專利名稱：復(fù)合襯底及其制造方法、異質(zhì)外延制備單晶厚膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，更具體地說，涉及一種復(fù)合襯底及其制造方法、異質(zhì)外延制備單晶厚膜的方法。
背景技術(shù)：
第三代半導(dǎo)體材料由于能量禁帶一般大于3.0電子伏，又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體。相比于傳統(tǒng)的硅基和砷化鎵基半導(dǎo)體材料，寬禁帶半導(dǎo)體，例如碳化硅(SiC)、氮化鎵 (GaN)、氮化鋁(AlN)及氮化銦(MN)等，由于其特有的禁帶范圍、優(yōu)良的光、電學(xué)性質(zhì)和優(yōu)異的材料性能，能夠滿足大功率、高溫高頻和高速半導(dǎo)體器件的工作要求，在汽車及航空工業(yè)、醫(yī)療、軍事和普通照明方面具有十分廣泛的應(yīng)用前景。其中，氮化鎵、氮化鋁和氮化銦等統(tǒng)稱為III族氮化物。氮化鎵是一種優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，是制作可以發(fā)射藍(lán)綠光和紫外光的發(fā)光二極管和激光器、太陽目眩探測器、高能量凝聚態(tài)開關(guān)和整流器以及高能量密度微波晶體管的理想材料，對以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的研究和開發(fā)，已成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱點。由于沒有高質(zhì)量低錯位的氮化物作為晶種，通常采用單片的方法生產(chǎn)氮化鎵單晶，即在異質(zhì)襯底(如藍(lán)寶石襯底或碳化硅襯底)上生長氮化鎵單晶。目前，主要采用 HVPE(Hydride vapor phase印itaxy，氫化物氣相外延法)的方法外延生長氮化鎵單晶厚膜，生長溫度通常達到1000°C或以上。然而，由于藍(lán)寶石的熱膨脹系數(shù)大于氮化鎵的熱膨脹系數(shù)，當(dāng)從生長溫度冷卻到室溫時，藍(lán)寶石的晶格改變大于氮化鎵的晶格改變，這樣，就會在藍(lán)寶石襯底上產(chǎn)生拉應(yīng)力，氮化鎵單晶厚膜上產(chǎn)生壓應(yīng)力，在降到室溫后，氮化鎵單晶厚膜和藍(lán)寶石襯底的整體結(jié)構(gòu)會發(fā)生翹曲。目前，一般工業(yè)規(guī)格的藍(lán)寶石襯底的厚度在430微米，如果生長的氮化鎵單晶厚膜的厚度達到一定值(如超過200微米)時，藍(lán)寶石襯底上所受的拉應(yīng)力達到200MPa 以上，而生長的氮化鎵單晶的厚膜通常要達到400微米以上，當(dāng)藍(lán)寶石上產(chǎn)生的拉應(yīng)力超過其斷裂應(yīng)力，會造成藍(lán)寶石襯底的破裂。而當(dāng)藍(lán)寶石襯底破裂時，由于以下兩個因素也會導(dǎo)致氮化鎵單晶的開裂其一，藍(lán)寶石和氮化鎵界面上是連續(xù)的，藍(lán)寶石在破裂的瞬間造成其上的氮化鎵單晶厚膜的開裂； 其二，由于翹曲變形，使氮化鎵單晶厚膜開裂。基于此，獲得的氮化鎵單晶厚膜的尺寸往往小于原藍(lán)寶石襯底的尺寸，使HVPE方法生長的氮化鎵單晶厚膜的尺寸受到了限制，不利于該方法的產(chǎn)業(yè)化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種復(fù)合襯底，防止在其上外延生長單晶厚膜后，冷卻過程中復(fù)合襯底的破裂。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種復(fù)合襯底，用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體
3單晶厚膜，包括異質(zhì)襯底以及異質(zhì)襯底上的緩沖層，其中，所述異質(zhì)襯底的厚度為0. 5至 13毫米?？蛇x地，所述異質(zhì)襯底的厚度為3至8毫米。此外，本發(fā)明還提供了上述復(fù)合襯底的制造方法，包括提供異質(zhì)襯底，所述異質(zhì)襯底的厚度為0.5至13毫米； 在所述異質(zhì)襯底上形成緩沖層?？蛇x地，形成所述緩沖層的方法為MOCVD、HVPE, PECVD或濺射?？蛇x地，所述異質(zhì)襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅或氧化鋅。此外，本發(fā)明又提供了一種復(fù)合襯底，用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，包括第一基底、第一基底上的異質(zhì)襯底以及異質(zhì)襯底上的緩沖層，其中，所述第一基底與所述異質(zhì)襯底具有相同的熱膨脹系數(shù)，或者所述第一基底與所述異質(zhì)襯底的熱膨脹系數(shù)差異小于60%，所述第一基底的厚度為0. 5至13毫米?？蛇x地，所述第一基底的厚度為3至8毫 米?？蛇x地，所述異質(zhì)襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅或氧化鋅?？蛇x地，所述第一基底為多晶氮化鎵、多晶氮化鋁、氮化鋁陶瓷、藍(lán)寶石、單晶硅、 碳化硅、氧化鋅或玻璃。此外，本發(fā)明還提供了上述復(fù)合襯底的制造方法，包括提供異質(zhì)襯底，以及在所述異質(zhì)襯底的第一表面上形成緩沖層；提供第一基底，并從所述異質(zhì)襯底的第二表面將第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合，其中， 所述第一基底與所述異質(zhì)襯底具有相同的熱膨脹系數(shù)，或者所述第一基底與所述異質(zhì)襯底的熱膨脹系數(shù)差異小于60%，所述第一基底的厚度為0. 5至13毫米。 可選地，形成所述緩沖層的方法為MOCVD、HVPE, PECVD或濺射?？蛇x地，將第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合的方法為耐高溫的粘結(jié)或晶片接合的方法。此外，本發(fā)明又提供了利用上述復(fù)合襯底異質(zhì)外延制備單晶厚膜的方法，包括在上述復(fù)合襯底的緩沖層上外延形成III族氮化物半導(dǎo)體的單晶厚膜?？蛇x地，在形成單晶厚膜后，還包括步驟將所述復(fù)合襯底從單晶厚膜上去除，將去除后的復(fù)合襯底用于再次制備單晶厚膜的襯底。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例的復(fù)合襯底及其制造方法、異質(zhì)外延制備單晶厚膜的方法，由于復(fù)合襯底具有大厚度，在其上生長單晶厚膜后，從生長溫度降至室溫時，復(fù)合襯底上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，而單晶厚膜具有相當(dāng)?shù)幕蚋竦暮穸葧r，也不會造成復(fù)合襯底的破裂， 進而也就不會造成單晶厚膜的破裂，從而保證了形成的單晶厚膜的尺寸，得到大尺寸的單
晶厚膜。


通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為本發(fā)明實施例一的復(fù)合襯底的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實施例二的復(fù)合襯底的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3-4為根據(jù)本發(fā)明實施例的異質(zhì)外延制備單晶厚膜的過程示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中通常是采用藍(lán)寶石或碳化硅等的異質(zhì)材料來生長氮化鎵單晶厚膜，而由于藍(lán)寶石的熱膨脹系數(shù)大于氮化鎵的熱膨脹系數(shù)，當(dāng)從生長溫度冷卻到室溫時，藍(lán)寶石的晶格改變大于氮化鎵的晶格改變，這樣，就會在藍(lán)寶石襯底上產(chǎn)生拉應(yīng)力，氮化鎵單晶厚膜上產(chǎn)生壓應(yīng)力，在降到室溫后，氮化鎵單晶厚膜和藍(lán)寶石襯底的整體結(jié)構(gòu)會發(fā)生翹曲，而當(dāng)藍(lán)寶石上產(chǎn)生的拉應(yīng)力超過其斷裂應(yīng)力，會造成藍(lán)寶石襯底的破裂。藍(lán)寶石的斷裂會進一步造成氮化鎵單晶厚膜的開裂，使最終獲得的氮化鎵單晶的尺寸小于原藍(lán)寶石襯底的尺寸，使氮化鎵單晶厚膜的尺寸受到了限制。基于此，本發(fā)明提供了復(fù)合襯底，用來外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，該復(fù)合襯底采用大的厚度，在從生長溫度降低到室溫時，由于復(fù)合襯底具有大厚度，襯底上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，在生長的單晶厚膜具有相當(dāng)?shù)幕蚋竦暮穸葧r，也不會造成復(fù)合襯底的破裂，也就不會造成單晶厚膜的破裂，從而保證了形成的單晶厚膜的尺寸，得到大尺寸的單晶厚膜。為了更好地理解本發(fā)明，以下將對不同的實施例進行詳細(xì)的描述。實施例一在本實施例中，參考圖1所示，該復(fù)合襯底200包括異質(zhì)襯底100以及異質(zhì)襯底 100上的緩沖層110，所述異質(zhì)襯底100的厚度為0. 5-13毫米。更優(yōu)地，所述異質(zhì)襯底100的厚度為3-8毫米。在本發(fā)明中，異質(zhì)襯底指藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅、氧化鋅等非氮化物的襯底，緩沖層為氮化物薄膜，例如氮化鋁、氮化鎵或氮化鎵合金等，所述緩沖層的厚度可以為50微米以下，更優(yōu)地，可以為10微米以下。在本發(fā)明中，復(fù)合襯底用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，例如氮化鎵、 氮化鋁、氮化銦等。在本實施中的復(fù)合襯底200，通過具有大厚度的異質(zhì)襯底100來形成復(fù)合襯底，由于異質(zhì)襯底100具有大厚度，復(fù)合襯底200上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，在生長的單晶厚膜300具有相當(dāng)?shù)幕蚋竦暮穸葧r，也不會造成復(fù)合襯底的破裂，也就不會造成單晶厚膜的破裂，從而保證了形成的單晶厚膜的尺寸，得到大尺寸的單晶厚膜。參考圖1所示，對于該實施例的復(fù)合襯底，可以通過以下步驟來形成
首先，提供異質(zhì)襯底100，所述異質(zhì)襯底100的厚度為0. 5至13毫米，更優(yōu)地，所述異質(zhì)襯底的厚度為3至8毫米。而后，在所述異質(zhì)襯底100上形成緩沖層110。

可以通過MOCVD、HVPE, PECVD、濺射或其他合適的方法來形成該緩沖層，緩沖層化
學(xué)組成為氮化物，例如氮化鋁、氮化鎵或氮化鎵合金等。從而，形成了大厚度的復(fù)合襯底200，該復(fù)合襯底200可以用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，例如氮化鎵、氮化鋁、氮化銦等。參考圖3所示，可以通過HVPE等合適的方法在該復(fù)合襯底200的緩沖層110上來異質(zhì)外延制備單晶厚膜300，在一個實施例中，可以利用HVPE的方法來制備單晶厚膜，制備單晶厚膜的方法可以全部引用申請?zhí)枮?201110119706. 6中單晶厚膜的制備方法，由于該復(fù)合襯底200中的異質(zhì)襯底100具有大厚度，使復(fù)合襯底200上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，在冷卻中，不會造成復(fù)合襯底200的破裂，保證了單晶厚膜300的尺寸。更進一步地，在生長結(jié)束后，將所述復(fù)合襯底200從單晶厚膜300上去除，例如可以用線鋸將復(fù)合襯底200從單晶厚膜300上剝離下來，剝離后的單晶厚膜300經(jīng)過進一步研磨拋光等工藝后，該單晶厚膜就可以作為形成器件的單晶襯底。對于剝離后的復(fù)合襯底 200，可以經(jīng)過研磨拋光等工藝后，進一步用作再次制備單晶厚膜的異質(zhì)襯底，可以循環(huán)利用該復(fù)合襯底，節(jié)約制造成本。實施例二在本實施例中，參考圖2所示，該復(fù)合襯底200包括第一基底120、第一基底120 上的異質(zhì)襯底100以及異質(zhì)襯底100上的緩沖層110，其中，所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100具有相同的熱膨脹系數(shù)，或者所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100的熱膨脹系數(shù)差異小于60%，所述第一基底120的厚度為0. 5至13毫米。更優(yōu)選地，所述第一基底120的厚度為3至8毫米。在本實施例中，所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100可以具有相同的熱膨脹系數(shù)，也就是說，所述第一基底與異質(zhì)襯底為相同的襯底材料，例如異質(zhì)襯底和第一基底都為藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅或氧化鋅等。在第一基底與異質(zhì)襯底為相同襯底材料時，可以采用工業(yè)上通用的襯底(例如，厚度為430微米的開盒即用藍(lán)寶石襯底)來制備該具有更大厚度的復(fù)合襯底，而且可以循環(huán)使用，制備更簡單且成本低，同時具有相同的熱膨脹系數(shù)，其應(yīng)力釋放方向更為一致，更好地防止生長厚膜后降溫時的斷裂。在本實施例中，所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100還可以具有相近的熱膨脹系數(shù)，即，所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100的熱膨脹系數(shù)差異小于60 %，例如，所述異質(zhì)襯底可以為藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅或氧化鋅等，所述第一基底可以為多晶氮化鎵、多晶氮化鋁、氮化鋁陶瓷、藍(lán)寶石、單晶硅、碳化硅、氧化鋅或玻璃。在本實施例中，所述異質(zhì)襯底100可以為工業(yè)上通用的異質(zhì)襯底的厚度，通常為 430微米，也可以是其他規(guī)格的厚度，所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100具有相同或相近的熱膨脹系數(shù)，這樣，異質(zhì)襯底100同第一基底120 —同提高了復(fù)合襯底200的有效厚度，在該復(fù)合襯底200用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜時，在從生長溫度降低到室溫過程中，由于該復(fù)合襯底中的異質(zhì)襯底具有大厚度，使復(fù)合襯底上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，不會造成復(fù)合襯底的破裂，保證了單晶厚膜的尺寸。
參考圖2所示，對于本實施例的復(fù)合襯底，可以通過以下步驟來形成首先，提供異質(zhì)襯底100，所述異質(zhì)襯底100具有第一表面100-1和與第一表面 100-1相對的第二表面100-2。而后，在所述異質(zhì)襯底的第二表面100-2上形成緩沖層110?？梢酝ㄟ^MOCVD、HVPE, PECVD、濺射或其他合適的方法來形成該緩沖層，緩沖層化學(xué)組成為氮化物，例如氮化鋁、氮化鎵或氮化鎵合金等。而后，提供第一基底120，并從所述異質(zhì)襯底100的第一表面100-1將第一基底 120同異質(zhì)襯底100復(fù)合，其中，所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100具有相同的熱膨脹系數(shù)，或者所述第一基底120與所述異質(zhì)襯底100的熱膨脹系數(shù)差異小于60 %，所述第一基底120的厚度為0. 5至13毫米，更優(yōu)地，所述第一基底120的厚度為3至8毫米。可以通過耐高溫的粘結(jié)或晶片接合的方法將第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合在一起。在本實施例中，在所述異質(zhì)襯底的第二表面100-2上形成緩沖層110的步驟還可以在第一基底120和異質(zhì)襯底100復(fù)合之后來進行(圖未示出)。至此，形成了本實施例的大厚度的復(fù)合襯底200，同實施例一，該復(fù)合襯底可以用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，例如氮化鎵、氮化鋁、氮化銦等。參考圖4所示， 可以通過HVPE等合適的方法在該復(fù)合襯底200的緩沖層110上來異質(zhì)外延制備單晶厚膜 300，在一個實施例中，可以利用HVPE的方法來制備單晶厚膜，制備單晶厚膜的方法可以全部引用申請?zhí)枮?01110119706.6中單晶厚膜的制備方法。本實施例的復(fù)合襯底通過將與所述異質(zhì)襯底具有相同或相近的熱膨脹系數(shù)的第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合，提高了復(fù)合襯底的有效厚度，在生長溫度降低到室溫過程中，由于該復(fù)合襯底中的第一基底具有大厚度，使復(fù)合襯底上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，不會造成復(fù)合襯底的破裂，保證了單晶厚膜的尺寸。更進一步地，同實施例一，在生長結(jié)束后，將所述復(fù)合襯底200從單晶厚膜300上去除，例如可以用線鋸將復(fù)合襯底200從單晶厚膜300上剝離下來，剝離后的單晶厚膜300 經(jīng)過進一步研磨拋光等工藝后，該單晶厚膜就可以作為形成器件的單晶襯底。對于剝離后的復(fù)合襯底200，可以經(jīng)過研磨拋光等工藝后，進一步用作再次制備單晶厚膜的異質(zhì)襯底， 可以循環(huán)利用該復(fù)合襯底，節(jié)約制造成本。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披 露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合襯底，用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，其特征在于，包括異質(zhì)襯底以及異質(zhì)襯底上的緩沖層，其中，所述異質(zhì)襯底的厚度為0. 5至13毫米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述異質(zhì)襯底的厚度為3至8毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述異質(zhì)襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅或氧化鋅。
4.一種復(fù)合襯底，用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，其特征在于，包括第一基底、第一基底上的異質(zhì)襯底以及異質(zhì)襯底上的緩沖層，其中，所述第一基底與所述異質(zhì)襯底具有相同的熱膨脹系數(shù)，或者所述第一基底與所述異質(zhì)襯底的熱膨脹系數(shù)差異小于 60%，所述第一基底的厚度為0. 5至13毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述第一基底的厚度為3至8毫米。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述異質(zhì)襯底為藍(lán)寶石、碳化硅、單晶硅或氧化鋅。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的復(fù)合襯底，其特征在于，所述第一基底為多晶氮化鎵、多晶氮化鋁、氮化鋁陶瓷、藍(lán)寶石、單晶硅、碳化硅、氧化鋅或玻璃。
8.一種復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，包括提供異質(zhì)襯底，所述異質(zhì)襯底的厚度為0. 5至13毫米；在所述異質(zhì)襯底上形成緩沖層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成所述緩沖層的方法為M0CVD、 HVPE、PECVD 或濺射。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述異質(zhì)襯底的厚度為3至8毫米。
11.一種復(fù)合襯底的制造方法，其特征在于，包括提供異質(zhì)襯底，所述異質(zhì)襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；提供第一基底，并從所述異質(zhì)襯底的第一表面將第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合，其中，所述第一基底與所述異質(zhì)襯底具有相同的熱膨脹系數(shù)，或者所述第一基底與所述異質(zhì)襯底的熱膨脹系數(shù)差異小于60%，所述第一基底的厚度為0. 5至13毫米。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，在第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合之前或之后，還包括步驟在所述異質(zhì)襯底的第二表面上形成緩沖層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其特征在于，形成所述緩沖層的方法為M0CVD、 HVPE、PECVD 或濺射。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，將第一基底同異質(zhì)襯底復(fù)合的方法為耐高溫的粘結(jié)或晶片接合的方法。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造方法，其特征在于，所述第一基底的厚度為3至8毫米。
16.一種異質(zhì)外延制備單晶厚膜的方法，其特征在于，在如權(quán)利要求1-7中任一項所述的復(fù)合襯底的緩沖層上外延形成III族氮化物半導(dǎo)體的單晶厚膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，在形成單晶厚膜后，還包括步驟將所述復(fù)合襯底從單晶厚膜上去除，將去除后的復(fù)合襯底用于再次制備單晶厚膜的襯底。
全文摘要
本發(fā)明實施例公開了一種復(fù)合襯底，用于外延生長III族氮化物半導(dǎo)體單晶厚膜，其特征在于，包括異質(zhì)襯底以及異質(zhì)襯底上的緩沖層，其中，所述異質(zhì)襯底的厚度為0.5至13毫米。由于復(fù)合襯底具有大厚度，在其上生長單晶厚膜后，從生長溫度降至室溫時，復(fù)合襯底上所受的應(yīng)力小于其斷裂應(yīng)力，而單晶厚膜具有相當(dāng)?shù)幕蚋竦暮穸葧r，也不會造成復(fù)合襯底的破裂，進而也就不會造成單晶厚膜的破裂，從而保證了形成的單晶厚膜的尺寸，得到大尺寸的單晶厚膜。
文檔編號H01L21/02GK102304760SQ20111023162
公開日2012年1月4日 申請日期2011年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者劉良宏, 莊德津 申請人:青島鋁鎵光電半導(dǎo)體有限公司