點以作為其表面層，該端子也可包含一被覆接點以作為其表面層。該芯片組可包含一封裝材料，該封裝材料是在該第一垂直方向覆蓋該半導(dǎo)體元件。例如，該封裝材料可為一用以轉(zhuǎn)換顏色的封裝材料，其接觸一 LED芯片、一打線及一固晶材料，且可將該LED芯片所發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)換為白光。在此例中，該芯片組可包含一透明封裝材料，其接觸該用以轉(zhuǎn)換顏色的封裝材料，并在該第一垂直方向覆蓋該用以轉(zhuǎn)換顏色的封裝材料。此外，該用以轉(zhuǎn)換顏色的封裝材料可包含硅氧樹脂及磷光體，該透明封裝材料可包含硅氧樹脂但不包含磷光體。該芯片組可為一第一級或第二級單晶或多晶裝置。例如，該芯片組可為一包含單一芯片或多枚芯片的第一級封裝體?；蛘?，該芯片組可為一包含單一 LED封裝體或多個LED 封裝體的第二級模塊，其中各該LED封裝體可包含單一 LED芯片或多枚LED芯片。本發(fā)明提供一種制作一半導(dǎo)體芯片組的方法，其包含提供一凸塊與一外伸平臺； 設(shè)置一黏著層于該外伸平臺上，此步驟包含將該凸塊插入該黏著層的一開口 ；設(shè)置一導(dǎo)電層于該黏著層上，此步驟包含將該凸塊對準該導(dǎo)電層的一通孔；使該黏著層在該凸塊與該導(dǎo)電層之間流動；固化該黏著層；提供一導(dǎo)線，該導(dǎo)線包含一焊墊、一端子與該導(dǎo)電層的一選定部分；設(shè)置一半導(dǎo)體元件于該凸塊上，并使該半導(dǎo)體元件位于該凸塊內(nèi)的一凹穴的相反側(cè)，其中一散熱座包含該凸塊與一基座，該基座包含該外伸平臺鄰接該凸塊的部分；電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該導(dǎo)線；以及熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該散熱座。根據(jù)本發(fā)明的一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組的方法包含(1)提供一凸塊、一外伸平臺、一黏著層及一導(dǎo)電層，其中(a)該凸塊鄰接該外伸平臺并與之形成一體，此外， 該凸塊是沿一第一垂直方向自該外伸平臺垂直伸出，同時延伸進入該黏著層的一開口，并對準該導(dǎo)電層的一通孔，(b)該外伸平臺是沿垂直于該第一垂直方向的側(cè)面方向自該凸塊側(cè)伸而出，(C)該凸塊具有一凹穴，該凹穴是面朝一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向，并在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，(d)該黏著層是設(shè)置于該外伸平臺上，介于該外伸平臺與該導(dǎo)電層之間，且未固化，此外，(e)該導(dǎo)電層是設(shè)置于該黏著層上；( 使該黏著層沿該第一垂直方向流入該通孔內(nèi)一介于該凸塊與該導(dǎo)電層間的缺口 ； C3)固化該黏著層；(4)提供一導(dǎo)線，該導(dǎo)線包含一焊墊、一端子與該導(dǎo)電層的一選定部分；(5)設(shè)置一半導(dǎo)體元件于該凸塊上，其中(a) —散熱座包含該凸塊與一基座，(b)該凸塊鄰接該基座，并沿該第一垂直方向自該基座垂直伸出，(c)該基座包含該外伸平臺的一部分，該部分是鄰接該凸塊且與之形成一體，并自該凸塊側(cè)伸而出，且(d)該半導(dǎo)體元件是延伸于該凸塊沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸；(6)電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該焊墊，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該端子；以及(7)熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該凸塊，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基座。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組的方法包含(1)提供一凸塊及一外伸平臺，其中(a)該凸塊鄰接該外伸平臺并與之形成一體，此外，該凸塊是沿一第一垂直方向自該外伸平臺垂直伸出，(b)該外伸平臺沿著垂直于該第一垂直方向的側(cè)面方向自該凸塊側(cè)伸而出，且(c)該凸塊具有一凹穴，其中(i)該凹穴是面朝一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向，(ii)該凹穴在該第一垂直方向上是由該凸塊覆蓋，且(iii)該凹穴沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分；( 提供一黏著層，其中一開口延伸貫穿該黏著層；(3)提供一導(dǎo)電層，其中一通孔延伸貫穿該導(dǎo)電層；(4)設(shè)置該黏著層于該外伸平臺上，此步驟包含將該凸塊插入該開口中，其中該凸塊與該凹穴均延伸進入該開口 ； (5)設(shè)置該導(dǎo)電層于該黏著層上，此步驟包含將該凸塊對準該通孔，其中該黏著層是位于該外伸平臺與該導(dǎo)電層之間且未固化；(6)加熱熔化該黏著層；(7)使該外伸平臺與該導(dǎo)電層彼此靠合，藉此使該凸塊在該通孔內(nèi)沿該第一垂直方向移動，同時對該外伸平臺與該導(dǎo)電層間的熔化黏著層施加壓力，該壓力迫使該熔化黏著層沿該第一垂直方向流入該通孔內(nèi)一介于該凸塊與該導(dǎo)電層間的缺口 ； (8)加熱固化該熔化黏著層，藉此將該凸塊與該外伸平臺機械性黏附至該導(dǎo)電層；(9)提供一導(dǎo)線，該導(dǎo)線包含一焊墊、一端子及該導(dǎo)電層的一選定部分；(10)設(shè)置一半導(dǎo)體元件于該凸塊上，其中(a) —散熱座包含該凸塊與一基座，(b) 該凸塊鄰接該基座，并沿該第一垂直方向自該基座垂直伸出，(c)該基座包含該外伸平臺的一部分，該部分是鄰接該凸塊且與之形成一體，并自該凸塊側(cè)伸而出，且(d)該半導(dǎo)體元件是延伸于該凸塊沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸；(11)電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該焊墊，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該端子；以及 (12)熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該凸塊，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基座。設(shè)置該導(dǎo)電層可包含將該導(dǎo)電層單獨設(shè)置于該黏著層上?；蛘撸O(shè)置該導(dǎo)電層可包含將該導(dǎo)電層與一載體一同設(shè)置于該黏著層上，以使該導(dǎo)電層接觸且位于該黏著層與該載體之間，接著在該黏著層固化后，先去除該載體，再提供該導(dǎo)線。又或者，設(shè)置該導(dǎo)電層可包含將該導(dǎo)電層與一介電層一同設(shè)置于該黏著層上，以使該導(dǎo)電層與該黏著層保持距離，并使該介電層接觸且位于該導(dǎo)電層與該黏著層之間。根據(jù)本發(fā)明的另一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組的方法包含(1)提供一凸塊、 一外伸平臺、一黏著層及一導(dǎo)電層，其中(a)該凸塊鄰接該外伸平臺并與之形成一體，此夕卜，該凸塊是沿一第一垂直方向自該外伸平臺垂直伸出，同時延伸進入該黏著層的一開口， 并對準該導(dǎo)電層的一通孔，(b)該外伸平臺是沿著垂直于該第一垂直方向的側(cè)面方向自該凸塊側(cè)伸而出，(c)該凸塊具有一凹穴，其中(i)該凹穴是面朝一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向，(ii)該凹穴在該第一垂直方向上是由該凸塊覆蓋，且(iii)該凹穴沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，(d)該黏著層是設(shè)置于該外伸平臺上，介于該外伸平臺與該導(dǎo)電層之間，且未固化，此外，(e)該導(dǎo)電層是設(shè)置于該黏著層上；( 使該黏著層沿該第一垂直方向流入該通孔內(nèi)一介于該凸塊與該導(dǎo)電層間的缺口 ； C3)固化該黏著層；(4)提供一導(dǎo)線，該導(dǎo)線包含一焊墊與一端子，其中該焊墊包含該導(dǎo)電層的一選定部分；( 提供一散熱座，該散熱座包含該凸塊、一基座與一蓋體，其中(a)該凸塊鄰接該基座，并沿該第一垂直方向自該基座垂直伸出，(b)該基座包含該外伸平臺的一部分，該部分是鄰接該凸塊且與之形成一體，并自該凸塊側(cè)伸而出，此外，(c)該蓋體鄰接該凸塊，并于該第一垂直方向覆蓋該凸塊，同時從該凸塊側(cè)伸而出，且包含該導(dǎo)電層的一選定部分；(6) 設(shè)置一半導(dǎo)體元件于該蓋體上，其中該半導(dǎo)體元件是延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸；(7)電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該焊墊，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該端子；以及(8)熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該蓋體，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基座。根據(jù)本發(fā)明的又一樣式，一種制作一半導(dǎo)體芯片組的方法包含(1)提供一凸塊與一外伸平臺，其中(a)該凸塊鄰接該外伸平臺并與之形成一體，此外，該凸塊是沿一第一垂直方向自該外伸平臺垂直伸出，(b)該外伸平臺是沿著垂直于該第一垂直方向的側(cè)面方向自該凸塊側(cè)伸而出，且(c)該凸塊具有一凹穴，其中(i)該凹穴是面朝一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向，(ii)該凹穴在該第一垂直方向上是由該凸塊覆蓋，(iii)該凹穴沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，且(iv)該凹穴具有一位于該外伸平臺的入口 ；(2)提供一黏著層，其中一開口延伸貫穿該黏著層；(3)提供一導(dǎo)電層，其中一通孔延伸貫穿該導(dǎo)電層；(4)設(shè)置該黏著層于該外伸平臺上，此步驟包含將該凸塊插入該開口，其中該凸塊與該凹穴均延伸進入該開口 ；( 設(shè)置該導(dǎo)電層于該黏著層上，此步驟包含將該凸塊對準該通孔，其中該黏著層是位于該外伸平臺與該導(dǎo)電層之間且未固化；(6)加熱熔化該黏著層；(7)使該外伸平臺與該導(dǎo)電層彼此靠合，藉此使該凸塊在該通孔內(nèi)沿該第一垂直方向移動，同時對該外伸平臺與該導(dǎo)電層間的熔化黏著層施加壓力，該壓力迫使該熔化黏著層沿該第一垂直方向流入該通孔內(nèi)一介于該凸塊與該導(dǎo)電層間的缺口 ； (8)加熱固化該熔化黏著層，藉此將該凸塊與該外伸平臺機械性黏附至該導(dǎo)電層；(9)提供一導(dǎo)線， 該導(dǎo)線包含一焊墊與一端子，其中該焊墊包含該導(dǎo)電層的一選定部分；(10)提供一散熱座，該散熱座包含該凸塊、一基座與一蓋體，其中(a)該凸塊鄰接該基座，并沿該第一垂直方向自該基座垂直伸出，(b)該基座包含該外伸平臺的一部分，該部分是鄰接該凸塊且與之形成一體，并自該凸塊側(cè)伸而出，此外，(c)該蓋體鄰接該凸塊，并在該第一垂方向覆蓋該凸塊，同時從該凸塊側(cè)伸而出，且包含該導(dǎo)電層的一選定部分；(11)設(shè)置一半導(dǎo)體元件于該蓋體上，其中該半導(dǎo)體元件是延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并在該凹穴的一周緣內(nèi)側(cè)向延伸；(12)電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該焊墊，藉此電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該端子；以及(1 熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該蓋體，藉此熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件至該基座。提供該凸塊可包含以機械方式?jīng)_壓一金屬板，藉以在該金屬板上形成該凸塊并在該凸塊中形成該凹穴。在此例中，該凸塊是該金屬板上一受沖壓的部分，而該外伸平臺則為該金屬板上一未受沖壓的部分。提供該黏著層可包含提供一未固化環(huán)氧樹脂的膠片。使該黏著層流動可包含 熔化該未固化環(huán)氧樹脂，并擠壓該外伸平臺與該導(dǎo)電層間的該未固化環(huán)氧樹脂。固化該黏著層可包含固化該熔化的未固化環(huán)氧樹脂。提供該焊墊可包含在固化該黏著層之后，去除該導(dǎo)電層的選定部分。所述去除可包含利用一可定義該焊墊的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層進行濕式化學(xué)刻蝕，以使該焊墊包含該導(dǎo)電層的一選定部分。提供該蓋體可包含在固化該黏著層之后，去除該導(dǎo)電層的選定部分。所述去除可包含利用一可定義該蓋體的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層進行濕式化學(xué)刻蝕，以使該蓋體包含該導(dǎo)電層的一選定部分。提供該端子可包含在固化該黏著層之后，去除該導(dǎo)電層的選定部分。所述去除可包含利用一可定義該端子的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層進行濕式化學(xué)刻蝕，以使該端子包含該導(dǎo)電層的一選定部分。提供該端子可包含在固化該黏著層之后，去除該外伸平臺的選定部分。所述去除可包含利用一可定義該端子的圖案化刻蝕掩模層對該外伸平臺進行濕式化學(xué)刻蝕，以使該端子包含該外伸平臺的一選定部分。提供該基座可包含在固化該黏著層之后，去除該外伸平臺的選定部分。所述去除可包含利用一可定義該基座的圖案化刻蝕掩模層對該外伸平臺進行濕式化學(xué)刻蝕，以使該基座包含該外伸平臺的一選定部分。提供該焊墊與該蓋體可包含利用一可定義該焊墊與該蓋體的圖案化刻蝕掩模層移除該導(dǎo)電層的選定部分。如此一來，該焊墊與該蓋體便可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用相同的圖案化刻蝕掩模層同時形成。同樣地，提供該焊墊與該端子可包含利用一可定義該焊墊與該端子的圖案化刻蝕掩模層移除該導(dǎo)電層的選定部分。如此一來，該焊墊與該端子便可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用相同的圖案化刻蝕掩模層同時形成。同樣地，提供該焊墊、該端子與該蓋體可包含利用一可定義該焊墊、該端子與該蓋體的圖案化刻蝕掩模層移除該導(dǎo)電層的選定部分。如此一來，該焊墊、該端子與該蓋體便可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用相同的圖案化刻蝕掩模層同時形成。提供該基座與該端子可包含利用一可定義該基座與該端子的圖案化刻蝕掩模層 (etch mask)移除該外伸平臺的選定部分。如此一來，該基座與該端子便可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用相同的圖案化刻蝕掩模層同時形成。我們可在該端子形成前、形成后、或在該端子的形成過程中形成該焊墊。因此，該焊墊與該端子可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用不同的圖案化刻蝕掩模層同時形成或先后形成。同樣地，我們可在該蓋體形成前、形成后、或在該蓋體的形成過程中形成該基座。因此，該基座與該蓋體可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用不同的圖案化刻蝕掩模層同時形成或先后形成，或者利用一可定義該蓋體而非該基座的圖案化刻蝕掩模層先后形成該基座與該蓋體。同樣地，該焊墊、該端子、該基座與該蓋體可同時形成或陸續(xù)形成。提供該焊墊可包含在固化該黏著層之后，研磨該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層，以使該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層在一面朝該第一垂直方向的側(cè)向表面上彼此側(cè)向齊平；然后利用一可定義該焊墊的圖案化刻蝕掩模層去除該導(dǎo)電層的選定部分，以使該焊墊包含該導(dǎo)電層的一選定部分。所述研磨可包含研磨該黏著層而不研磨該凸塊，而后研磨該凸塊、 該黏著層以及該導(dǎo)電層。所述去除可包含利用一可定義該焊墊的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層進行濕式化學(xué)刻蝕。提供該焊墊可包含在研磨完成后，在該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆層，然后去除該導(dǎo)電層與該被覆層兩者的選定部分，以使該焊墊包含該導(dǎo)電層與該被覆層兩者的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該被覆層可包含將一薄被覆層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上，然后將一厚被覆層電鍍于該薄被覆層上。所述去除可包含利用一可定義該焊墊的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層與該被覆層進行濕式化學(xué)刻蝕。提供該蓋體可包含在研磨完成后，在該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆層，然后去除該導(dǎo)電層與該被覆層兩者的選定部分，以使該蓋體包含該導(dǎo)電層與該被覆層兩者的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該被覆層可包含將一薄被覆層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該凸塊、該黏著層與該導(dǎo)電層上，然后將一厚被覆層電鍍于該薄被覆層上。所述去除可包含利用一可定義該蓋體的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層與該被覆層進行濕式化學(xué)刻蝕。提供該端子可包含在研磨完成后，在該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆層，然后去除該導(dǎo)電層與該被覆層兩者的選定部分，以使該端子包含該導(dǎo)電層與該被覆層兩者的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該被覆層可包含將一薄被覆層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該凸塊、該黏著層與該導(dǎo)電層上，然后將一厚被覆層電鍍于該薄被覆層上。所述去除可包含利用一可定義該端子的圖案化刻蝕掩模層對該導(dǎo)電層與該被覆層進行濕式化學(xué)刻蝕。提供該端子可包含在研磨完成后，在該外伸平臺上沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆
20層，然后去除該外伸平臺與該被覆層兩者的選定部分，以使該端子包含該外伸平臺與該被覆層兩者的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該被覆層可包含將一薄被覆層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該外伸平臺上，然后將一厚被覆層電鍍于該薄被覆層上。所述去除可包含利用一可定義該端子的圖案化刻蝕掩模層對該外伸平臺與該被覆層進行濕式化學(xué)刻蝕。提供該基座可包含在研磨完成后，在該外伸平臺上沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆層，然后去除該外伸平臺與該被覆層兩者的選定部分，以使該基座包含該外伸平臺與該被覆層兩者的選定部分。沉積導(dǎo)電金屬以形成該被覆層可包含將一薄被覆層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該外伸平臺上，然后將一厚被覆層電鍍于該薄被覆層上。所述去除可包含利用一可定義該基座的圖案化刻蝕掩模層對該外伸平臺與該被覆層進行濕式化學(xué)刻蝕。提供該基座可包含在研磨完成后，在該外伸平臺以及該凹穴內(nèi)的一填充物上沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆層。沉積導(dǎo)電金屬以形成該被覆層可包含將一薄被覆層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該外伸平臺與該填充物上，然后將一厚被覆層電鍍于該薄被覆層上。此夕卜，該基座可封閉該凹穴，并在該第二垂直方向覆蓋該凸塊、該凹穴與該填充物。提供該導(dǎo)線可包含提供該焊墊、該端子及一路由線，其中該路由線位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。該路由線可包含該導(dǎo)電層的一選定部分，并延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)。提供該焊墊與該路由線可包含利用一可定義該焊墊與該路由線的圖案化刻蝕掩模層移除該導(dǎo)電層的選定部分。如此一來，該焊墊與該路由線便可在同一濕式化學(xué)刻蝕步驟中利用相同的圖案化刻蝕掩模層同時形成。提供該導(dǎo)線可包含提供該焊墊、該端子及一被覆穿孔，其中該被覆穿孔位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。我們可先形成該被覆穿孔，再形成該焊墊與該端子，其中該被覆穿孔延伸穿過該導(dǎo)電層、該黏著層、該介電層與該外伸平臺。提供該基座、該蓋體、該焊墊、該端子與該被覆穿孔可包含在固化該黏著層之后， 鉆透該導(dǎo)電層、該黏著層、該介電層與該外伸平臺以形成一孔洞；繼而在該凸塊、該黏著層、 該介電層、該導(dǎo)電層與該外伸平臺上以及該孔洞內(nèi)沉積導(dǎo)電金屬以形成一被覆層，其中該被覆層在該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上形成一第一被覆層，并在該外伸平臺上形成一第二被覆層，同時在該孔洞內(nèi)形成該被覆穿孔；接著在該第一被覆層上形成一可定義該焊墊與該蓋體的第一圖案化刻蝕掩模層，并在該第二被覆層上形成一可定義該基座與該端子的第二圖案化刻蝕掩模層；利用該第一圖案化刻蝕掩模層刻蝕該導(dǎo)電層與該第一被覆層，使其形成該第一圖案化刻蝕掩模層所定義的圖案；利用該第二圖案化刻蝕掩模層刻蝕該外伸平臺與該第二被覆層，使其形成該第二圖案化刻蝕掩模層所定義的圖案；最后去除這些圖案化刻蝕掩模層。位于該凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層上的第一被覆層可接觸該凸塊、該黏著層與該導(dǎo)電層，并在該第一垂直方向覆蓋該凸塊，同時分別形成該焊墊、該端子、該路由線與該蓋體此四者的一部分。同樣地，位于該外伸平臺上的第二被覆層可接觸該外伸平臺，接觸該凸塊和/或該凹穴內(nèi)的一填充物，并在該第二垂直方向覆蓋該凸塊，同時分別形成該基座的一部分與該端子的一部分。該路由線可接觸該介電層但與該黏著層保持距離。該被覆穿孔可在該孔洞內(nèi)接觸該黏著層與該介電層。此外，刻蝕該導(dǎo)電層與該第一被覆層可包含使該介電層朝該第一垂直方向外露，但不使該黏著層朝該第一垂直方向外露?？涛g該外伸平臺與該第二被覆層可包含使該黏著層朝該第二垂直方向外露，但不使該介電層朝該第二垂直方向外露。該凹穴可中空或內(nèi)含一填充物。例如，在設(shè)置該半導(dǎo)體元件之后，該凹穴可具有一中空空間，且該中空空間是沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。在此例中，該凹穴在該半導(dǎo)體元件設(shè)置完成后可朝該第二垂直方向外露，并使該凸塊也朝該第二垂直方向外露?；蛘?，在設(shè)置該半導(dǎo)體元件之前，該凹穴內(nèi)可裝有一例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或焊錫的填充物，且該填充物是沿這些垂直及側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，并填滿該凹穴的大部分或全部。例如，可先將該填充物填入該凹穴中，再設(shè)置該黏著層。又例如，在該凹穴中填裝該填充物的步驟可在固化該黏著層之后以及提供該導(dǎo)線之前進行。在此例中， 可先將該填充物填入該凹穴內(nèi)，再將該第二被覆層設(shè)于該外伸平臺及該填充物上；或者，可先將該第二被覆層設(shè)于該凸塊及該外伸平臺上，再將該填充物填入該凹穴中。此外，該填充物在填充完成后可接受研磨，使該填充物不僅容置于該凹穴內(nèi)，更與該外伸平臺或該第二被覆層在一面朝該第二垂直方向的側(cè)向平面上側(cè)向切齊。使該黏著層流動可包含以該黏著層填滿該缺口。使該黏著層流動也可包含擠壓該黏著層，使其通過該缺口并沿該第一垂直方向延伸至該凸塊與該導(dǎo)電層之外，最后到達該凸塊與該導(dǎo)電層兩者的表面部分，其中這些表面部分均鄰接該缺口且面向該第一垂直方向，因此，該黏著層是延伸至該凸塊與該導(dǎo)電層沿該第一垂直方向的外側(cè)。固化該黏著層可包含將該凸塊與該外伸平臺機械性結(jié)合于該導(dǎo)電層。設(shè)置該半導(dǎo)體元件在該凸塊上可包含設(shè)置該半導(dǎo)體元件在該蓋體上，因而將該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該凸塊上。設(shè)置該半導(dǎo)體元件也可包含將該半導(dǎo)體元件定位于該蓋體的周緣內(nèi)以及該焊墊的周緣外，或者將該半導(dǎo)體元件定位于該蓋體與該焊墊的周緣內(nèi)及周緣外。該半導(dǎo)體元件也可位于該凸塊與該凹穴的周緣內(nèi)或延伸于該兩者的周緣內(nèi)及周緣夕卜，并且位于該導(dǎo)線的周緣外或延伸于該導(dǎo)線的周緣內(nèi)及周緣外。此外，該半導(dǎo)體元件可位于該基座的周緣內(nèi)。無論采用何種設(shè)置方式，該半導(dǎo)體元件均側(cè)向延伸于該凹穴的周緣內(nèi)。設(shè)置該半導(dǎo)體元件可包含提供一第一焊錫與一第二焊錫，其中該第一焊錫位于一包含LED芯片的LED封裝體與該焊墊之間，該第二焊錫則位于該LED封裝體與該蓋體之間。電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包含在該LED封裝體與該焊墊之間提供該第一焊錫。熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包含在該LED封裝體與該蓋體之間提供該第二焊錫。設(shè)置該半導(dǎo)體元件可包含在一半導(dǎo)體芯片(如LED芯片)與該蓋體之間提供一固晶材料。電性連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包含在該芯片與該焊墊之間提供一打線。熱連結(jié)該半導(dǎo)體元件可包含在該芯片與該蓋體之間提供該固晶材料。該黏著層可接觸該凸塊、該基座、該蓋體及該介電層，并在該第二垂直方向覆蓋該導(dǎo)線與該襯底，并在這些側(cè)面方向覆蓋且環(huán)繞該凸塊的一側(cè)壁，同時延伸至該芯片組制造完成后與同批生產(chǎn)的其它芯片組分離所形成的外圍邊緣。該基座可支撐該凸塊、該襯底與該黏著層，側(cè)向延伸至該蓋體外，并在該芯片組制造完成且與同批生產(chǎn)的其它芯片組分離后，延伸至該芯片組的外圍邊緣或與該芯片組的外圍邊緣保持距離。本發(fā)明具有多項優(yōu)點。該散熱座可提供優(yōu)異的散熱效果，并使熱能不流經(jīng)該黏著層，因此，該黏著層可為低導(dǎo)熱性的低成本電介質(zhì)且不易脫層。該散熱座可利用相對較薄的金屬提供相對較大的表面積，故有助于降低重量及成本。該凸塊與該凹穴可以機械方式?jīng)_壓而成，藉此提高精密度，且該凸塊與該基座可一體成型以提高可靠度。該蓋體可為該半導(dǎo)體元件量身訂做以提升熱連結(jié)的效果。該填充物可為該凸塊提供機械性支撐以增加強度。 該焊墊與該蓋體可包含迭合于該黏著層或迭合于該介電層上的該導(dǎo)電層的一選定部分，藉以提高可靠度。該黏著層可位于該凸塊與該襯底之間、該基座與該襯底之間，以及該蓋體與該襯底之間，藉以在該散熱座與該襯底之間提供堅固的機械性連結(jié)。該導(dǎo)線可形成簡單的電路圖案以提供信號路由，或形成復(fù)雜的電路圖案以實現(xiàn)具彈性的多層信號路由。該導(dǎo)線也可利用一延伸貫穿該黏著層與該介電層的被覆穿孔，在該焊墊與該端子之間提供垂直信號路由。此外，該被覆穿孔可在該黏著層固化之后形成，并維持中空管狀，或在該芯片組的外圍邊緣處被劈開，使后續(xù)回焊至該端子表面的焊錫得以濕潤并流入該被覆穿孔內(nèi)，從而避免因為該被覆穿孔被該黏著層或其它非可濕性絕緣材料填滿而導(dǎo)致該焊錫內(nèi)形成空洞， 此一設(shè)計有助于提高可靠度。該基座可為該襯底提供機械性支撐，防止其彎曲變形。該芯片組可利用低溫工序制造，不僅降低應(yīng)力，也可提高可靠度。該芯片組也可利用電路板、導(dǎo)線架與卷帶式襯底制造廠可輕易實施的高控制工序加以制造。本發(fā)明的上述及其它特征與優(yōu)點將在下文中通過各種實施例進一步加以說明。


圖IA與圖IB為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一凸塊及一外伸平臺的方法。圖1C、圖ID及圖IE分別為圖IB的放大剖視圖、俯視圖及仰視圖。圖2A與圖2B為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一黏著層的方法。圖2C與圖2D分別為圖2B的俯視圖及仰視圖。圖3A與圖;3B為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一襯底的方法。圖3C與圖3D分別為圖:3B的俯視圖及仰視圖。圖4A至圖4L為剖視圖，說明本發(fā)明一實施例中用以制作一導(dǎo)熱板的方法。圖4M與圖4N分別為圖4L的俯視圖及仰視圖。圖5A、圖5B及圖5C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有與黏著層相接觸的導(dǎo)線。圖6A、圖6B及圖6C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視
圖，該導(dǎo)熱板可提供垂直信號路由。圖7A、圖7B及圖7C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視
圖，該導(dǎo)熱板可提供垂直信號路由。圖8A、圖8B及圖8C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一內(nèi)含填充物的密閉凹穴。圖9A、圖9B及圖9C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一內(nèi)含填充物的密閉凹穴。圖10A、圖IOB及圖IOC分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一內(nèi)含填充物的非密閉凹穴。圖11A、圖IlB及圖IlC分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一隆起邊緣。圖12A、圖12B及圖12C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一導(dǎo)熱板、一半導(dǎo)體元件及一封裝材料。圖13A、圖1 及圖13C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一可提供垂直信號路由的導(dǎo)熱板、一半導(dǎo)體元件及一封裝材料。圖14A、圖14B及圖14C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一具有隆起邊緣的導(dǎo)熱板、一半導(dǎo)體元件及一上蓋。圖15A、圖15B及圖15C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一導(dǎo)熱板及一具有背面接點的半導(dǎo)體元件。主要元件符號說明10 金屬板；12、14 表面；16 凸塊；18 外伸平臺；20 凹穴；22、M彎折角落；26 側(cè)壁；28 頂板；θρθ2 角度；30 黏著層；32 開口；34 襯底；36 導(dǎo)電層；38 介電層；40 通孔；42 缺口；44、46 被覆層；48 填充物；50、52刻蝕掩模層；54 焊墊；56 路由線；58 端子；60 被覆穿孔；62 基座；64 蓋體；68 隆起邊緣；70 導(dǎo)線；72 散熱座；
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74,76防焊綠漆；78 被覆接點；80、82、84、86、88、90、92、94 導(dǎo)熱板；100、200、300、400 半導(dǎo)體芯片組；102、202、302、408 LED 芯片；104、204、304、412 打線；106、206、306 固晶材料(die attach)；108、208、418 封裝材料；110、210、310 頂面；112、212、312 底面；114、214、314 打線接墊;316 上蓋；402 LED 封裝體；404、406 焊錫；410 基座；414 電接點；416 熱接點；
具體實施例方式圖IA及圖IB為剖視圖，繪示本發(fā)明的一實施例中一種制作凸塊及外伸平臺的方法，圖IC為圖IB的放大剖視圖，圖ID及圖IE則分別為圖IB的俯視圖及仰視圖。圖IA為金屬板10的剖視圖，金屬板10包含相背的主要表面12及14。圖示的金屬板10是一厚度為150微米的銅板。銅具有導(dǎo)熱性高、結(jié)合性良好與低成本等優(yōu)點。金屬板10可由多種金屬制成，如銅、鋁、鐵鎳合金42、鐵、鎳、銀、金、其混合物及其合金。圖1B、圖1C、圖ID及圖IE分別為金屬板10形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20 后的剖視圖、放大剖視圖、俯視圖及仰視圖。凸塊16、凹穴20及彎折角落22J4是由金屬板 10以機械方式?jīng)_壓而成，其中凸塊16為金屬板10受沖壓的部分，外伸平臺18為金屬板10 未受沖壓的部分，而彎折角落22與M則為金屬板10的彎折部分。凸塊16鄰接外伸平臺18，與外伸平臺18形成一體，且自外伸平臺18沿一向上方向伸出，而外伸平臺18則沿著垂直于向上及向下方向的側(cè)面方向(如左、右)自凸塊16側(cè)伸而出。凸塊16包含彎折角落22及M、側(cè)壁沈與頂板觀。彎折角落22及M是因沖壓而彎折，并導(dǎo)致側(cè)壁26也具有沖壓而成的形狀及斜度。彎折角落22鄰接頂板觀沿側(cè)向向內(nèi)延伸，彎折角落M則鄰接外伸平臺18并沿側(cè)向向外延伸。側(cè)壁沈是沿向上及向下方向垂直延伸于彎折角落22與M之間，而頂板觀則自彎折角落22沿側(cè)向向內(nèi)延伸。此外，彎折角落22具有一角度θ ”其值為90度，彎折角落M具有一角度θ 2，其值同為90度(參見圖1C)。因此，側(cè)壁沈相對于頂板觀的角度θ i為90度，側(cè)壁沈相對于外伸平臺18的角度θ 2也為90度。凸塊16為圓柱形，其直徑在彎折角落22與M間的垂直方向上是固定不變。凸塊16的高度(相對于外伸平臺18)為600微米，直徑為1000微米。此外，凸塊16因沖壓而具有不規(guī)則的厚度。例如，因沖壓而拉長的側(cè)壁沈較頂板觀為薄。但為便于圖示，凸塊16 在圖中具有均一的厚度。凹穴20延伸進入凸塊16，并由凸塊16從上方覆蓋，同時面朝向下方向，此外，凹穴 20是朝向下方向外露，并使凸塊16構(gòu)成凹穴20的部分也朝向下方向外露。因此，凹穴20 是呈中空狀，其位于外伸平臺18的入口并未封閉，且凸塊16并未從下方覆蓋凹穴20。由于凹穴20的形狀與凸塊16相符，凹穴20也呈直徑固定的圓柱形。此外，凹穴20沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分。圖2A及圖2B為剖視圖，說明本發(fā)明的一實施例中一種制作黏著層的方法。圖2C 及圖2D分別為根據(jù)圖2B所繪制的俯視圖及仰視圖。圖2A為黏著層30的剖視圖，其中黏著層30為乙階(B-stage)未固化環(huán)氧樹脂的膠片，其為一未經(jīng)固化且無圖案的片體，厚250微米。黏著層30可為多種有機或無機電性絕緣體制成的各種介電膜或膠片。例如，黏著層30起初可為一膠片，其中樹脂型態(tài)的熱固性環(huán)氧樹脂浸入一加強材料后部分固化至中期。所述環(huán)氧樹脂可為FR-4，但也可使用例如多官能與雙馬來酰亞胺-三氮雜苯(BT) 樹脂等其它環(huán)氧樹脂。在特定應(yīng)用中，氰酸酯、聚酰亞胺及聚四氟乙烯(PTFE)也為適用的材料。所述加強材料可為電子級玻璃，也可為其它加強材料，如高強度玻璃、低誘電率玻璃 (D-glass)、石英、克維拉纖維(kevlar aramid)及紙等。所述加強材料也可為織物、不織布或無方向性微纖維?？蓪⒗绻?研粉熔融石英)等填充物加入膠片中以提升導(dǎo)熱性、熱沖擊阻抗力與熱膨脹匹配性?？衫檬惺鄣念A(yù)浸漬體，如美國威斯康星州奧克萊W. LGore & Associates 的 SPEEDB0ARD C 膠片即為一例。圖2B、圖2C及圖2D分別為具有開口 32的黏著層30的剖視圖、俯視圖及仰視圖。 開口 32為一窗口，其貫穿黏著層30且直徑為1050微米。開口 32是以機械方式鉆透該膠片而形成，但也可以其它技術(shù)制作，如沖制及沖壓等。圖3A及圖;3B為剖視圖，說明本發(fā)明的一實施例中一種制作襯底的方法，而圖3C 及圖3D則分別為根據(jù)圖:3B繪制的俯視圖及仰視圖。圖3A是襯底34的剖視圖。襯底34包含導(dǎo)電層36與介電層38。導(dǎo)電層36為電性導(dǎo)體，其接觸介電層38且延伸于介電層38上方。介電層38則為電性絕緣體。例如，導(dǎo)電層36是一無圖案且厚度為50微米的銅板，而介電層38則為厚度350微米的環(huán)氧樹脂。圖;3B、圖3C及圖3D分別為具有通孔40的襯底34的剖視圖、俯視圖及仰視圖。通孔40為一窗口，其貫穿襯底34且直徑為1050微米。通孔40是以機械方式鉆透導(dǎo)電層36 與介電層38而形成，但也可以其它技術(shù)制作，如沖制及沖壓等。開口 32與通孔40具有相同直徑。此外，開口 32與通孔40可以相同的鉆頭在同一鉆臺上通過相同方式形成，或以相同的沖頭在同一沖床上通過相同方式形成。襯底34在此繪示為一層壓結(jié)構(gòu)，但襯底34也可為其它電性互連結(jié)構(gòu)，如陶瓷板或印刷電路板。同樣地，襯底34可另包含多個內(nèi)嵌電路的層體。圖4A至圖4L為剖視圖，說明本發(fā)明的一實施例中一種制作導(dǎo)熱板的方法，該導(dǎo)熱板包含凸塊16、黏著層30及襯底34。圖4M及圖4N分別為圖4L的俯視圖及仰視圖。圖4A及圖4B中的結(jié)構(gòu)是呈凹穴向下的狀態(tài)，以便利用重力將黏著層30及襯底34設(shè)置于外伸平臺18上。圖4C至圖4L中的結(jié)構(gòu)依舊維持凹穴向下的狀態(tài)。換句話說，凹穴 20是面朝下方，并由凸塊16從上方覆蓋。然而，無論凹穴20面向何方，該結(jié)構(gòu)體的相對方位均未改變。詳細來說，無論該結(jié)構(gòu)體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜，凹穴20在一第一垂直方向上始終由凸塊16所覆蓋。同樣地，無論該結(jié)構(gòu)體是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜，凸塊16始終沿該第一垂直方向延伸至外伸平臺18之外，并沿一第二垂直方向延伸至襯底34之外。該第一與第二垂直方向是相對于該結(jié)構(gòu)體的方向，彼此始終相反，且始終垂直于前述的側(cè)面方向。圖4A為黏著層30設(shè)置于外伸平臺18上的剖視圖。黏著層30是下降至外伸平臺 18上，使凸塊16向上插入并貫穿開口 32，最終則使黏著層30接觸并定位于外伸平臺18。 優(yōu)選地，凸塊16在插入及貫穿開口 32后是對準開口 32且位于開口 32內(nèi)的中央位置而不接觸黏著層30。在圖4B所示結(jié)構(gòu)中，襯底34已設(shè)置于黏著層30上。襯底34是下降至黏著層30 上，使凸塊16向上插入通孔40，最終則使襯底34接觸并定位于黏著層30。凸塊16在插入(但并未貫穿)通孔40后是對準通孔40且位于通孔40內(nèi)的中央位置而不接觸襯底34。因此，缺口 42是位于通孔40內(nèi)且位于凸塊16與襯底34之間。缺口 42側(cè)向環(huán)繞凸塊16，同時被襯底34側(cè)向包圍。此外，開口 32與通孔40是相互對齊且具有相同直徑。此時，襯底34是設(shè)置于黏著層30上并與的接觸，且延伸于黏著層30上方。凸塊 16延伸通過開口 32后，進入通孔40并到達介電層38。凸塊16較導(dǎo)電層36的頂面低50 微米，且通過通孔40朝向上方向外露。黏著層30接觸外伸平臺18與襯底34且位于該兩者之間。黏著層30接觸介電層38但與導(dǎo)電層36保持距離。在此階段，黏著層30仍為乙階(B-stage)未固化環(huán)氧樹脂的膠片，而缺口 42中則為空氣。圖4C繪示黏著層30經(jīng)加熱加壓后流入缺口 42。在此圖中，迫使黏著層30流入缺口 42的方法是對導(dǎo)電層36施以向下壓力和/或?qū)ν馍炱脚_18施以向上壓力，也即將外伸平臺18與襯底34相對壓合，藉以對黏著層30施壓；在此同時也對黏著層30加熱。受熱的黏著層30可在壓力下任意成形。因此，位于外伸平臺18與襯底34間的黏著層30受到擠壓后，改變其原始形狀并向上流入缺口 42。外伸平臺18與襯底34持續(xù)朝彼此壓合，直到黏著層30填滿缺口 42為止。此外，在外伸平臺18與襯底34間之間隙縮小后，黏著層30仍舊填滿此一縮小的間隙。例如，可將外伸平臺18及導(dǎo)電層36設(shè)置于一壓合機的上、下壓臺(圖未示)之間。 此外，可將一上擋板及上緩沖紙(圖未示)夾置于導(dǎo)電層36與上壓臺之間，并將一下?lián)醢寮跋戮彌_紙(圖未示)夾置于外伸平臺18與下壓臺之間。以此構(gòu)成的迭合體由上到下依次為上壓臺、上擋板、上緩沖紙、襯底34、黏著層30、外伸平臺18、下緩沖紙、下?lián)醢寮跋聣号_。此外，可利用從下壓臺向上延伸且穿過金屬板10對位孔(圖未示)的工具接腳(圖未示)將此迭合體定位于下壓臺上。而后將上、下壓臺加熱并相互推進，藉此對黏著層30加熱并施壓。擋板可將壓臺的熱分散，使熱均勻施加于外伸平臺18與襯底34乃至于黏著層30。緩沖紙則將壓臺的壓力分散，使壓力均勻施加于外伸平臺18與襯底34乃至于黏著層30。起初，介電層38接觸并壓合于黏著層30。隨著壓臺持續(xù)動作與持續(xù)加熱，外伸平臺18與襯底34間的黏著層30 受到擠壓并開始熔化，因而向上流入缺口 42，并通過介電層38與導(dǎo)電層36。例如，未固化環(huán)氧樹脂遇熱熔化后，被壓力擠入缺口 42中，但加強材料及填充物仍留在外伸平臺18與襯底34之間。黏著層30在通孔40內(nèi)上升的速度大于凸塊16，終至填滿缺口 42。黏著層30 也上升至稍高于缺口 42的位置，并在壓臺停止動作前，溢流至凸塊16頂面及導(dǎo)電層36頂面鄰接缺口 42處。若膠片厚度略大于實際所需便可能發(fā)生此一情形。如此一來，黏著層30 便在凸塊16頂面及導(dǎo)電層36頂面形成一覆蓋薄層。壓臺在觸及凸塊16后停止動作，但仍持續(xù)對黏著層30加熱。黏著層30在缺口 42內(nèi)向上流動的方向如圖中向上粗箭號所示，凸塊16與外伸平臺18相對于襯底34的向上移動如向上細箭號所示，而襯底34相對于凸塊16與外伸平臺 18的向下移動則如向下細箭號所示。圖4D中的黏著層30已固化。例如，壓臺停止移動后仍持續(xù)夾合凸塊16與外伸平臺18并供熱，藉此將已熔化的乙階(B-stage)環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)換為丙階(C-stage)固化或硬化的環(huán)氧樹脂。因此，環(huán)氧樹脂是以類似已知多層壓合的方式固化。環(huán)氧樹脂固化后，壓臺分離，以便將結(jié)構(gòu)體從壓合機中取出。固化的黏著層30可在凸塊16與襯底34之間以及外伸平臺18與襯底34之間提供牢固的機械性連結(jié)。黏著層30可承受一般操作壓力而不致變形損毀，遇過大壓力時則僅暫時扭曲。此外，黏著層30可吸收凸塊16與襯底34之間以及外伸平臺18與襯底34之間的熱膨脹不匹配。在此階段，凸塊16與導(dǎo)電層36大致共平面，而黏著層30與導(dǎo)電層36則延伸至一面朝向上方向的頂面。例如，外伸平臺18與介電層38間的黏著層30厚200微米，較其初始厚度250微米減少50微米；也即凸塊16在通孔40中升高50微米，而襯底34則相對于凸塊16下降50微米。凸塊16的高度600微米基本上等同于導(dǎo)電層36 (50微米)、介電層 38(350微米)與下方黏著層3(^200微米)的結(jié)合高度。此外，凸塊16仍位于開口 32與通孔40內(nèi)的中央位置并與襯底34保持距離，而黏著層30則填滿外伸平臺18與襯底34間的空間并填滿缺口 42。例如，缺口 42(以及凸塊16與襯底34間的黏著層30)的寬度為25 微米((1050-1000)/2)。黏著層30在缺口 42內(nèi)延伸跨越介電層38。換句話說，缺口 42中的黏著層30是沿向上方向及向下方向延伸并跨越缺口 42外側(cè)壁的介電層38厚度。黏著層30也包含缺口 42上方的薄頂部分，其接觸凸塊16的頂面與導(dǎo)電層36的頂面，并在凸塊 16上方延伸10微米。在圖4E所示結(jié)構(gòu)中，凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂部都已去除。凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂部是以研磨方式去除，例如以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的頂部。起初，鉆石砂輪僅磨去黏著層30。持續(xù)研磨，則黏著層30因受磨表面下移而變薄。鉆石砂輪終將接觸凸塊16與導(dǎo)電層36(不必然同時)，因而開始研磨凸塊16與導(dǎo)電層36。持續(xù)研磨后，凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36均因受磨表面下移而變薄。研磨持續(xù)至去除所需厚度為止，然后以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。上述研磨步驟將黏著層30的頂部磨去25微米，將凸塊16的頂部磨去15微米，并將導(dǎo)電層36的頂部磨去15微米。厚度減少對凸塊16或黏著層30并無明顯影響，但導(dǎo)電層36的厚度卻從50微米大幅縮減至35微米。至此，凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36是共同位于介電層38上方一面朝向上方向的平滑拼接側(cè)向頂面。圖4F所示的結(jié)構(gòu)具有被覆層44及46。被覆層44是形成于凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36上，被覆層46則形成于凸塊16及外伸平臺18上。被覆層44是沉積于凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36朝向上方向外露的側(cè)向頂面上，同時接觸并從上方覆蓋此三者。被覆層44是一無圖案的銅層，其厚度為25微米。被覆層46是沉積于凸塊16及外伸平臺18朝向下方向外露的底面上，同時接觸并從下方覆蓋此二者。被覆層46是一無圖案的銅層，其厚度為25微米。舉例而言，可將結(jié)構(gòu)體浸入一活化劑溶液中，使黏著層30可與無電鍍銅產(chǎn)生催化劑反應(yīng)。接著將一上部無電鍍銅層以無電鍍被覆的方式設(shè)于凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層 36上，并將一下部無電鍍銅層以無電鍍被覆方式設(shè)于凸塊16及外伸平臺18上。然后在該上部無電鍍銅層上電鍍一上部電鍍銅層以形成被覆層44，并在該下部無電鍍銅層上電鍍一下部電鍍銅層以形成被覆層46。其中，無電鍍銅層的厚度約為2微米，電鍍銅層的厚度約為 23微米，故被覆層44、46的厚度均約為25微米。如此一來，凸塊16與外伸平臺18的厚度便沿向下方向?qū)嵸|(zhì)增加，而導(dǎo)電層36的厚度則沿向上方向?qū)嵸|(zhì)增加。此外，凹穴20依舊呈中空狀，依舊朝向下方向外露，依舊使凸塊16朝向下方向外露，且依舊沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分。被覆層44是作為凸塊16的一覆蓋層、導(dǎo)電層36的一加厚層，以及凸塊16與導(dǎo)電層36間的一橋接結(jié)構(gòu)。被覆層46是作為凸塊16與外伸平臺18的一加厚層。為便于圖示，凸塊16、導(dǎo)電層36與被覆層44是以單層顯示。同樣地，為便于圖示， 凸塊16、外伸平臺18與被覆層46也以單層顯示。由于銅為同質(zhì)被覆，凸塊16與被覆層44 間的界線、導(dǎo)電層36與被覆層44間的界線、凸塊16與被覆層46間的界線以及外伸平臺18 與被覆層46間的界線(均以虛線繪示)可能不易察覺甚至無法察覺。然而，黏著層30與被覆層44間的界線則清楚可見。圖4G所示結(jié)構(gòu)體的被覆層44、46上分別設(shè)有刻蝕掩模層50及52。圖示的刻蝕掩模層50、52是分別沉積于被覆層44、46上的光刻膠層，其制作方式是利用干式壓模技術(shù)以熱滾輪同時將光刻膠層分別壓合于被覆層44、46。濕性旋涂法及淋幕涂布法也為適用的光刻膠形成技術(shù)?？涛g掩模層50為一圖案化的光刻膠層，而刻蝕掩模層52則為一無圖案的光刻膠層，可作為一全面覆蓋的刻蝕掩模層。將一掩模(圖未示)靠合于光刻膠層50，然后依照現(xiàn)有技術(shù)，令光線選擇性通過該掩模，使受光的光刻膠部分變?yōu)椴豢扇芙?，之后再以顯影液去除未受光且仍可溶解的光刻膠部分，使光刻膠層50形成圖案。因此，光刻膠層50具有一可使被覆層44的選定部分朝向上方向外露的圖案，而光刻膠層52則維持無圖案的狀態(tài)，并從下方覆蓋被覆層46。此夕卜，光刻膠層50與52分別從下方及從下方覆蓋凸塊16。在圖4H所示的結(jié)構(gòu)體中，導(dǎo)電層36及被覆層44已經(jīng)由刻蝕去除其選定部分而形成刻蝕掩模層50所定義的圖案。所述刻蝕為正面濕式化學(xué)刻蝕。例如，可將結(jié)構(gòu)體倒置，使刻蝕掩模層50朝下，而刻蝕掩模層52朝上，然后利用一朝上且面向刻蝕掩模層50的底部噴嘴(圖未示)將化學(xué)刻蝕液噴灑于被覆層44及刻蝕掩模層50上。在此同時，一面向刻蝕掩模層52的頂部噴嘴 (圖未示)則不予啟動。如此一來便可藉助重力去除刻蝕的副產(chǎn)物?；蛘撸每涛g掩模層52提供背面保護，也可將結(jié)構(gòu)體浸入化學(xué)刻蝕液中?；瘜W(xué)刻蝕液可蝕透被覆層44及導(dǎo)電層36，使介電層38朝向上方向外露，因而將原本無圖案的導(dǎo)電層36及被覆層44轉(zhuǎn)變?yōu)閳D案層。然而，凸塊16、外伸平臺18及被覆層46并不受化學(xué)刻蝕液的影響，外伸平臺18及被覆層46仍為無圖案層。因此，黏著層30仍維持從上方被覆蓋及從下方被覆蓋的狀態(tài)，而介電層38則僅朝向上方向外露而未朝向下方向外露。適用于上述刻蝕作業(yè)且對銅具有高度選擇性的化學(xué)刻蝕液可為含堿氨的溶液或硝酸與鹽酸的稀釋混合物。換句話說，所述化學(xué)刻蝕液可為酸性或堿性。足以形成圖案而不致使導(dǎo)電層36及被覆層44過度曝露于化學(xué)刻蝕液的理想刻蝕時間可由試誤法決定。在圖41中，結(jié)構(gòu)體上的刻蝕掩模層50及52均已去除。這些光刻膠層是經(jīng)溶劑處理去除。例如，所用溶劑可為PH為14的強堿性氫氧化鉀溶液?？涛g后的導(dǎo)電層36及被覆層44包含焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64。因此，導(dǎo)電層36及被覆層44是一包含焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64的圖案層。同樣地，焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64是刻蝕掩模層50在導(dǎo)電層36與被覆層44上所定義的選定部分。焊墊M是導(dǎo)電層36與被覆層44受刻蝕掩模層50保護而未被刻蝕的部分，其鄰接路由線56但與端子58保持距離。路由線56是導(dǎo)電層36與被覆層44受刻蝕掩模層50 保護而未被刻蝕的部分，其鄰接焊墊M與端子58，并自焊墊M與端子58側(cè)向延伸，同時電性連結(jié)焊墊M與端子58。端子58是導(dǎo)電層36與被覆層44受刻蝕掩模層50保護而未被刻蝕的部分，其鄰接路由線56但與焊墊M保持距離。蓋體64也為導(dǎo)電層36與被覆層44 受刻蝕掩模層50保護而未被刻蝕的部分，其鄰接凸塊16并自凸塊16側(cè)伸而出，且與凸塊 16熱連結(jié)，同時從上方覆蓋凸塊16，但與焊墊M、路由線56及端子58保持距離。焊墊M、路由線56及端子58的厚度均為60微米(35+2 。蓋體64的厚度于鄰接凸塊16處(其不含導(dǎo)電層36)為25微米，在鄰接介電層38處(其包含導(dǎo)電層36的一選定部分)則為60微米(35+2 。蓋體64的厚度在接觸黏著層30處(此部分是與介電層 38保持距離，且從上方覆蓋開口 32及通孔40)也為25微米，在接觸介電層38處則同樣為 60 微米(35+25)。因被覆層46而增厚的凸塊16包含被覆層46位于凹穴20內(nèi)的部分。同樣地，因被覆層46而增厚的外伸平臺18包含被覆層46位于凹穴20外的部分。基座62包含由金屬板10制成的外伸平臺18的一部分，此部分是鄰接凸塊16，與凸塊16形成一體且自凸塊16側(cè)伸而出。基座62也包含被覆層46的一部分，此部分是從下方覆蓋外伸平臺18的上述部分。因此，基座62是鄰接凸塊16，且與凸塊16形成一體，同時自凸塊16側(cè)伸而出，厚度為175微米(150+25)。焊墊M、路由線56及端子58共同構(gòu)成導(dǎo)線70。因此，導(dǎo)線70包含導(dǎo)電層36與被覆層44兩者的選定部分，且這些選定部分均與凸塊16、基座62及蓋體64保持距離。導(dǎo)線70位于凹穴20外。此外，路由線56形成焊墊M與端子58間的一導(dǎo)電路徑。導(dǎo)線70通過路由線56提供從焊墊M至端子58的水平(側(cè)向)路由。導(dǎo)線70 并不限于此一構(gòu)型。舉例而言，上述導(dǎo)電路徑可包含貫穿黏著層30和/或介電層38的導(dǎo)電孔、額外的路由線(其位于黏著層30和/或介電層38的上方和/或下方)及被動元件 (例如設(shè)置于其它焊墊上的電阻與電容)。
凸塊16、基座62及蓋體64共同形成散熱座72。因此，散熱座72包含金屬板10、 導(dǎo)電層36及被覆層44、46四者的選定部分，且這些選定部分均與導(dǎo)線70保持距離。此外， 凸塊16形成基座62與蓋體64間的一導(dǎo)熱路徑。散熱座72實際上為一倒T形的散熱塊，其包含一柱部(凸塊16)、一相對較大的下翼部(基座62)及一相對較小的上翼部(蓋體64)。圖4J所示的結(jié)構(gòu)體在襯底34、導(dǎo)線70及散熱座72上設(shè)有防焊綠漆74。防焊綠漆74為一電性絕緣層，其具有一選定的圖案，故可使焊墊M、端子58及蓋體64朝向上方向外露，并從上方覆蓋路由線56，同時覆蓋介電層38原本朝向上方向外露的部分。防焊綠漆74在焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64上方的厚度為25微米，防焊綠漆74在介電層38上方則延伸85微米(60+25)。防焊綠漆74起初為涂布于結(jié)構(gòu)體上的一光顯像型液態(tài)樹脂。之后再在防焊綠漆 74上形成圖案，其作法是令光線選擇性穿透掩模(圖未示)，使受光的部分防焊綠漆變?yōu)椴豢扇芙?，然后利用一顯影溶液去除未受光且仍可溶解的部分防焊綠漆，最后再進行硬烤，以上步驟乃已知工藝。圖4K所示結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)線70及散熱座72上設(shè)有被覆接點78。被覆接點78為一接觸外露銅質(zhì)表面的多層金屬鍍層。因此，被覆接點78接觸焊墊 54、端子58與蓋體64，并從上方覆蓋此三者的外露部分。被覆接點78也接觸凸塊16與基座62，并從下方覆蓋此二者的外露部分。例如，一鎳層是以無電鍍被覆的方式設(shè)于外露的銅質(zhì)表面上，而后再將一銀層以無電鍍被覆的方式設(shè)于該鎳層上，其中內(nèi)部鎳層厚約3微米， 銀質(zhì)表面層厚約0. 5微米，故被覆接點78的厚度約為3. 5微米。以被覆接點78作為凸塊16、焊墊M、端子58、基座62與蓋體64的表面處理具有多項優(yōu)點。內(nèi)部鎳層提供主要的機械性與電性連結(jié)和/或熱連結(jié)，而銀質(zhì)表面層則提供一可濕性表面以利于焊料回焊，藉以搭配焊錫及打線。被覆接點78也可保護導(dǎo)線70與散熱座72不受腐蝕。被覆接點78可包含多種金屬以符合外部連結(jié)媒介的需要。例如，可在內(nèi)部鎳層上被覆一金層，或單獨使用一鎳質(zhì)表面層。為便于圖示，設(shè)有被覆接點78的凸塊16、焊墊M、端子58、基座62與蓋體64是以單一層體表示。被覆接點78與凸塊16、焊墊W、端子58、基座62及蓋體64間的界線均為銅/鎳界面。 至此完成導(dǎo)熱板80的制作。圖4L、圖4M及圖4N分別為導(dǎo)熱板80的剖視圖、俯視圖及仰視圖，圖中導(dǎo)熱板80 的邊緣已沿切割線而與支撐架和/或同批生產(chǎn)的相鄰導(dǎo)熱板分離。導(dǎo)熱板80包含黏著層30、襯底34、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆74。襯底34包含介電層38。導(dǎo)線70包含焊墊M、路由線56及端子58。散熱座72包含凸塊16、基座62 及蓋體64。凸塊16在彎折角落M處鄰接基座62，并在彎折角落22及頂板28處鄰接蓋體64。 凸塊16 —方面從基座62朝向上方向延伸，一方面則從蓋體64朝向下方向延伸，且與基座 62形成一體。凸塊16延伸進入開口 32與通孔40后，仍位于開口 32與通孔40內(nèi)的中央位置。此外，凸塊16延伸至介電層38與通孔40的上方及下方，并在蓋體64處與黏著層30 共平面。凸塊16依舊形成凹穴20，并從上方覆蓋凹穴20，且具有沖壓而成的特有不規(guī)則厚
31度。凸塊16也接觸黏著層30，且與介電層38保持距離，同時維持圓柱形，也即凸塊16自基座62向上延伸至蓋體64的過程中，其直徑固定不變。此外，彎折角落22在鄰接蓋體64處仍舊以約90度的角度沿側(cè)向向內(nèi)彎折，而彎折角落M在鄰接基座62處仍舊以約90度的角度沿側(cè)向向外彎折，且側(cè)壁26仍舊將彎折角落22與M垂直隔開。凹穴20延伸進入凸塊16，并由凸塊16從上方覆蓋。凹穴20面朝下方且朝向下方向外露，致使凸塊16構(gòu)成凹穴20的部分也朝向下方向外露。因此，凹穴20呈中空狀，其入口并未封閉，且并未由凸塊16從下方覆蓋。凹穴20也延伸進入開口 32與通孔40，并由凸塊16將凹穴20與蓋體64隔開。凹穴20的形狀與凸塊16相符，也即兩者均為直徑固定的圓柱形。此外，凹穴20沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分。基座62位于黏著層30、襯底34與導(dǎo)線70的下方。基座62接觸黏著層30，但與襯底；34及蓋體64保持距離?；?2自凸塊16側(cè)伸而出且超出蓋體64與導(dǎo)線70之外， 同時延伸于黏著層30與襯底34沿向下方向的外側(cè)，并從下方覆蓋導(dǎo)線70，進而支撐凸塊 16、黏著層30、襯底34與導(dǎo)線70。蓋體64接觸黏著層30與介電層38，且延伸于該兩者上方。蓋體64鄰接凸塊16 處具有一第一厚度，蓋體64鄰接介電層38處則具有一大于該第一厚度的第二厚度。蓋體 64尚具有一面朝向上方向的平坦表面。此外，蓋體64鄰接黏著層30且與介電層38保持距離的部分具有該第一厚度，蓋體64鄰接介電層38且與黏著層30保持距離的部分具有該第
二厚度。黏著層30是設(shè)置于基座62上，且延伸于基座62上方。黏著層30在缺口 42內(nèi)接觸且位于凸塊16與介電層38之間，并填滿凸塊16與介電層38間的空間。黏著層30在缺口 42外則接觸且位于基座62與介電層38之間，并填滿基座62與介電層38間的空間。黏著層30也接觸且位于基座62與蓋體64之間，但與導(dǎo)線70保持距離。黏著層30不僅在缺口 42內(nèi)延伸跨越介電層38，也位于基座62與焊墊M之間、基座62與路由線56之間，以及基座62與端子58之間。黏著層30也從凸塊16側(cè)向延伸并越過導(dǎo)線70。此時黏著層30 已固化。黏著層30沿側(cè)面方向覆蓋且包圍凸塊16的側(cè)壁沈，從上方覆蓋基座62位于凸塊16周緣外的部分，從下方覆蓋蓋體64位于凸塊16周緣外的部分，并從下方覆蓋襯底34。 黏著層30也同形被覆于凸塊16的側(cè)壁沈、介電層38的一底面、基座62頂面位于凸塊16 周緣外的部分，以及蓋體64底面位于凸塊16周緣外的部分。黏著層30可單獨穿過凸塊16與介電層38間的一假想水平線、凸塊16與蓋體64 間的一假想水平線、基座62與介電層38間的一假想垂直線，以及基座62與蓋體64間的一假想垂直線。然而，黏著層30并未單獨穿過基座62與導(dǎo)線70間的一假想線。因此，雖有一條從凸塊16延伸至介電層38的假想水平線僅穿過黏著層30，但在基座62與導(dǎo)線70之間并無任何一條水平、垂直或其它走向的假想線僅穿過黏著層30，因為此假想線在基座62 與導(dǎo)線70之間除穿過黏著層30外，勢必穿過介電層38。襯底34是設(shè)置于黏著層30上，延伸于基座62上方，且包含導(dǎo)線70。介電層38接觸且位于黏著層30與焊墊M之間、黏著層30與路由線56之間，以及黏著層30與端子58 之間。介電層38也接觸蓋體64，但與凸塊16及基座62保持距離。焊墊M、路由線56及端子58均接觸介電層38，且均與黏著層30保持距離，同時均延伸于黏著層30與介電層38上方。焊墊M與端子58具有相同的厚度，且共同位于一面朝向上方向的頂面。此外，焊墊M與蓋體64在彼此相鄰處具有相同的厚度，但蓋體64 鄰接凸塊16處的厚度則與焊墊M不同。焊墊M與蓋體64共同位于一面朝向上方向的頂面。同批制作的導(dǎo)熱板80經(jīng)裁切后，其黏著層30、介電層38、基座62與防焊綠漆74 均延伸至裁切而成的垂直邊緣。焊墊M是一專為LED芯片等半導(dǎo)體元件量身訂做的電性接口，該半導(dǎo)體元件將在后續(xù)工藝中設(shè)置于蓋體64上。端子58是一專為下一層芯片組(例如來自一印刷電路板的可焊接線或接點)量身訂做的電性界面。蓋體64是一專為該半導(dǎo)體元件量身訂做的熱接口?；?2是一專為該下一層芯片組(例如前述印刷電路板或一電子設(shè)備的散熱裝置) 量身訂做的熱接口。焊墊M與端子58在水平方向上彼此錯位，且均外露于導(dǎo)熱板80的頂面，以便在該半導(dǎo)體元件與該下一層芯片組之間提供水平信號路由。為便于圖標，導(dǎo)線70在剖視圖中是繪示為一連續(xù)電路跡線。然而，導(dǎo)線70可同時提供X與Y方向的水平信號路由，也即焊墊M與端子58可在X與Y方向形成側(cè)向錯位。導(dǎo)線70與散熱座72彼此保持距離，因此，導(dǎo)線70與散熱座72是機械性連接且彼此電性隔離。散熱座72可將隨后設(shè)置于蓋體64上的半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的熱能擴散至導(dǎo)熱板80 所連接的下一層芯片組。該半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的熱能流入蓋體64后，從蓋體64流入凸塊 16，并經(jīng)由凸塊16進入基座62，最后從基座62沿向下方向散出，例如擴散至一下方散熱裝置。凸塊16、焊墊M、端子58、基座62與蓋體64均為相同的金屬，也即銅/鎳/銀。 凸塊16、焊墊M、端子58、基座62與蓋體64是由一銀質(zhì)表面層、一內(nèi)部銅核心及一內(nèi)部鎳層組成，其中該內(nèi)部鎳層接觸且位于該銀質(zhì)表面層與該內(nèi)部銅核心之間。凸塊16、焊墊M、 端子58、基座62與蓋體64的內(nèi)部銅核心主要為銅。該銀質(zhì)表面層與該內(nèi)部鎳層是由被覆接點78提供，而該內(nèi)部銅核心則由金屬板10、導(dǎo)電層36與被覆層44、46的多種組合提供。導(dǎo)線70包含一由焊墊M、路由線56與端子58共享的內(nèi)部銅核心，而散熱座72則包含一由凸塊16、基座62與蓋體64共享的內(nèi)部銅核心。此外，導(dǎo)線70包含設(shè)于焊墊M上的被覆接點78，以及設(shè)于端子58上的另一被覆接點，而散熱座72則包含設(shè)于凸塊16與基座62上的被覆接點(其與蓋體64保持距離)，以及設(shè)于蓋體64上的另一被覆接點78 (其與凸塊16及基座62保持距離)。此外，導(dǎo)線70及散熱座72是由銅/鎳/銀組成，且其內(nèi)部銅核心主要為銅。導(dǎo)熱板80的凸塊16與路由線56均未朝向上方向外露。為便于圖示，凸塊16與路由線56在第4M圖中是以虛線繪示。導(dǎo)熱板80可包含多條由焊墊M、路由線56及端子58所構(gòu)成的導(dǎo)線70。為便于說明，在此僅描述并標示單一導(dǎo)線70。在這些導(dǎo)線70中，焊墊M與端子58通常具有類似的形狀及尺寸，而路由線56則可能(但未必)具有不同的路由構(gòu)型。例如，部分導(dǎo)線70設(shè)有間距，彼此分離，且為電性隔離，而部分導(dǎo)線70則彼此交錯或?qū)蛲缓笁|54、路由線56 或端子58且彼此電性連結(jié)。同樣地，部分焊墊M可用以接收獨立信號，而部分焊墊M則共享一信號、電源或接地端。導(dǎo)熱板80適用于具有藍、綠及紅光LED芯片的LED封裝體，其中各LED芯片包含一陽極與一陰極，且各LED封裝體包含對應(yīng)的陽極端子與陰極端子。在此例中，導(dǎo)熱板80 可包含六個焊墊討與四個端子58，以便將每一陽極從一獨立焊墊M導(dǎo)向一獨立端子58， 并將每一陰極從一獨立焊墊M導(dǎo)向一共同的接地端子58。在各制造階段均可利用一簡易清潔步驟去除外露金屬上的氧化物與殘留物，例如可對本發(fā)明結(jié)構(gòu)體施行一短暫的氧等離子體清潔步驟?；蛘?，可利用一過錳酸鉀溶液對本發(fā)明結(jié)構(gòu)體進行一短暫的濕式化學(xué)清潔步驟。同樣地，也可利用蒸餾水淋洗本發(fā)明結(jié)構(gòu)體以去除污物。此清潔步驟可清潔所需表面而不對結(jié)構(gòu)體造成明顯的影響或破壞。本方案的優(yōu)點在于，導(dǎo)線70形成后不需從中分離或分割出匯流點或相關(guān)電路系統(tǒng)。匯流點可在形成導(dǎo)線70的濕式化學(xué)刻蝕步驟中分離。導(dǎo)熱板80可包含鉆透或切通黏著層30、介電層38、基座62與防焊綠漆74所形成的對位孔(圖未示)。如此一來，當(dāng)導(dǎo)熱板80需在后續(xù)工藝中設(shè)置于一下方載體上時，便可將工具接腳插入對位孔中，藉以將導(dǎo)熱板80置于定位。導(dǎo)熱板80可容納多個半導(dǎo)體元件，而非單一凸塊或多個凸塊僅可容納單一半導(dǎo)體元件。因此，我們可將多個半導(dǎo)體元件設(shè)置于單一凸塊上，或?qū)⒍鄠€半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于不同凸塊上。若欲使導(dǎo)熱板80的單一凸塊可容納多個半導(dǎo)體元件，可調(diào)整刻蝕掩模層50以定義更多導(dǎo)線70。這些導(dǎo)線70的側(cè)向位置可重新調(diào)整，以便為四個半導(dǎo)體元件提供一 2x2陣列。此外，導(dǎo)線70的剖面形狀及高低(即側(cè)面形狀)也可有所調(diào)整。若欲在導(dǎo)熱板80上形成多個凸塊以容納多個半導(dǎo)體元件，可在金屬板10上沖壓出額外的凸塊16，調(diào)整黏著層30以包含更多開口 32，調(diào)整襯底34以包含更多通孔40，同時調(diào)整刻蝕掩模層50以定義更多蓋體64及導(dǎo)線70。凸塊16、蓋體64及導(dǎo)線70的側(cè)向位置可重新調(diào)整，以便為四個半導(dǎo)體元件提供一陣列。此外，凸塊16、蓋體64及導(dǎo)線70的剖面形狀及高低(即側(cè)面形狀)也可有所調(diào)整。此外，多個凸塊16可分別具有獨立的基座 62或共享一基座62，端視刻蝕掩模層52的設(shè)計而定。圖5A、圖5B及圖5C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板的導(dǎo)線是與黏著層相接觸。 在本實施例中，襯底僅由導(dǎo)電層提供，且未設(shè)介電層。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板82包含黏著層30、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆74。導(dǎo)線70包含焊墊 54、路由線56與端子58。散熱座72包含凸塊16、基座62與蓋體64。本實施例中的導(dǎo)電層36較上一實施例中的導(dǎo)電層36為厚。例如，導(dǎo)電層36的厚度由50微米增為150微米，如此一來便可防止導(dǎo)電層36在搬運時彎曲或晃動，而焊墊M、 路由線56、端子58與蓋體64也因此增厚。此外，由于本實施例省略介電層38，導(dǎo)致焊墊 54、路由線56與端子58均接觸黏著層30。黏著層30接觸且位于基座62與導(dǎo)線70之間，同時填滿基座62與導(dǎo)線70間的空間。因此，黏著層30可單獨穿過基座62與焊墊M間的一假想垂直線、基座62與路由線56
34間的一假想垂直線，以及基座62與端子58間的一假想垂直線。此外，黏著層30已增厚以填補介電層38的空缺，另為因應(yīng)焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64的厚度增加，防焊綠漆74也配合增厚。導(dǎo)熱板82的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為導(dǎo)電層36進行適當(dāng)調(diào)整。例如，沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20，然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18上，并將導(dǎo)電層36單獨設(shè)置于黏著層30上。繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層 30流動并固化。然后研磨凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂面，使其平面化。接著將被覆層44與46設(shè)于結(jié)構(gòu)體上。以上步驟在前文中均已有所說明。然后刻蝕導(dǎo)電層36與被覆層44以形成焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64，同時使外伸平臺18與被覆層46保持無圖案狀態(tài)。接著，在前述頂面形成防焊綠漆74，再以披覆接點78為凸塊16、焊墊M、端子 58、基座62及蓋體64進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板82的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層 30、基座62及防焊綠漆74，使導(dǎo)熱板82與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖6A、圖6B及圖6C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板可提供垂直信號路由。在本實施例中，端子是延伸于黏著層的下方，并由被覆穿孔電性連結(jié)路由線與端子。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板84包含黏著層30、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆74與76。導(dǎo)線70包含焊墊M、路由線56、端子58與被覆穿孔60。散熱座72包含凸塊16、基座62與蓋體64。導(dǎo)線70不僅可通過路由線56提供從焊墊M至被覆穿孔60的水平(側(cè)向)路由， 也可通過被覆穿孔60提供從路由線56至端子58的垂直(由上至下)路由。因此，路由線 56形成焊墊M與被覆穿孔60間的一導(dǎo)電路徑，被覆穿孔60形成路由線56與端子58間的一導(dǎo)電路徑，而路由線56與被覆穿孔60則共同形成焊墊M與端子58間的一導(dǎo)電路徑。焊墊M與路由線56均接觸介電層38，均與黏著層30保持距離，且均延伸于黏著層30與介電層38的上方。端子58接觸黏著層30，與介電層38保持距離，并且延伸于黏著層30與介電層38的下方。被覆穿孔60接觸且延伸穿過黏著層30與介電層38?；?2 是與導(dǎo)熱板84的外圍邊緣保持距離，且未從下方覆蓋黏著層30、襯底34、路由線56、端子 58、被覆穿孔60或防焊綠漆74。此外，端子58與基座62包含外伸平臺18的選定部分，具有相同厚度，且共同位于結(jié)構(gòu)體的底面。防焊綠漆74為一電性絕緣層，其具有一選定的圖案，故可使焊墊M、被覆穿孔60 及蓋體64朝向上方向外露，并覆蓋介電層38原本朝向上方向外露的部分。防焊綠漆76同為一電性絕緣層，其具有一選定的圖案，故可使凸塊16、端子58及基座62朝向下方向外露， 并覆蓋黏著層30原本朝向下方向外露的部分。導(dǎo)熱板84的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆 74與76進行適當(dāng)調(diào)整。例如，沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20，然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18上，并將襯底34設(shè)置于黏著層30上。繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動并固化。然后研磨凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂面，使其平面化。以上步驟在前文中均已有所說明。接著，鉆透外伸平臺18、黏著層30、導(dǎo)電層36及介電層38以形成孔洞，再將導(dǎo)電金屬沉積于結(jié)構(gòu)體上，因而在結(jié)構(gòu)體的頂面形成被覆層44，在結(jié)構(gòu)體的底面形成被覆層 46，并在該孔洞內(nèi)形成被覆穿孔60。然后，在被覆層44上形成刻蝕掩模層50，使其形成可定義焊墊M、路由線56及蓋體64的圖案，從而露出被覆層44的選定部分。另在被覆層46上形成刻蝕掩模層52，使其形成可定義端子58及基座62的圖案，從而露出被覆層46的選定部分。接著刻蝕導(dǎo)電層36 與被覆層44以形成刻蝕掩模層50所定義的焊墊M、路由線56及蓋體64，進而使介電層38 朝向上方向外露但不使黏著層30朝向上方向外露。另刻蝕外伸平臺18與被覆層46以形成刻蝕掩模層52所定義的端子58及基座62，進而使黏著層30朝向下方向外露但不使介電層38朝向下方向外露。端子58與基座62包含外伸平臺18與被覆層46兩者受刻蝕掩模層52保護而未被刻蝕的選定部分，這些選定部分相互隔開且彼此保持距離。詳細來說，端子58包含外伸平臺18的一部分，此部分是與凸塊16分開且保持距離；基座62也包含外伸平臺18的一部分，但此部分是鄰接凸塊16，與凸塊16形成一體，且自凸塊16側(cè)伸而出。而后，在結(jié)構(gòu)體的頂面形成防焊綠漆74，并在結(jié)構(gòu)體的底面形成防焊綠漆76。防焊綠漆74與76起初是分別涂布于結(jié)構(gòu)體頂面與底面的光顯像型液態(tài)樹脂，之后才形成圖案，其形成圖案的方式是令光線選擇性通過掩模(圖未示)，使受光的部分防焊綠漆變?yōu)椴豢扇芙?，然后利用一顯影溶液去除未受光且仍可溶解的部分防焊綠漆，最后再進行硬烤，以上步驟乃已知工藝。接著再以披覆接點78為凸塊16、焊墊M、端子58、被覆穿孔60、基座62與蓋體64 進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板84的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層30、介電層38及防焊綠漆74與76，使導(dǎo)熱板84與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖7A、圖7B及圖7C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視
圖，該導(dǎo)熱板可提供垂直信號路由。在本實施例中，端子是延伸于黏著層下方，并省略路由線，但另設(shè)有被覆穿孔以提供焊墊與端子間的電性連結(jié)。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的， 均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板86包含黏著層30、導(dǎo)線70與散熱座72。導(dǎo)線70包含焊墊M、端子58與被覆穿孔60。散熱座72包含凸塊16、基座62與蓋體64。導(dǎo)線70不僅可提供從焊墊M至被覆穿孔60的水平(側(cè)向)路由，也可通過被覆穿孔60提供從焊墊M至端子58的垂直(由上至下)路由。因此，被覆穿孔60形成焊墊 54與端子58間的一導(dǎo)電路徑。焊墊M接觸介電層38，與黏著層30保持距離，并延伸于黏著層30與介電層38的上方。端子58接觸黏著層30，與介電層38保持距離，并延伸于黏著層30與介電層38的下方。被覆穿孔60接觸且延伸穿過黏著層30與介電層38?；?2是與導(dǎo)熱板86的外圍邊緣保持距離，且未從下方覆蓋黏著層30、襯底34、焊墊M、端子58或被覆穿孔60。此外，端子58與基座62包含外伸平臺18的選定部分，具有相同厚度，且共同位于結(jié)構(gòu)體的底面。由于本實施例未設(shè)防焊綠漆74，被覆接點78占據(jù)導(dǎo)熱板86頂面的85%至95%。 被覆接點78也提供一高反射性的頂面，可反射后續(xù)設(shè)置于蓋體64上的一 LED芯片所發(fā)出的光線。
導(dǎo)熱板86的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為導(dǎo)線70及散熱座72進行適當(dāng)調(diào)整。例如，沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20，然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18上，并將襯底34設(shè)置于黏著層30上。繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動并固化。然后研磨凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂面，使其平面化。以上步驟在前文中均已有所說明。接著，鉆透外伸平臺18、黏著層30、導(dǎo)電層36及介電層38以形成孔洞，再將導(dǎo)電金屬沉積于結(jié)構(gòu)體上，因而在結(jié)構(gòu)體的頂面形成被覆層44，在結(jié)構(gòu)體的底面形成被覆層 46，并在該孔洞內(nèi)形成被覆穿孔60。然后，在被覆層44上形成刻蝕掩模層50，使其形成可定義焊墊M與蓋體64的圖案，從而露出被覆層44的選定部分。另在被覆層46上形成刻蝕掩模層52，使其形成可定義端子58與基座62的圖案，從而露出被覆層46的選定部分。接著刻蝕導(dǎo)電層36與被覆層44以形成刻蝕掩模層50所定義的焊墊M與蓋體64，進而使介電層38朝向上方向外露但不使黏著層30朝向上方向外露。另刻蝕外伸平臺18與被覆層46以形成刻蝕掩模層52 所定義的端子58與基座62，進而使黏著層30朝向下方向外露但不使介電層38朝向下方向外露。端子58與基座62包含外伸平臺18與被覆層46兩者受刻蝕掩模層52保護而未被刻蝕的選定部分，這些選定部分是相互隔開且彼此保持距離。詳細來說，端子58包含外伸平臺18的一部分，此部分是與凸塊16分開且保持距離；基座62也包含外伸平臺18的一部分，但此部分是鄰接凸塊16，與凸塊16形成一體，且自凸塊16側(cè)伸而出。接著再以披覆接點78為凸塊16、焊墊M、端子58、被覆穿孔60、基座62與蓋體64 進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板86的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層30與介電層38，使導(dǎo)熱板86與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖8A、圖8B及圖8C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一內(nèi)含填充物的密閉凹穴。本實施例先將一填充物填入凹穴中，再將黏著層設(shè)置于外伸平臺上并以基座封閉凹穴。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板88包含黏著層30、襯底34、填充物48、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆74。 襯底34包含介電層38。導(dǎo)線70包含焊墊M、路由線56與端子58。散熱座72包含凸塊 16、基座62與蓋體64。填充物48為一電性絕緣環(huán)氧樹脂，其位于凹穴20內(nèi)且填滿凹穴20，而凹穴20 — 旦裝入填充物48后便不再中空。填充物48在凹穴20內(nèi)接觸凸塊16，并沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分。填充物48也從下方覆蓋凹穴20，并與黏著層30、襯底34、蓋體64及導(dǎo)線70保持距離，同時為凸塊16提供機械性支撐。此外，基座62將凹穴20密封。 因此，填充物48接觸凸塊16與基座62，并由凸塊16與基座62將其包圍在內(nèi)?；?2更從下方覆蓋凸塊16、凹穴20、填充物48及蓋體64。 導(dǎo)熱板88的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為填充物48進行適當(dāng)調(diào)整。例如， 先沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20。 然后，使填充物48在凹穴20內(nèi)成形。填充物48原為一環(huán)氧樹脂膏，并以網(wǎng)版印刷的方式選擇性印刷于凹穴20內(nèi)。接著加熱該環(huán)氧樹脂膏，使其于相對低溫(如190°C )下硬化。繼而研磨填充物48，使其形成一平面。例如以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的底部。起初，鉆石砂輪僅磨去填充物48。持續(xù)研磨，則填充物48因受磨表面上移而變薄。 鉆石砂輪終將接觸外伸平臺18，并也開始研磨外伸平臺18。持續(xù)研磨后，外伸平臺18與填充物48均因受磨表面上移而變薄。研磨持續(xù)至去除所需厚度為止，然后以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。此時，外伸平臺18與填充物48是共同位于一面朝向下方向的平滑拼接側(cè)向底面。然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18上，并將襯底34設(shè)置于黏著層30上。繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動并固化。然后研磨凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層 36的頂面，使其平面化。接著在結(jié)構(gòu)體上沉積導(dǎo)電金屬以形成被覆層44與46，其中被覆層 46是設(shè)于填充物48上，并從下方覆蓋填充物48。如此一來，被覆層46 (乃至于基座62)便將凹穴20封閉，并將填充物48密封于凹穴20內(nèi)。然后刻蝕導(dǎo)電層36與被覆層44，使其形成焊墊M、路由線56、端子58與蓋體64， 在此同時，外伸平臺18與被覆層46則保持無圖案的狀態(tài)。接著在結(jié)構(gòu)體的頂面形成防焊綠漆74，再以被覆接點78為焊墊M、端子58、基座62與蓋體64進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板88的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層30、介電層38、基座62與防焊綠漆74，使導(dǎo)熱板 88與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖9A、圖9B及圖9C分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一內(nèi)含填充物的密閉凹穴。本實施例是于黏著層固化后才將一填充物填入凹穴內(nèi)，并以基座封閉凹穴。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板90包含黏著層30、襯底34、填充物48、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆74。 襯底34包含介電層38。導(dǎo)線70包含焊墊M、路由線56與端子58。散熱座72包含凸塊 16、基座62與蓋體64。填充物48為一電性絕緣環(huán)氧樹脂，其位于凹穴20內(nèi)且填滿凹穴20，而凹穴20 — 旦裝入填充物48后便不再中空。填充物48在凹穴20內(nèi)接觸凸塊16，并沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分。填充物48也從下方覆蓋凹穴20，并與黏著層30、襯底34、蓋體64及導(dǎo)線70保持距離，同時為凸塊16提供機械性支撐。此外，基座62將凹穴20密封。 因此，填充物48接觸凸塊16與基座62，并由凸塊16與基座62將其包圍在內(nèi)?；?2更從下方覆蓋凸塊16、凹穴20、填充物48及蓋體64。導(dǎo)熱板90的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為填充物48進行適當(dāng)調(diào)整。例如， 沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20，然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18 上，并將襯底；34設(shè)置于黏著層30上，繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動并固化。然后，使填充物48在凹穴20內(nèi)成形。填充物48原為一環(huán)氧樹脂膏，并以網(wǎng)版印刷的方式選擇性印刷于凹穴20內(nèi)。接著加熱該環(huán)氧樹脂膏，使其于相對低溫(如190°C ) 下硬化。而后研磨填充物48，使其形成一平面。例如以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的底部。起初，鉆石砂輪僅磨去填充物48。持續(xù)研磨，則填充物48因受磨表面上移而變薄。 鉆石砂輪終將接觸外伸平臺18，并也開始研磨外伸平臺18。持續(xù)研磨后，外伸平臺18與填充物48均因受磨表面上移而變薄。研磨持續(xù)至去除所需厚度為止，然后以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。此時，外伸平臺18與填充物48是共同位于一面朝向下方向的平滑拼接側(cè)向底面。研磨作業(yè)也施用于凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂面，以使其平面化。接著在結(jié)構(gòu)體上沉積導(dǎo)電金屬以形成被覆層44與46，其中被覆層46是設(shè)于填充物48上，并從下方覆蓋填充物48。如此一來，被覆層46 (乃至于基座6 便將凹穴20封閉，并將填充物48密封于凹穴20內(nèi)。然后刻蝕導(dǎo)電層36與被覆層44，使其形成焊墊M、路由線56、端子58及蓋體64， 在此同時，外伸平臺18及被覆層46則保持無圖案的狀態(tài)。接著在結(jié)構(gòu)體的頂面形成防焊綠漆74，再以被覆接點78為焊墊M、端子58、基座62及蓋體64進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板90的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層30、介電層38、基座62與防焊綠漆74，使導(dǎo)熱板 90與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖10A、圖IOB及圖IOC分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一內(nèi)含填充物的非密閉凹穴。本實施例先在結(jié)構(gòu)體上沉積導(dǎo)電金屬以形成被覆層，再將一填充物填入凹穴內(nèi)， 且凹穴保持未封閉的狀態(tài)。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板92包含黏著層30、襯底34、填充物48、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆74。 襯底34包含介電層38。導(dǎo)線70包含焊墊M、路由線56與端子58。散熱座72包含凸塊 16、基座62與蓋體64。填充物48為一電性絕緣環(huán)氧樹脂，其位于凹穴20內(nèi)且填滿凹穴20，而凹穴20 — 旦裝入填充物48后便不再中空。填充物48在凹穴20內(nèi)接觸凸塊16，并沿垂直及側(cè)面方向延伸跨越凸塊16的大部分。填充物48也從下方覆蓋凹穴20，并與黏著層30、襯底34、蓋體64及導(dǎo)線70保持距離，同時為凸塊16提供機械性支撐。此外，凹穴20保持未封閉的狀態(tài)，使填充物48朝向下方向外露。導(dǎo)熱板92的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為填充物48進行適當(dāng)調(diào)整。例如， 沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20，然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18 上，并將襯底；34設(shè)置于黏著層30上。繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動并固化。然后研磨凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂面，使其平面化。接著在結(jié)構(gòu)體上沉積導(dǎo)電金屬以形成被覆層44與46。以上步驟在前文中均已有所說明。然后，使填充物48在凹穴20內(nèi)成形。填充物48原為一環(huán)氧樹脂膏，且是以網(wǎng)版印刷的方式選擇性印刷于凹穴20內(nèi)。接著加熱該環(huán)氧樹脂膏，使其于相對低溫(如190°C ) 下硬化。而后研磨填充物48，使其形成一平面。例如以旋轉(zhuǎn)鉆石砂輪及蒸餾水處理結(jié)構(gòu)體的底部。起初，鉆石砂輪僅磨去填充物48。持續(xù)研磨，則填充物48因受磨表面上移而變薄。 鉆石砂輪終將接觸被覆層46，并也開始研磨被覆層46。持續(xù)研磨后，被覆層46與填充物48 均因受磨表面上移而變薄。研磨持續(xù)至去除所需厚度為止，然后以蒸餾水沖洗結(jié)構(gòu)體去除污物。此時，被覆層46與填充物48是共同位于一面朝向下方向的平滑拼接側(cè)向底面。然后刻蝕導(dǎo)電層36與被覆層44，使其形成焊墊M、路由線56、端子58及蓋體64，在此同時，外伸平臺18及被覆層46則保持無圖案的狀態(tài)。接著在結(jié)構(gòu)體的頂面形成防焊綠漆74，再以被覆接點78為焊墊M、端子58、基座62及蓋體64進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板92的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層30、介電層38、基座62與防焊綠漆74，使導(dǎo)熱板 92與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖11A、圖IlB及圖IlC分別為本發(fā)明一實施例中一導(dǎo)熱板的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該導(dǎo)熱板具有一隆起邊緣。在本實施例中，一隆起邊緣是設(shè)置于防焊綠漆上。為求簡明，凡導(dǎo)熱板80的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例導(dǎo)熱板的元件與導(dǎo)熱板80的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號。導(dǎo)熱板94包含黏著層30、襯底34、隆起邊緣68、導(dǎo)線70、散熱座72及防焊綠漆 74。襯底34包含介電層38。導(dǎo)線70包含焊墊M、路由線56與端子58。散熱座72包含凸塊16、基座62與蓋體64。隆起邊緣68為一正方形框，其接觸防焊綠漆74且延伸于防焊綠漆74上方。凸塊 16與蓋體64均位于隆起邊緣68周緣內(nèi)的中央位置，而端子58則位于隆起邊緣68的周緣夕卜。例如，隆起邊緣68的高度為600微米，寬度(內(nèi)側(cè)壁與外側(cè)壁間的距離)為500微米， 隆起邊緣68與焊墊M的側(cè)向間距也為500微米。隆起邊緣68包含一防焊綠漆、一迭合體及一膜狀黏膠；但為便于圖示，隆起邊緣 68在圖中僅以單一層體表示。該防焊綠漆接觸該迭合體且延伸于其上方，因而形成一頂面。 該膜狀黏膠接觸該迭合體且延伸于其下方，因而形成一底面。該迭合體接觸且是壓合于該防焊綠漆與該膜狀黏膠之間。該防焊綠漆、該迭合體及該膜狀黏膠均為電性絕緣體。例如， 該防焊綠漆厚50微米，該迭合體厚500微米，該膜狀黏膠厚50微米，因此，隆起邊緣68的高度為600微米(50+500+50)。該迭合體可為多種有機及無機電性絕緣體制成的各種介電膜。例如，該迭合體可為聚酰亞胺或FR-4環(huán)氧樹脂，但也可使用例如多官能與雙馬來酰亞胺-三氮雜苯(BT)等其它環(huán)氧樹脂。或者，隆起邊緣68可包含一設(shè)于該膜狀黏膠上的金屬環(huán)。導(dǎo)熱板94的制作方式與導(dǎo)熱板80類似，但必須為隆起邊緣68進行適當(dāng)調(diào)整。例如，沖壓金屬板10以形成凸塊16、外伸平臺18及凹穴20，然后將黏著層30設(shè)置于外伸平臺18上，并將襯底34設(shè)置于黏著層30上。繼而對黏著層30加熱及加壓，使黏著層30流動并固化。然后研磨凸塊16、黏著層30及導(dǎo)電層36的頂面，使其平面化。接著在結(jié)構(gòu)體上沉積導(dǎo)電金屬以形成被覆層44與46。以上步驟均在前文中有所說明。然后刻蝕導(dǎo)電層36 與被覆層44，使其形成焊墊M、路由線56、端子58及蓋體64，在此同時，外伸平臺18及被覆層46則保持無圖案的狀態(tài)。接著在結(jié)構(gòu)體的頂面形成防焊綠漆74，并在防焊綠漆74上設(shè)置隆起邊緣68，之后再以被覆接點78為凸塊16、焊墊M、端子58、基座62及蓋體64進行表面處理。最后，在導(dǎo)熱板94的外圍邊緣處切割或劈裂黏著層30、介電層38、基座62與防焊綠漆74，使導(dǎo)熱板94與同批制作的其它導(dǎo)熱板分離。圖12A、圖12B及圖12C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一導(dǎo)熱板、一半導(dǎo)體元件及一封裝材料。在此實施例中，該半導(dǎo)體元件為一發(fā)藍光的LED芯片，其是設(shè)置于蓋體上，利用一打線電性連結(jié)至焊墊，并利用一固晶材料(die attach)熱連結(jié)至蓋體。該LED芯片是由一可將藍光轉(zhuǎn)換為白光的封裝材料加以覆蓋。半導(dǎo)體芯片組100包含導(dǎo)熱板80、LED芯片102、打線104、固晶材料106及封裝材料108。LED芯片102包含頂面110、底面112與打線接墊114。頂面110為活性表面且包含打線接墊114，底面112則為熱接觸表面。LED芯片102是設(shè)置于散熱座72上，電性連結(jié)至導(dǎo)線70，并且熱連結(jié)至散熱座72。 詳細來說，LED芯片102是設(shè)置于蓋體64 (乃至于凸塊16)上，位于凹穴20的相反側(cè)，同時延伸于蓋體64 (乃至于凸塊16及凹穴20)的上方，并重迭于凸塊16、凹穴20及蓋體64 (也即側(cè)向延伸于凸塊16、凹穴20及蓋體64的周緣內(nèi))，但并未重迭于襯底34與導(dǎo)線70 (也即LED芯片102是位于襯底34與導(dǎo)線70的周緣外)。LED芯片102經(jīng)由打線104電性連結(jié)至焊墊M，并經(jīng)由固晶材料106熱連結(jié)且機械性黏附于蓋體64。此外，蓋體64從下方覆蓋LED芯片102，并為LED芯片102提供一凹形芯片座以及一反射器。例如，打線104是連接于并電性連結(jié)焊墊M及打線接墊114，藉此將LED芯片102 電性連結(jié)至端子58。固晶材料106接觸且位于蓋體64與熱接觸表面112之間，同時熱連結(jié)且機械性黏合蓋體64與熱接觸表面112，藉此將LED芯片102熱連結(jié)至凸塊16，進而將 LED芯片102熱連結(jié)至基座62。封裝材料108是一用以轉(zhuǎn)換顏色的固態(tài)電性絕緣保護性包覆體，其可為LED芯片 102及打線104提供抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護。封裝材料108接觸焊墊M、路由線56、 蓋體64、防焊綠漆74、LED芯片102、打線104及固晶材料106，但與凸塊16、黏著層30、介電層38、端子58及基座62保持距離。此外，封裝材料108從上方覆蓋凸塊16、焊墊54、蓋體64、LED芯片102、打線104及固晶材料106。封裝材料108在圖中呈透明狀是為方便圖示說明。焊墊M上設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利于與打線104穩(wěn)固接合，藉此改善自導(dǎo)線70至LED芯片102的信號傳送。蓋體64上也設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利于與固晶材料106穩(wěn)固接合，藉此改善自LED芯片102至散熱座72的熱傳遞。蓋體64也提供一高反射性表面，其可反射LED芯片102射向銀質(zhì)表面層的光線，進而提高沿向上方向的出光量。 此外，由于蓋體64的形狀及尺寸是與熱接觸表面112配適，凸塊16的形狀及尺寸不需配合熱接觸表面112而設(shè)計。LED芯片102是一可發(fā)出藍光、具有高發(fā)光效率且形成p_n接面的化合物半導(dǎo)體。 適用的化合物半導(dǎo)體包括氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、 磷化鋁鎵(GaAlP)、砷鋁化鎵(GaAlAs)、磷化銦(MP)與磷化銦鎵(InGaP)。此外，LED芯片 102的出光量高但也產(chǎn)生可觀的熱能。封裝材料108包含透明硅氧樹脂及黃色磷光體(在圖12A中以黑點表示)。舉例而言，該硅氧樹脂可為聚硅氧烷樹脂，而該黃色磷光體可為摻雜鈰的釔鋁石榴石(Ce:YAG) 熒光粉末。該黃色磷光體受藍光照射時發(fā)出黃光，而藍、黃光混合即成白光。因此，封裝材料108可將LED芯片102所發(fā)出的藍光轉(zhuǎn)為白光，使芯片組100成為一白光光源。此外，封裝材料108是呈半球圓頂形，可提供一凸折射面，使白光朝向上方向集中。若欲制造半導(dǎo)體芯片組100，可利用固晶材料106將LED芯片102設(shè)置于蓋體64 上，然后打線接合焊墊M與打線接墊114，最后再使封裝材料108成形。例如，固晶材料106原為一具有高導(dǎo)熱性的含銀環(huán)氧樹脂膏，并以網(wǎng)版印刷的方
41式選擇性印刷于蓋體64上。然后利用一抓取頭及一自動化圖案辨識系統(tǒng)，以步進重復(fù)的方式將LED芯片102放置于該環(huán)氧樹脂銀膏上。繼而加熱該環(huán)氧樹脂銀膏，使其于相對低溫 (如190°C )下硬化以完成固晶106。打線104為金線，其隨即以熱超音波連接焊墊M與打線接墊114。最后再將封裝材料108模制于結(jié)構(gòu)體上。LED芯片102可通過多種連結(jié)媒介電性連結(jié)至焊墊M，利用多種熱黏著劑熱連結(jié)并機械性黏附于散熱座72，并以多種封裝材料封裝。該半導(dǎo)體芯片組100為一第一級單晶封裝體。圖13A、圖1 及圖13C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一可提供垂直信號路由的導(dǎo)熱板、一半導(dǎo)體元件及一封裝材料。在此實施例中，端子是延伸于黏著層下方，并省略路由線，但另設(shè)有被覆穿孔以提供焊墊與端子間的電性連結(jié)。為求簡明，凡芯片組100的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例芯片組的元件與芯片組100的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號，但其編碼的基數(shù)由100改為200。例如，LED芯片202對應(yīng)于LED 芯片102，打線204對應(yīng)于打線104，以此類推。半導(dǎo)體芯片組200包含導(dǎo)熱板86、LED芯片202、打線204、固晶材料206及封裝材料208。LED芯片202包含頂面210、底面212與打線接墊214。頂面210為活性表面且包含打線接墊214，底面212則為熱接觸表面。LED芯片202是設(shè)置于散熱座72上，電性連結(jié)至導(dǎo)線70，并且熱連結(jié)至散熱座72。 詳細來說，LED芯片202是設(shè)置于蓋體64上，經(jīng)由打線204電性連結(jié)至焊墊54，并經(jīng)由固晶材料206熱連結(jié)且機械性黏附于蓋體64。封裝材料208接觸介電層38、焊墊M、蓋體64、LED芯片202、打線204及固晶材料206，但與凸塊16、黏著層30、端子58、被覆穿孔60及基座62保持距離。此外，封裝材料 208從上方覆蓋凸塊16、蓋體64、LED芯片202、打線204及固晶材料206。LED芯片202可發(fā)出藍光，而封裝材料208則可將此藍光轉(zhuǎn)為白光，使芯片組200 成為一白光光源。若欲制造半導(dǎo)體芯片組200，可利用固晶材料206將LED芯片202設(shè)置于蓋體64 上，然后打線接合焊墊M與打線接墊214，最后再使封裝材料208成形。該半導(dǎo)體芯片組200為一第一級單晶封裝體。圖14A、圖14B及圖14C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一具有隆起邊緣的導(dǎo)熱板、一半導(dǎo)體元件及一上蓋。在此實施例中是將上蓋設(shè)置于隆起邊緣上，同時省略封裝材料。為求簡明，凡芯片組100的相關(guān)說明適用于此實施例者均并入此處，相同的說明不予重復(fù)。同樣地，本實施例芯片組的元件與芯片組100的元件相類似的，均采對應(yīng)的參考標號，但其編碼的基數(shù)由100 改為300。例如，LED芯片302對應(yīng)于LED芯片102，打線304對應(yīng)于打線104，以此類推。半導(dǎo)體芯片組300包含導(dǎo)熱板94、LED芯片302、打線304、固晶材料306及上蓋 316。LED芯片302包含頂面310、底面312與打線接墊314。頂面310為活性表面且包含打線接墊314，底面312則為熱接觸表面。LED芯片302是設(shè)置于散熱座72上，電性連結(jié)至導(dǎo)線70，并且熱連結(jié)至散熱座72。詳言的，LED芯片302是設(shè)置于蓋體64上，經(jīng)由打線304電性連結(jié)至焊墊54，并經(jīng)由固晶材料306熱連結(jié)且機械性黏附于蓋體64。上蓋316為一玻璃板，且是設(shè)置于隆起邊緣68上，藉此在凹穴20的相反側(cè)形成一可將LED芯片302及打線304包圍在內(nèi)的密封包圍體，使為LED芯片302及打線304提供抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護。此外，上蓋316呈透明狀且無法轉(zhuǎn)換光色。LED芯片302發(fā)出白光，此白光可穿過上蓋316而出光，使芯片組300成為一白光光源。若欲制造半導(dǎo)體芯片組300，可利用固晶材料306將LED芯片302設(shè)置于蓋體64 上，然后打線接合焊墊M與打線接墊314，最后再將上蓋316設(shè)置于隆起邊緣68上。此半導(dǎo)體芯片組300為一第一級單晶封裝體。圖15A、圖15B及圖15C分別為本發(fā)明一實施例中一半導(dǎo)體芯片組的剖視圖、俯視圖及仰視圖，該半導(dǎo)體芯片組包含一導(dǎo)熱板及一具有背面接點的半導(dǎo)體元件。本實施例中的半導(dǎo)體元件為一 LED封裝體而非LED芯片。此外，該半導(dǎo)體元件是設(shè)置于散熱座及導(dǎo)線上，重迭于散熱座及導(dǎo)線，同時通過焊錫電性連結(jié)至焊墊，并通過另一焊錫熱連結(jié)至蓋體。半導(dǎo)體芯片組400包含導(dǎo)熱板80、LED封裝體402及焊錫404、406。LED封裝體 402包含LED芯片408、基座410、打線412、電接點414、熱接點416及封裝材料418。LED芯片408包含一打線接墊(圖未示)，該打線接墊經(jīng)由打線412電性連結(jié)至基座410中的一導(dǎo)電孔(圖未示)，藉以將LED芯片408電性連結(jié)至電接點414。LED芯片408是通過一固晶材料(圖未示)設(shè)置于基座410上，同時熱連結(jié)且機械性黏附于基座410，藉以將LED芯片408熱連結(jié)至熱接點416?；?10是一具有低導(dǎo)電性及高導(dǎo)熱性的陶瓷塊，而接點414 及416則是被覆于基座410的背面，并自基座410的背面向下突伸。此外，LED芯片408與 LED芯片102類似，打線412與打線104類似，封裝材料418則與封裝材料108類似。LED封裝體402是設(shè)置于導(dǎo)線70及散熱座72上，電性連結(jié)至導(dǎo)線70，并且熱連結(jié)至散熱座72。詳細來說，LED封裝體402是設(shè)置于焊墊54(乃至于襯底34)及蓋體64(乃至于凸塊16)上，延伸于焊墊M (乃至于襯底34)及蓋體64 (乃至于凸塊16及凹穴20)之上方，并從上方覆蓋凸塊16、凹穴20、焊墊M及蓋體64 (也即側(cè)向延伸于凸塊16、凹穴20、 焊墊M及蓋體64的周緣內(nèi))，但并未重迭于端子58 (也即LED封裝體402是位于端子58 的周緣外)。LED封裝體402是經(jīng)由焊錫404電性連結(jié)至焊墊M，并經(jīng)由焊錫406熱連結(jié)至蓋體64。例如，焊錫404接觸且位于焊墊M與電接點414之間，同時電性連結(jié)且機械性黏合焊墊M與電接點414，藉此將LED芯片408電性連結(jié)至端子58。同樣地，焊錫406接觸且位于蓋體64與熱接點416之間，同時熱連結(jié)且機械性黏合蓋體64與熱接點416，藉此將 LED芯片408熱連結(jié)至凸塊16，進而將LED芯片408熱連結(jié)至基座62。焊墊M上設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利于與焊錫404穩(wěn)固結(jié)合，藉此改善自導(dǎo)線70至LED芯片408的信號傳送。蓋體64上也設(shè)有鎳/銀的被覆金屬接墊以利于與焊錫 406穩(wěn)固結(jié)合，并藉此改善自LED芯片408至散熱座72的熱傳遞。此外，由于蓋體64的形狀及尺寸均配合熱接點416而設(shè)計，凸塊16的形狀及尺寸不需配合熱接點416而設(shè)計。若欲制造半導(dǎo)體芯片組400，可將焊料沉積于焊墊M及蓋體64上，然后將接點414與416分別放置于焊墊M及蓋體64上方的焊料上，繼而使焊料回焊，以形成接著的焊錫 404 與 406。例如，先以網(wǎng)版印刷的方式將錫膏選擇性印刷于焊墊M及蓋體64上，然后利用一抓取頭與一自動化圖案辨識系統(tǒng)，以步進重復(fù)的方式將LED封裝體402放置于導(dǎo)熱板80 上?；睾笝C的抓取頭將接點414與416分別放置于焊墊M及蓋體64上方的錫膏上。接著加熱錫膏，使其以相對較低的溫度(如190°C )回焊，然后移除熱源，靜待錫膏冷卻固化以形成硬化的焊錫404與406。或者，可在焊墊M與蓋體64上放置錫球，然后將接點414與 416分別放置于焊墊M與蓋體64上方的錫球上，接著加熱錫球使其回焊，以形成接著的焊錫 404 與 406。焊料起初可經(jīng)由被覆、印刷或布置技術(shù)沉積于導(dǎo)熱板80或LED封裝體402上，使其位于導(dǎo)熱板80與LED封裝體402之間，然后再使焊料回焊。若有需要，也可將焊料置于端子58及基座62上以供下一層芯片組使用。此外尚可利用一導(dǎo)電黏著劑(例如含銀的環(huán)氧樹脂)或其它連結(jié)媒介取代焊料，且焊墊M、端子58、基座62與蓋體64上的連結(jié)媒介不必相同。此半導(dǎo)體芯片組400為一第二級單晶模塊。上述的半導(dǎo)體芯片組與導(dǎo)熱板僅為說明范例，本發(fā)明尚可通過其它多種實施例實現(xiàn)。此外，上述實施例可依設(shè)計及可靠度的考慮，彼此混合搭配使用或與其它實施例混合搭配使用。例如，襯底可包含多組單層導(dǎo)線與多組多層導(dǎo)線。導(dǎo)熱板可包含多個凸塊，其中該些凸塊是排成一陣列以供多個半導(dǎo)體元件使用；另為配合額外的半導(dǎo)體元件，導(dǎo)熱板可包含更多導(dǎo)線。導(dǎo)熱板也可包含一僅接觸黏著層且可提供垂直信號路由的導(dǎo)線。導(dǎo)熱板也可包含一僅接觸黏著層的導(dǎo)線，并于凹穴內(nèi)設(shè)有填充物。導(dǎo)熱板也可包含一可提供垂直信號路由的導(dǎo)線，并于凹穴內(nèi)設(shè)有填充物。導(dǎo)熱板也可包含一導(dǎo)線，其可通過設(shè)于導(dǎo)熱板外圍邊緣的被覆穿孔提供垂直信號路由。導(dǎo)熱板也可包含一設(shè)置于防焊綠漆上的隆起邊緣，并在凹穴內(nèi)設(shè)有填充物。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件在第一垂直方向上可由一透明、半透明或不透明的封裝材料所覆蓋，和/或由一透明、半透明或不透明的上蓋所覆蓋。例如，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可為一發(fā)藍光的LED芯片，且由一透明的封裝材料或上蓋加以覆蓋，使該芯片組成為一藍光光源；或者，該LED芯片是由一用以轉(zhuǎn)換顏色的封裝材料或上蓋加以覆蓋，使該芯片組成為一綠光、紅光或白光光源。同樣地，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可為一具有多枚LED芯片的LED封裝體，且導(dǎo)熱板可包含更多導(dǎo)線以配合額外的LED芯片。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可獨自使用一散熱座，或與其它半導(dǎo)體元件共享一散熱座。 例如，可將單一半導(dǎo)體元件設(shè)置于一散熱座上，或?qū)⒍鄠€半導(dǎo)體元件設(shè)置于同一散熱座上。 舉例而言，可將四枚排列成陣列的小型芯片黏附于蓋體，并在導(dǎo)熱板上設(shè)置額外的導(dǎo)線以配合該些芯片的電性連接。此一作法遠比為每一芯片設(shè)置一微小凸塊更具經(jīng)濟效益。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片可為光學(xué)性或非光學(xué)性。例如，該芯片可為LED、紅外線(IR) 偵測器、太陽能電池、微處理器、控制器、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)或射頻(RF)功率放大器。同樣地，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝體可為LED封裝體或射頻模塊。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可為已封裝或未經(jīng)封裝的光學(xué)或非光學(xué)芯片。此外，我們可利用多種連結(jié)媒介將半導(dǎo)體元件機械性連結(jié)、電性連結(jié)及熱連結(jié)至導(dǎo)熱板，包括利用焊接及使用導(dǎo)電和/或?qū)狃ぶ鴦┑确绞竭_成。
本發(fā)明的散熱座可將半導(dǎo)體元件所產(chǎn)生的熱能迅速、有效且均勻散發(fā)至下一層芯片組，且不使熱流通過黏著層、襯底或?qū)岚宓乃?。如此一來便可使用?dǎo)熱性較低的黏著層，進而大幅降低成本。散熱座可包含一體成型的凸塊與基座，以及與該凸塊為冶金連結(jié)及熱連結(jié)的蓋體，藉此提高可靠度并降低成本。蓋體可與焊墊共平面，以便與半導(dǎo)體元件進行電性連結(jié)、熱連結(jié)及機械性連結(jié)。蓋體可依半導(dǎo)體元件量身訂做，基座則可依下一層芯片組量身訂做，藉以加強自半導(dǎo)體元件至下一層芯片組的熱連結(jié)。例如，蓋體可在一側(cè)向平面上呈正方形或矩形，且與半導(dǎo)體元件的熱接點具有相同或相似的側(cè)面形狀；基座可在一側(cè)向平面上呈正方形或矩形，且與一散熱裝置具有相同或相似的側(cè)面形狀。此外，若本發(fā)明的開口與通孔并非鉆孔產(chǎn)生而是沖制而成，且為正方形或矩形而非圓形，則凸塊可在一側(cè)向平面上呈正方形或矩形， 并具有與該開口及通孔類似的側(cè)面形狀，以及與半導(dǎo)體元件的熱接點相同或相似的側(cè)面形狀。在上述任一設(shè)計中，散熱座均可采用多種不同的導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)。散熱座可與導(dǎo)線為電性連結(jié)或電性隔離。例如，一延伸于黏著層與介電層沿第一垂直方向的外側(cè)的路由線可電性連結(jié)焊墊與蓋體，一延伸于黏著層與介電層沿第二垂直方向的外側(cè)的路由線可電性連結(jié)基座與端子，或者也可將焊墊與蓋體結(jié)為一體。端子可進一步電性接地，藉以將蓋體電性接地。凸塊可與基座一體成型，因而成為單一金屬體(如銅或鋁)。凸塊也可與基座一體成型，并使兩者的接口包含單一金屬體(例如銅)，至于他處則包含其它金屬(例如一被覆接點)。凸塊也可與基座一體成型，并使兩者的接口包含多層單一金屬體(例如在一鋁核心外設(shè)有一鎳緩沖層，而該鎳緩沖層上則設(shè)有一銅層)?；蔀橥箟K、襯底與黏著層提供機械性支撐。例如，基座可防止襯底在金屬研磨、芯片設(shè)置、打線接合及模制封裝材料的過程中彎曲變形。此外，基座的背面可包含朝第二垂直方向突伸的鰭片。例如，可利用一鉆板機切削基座的外露側(cè)向表面以形成側(cè)向溝槽， 而此等側(cè)向溝槽即可形成鰭片以增加基座的表面積。因此，若這些鰭片是曝露于空氣中而非設(shè)置于一散熱裝置上，將可提升基座經(jīng)由熱對流的導(dǎo)熱性。蓋體可于黏著層固化后，以多種沉積技術(shù)制成，包括以電鍍、無電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié)構(gòu)。蓋體可采用與凸塊相同或不同的金屬材質(zhì)。此外，蓋體可跨越通孔并延伸至襯底，或坐落于通孔的周緣內(nèi)。因此，蓋體可接觸襯底或與襯底保持距離。無論采用上述任一設(shè)計，蓋體均鄰接凸塊，并自凸塊垂直延伸于凹穴的相反側(cè)，同時從凸塊側(cè)伸而出。黏著層可在散熱座與襯底之間提供堅固的機械性連結(jié)。例如，黏著層可自凸塊側(cè)向延伸，越過導(dǎo)線，并到達芯片組的外圍邊緣。黏著層可填滿散熱座與襯底間的空間，且為一具有均勻分布的結(jié)合線的無孔洞結(jié)構(gòu)。黏著層也可吸收散熱座與襯底之間因熱膨脹所產(chǎn)生的不匹配現(xiàn)象。黏著層的材料可與介電層相同或不同。此外，黏著層可為一低成本的電介質(zhì)，且不需具備高導(dǎo)熱性。此外，本發(fā)明的黏著層不易脫層。我們可調(diào)整黏著層的厚度，使黏著層實質(zhì)填滿所述缺口，并使幾乎所有黏著劑在固化和/或研磨完成后均位于結(jié)構(gòu)體內(nèi)。例如，理想的膠片厚度可由試誤法決定。同樣地， 我們也可調(diào)整介電層的厚度以達此一效果。襯底可為一低成本的層壓結(jié)構(gòu)，且不需具備高導(dǎo)熱性。此外，襯底可包含單一導(dǎo)電層或多層導(dǎo)電層。此外，襯底可包含導(dǎo)電層或由導(dǎo)電層組成。導(dǎo)電層可單獨設(shè)置于黏著層上。例如，可先在導(dǎo)電層上形成通孔，再將導(dǎo)電層設(shè)置于黏著層上，使導(dǎo)電層接觸黏著層并朝第一垂直方向外露，在此同時，凸塊則延伸進入通孔，并通過通孔朝第一垂直方向外露。在此例中，導(dǎo)電層的厚度可為100至200微米，例如 150微米，此厚度一方面夠厚，故搬運時不致彎曲晃動，一方面則夠薄，故不需過度刻蝕即可形成圖案。也可將導(dǎo)電層與介電層一同設(shè)置于黏著層上。例如，可先將導(dǎo)電層設(shè)置于介電層上，然后在導(dǎo)電層與介電層上形成通孔，接著將導(dǎo)電層與介電層設(shè)置于黏著層上，使導(dǎo)電層朝第一垂直方向外露，并使介電層接觸且位于導(dǎo)電層與黏著層之間，因而將導(dǎo)電層與黏著層隔開，在此同時，凸塊則延伸進入通孔，并通過通孔朝第一垂直方向外露。在此例中，導(dǎo)電層的厚度可為10至70微米，例如50微米，此厚度一方面夠厚，可提供可靠的信號傳導(dǎo)，一方面則夠薄，故可降低重量及成本。此外，介電層恒為導(dǎo)熱板的一部分。也可將導(dǎo)電層與一載體同時設(shè)置于黏著層上。例如，可先利用一薄膜將導(dǎo)電層黏附于一例如雙定向聚對苯二甲酸乙二酯膠膜(Mylar)的載體，然后僅在導(dǎo)電層上而未在載體上形成通孔，接著將導(dǎo)電層與載體設(shè)置于黏著層上，使載體覆蓋導(dǎo)電層且朝第一垂直方向外露，并使薄膜接觸且位于載體與導(dǎo)電層之間，至于導(dǎo)電層則接觸且位于薄膜與黏著層之間，在此同時，凸塊則對準通孔，并由載體于第一垂直方向覆蓋凸塊。待黏著層固化后，可利用紫外光分解薄膜，以便將載體從導(dǎo)電層上剝除，從而使導(dǎo)電層朝第一垂直方向外露，之后便可研磨及圖案化導(dǎo)電層以形成焊墊與蓋體。在此例中，導(dǎo)電層的厚度可為10至70微米，例如50微米，此厚度一方面夠厚，可提供可靠的信號傳導(dǎo)，一方面則夠薄，故可降低重量及成本；載體的厚度可為300至500微米，此厚度一方面夠厚，故搬運時不致彎曲晃動，一方面又夠薄，有助于減少重量及成本。載體僅為一暫時固定物，并非永久屬于導(dǎo)熱板的一部分。焊墊與端子可視半導(dǎo)體元件與下一層芯片組的需要而采用多種封裝形式。焊墊與端子可在襯底尚未或已然設(shè)置于黏著層上時，以多種沉積技術(shù)制成，包括以電鍍、無電鍍被覆、蒸發(fā)及噴濺等技術(shù)形成單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，可在襯底尚未設(shè)置于黏著層上時、或在襯底已通過黏著層而黏附于凸塊與外伸平臺之后，在襯底上形成導(dǎo)電層的圖案，從而形成導(dǎo)線。同樣地，可在形成被覆穿孔前便將外伸平臺圖案化以形成基座與端子。以被覆接點進行表面處理的工序可在焊墊與端子形成之前或之后為之。例如，可先刻蝕導(dǎo)電層以形成焊墊與端子，再將被覆接點沉積于結(jié)構(gòu)體上；或者先將被覆接點沉積于結(jié)構(gòu)體上，再刻蝕導(dǎo)電層以形成焊墊與端子。焊墊與蓋體可共同位于一面朝第一垂直方向的第一表面，如此一來便可通過控制錫球的崩塌程度，強化半導(dǎo)體元件與導(dǎo)熱板間的焊接。同樣地，基座與端子可共同位于一面朝第二垂直方向的第二表面，以便通過控制錫球的崩塌程度，強化導(dǎo)熱板與下一層芯片組間的焊接。本發(fā)明的隆起邊緣可具有或不具有反射性，可透明或不透明。例如，隆起邊緣可包含銀、鋁等高反射性金屬，且具有一傾斜的內(nèi)側(cè)表面，藉以將照射至該內(nèi)側(cè)表面的光朝第一垂直方向反射，因而增加沿第一垂直方向的出光量。同樣地，隆起邊緣可包含例如玻璃等透
46明材料，或例如環(huán)氧樹脂等非反射性、不透明且低成本的材料。此外，無論隆起邊緣是否接觸封裝材料或限制封裝材料的范圍，我們均可使用具反射性的隆起邊緣。本發(fā)明的封裝材料可為多種透明、半透明或不透明材料，且可具有不同的形狀及尺寸。例如，封裝材料可為透明的硅氧樹脂、環(huán)氧樹脂或其組合。就導(dǎo)熱及轉(zhuǎn)換顏色的穩(wěn)定度而言，硅氧樹脂均優(yōu)于環(huán)氧樹脂，但硅氧樹脂的成本較高、硬度較低且黏著性較差。本發(fā)明的上蓋可覆蓋或取代封裝材料。上蓋可為一密閉空間內(nèi)的芯片及打線提供例如抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護。上蓋可由多種透明、半透明或不透明材料制成，且可具有不同的形狀及尺寸。例如，上蓋可為透明的玻璃或二氧化硅。我們也可利用一透鏡覆蓋或取代封裝材料。此透鏡可為一密閉空間內(nèi)的芯片及打線提供例如抗潮濕及防微粒等環(huán)境保護。此透鏡也可提供一凸折射面，藉以使光線朝第一垂直方向集中。該透鏡可由多種透明、半透明或不透明材料制成，且可具有不同的形狀及尺寸。例如，可將一中空半球圓頂形的玻璃透鏡設(shè)置于導(dǎo)熱板上，并使該透鏡與封裝材料保持距離?；蛘?，可將一實心半球圓頂形的塑料透鏡設(shè)置于封裝材料上，并使該透鏡與導(dǎo)熱板保持距離。本發(fā)明的導(dǎo)線可包含額外的焊墊、端子、路由線、被覆穿孔、導(dǎo)電孔及被動元件，且可采用不同構(gòu)型。導(dǎo)線可作為信號層、功率層或接地層，端視其相應(yīng)半導(dǎo)體元件焊墊的目的而定。導(dǎo)線也可包含各種導(dǎo)電金屬，例如銅、金、鎳、銀、鈀、錫、其混合物及其合金。理想的組成既取決于外部連結(jié)媒介的性質(zhì)，也取決于設(shè)計及可靠度方面的考慮。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可了解，本發(fā)明半導(dǎo)體芯片組所使用的銅可為純銅，但通常是以銅為主的合金，如銅-鋯(99.9%銅)、銅-銀-磷-鎂(99.7%銅)及銅-錫-鐵-磷(99.7%銅)，藉以提高例如抗張強度與延展性等機械性能。在一般情況下，最好設(shè)有所述的蓋體、路由線、被覆穿孔、介電層、填充物、被覆層、 被覆接點、防焊綠漆及封裝材料，但在某些實施例中則可省略。例如，若使用一大型焊墊，則可省略路由線。若僅使用單層信號路由，則可省略被覆穿孔。若使用一較厚的黏著層，則可省略介電層。若凸塊的形狀及尺寸均是根據(jù)半導(dǎo)體元件的熱接觸表面而設(shè)計，則可省略蓋體。本發(fā)明的導(dǎo)熱板可包含導(dǎo)熱孔，該導(dǎo)熱孔是與凸塊保持距離，并在所述開口及通孔外延伸穿過黏著層與介電層，同時鄰接且熱連結(jié)基座與蓋體，藉此提升自蓋體至基座的散熱效果，并促進熱能在基座內(nèi)擴散。本發(fā)明的芯片組可提供水平或垂直的單層或多層信號路由。林文強等人在2009年11月11日提出申請的第12/616，773號美國專利申請案 「具有凸柱/基座的散熱座及襯底的半導(dǎo)體芯片組」即公開一種具有水平單層信號路由的結(jié)構(gòu)，其中焊墊、端子與路由線均位于介電層上方，此一美國專利申請案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。林文強等人在2009年11月11日提出申請的第12/616，775號美國專利申請案 「具有凸柱/基座的散熱座及導(dǎo)線的半導(dǎo)體芯片組」則公開另一種具有水平單層信號路由的結(jié)構(gòu)，其中焊墊、端子與路由線是位于黏著層上方，且該結(jié)構(gòu)未設(shè)置介電層，此一美國專利申請案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。王家忠等人在2009年9月11日提出申請的第12/557，540號美國專利申請案「具有凸柱/基座的散熱座及水平信號路由的半導(dǎo)體芯片組」公開一種具有水平多層信號路由的結(jié)構(gòu)，其中介電層上方的焊墊與端子是利用穿過該介電層的第一及第二導(dǎo)電孔以及該介電層下方的路由線達成電性連結(jié)，此一美國專利申請案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。王家忠等人在2009年9月11日提出申請的第12/557，541號美國專利申請案 「具有凸柱/基座的散熱座及垂直信號路由的半導(dǎo)體芯片組」則公開一種具有垂直多層信號路由的結(jié)構(gòu)，其中介電層上方的焊墊與黏著層下方的端子是利用穿過該介電層的第一導(dǎo)電孔、該介電層下方的路由線以及穿過該黏著層的第二導(dǎo)電孔達成電性連結(jié)，此一美國專利申請案的內(nèi)容在此以引用的方式并入本文。本發(fā)明導(dǎo)熱板的作業(yè)格式可為單一或多個導(dǎo)熱板，視制造設(shè)計而定。例如，可單獨制作單一導(dǎo)熱板。或者，可利用單一金屬板、單一黏著層、單一襯底及單一防焊綠漆同時批次制造多個導(dǎo)熱板，而后再行分離。同樣地，針對同一批次中的各導(dǎo)熱板，我們也可利用單一金屬板、單一黏著層、單一襯底及單一防焊綠漆同時批次制造多組分別供單一半導(dǎo)體元件使用的散熱座與導(dǎo)線。例如，可在一金屬板上沖壓出多個凸塊，然后將一具有對應(yīng)這些凸塊的開口的未固化黏著層設(shè)置于外伸平臺上，使每一凸塊均延伸貫穿一對應(yīng)開口 ；然后將一襯底(其具有單一導(dǎo)電層、單一介電層，以及對應(yīng)這些凸塊的通孔)設(shè)置于該黏著層上，使每一凸塊均延伸穿過一對應(yīng)開口并進入一對應(yīng)通孔；而后利用壓臺使該外伸平臺與該襯底彼此靠合， 迫使該黏著層進入這些通孔內(nèi)介于各凸塊與該襯底間的缺口 ；然后固化該黏著層，繼而研磨這些凸塊、該黏著層及該導(dǎo)電層以形成一側(cè)向表面；然后將被覆層被覆于該結(jié)構(gòu)體上，接著刻蝕該導(dǎo)電層及其上的被覆層以形成多個分別對應(yīng)這些凸塊的焊墊、路由線、端子與蓋體；然后將防焊綠漆沉積于該結(jié)構(gòu)體上，使該防焊綠漆形成圖案，從而使這些焊墊、這些端子與這些蓋體外露；然后以被覆接點為這些凸塊、該基座、這些焊墊、這些端子與這些蓋體進行表面處理；最后，在各導(dǎo)熱板外圍邊緣的適當(dāng)位置切割或劈裂該基座、該黏著層、該介電層與該防焊綠漆，使個別的導(dǎo)熱板彼此分離。本發(fā)明半導(dǎo)體芯片組的作業(yè)格式可為單一芯片組或多個芯片組，取決于制造設(shè)計。例如，可單獨制造單一芯片組，或者，可同時批次制造多個芯片組，之后再將各導(dǎo)熱板一一分離。同樣地，也可將多個半導(dǎo)體元件電性連結(jié)、熱連結(jié)及機械性連結(jié)至批次量產(chǎn)中的每一導(dǎo)熱板。例如，可將多個固晶材料分別沉積于多個蓋體上，再將多枚芯片分別放置于這些固晶材料上，然后同時加熱這些固晶材料以使其硬化并形成多個固晶。接著將這些芯片打線接合至對應(yīng)的焊墊，再將多個封裝材料同時模制于這些芯片與打在線，之后便可將各導(dǎo)
熱板一一分離。我們可通過單一步驟或多道步驟使各導(dǎo)熱板彼此分離。例如，可將多個導(dǎo)熱板批次制成一平板，接著將多個半導(dǎo)體元件設(shè)置于該平板上，然后再將該平板所構(gòu)成的多個半導(dǎo)體芯片組一一分離?；蛘?，可將多個導(dǎo)熱板批次制成一平板，而后將該平板所構(gòu)成的多個導(dǎo)熱板分切為多個導(dǎo)熱板條，接著將多個半導(dǎo)體元件分別設(shè)置于這些導(dǎo)熱板條上，最后再將各導(dǎo)熱板條所構(gòu)成的多個半導(dǎo)體芯片組分離為個體。此外，在分割導(dǎo)熱板時可利用機械切割、雷射切割、分劈或其它適用技術(shù)。
在本文中，「鄰接」一詞的含義為元件是一體成型(形成單一個體)或相互接觸 (彼此無間隔或未隔開)。例如，凸塊鄰接基座與蓋體，但并未鄰接介電層?！钢氐挂辉~的含義為位于上方并延伸于一下方元件的周緣內(nèi)?！钢氐拱由煊谠撝芫壷畠?nèi)、外或坐落于該周緣內(nèi)。例如，在凹穴朝下的狀態(tài)下，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件是重迭于凸塊，此因一假想垂直線可同時貫穿該半導(dǎo)體元件與該凸塊，不論該半導(dǎo)體元件與該凸塊之間是否存在有另一同為該假想垂直線貫穿的元件(如固晶材料)，且也不論是否有另一假想垂直線僅貫穿該凸塊而未貫穿該半導(dǎo)體元件(也即位于該半導(dǎo)體元件的周緣外)。同樣地，蓋體重迭于凸塊，而焊墊則重迭于黏著層。此外，「重迭」與「位于上方」同義，「被重迭」則與「位于下方」同義。「接觸」一詞的含義為直接接觸。例如，介電層接觸焊墊但并未接觸凸塊?！父采w」一詞的含義為在一垂直和/或側(cè)面方向上完全覆蓋。例如，在凹穴朝下的狀態(tài)下，蓋體是從上方覆蓋凸塊，但凸塊并未從下方覆蓋蓋體?！笇印棺职O(shè)有圖案或未設(shè)圖案的層體。例如，當(dāng)襯底設(shè)置于黏著層上時，導(dǎo)電層可為介電層上一空白無圖案的平板；而當(dāng)半導(dǎo)體元件設(shè)置于散熱座上之后，導(dǎo)電層可為介電層上一具有間隔導(dǎo)線的電路圖案。此外，「層」可包含多迭合層?！负笁|」一詞與導(dǎo)線搭配使用時，是指一用于連接和/或接合外部連結(jié)媒介(如焊料或打線)的連結(jié)區(qū)域，而該外部連結(jié)媒介則可將導(dǎo)線電性連結(jié)至半導(dǎo)體元件?！付俗印挂辉~與導(dǎo)線搭配使用時是指一連結(jié)區(qū)域，其可接觸和/或接合外部連結(jié)媒介(如焊料或打線)，而該外部連結(jié)媒介則可將導(dǎo)線電性連結(jié)至與下一層芯片組相關(guān)的一外部設(shè)備(例如一印刷電路板或與其連接的一導(dǎo)線)?！副桓泊┛住挂辉~與導(dǎo)線搭配使用時，是指一以被覆方式形成于一孔洞內(nèi)的電性互連結(jié)構(gòu)。例如，一被覆穿孔可在其對應(yīng)孔洞內(nèi)保持完整無缺的狀態(tài)并與芯片組的外圍邊緣保持距離，抑或在后續(xù)工藝中被劈開或經(jīng)修整為一溝槽，致使該被覆穿孔的剩余部分位于芯片組外圍邊緣的溝槽中。然而，該被覆穿孔的存在與采用上述何種構(gòu)型無關(guān)?！赴佳ā挂辉~與凸塊搭配使用時，是指凸塊內(nèi)的一密閉或非密閉空間。例如，凸塊內(nèi)的凹穴在第二垂直方向上可由基座覆蓋，因而形成一密閉空間；或者，凸塊內(nèi)的凹穴可朝第二垂直方向外露，因而形成一非密閉空間。同樣地，凸塊內(nèi)的凹穴可為中空，或內(nèi)含一例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或焊錫的填充物?！讣s」字與角度搭配使用時，是指士 2度的范圍內(nèi)?！搁_口」、「通孔」與「孔洞」等詞同指貫穿孔洞。例如，凸塊以凹穴朝下的狀態(tài)插入黏著層的開口后，是朝向上方向從黏著層中露出。同樣地，凸塊插入襯底的通孔后，是朝向上方向從襯底中露出。「插入」一詞的含義為元件間的相對移動。例如，「將凸塊插入通孔中」包含襯底固定不動而由外伸平臺朝襯底移動；外伸平臺固定不動而由襯底朝外伸平臺移動；以及襯底與外伸平臺彼此靠合。又例如，「將凸塊插入(或延伸至)通孔內(nèi)」包含凸塊貫穿(穿入并穿出)通孔，以及凸塊插入但未貫穿(穿入但未穿出)通孔?！副舜丝亢稀挂辉~也指元件間的相對移動。例如，「襯底與外伸平臺彼此靠合」包含 襯底固定不動而由外伸平臺朝襯底移動；外伸平臺固定不動而由襯底朝外伸平臺移動；以及襯底與外伸平臺相互靠近。
「對準」一詞的含義為元件間的相對位置。例如，在凹穴朝下的情況下，當(dāng)黏著層已設(shè)置于基座上、襯底已設(shè)置于黏著層上、凸塊已插入并對準開口且通孔已對準開口時，無論凸塊是插入通孔或位于通孔下方且與其保持距離，凸塊均已對準通孔?！冈O(shè)置于」一語包含與單一或多個支撐元件間的接觸與非接觸。例如，一半導(dǎo)體元件是設(shè)置于蓋體上，不論此半導(dǎo)體元件是實際接觸蓋體或與蓋體以一固晶材料相隔?！葛ぶ鴮?..于缺口之中」一詞的含義為位于缺口中的黏著層。例如，「黏著層在缺口中延伸跨越介電層」意指缺口內(nèi)的黏著層延伸跨越介電層。同樣地，「黏著層于缺口之中接觸且位于凸塊與介電層之間」意指缺口中的黏著層接觸且位于缺口內(nèi)側(cè)壁的凸塊與缺口外側(cè)壁的介電層之間。「上方」一詞的含義為向上延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重迭與非重迭元件。例如，在凹穴朝下的狀態(tài)下，蓋體是延伸于凸塊上方，同時鄰接、重迭于凸塊并自凸塊突伸而出。同樣地，凸塊即使并未鄰接或重迭于介電層，仍可延伸于介電層上方。「下方」一詞的含義為向下延伸，且包含鄰接與非鄰接元件以及重迭與非重迭元件。例如，在凹穴朝下的狀態(tài)下，凸塊是延伸于蓋體下方，鄰接蓋體，被蓋體重迭，并自蓋體朝向下方向突伸而出。同樣地，凸塊即使并未鄰接焊墊或被焊墊重迭，仍可延伸于焊墊下方?！傅谝淮怪狈较颉辜啊傅诙怪狈较颉共⒎侨Q于半導(dǎo)體芯片組(或?qū)岚?的定向，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可輕易了解其實際所指的方向。例如，凸塊是垂直延伸于基座沿第一垂直方向的外側(cè)，且是垂直延伸于蓋體沿第二垂直方向的外側(cè)，此與芯片組是否倒置和/或芯片組是否是設(shè)置于一散熱裝置上無關(guān)。同樣地，蓋體是沿一側(cè)向平面自凸塊「側(cè)向」伸出，此與芯片組是否倒置、旋轉(zhuǎn)或傾斜無關(guān)。因此，該第一與第二垂直方向是彼此相反，且垂直于側(cè)面方向。此外，側(cè)向?qū)R的元件是在一垂直于該第一與第二垂直方向的側(cè)向平面上彼此共平面。此外，當(dāng)凹穴向下時，第一垂直方向為向上方向，第二垂直方向為向下方向；當(dāng)凹穴向上時，第一垂直方向為向下方向，第二垂直方向為向上方向。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片組具有多項優(yōu)點。該芯片組的可靠度高、價格平實且極適合量產(chǎn)。該芯片組尤其適用于易產(chǎn)生高熱且需優(yōu)異散熱效果方可有效及可靠運作的高功率半導(dǎo)體元件(例如LED芯片與大型半導(dǎo)體芯片)以及多個同時使用的半導(dǎo)體元件(例如以陣列方式排列的多枚小形半導(dǎo)體芯片)。本發(fā)明的制造工藝具有高度適用性，且是以獨特、進步的方式結(jié)合運用各種成熟的電性連結(jié)、熱連結(jié)及機械性連結(jié)技術(shù)。此外，本發(fā)明的制造工藝不需昂貴工具即可實施。 因此，此制造工藝可大幅提升傳統(tǒng)封裝技術(shù)的產(chǎn)量、合格率、效能與成本效益。此外，本發(fā)明的芯片組極適合于銅芯片及無鉛的環(huán)保要求。在此所述的實施例是為例示之用，其中所涉及的本發(fā)明已知元件或步驟可能經(jīng)簡化或有所省略以免模糊本發(fā)明的特點。同樣地，為使附圖清晰，附圖中重復(fù)或非必要的元件及參考標號可能有所省略。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員針對本文所述的實施例應(yīng)當(dāng)可以容易的想出各種變化及修改的方式。例如，前述的材料、尺寸、形狀、大小、步驟的內(nèi)容與步驟的順序都僅為范例。上述人員可在不脫離本發(fā)明的精神與范圍的條件下從事這些改變、調(diào)整與等同手段。本發(fā)明的范圍是由權(quán)利要求加以界定。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片組，其特征在于，至少包含 一半導(dǎo)體元件；一黏著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸塊及一基座，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于該第一垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；且(iii)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋；及一導(dǎo)線，其包含一焊墊及一端子；其中該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該凸塊上，延伸于該凸塊沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并且側(cè)向延伸于該凹穴的一周緣內(nèi)，該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該凸塊，從而熱連結(jié)至該基座；其中該黏著層接觸該凸塊與該基座，并自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子； 其中該導(dǎo)線位于該凹穴外；且其中該凸塊與該凹穴延伸進入該開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件為一LED芯片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件利用一打線電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該凸塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件利用一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連結(jié)至該凸塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該黏著層接觸該焊墊與該端子。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該黏著層與該焊墊及該端子保持距離， 一介電層接觸且位于該焊墊與該黏著層之間以及該端子與該黏著層之間，但與該凸塊及該基座保持距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該黏著層側(cè)向覆蓋、環(huán)繞且同形被覆于該凸塊之一側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該黏著層延伸至該芯片組的外圍邊緣。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凸塊包含一延伸至該基座的彎折角落。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凸塊鄰接該基座處沿側(cè)向向外彎折。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凸塊具有一沖壓而成的特有不規(guī)則厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凹穴朝該第二垂直方向外露。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凹穴于該第二垂直方向被覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凹穴并未密封，且內(nèi)含一填充物，該填充物填滿該凹穴的大部分或全部。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凹穴為密封狀態(tài)，且內(nèi)含一填充物， 該填充物填滿該凹穴的大部分或全部。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該基座延伸至該芯片組的外圍邊緣。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該焊墊與該端子延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該焊墊延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該端子延伸于該黏著層沿該第二垂直方向的外側(cè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該焊墊與該端子共平面。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該基座與該端子共平面。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該基座、該焊墊與該端子為相同的金jM ο
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該基座、該焊墊與該端子均包含一金、 銀或鎳質(zhì)表面層及一內(nèi)部銅核心，但主要為銅，該凸塊主要為銅或全部為銅。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該散熱座包含一由該凸塊與該基座共享的銅核心。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片組，其特征在于，該導(dǎo)線包含一由該焊墊與該端子共享的銅核心。
26.一種半導(dǎo)體芯片組，其特征在于，至少包含 一半導(dǎo)體元件；一黏著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸塊、一基座及一蓋體，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出，該凸塊也鄰接該蓋體，并自該蓋體沿一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向伸出；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于這些垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該蓋體于該第一垂直方向覆蓋該凸塊，并自該凸塊側(cè)伸而出；且(iv)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在該第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋，該凸塊將該凹穴與該蓋體隔開，且該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分；及一導(dǎo)線，其包含一焊墊及一端子；其中該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上，延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并且側(cè)向延伸于該凹穴的一周緣內(nèi)，該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；其中該黏著層接觸該凸塊、該基座與該蓋體，且位于該基座與該焊墊之間以及該基座與該蓋體之間，并自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子； 其中該導(dǎo)線位于該凹穴外；且其中該凸塊與該凹穴延伸進入該開口。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件為一LED芯片。
28.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件利用一打線電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。
29.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件利用一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連結(jié)至該蓋體。
30.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該黏著層接觸該焊墊與該端子。
31.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該黏著層與該焊墊及該端子保持距離，一介電層接觸且位于該焊墊與該黏著層之間以及該端子與該黏著層之間，但與該凸塊及該基座保持距離。
32.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該黏著層側(cè)向覆蓋、環(huán)繞且同形被覆于該凸塊的一側(cè)壁，同時延伸至該芯片組的外圍邊緣。
33.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凸塊與該黏著層于該蓋體處共平面。
34.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凸塊包含一延伸至該基座的第一彎折角落，以及一延伸至該蓋體的第二彎折角落，這些彎折角落彼此垂直分開。
35.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凸塊鄰接該基座處沿側(cè)向向外彎折，該凸塊鄰接該蓋體處沿側(cè)向向內(nèi)彎折。
36.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凸塊鄰接該基座處以約90度的角度沿側(cè)向向外彎折，該凸塊鄰接該蓋體處以約90度的角度沿側(cè)向向內(nèi)彎折。
37.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凸塊具有一沖壓而成的特有不規(guī)則厚度。
38.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凹穴為中空，且朝該第二垂直方向外露，并使該凸塊朝該第二垂直方向外露。
39.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凹穴并未密封，且內(nèi)含一填充物， 該填充物接觸該凸塊，受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，并朝該第二垂直方向外Mo
40.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凹穴為密封狀態(tài)，且內(nèi)含一填充物，該填充物接觸該凸塊，受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，且在該第二垂直方向被覆蓋。
41.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凹穴內(nèi)含一填充物，該填充物接觸該凸塊，并沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，該填充物受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，并朝該第二垂直方向外露。
42.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該凹穴內(nèi)含一填充物，該填充物接觸該凸塊與該基座，并沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，該填充物受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，且在該第二垂直方向被該基座覆蓋。
43.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該基座在該第二垂直方向覆蓋該導(dǎo)線，并且側(cè)向延伸至該蓋體外，直到該芯片組的外圍邊緣。
44.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該焊墊與該端子延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，且共同位于一面朝該第一垂直方向的表面，該導(dǎo)線尚包含一路由線，該路由線位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。
45.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該焊墊延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該端子延伸于該黏著層沿該第二垂直方向的外側(cè)，該基座與該端子共同位于一面朝該第二垂直方向的表面，該導(dǎo)線尚包含一被覆穿孔，該被覆穿孔延伸穿過該黏著層，且位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。
46.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該焊墊與該蓋體在彼此相鄰處具有相同的厚度，但該蓋體鄰接該凸塊處的厚度則與該焊墊不同，該焊墊與該蓋體共同位于一面朝該第一垂直方向的表面。
47.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該基座、該蓋體、該焊墊與該端子為相同的金屬。
48.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該基座、該蓋體、該焊墊與該端子均包含一金、銀或鎳質(zhì)表面層及一內(nèi)部銅核心，但主要為銅，該凸塊主要為銅或全部為銅。
49.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該散熱座包含一由該凸塊、該基座與該蓋體共享的銅核心。
50.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的芯片組，其特征在于，該導(dǎo)線包含一由該焊墊與該端子共享的銅核心。
51.一種半導(dǎo)體芯片組，其特征在于，至少包含一半導(dǎo)體元件；一黏著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸塊、一基座及一蓋體，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出，該凸塊也鄰接該蓋體，并自該蓋體沿一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向伸出；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于這些垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該蓋體于該第一垂直方向覆蓋該凸塊，并自該凸塊側(cè)伸而出；且(iv)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在該第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋，該凸塊將該凹穴與該蓋體隔開，且該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分；一襯底，其包含一介電層，其中一通孔延伸穿過該襯底；及一導(dǎo)線，其包含一焊墊及一端子；其中該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上，延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并且側(cè)向延伸于該凹穴的一周緣內(nèi)，該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；其中該黏著層接觸該凸塊、該基座、該蓋體與該介電層，但與該焊墊保持距離，該黏著層位于該凸塊與該介電層之間、該基座與該焊墊之間、該基座與該蓋體之間，以及該基座與該介電層之間，并自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子；其中該襯底設(shè)置于該黏著層上，該介電層接觸該焊墊與該蓋體，但與該凸塊及該基座保持距離；其中該導(dǎo)線位于該凹穴外；且其中該凸塊與該凹穴延伸進入該開口與該通孔，該凸塊沿這些垂直方向延伸至該通孔夕卜，該蓋體于該第一垂直方向覆蓋該開口與該通孔。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件為一LED芯片。
53.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件利用一打線電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。
54.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件利用一第一焊錫電性連結(jié)至該焊墊，并利用一第二焊錫熱連結(jié)至該蓋體。
55.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該介電層接觸且位于該端子與該黏著層之間。
56.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該黏著層接觸且位于該端子與該介電層之間。
57.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該黏著層側(cè)向覆蓋、環(huán)繞且同形被覆于該凸塊的一側(cè)壁，同時延伸至該芯片組的外圍邊緣。
58.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凸塊與該黏著層于該蓋體處共平面。
59.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凸塊包含一延伸至該基座的第一彎折角落，以及一延伸至該蓋體的第二彎折角落，這些彎折角落彼此垂直分開。
60.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凸塊延伸至該基座的部分沿側(cè)向向外彎折，該凸塊延伸至該蓋體的部分沿側(cè)向向內(nèi)彎折。
61.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凸塊延伸至該基座的部分以約90 度的角度沿側(cè)向向外彎折，該凸塊延伸至該蓋體的部分以約90度的角度沿側(cè)向向內(nèi)彎折。
62.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凸塊具有一沖壓而成的特有不規(guī)則厚度。
63.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凹穴為中空，且朝該第二垂直方向外露，并使該凸塊朝該第二垂直方向外露。
64.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凹穴并未密封，且內(nèi)含一填充物， 該填充物接觸該凸塊，受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，并朝該第二垂直方向外Mo
65.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凹穴為密封狀態(tài)，且內(nèi)含一填充物，該填充物接觸該凸塊，受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，且在該第二垂直方向被覆蓋。
66.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凹穴內(nèi)含一填充物，該填充物接觸該凸塊，并沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，該填充物受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，并朝該第二垂直方向外露。
67.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該凹穴內(nèi)含一填充物，該填充物接觸該凸塊與該基座，并沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，該填充物受限于該凹穴，填滿該凹穴的大部分或全部，且在該第二垂直方向被該基座覆蓋。
68.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該基座支撐該襯底與該黏著層，并在該第二垂直方向覆蓋該導(dǎo)線與該襯底，同時側(cè)向延伸至該蓋體外，直到該芯片組的外圍邊緣。
69.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該焊墊與該端子延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，且共同位于一面朝該第一垂直方向的表面，該導(dǎo)線尚包含一路由線，該路由線位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。
70.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該焊墊延伸于該黏著層與該介電層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該端子延伸于該黏著層與該介電層沿該第二垂直方向的外側(cè)， 該基座與該端子共同位于一面朝該第二垂直方向的表面，該導(dǎo)線尚包含一被覆穿孔，該被覆穿孔延伸穿過該黏著層與該介電層，且位于該焊墊與該端子間的一導(dǎo)電路徑上。
71.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該焊墊與該蓋體在彼此相鄰處具有相同的厚度，但該蓋體鄰接該凸塊處的厚度則與該焊墊不同，該焊墊與該蓋體共同位于一面朝該第一垂直方向的表面。
72.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該基座、該蓋體、該焊墊與該端子為相同的金屬。
73.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該基座、該蓋體、該焊墊與該端子均包含一金、銀或鎳質(zhì)表面層及一內(nèi)部銅核心，但主要為銅，該凸塊主要為銅或全部為銅。
74.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該散熱座包含一由該凸塊、該基座與該蓋體共享的銅核心。
75.根據(jù)權(quán)利要求51所述的芯片組，其特征在于，該導(dǎo)線包含一由該焊墊與該端子共享的銅核心。
76.一種半導(dǎo)體芯片組，其特征在于，至少包含 一半導(dǎo)體元件；一黏著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸塊、一基座及一蓋體，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出，該凸塊也鄰接該蓋體，并自該蓋體沿一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向伸出，該凸塊包含彼此垂直分開的第一與第二彎折角落；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于這些垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該蓋體于該第一垂直方向覆蓋該凸塊，并自該凸塊側(cè)伸而出；且(iv)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，但該凹穴在該第二垂直方向上并未被該凸塊覆蓋，該凸塊將該凹穴與該蓋體隔開，且該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分；及一導(dǎo)線，其包含一焊墊及一端子；其中該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上，延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并且側(cè)向延伸于該凹穴的一周緣內(nèi)，該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；其中該黏著層接觸該凸塊、該基座與該蓋體，且位于該基座與該焊墊之間以及該基座與該蓋體之間，同時自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子，并延伸至該芯片組的外圍邊緣；其中該導(dǎo)線位于該凹穴外；其中該焊墊與該蓋體共同位于一面朝該第一垂直方向的表面；且其中該凸塊與該凹穴延伸進入該開口，且該蓋體于該第一垂直方向覆蓋該開口。
77.根據(jù)權(quán)利要求76所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件為一LED裝置，且利用一打線電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。
78.根據(jù)權(quán)利要求76所述的芯片組，其特征在于，該凸塊與該黏著層于該蓋體處共平面。
79.根據(jù)權(quán)利要求76所述的芯片組，其特征在于，該焊墊、該端子與該蓋體共同位于一面朝該第一垂直方向的表面，且均延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該基座于該第二垂直方向覆蓋該導(dǎo)線，并且側(cè)向延伸至該蓋體外，直到該芯片組的外圍邊緣。
80.根據(jù)權(quán)利要求76所述的芯片組，其特征在于，該基座、該蓋體、該焊墊與該端子為相同的金屬，且均包含一金、銀或鎳質(zhì)表面層，但主要為銅，該凸塊主要為銅或全部為銅，該散熱座包含一由該凸塊、該基座與該蓋體共享的銅核心，該導(dǎo)線則包含一由該焊墊與該端子共享的銅核心。
81.一種半導(dǎo)體芯片組，其特征在于，至少包含 一半導(dǎo)體元件；一黏著層，其至少具有一開口 ；一散熱座，其至少包含一凸塊、一基座及一蓋體，其中(i)該凸塊鄰接該基座且與該基座形成一體，并自該基座沿一第一垂直方向伸出，該凸塊也鄰接該蓋體，并自該蓋體沿一與該第一垂直方向相反的第二垂直方向伸出，該凸塊包含彼此垂直分開的第一與第二彎折角落；(ii)該基座自該凸塊沿著垂直于這些垂直方向的側(cè)面方向側(cè)伸而出；(iii)該蓋體于該第一垂直方向覆蓋該凸塊，并自該凸塊側(cè)伸而出；且(iv)該凸塊具有一凹穴，該凹穴在該第一垂直方向上由該凸塊覆蓋，在該第二垂直方向上則外露，該凸塊并將該凹穴與該蓋體隔開，該凹穴沿這些垂直方向及這些側(cè)面方向延伸跨越該凸塊的大部分，且為中空，并使該凸塊構(gòu)成該凹穴的部分也朝該第二垂直方向外露；及一導(dǎo)線，其包含一焊墊及一端子；其中該半導(dǎo)體元件設(shè)置于該蓋體上，延伸于該蓋體沿該第一垂直方向的外側(cè)，位于該凹穴外，并且側(cè)向延伸于該凹穴的一周緣內(nèi)，該半導(dǎo)體元件電性連結(jié)至該焊墊，從而電性連結(jié)至該端子，該半導(dǎo)體元件也熱連結(jié)至該蓋體，從而熱連結(jié)至該基座；其中該黏著層接觸該凸塊、該基座與該蓋體，且位于該基座與該焊墊之間以及該基座與該蓋體之間，同時自該凸塊側(cè)向延伸至該端子或越過該端子，并延伸至該芯片組的外圍邊緣；其中該導(dǎo)線位于該凹穴外；其中該焊墊與該蓋體共同位于一面朝該第一垂直方向的表面；且其中該凸塊與該凹穴延伸進入該開口，且該蓋體在該第一垂直方向覆蓋該開口。
82.根據(jù)權(quán)利要求81所述的芯片組，其特征在于，該半導(dǎo)體元件為一LED裝置，且利用一打線電性連結(jié)至該焊墊，并利用一固晶材料熱連結(jié)至該蓋體。
83.根據(jù)權(quán)利要求81所述的芯片組，其特征在于，該凸塊與該黏著層在該蓋體處共平面。
84.根據(jù)權(quán)利要求81所述的芯片組，其特征在于，該焊墊、該端子與該蓋體共同位于一面朝該第一垂直方向的表面，且均延伸于該黏著層沿該第一垂直方向的外側(cè)，該基座在該第二垂直方向覆蓋該導(dǎo)線，并且側(cè)向延伸至該蓋體外，直到該芯片組的外圍邊緣。
85.根據(jù)權(quán)利要求81所述的芯片組，其特征在于，該凸塊、該基座、該蓋體、該焊墊與該端子為相同的金屬，且均包含一金、銀或鎳質(zhì)表面層，但主要為銅，該散熱座包含一由該凸塊、該基座與該蓋體共享的銅核心，該導(dǎo)線則包含一由該焊墊與該端子共享的銅核心。
全文摘要
本發(fā)明公開了具有凸塊/基座的散熱座及凸塊內(nèi)含倒置凹穴的半導(dǎo)體芯片組。該半導(dǎo)體芯片組至少包含一半導(dǎo)體元件、一散熱座、一導(dǎo)線及一黏著層。該散熱座至少包含一凸塊及一基座。該導(dǎo)線包含一焊墊及一端子。該半導(dǎo)體元件是設(shè)置于該凸塊上，且位于該凸塊內(nèi)的一凹穴的相反側(cè)，同時電性連結(jié)至該導(dǎo)線，并與該凸塊熱連結(jié)。該凸塊自該基座延伸進入該黏著層的一開口，而該基座則自該凸塊側(cè)伸而出。該導(dǎo)線位于該凹穴外，并在該焊墊與該端子之間提供信號路由。
文檔編號H01L33/48GK102456828SQ20111025435
公開日2012年5月16日 申請日期2011年8月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月26日
發(fā)明者林文強, 王家忠 申請人:鈺橋半導(dǎo)體股份有限公司