專利名稱：具有防電磁干擾結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有防電磁干擾結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與其制造方法。
背景技術(shù)：
受到提升工藝速度及尺寸縮小化的需求半導(dǎo)體封裝件的構(gòu)造及工藝變得甚復(fù)雜。 當(dāng)工藝速度的提升及小尺寸的效益明顯增加時(shí)，半導(dǎo)體封裝件的特性也出現(xiàn)問題。特別是指，較高的工作頻率(clock speed)造成信號(hào)電平(signal level)之間更頻繁的轉(zhuǎn)態(tài) (transition)，因而導(dǎo)致在高頻或短波的情況下較高強(qiáng)度的電磁放射(electromagnetic emission) 0電磁放射可以從半導(dǎo)體封裝件及鄰近的半導(dǎo)體封裝件開始輻射。假如鄰近半導(dǎo)體封裝件的電磁放射的強(qiáng)度較高，此電磁放射負(fù)面地影響半導(dǎo)體組件的運(yùn)作，若整個(gè)電子系統(tǒng)內(nèi)具有高密度分布的半導(dǎo)體組件，則半導(dǎo)體組件之間的電磁干擾更顯嚴(yán)重。已知技術(shù)形成防電磁干擾層以減少電磁干擾的影響，然而此技術(shù)卻存有電性問題待解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有防電磁干擾結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基板單元、一半導(dǎo)體組件、一導(dǎo)電性接腳、一封裝體及一防電磁干擾膜?；鍐卧哂幸唤拥囟?、一上表面及一下表面。半導(dǎo)體組件設(shè)置于鄰近基板單元的上表面。導(dǎo)電性接腳設(shè)置于鄰近基板單元的上表面。封裝體包覆半導(dǎo)體組件且具有一第一封裝上表面、一第二封裝上表面及一第一封裝側(cè)面，其中第一封裝上表面實(shí)質(zhì)上平行于第二封裝上表面，且第一封裝側(cè)面連接該第一封裝上表面與該第二封裝上表面。防電磁干擾膜包括一上部及一側(cè)部，上部覆蓋第一封裝上表面，支部覆蓋第二封裝上表面，而側(cè)部覆蓋第一封裝側(cè)面。其中，導(dǎo)電性接腳連接基板單元的接地端與防電磁干擾膜的側(cè)部。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一基板，基板具有一接地端、一上表面及一下表面；設(shè)置一半導(dǎo)體組件于鄰近基板的上表面；設(shè)置一導(dǎo)電性腳架于鄰近基板的上表面，其中導(dǎo)電性腳架設(shè)于基板的接地端上； 形成一封裝材料，其中封裝材料包覆半導(dǎo)體組件；形成至少一第一切割狹縫，其中該至少一第一切割狹縫經(jīng)過封裝材料及導(dǎo)電性腳架，使導(dǎo)電性腳架形成一導(dǎo)電性接腳以及使封裝材料形成一封裝體，封裝體具有一第一封裝上表面、一第二封裝上表面及一第一封裝側(cè)面；形成一防電磁干擾材料，其中防電磁干擾材料覆蓋封裝體的第一封裝上表面、第二封裝上表面、第一封裝側(cè)面及導(dǎo)電性接腳；形成至少一第二切割狹縫，其中該至少一第二切割狹縫至少經(jīng)過基板，且至少一第二切割狹縫形成后，該防電磁干擾材料形成一防電磁干擾膜。為了對(duì)本發(fā)明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下


圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2繪示本發(fā)明另一實(shí)施方面的導(dǎo)電性接腳及基板單元的上視圖。圖3繪示本發(fā)明又一實(shí)施方面的導(dǎo)電性接腳及基板單元的上視圖。圖4繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖5繪示另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部放大圖。圖6繪示其它實(shí)施例的導(dǎo)電性接腳的剖視圖。圖7繪示圖1的導(dǎo)電性接腳及基板單元的上視圖。圖8繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9繪示圖8中局部9’的放大示意圖。圖IOA至IOG繪示圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。圖11繪示圖IOB的上視圖。圖12繪示圖IOB的導(dǎo)電性腳架的立體圖。圖13繪示另一實(shí)施方面的設(shè)于基板上的多個(gè)導(dǎo)電性腳架的上視圖。圖14繪示圖13的導(dǎo)電性腳架的立體圖。圖15繪示又一實(shí)施方面的設(shè)于基板上的導(dǎo)電性框體的上視圖。圖16繪示再一實(shí)施方面的設(shè)于基板上的導(dǎo)電性框體的上視圖。圖17繪示圖6的導(dǎo)電性框體的立體圖。圖18繪示其它實(shí)施方面的設(shè)于基板上的導(dǎo)電性框體的上視圖。圖19繪示圖18的導(dǎo)電性框體的立體圖。圖20繪示其它實(shí)施方面的導(dǎo)電性腳架的剖視視圖。圖2IA至2ID繪示圖8的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造示意圖。圖22繪示依照本發(fā)明其它實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。主要組件符號(hào)說明100、200、500、600、700、800 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)102、602、702 基板單元102a、302a 接地端102c 導(dǎo)通孔102d 線路層102e 上表面102f 下表面102s 基板側(cè)面104 半導(dǎo)體組件104a 主動(dòng)芯片104b 被動(dòng)組件106、206、306、406 導(dǎo)電性接腳106a、206al 端面106b 第一側(cè)
106c、306c、406c、606c 第二側(cè)108、508、608、708、808 封裝體108' ,508'封裝材料108a、508a 封裝上表面108al、608al 第一封裝上表面108a2 第二封裝上表面108sl、508sl、608sl、708sl 第一封裝側(cè)面108s2:第二封裝側(cè)面110、510、610、810 防電磁干擾膜110' ,510'防電磁干擾材料110a、510a、610a 上部110b、510b、610b 側(cè)部110c、610c:支部IlOs:外側(cè)面112:電性接點(diǎn)112a:接地接點(diǎn)114、214、314、414、614 第一部分116:第二部分116' ,216' ,316'、416，、616'連接部分118、618、718 側(cè)向凹陷部120 基板122、222、322、422、622 導(dǎo)電性腳架126 一部分128 接墊160 封裝件單元區(qū)170 基板單元區(qū)206a2 另一端面306d、622d 貫穿部324、424、724 導(dǎo)電性框體324a、424a、724a 邊框530 層壓材料530a 第一層結(jié)構(gòu)530al 組件容置部530b 第二層結(jié)構(gòu)602al 第一基板上表面602a2 第二基板上表面602sl 第一基板側(cè)面6(^s2:第二基板側(cè)面602sl、702sl 第一基板側(cè)面
602s2、702s2 第二基板側(cè)面808r:凹口808w 側(cè)壁C 連接處dl、d2、d3:距離Dl 方向Si:凹口空間S2、S3:空間T1、T3:第一切割狹縫Τ2 第二切割狹縫W1、W2:寬度
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參照?qǐng)D1，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100 包括基板單元102、至少一半導(dǎo)體組件104、至少一導(dǎo)電性接腳106、封裝體108及防電磁干擾膜110?；鍐卧?02例如是多層結(jié)構(gòu)基板，包括至少一導(dǎo)通孔102c、至少一線路層102d 及至少一接墊128，線路層102d透過導(dǎo)通孔102c電性連接。此外，基板單元不限于多層結(jié)構(gòu)基板，一實(shí)施方面中，基板單元102亦可以是有機(jī)(organic)基板、陶瓷(ceramic)基板或金屬板，其中金屬板例如是鋁板。基板單元102具有接地端10 及相對(duì)的上表面10 與下表面102f。基板單元 102的接地端10 例如是接墊，其材質(zhì)至少包括銅(Cu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100更包括至少一電性接點(diǎn)112。電性接點(diǎn)112例如是焊球(solder ball)，使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100成為一球柵陣列 (Ball Grid Array, BGA)結(jié)構(gòu)。此外，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100可省略圖1的電性接點(diǎn)112而露出該些接墊128，而成為一平面閘格陣列(Land Grid Array, LGA)結(jié)構(gòu)。電性接點(diǎn)112可作為外部端子，以與外部電路進(jìn)行電性連接。例如，于另一實(shí)施方面中，一無線通信系統(tǒng)(未繪示)包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100及承載件(未繪示)。該承載件承載半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100且與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的電性接點(diǎn)112電性連接。其中該承載件例如是電路板(PCB)或基板。半導(dǎo)體組件104設(shè)置于鄰近基板單元102的上表面10 并電性連接于基板單元 102。此外，半導(dǎo)體組件104包括主動(dòng)芯片10 及被動(dòng)組件104b，其中被動(dòng)組件104b例如是電阻、電容與電感中至少一者。導(dǎo)電性接腳106設(shè)置于鄰近基板單元102的上表面10 ，其中，導(dǎo)電性接腳106連接基板單元102的接地端10 與防電磁干擾膜110的側(cè)部110b。當(dāng)電磁放射產(chǎn)生時(shí)，電磁放射可經(jīng)由防電磁干擾膜Iio及導(dǎo)電性接腳106而釋放至基板單元102的接地端102a，以保護(hù)半導(dǎo)體組件104。導(dǎo)電性接腳106可透過接地端102a、導(dǎo)通孔102c、線路層102d及接墊128電性連接于該些電性接點(diǎn)112中的一接地接點(diǎn)112a。圖1中，封裝體108包覆半導(dǎo)體組件104并具有第一封裝上表面IOSal、第一封裝側(cè)面IOSsl及第二封裝上表面108a2，其中第二封裝上表面108a2實(shí)質(zhì)上平行于基板單元 102的上表面102e，且第二封裝上表面108a2在基板單元102的上表面10 具有一投影長(zhǎng)度dl，第一封裝上表面IOSal實(shí)質(zhì)上平行于第二封裝上表面108a2，且第一封裝側(cè)面108s 1連接第一封裝上表面IOSal與第二封裝上表面108a2。此外，封裝體108覆蓋導(dǎo)電性接腳 106的相對(duì)第一側(cè)106b與第二側(cè)106c。其中，導(dǎo)電性接腳106的第二側(cè)106c朝向基板單元102的側(cè)。然此非用以限制本發(fā)明，于其它實(shí)施例中，封裝體亦可僅覆蓋導(dǎo)電性接腳的單側(cè)(此將于后續(xù)說明)。防電磁干擾膜110包括上部110a、側(cè)部IlOb及支部110c，上部IlOa覆蓋封裝體 108的第一封裝上表面108al，側(cè)部IlOb覆蓋封裝體108的第一封裝側(cè)面108sl，而支部 IlOc覆蓋封裝體108的第二封裝上表面108a2。防電磁干擾膜110的支部IlOc與基板單元 102的下表面102f相距一安全距離，使得當(dāng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100設(shè)于一外部電路板(未繪示) 時(shí)，防電磁干擾膜110不致電性接觸到該外部電路板上的電路組件而導(dǎo)致短路。此外，防電磁干擾膜110的材料選自于鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳、不銹鋼及其組合所構(gòu)成的群組。此外，防電磁干擾膜110可以是單層或多層材料。例如，防電磁干擾膜110三層結(jié)構(gòu)，其內(nèi)層不銹鋼層、中間層銅層，而外層不銹鋼層；或者，防電磁干擾膜110雙層結(jié)構(gòu)，其內(nèi)層銅層，而其外層不銹鋼層。請(qǐng)參照?qǐng)D1中局部2’的放大示意圖。封裝體108的第二封裝側(cè)面108s2與第一封裝側(cè)面IOSsl沿基板單元102的水平方向相距一距離dl，以定義出封裝體108的側(cè)向凹陷部118。第一封裝側(cè)面IOSsl相對(duì)于第二封裝側(cè)面108s2往半導(dǎo)體組件的方向Dl陷入 (往內(nèi)陷入)。側(cè)向凹陷部118環(huán)繞封裝體108的第一封裝側(cè)面IOSsl。圖1中，基板單元102更具有基板側(cè)面102s，封裝體108更具有第二封裝側(cè)面 108s2?；鍌?cè)面102s、防電磁干擾膜110的外側(cè)面IlOs及第二封裝側(cè)面108s2實(shí)質(zhì)上齊平。其中，防電磁干擾膜110的外側(cè)面IlOs例如是支部IlOc的外側(cè)面。封裝體的所以具有第二封裝上表面108a2與第二封裝側(cè)面108s2，乃因?yàn)榘雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)具有一側(cè)向凹陷部，而此側(cè)向凹陷部可防止防電磁干擾膜與外部電路組件接觸而導(dǎo)致短路。此側(cè)向凹陷部可延伸至封裝體與基板單元中至少一者。導(dǎo)電性接腳106具有端面106a。端面106a接觸防電磁干擾膜110的側(cè)部110b。 相較于接觸薄的線路層(例如是以電鍍形成的線路層)，導(dǎo)電性接腳106的端面106a的面積較大，防電磁干擾膜110經(jīng)由與此較大面積的導(dǎo)電性接腳106的端面106a接觸，可以提升疏導(dǎo)電磁放射的質(zhì)量。此外，導(dǎo)電性接腳106的端面106a與封裝體108的第一封裝側(cè)面 IOSsl齊平，即端面106a與第一封裝側(cè)面IOSsl實(shí)質(zhì)上共面。導(dǎo)電性接腳106可以是一折彎件，其采用鈑金加工技術(shù)制成，鈑金加工技術(shù)例如沖壓工藝與折彎工藝中至少一者。例如，于沖壓工藝與折彎工藝后，導(dǎo)電性接腳106包括第一部分114及第二部分116。第一部分114連接于基板單元102的接地端10加。第二部分 116連接第一部分114與防電磁干擾膜110，因此第二部分116的端面上述導(dǎo)電性接腳106 的端面106a。其中，第一部分114與第二部分116的連接處C定義一轉(zhuǎn)折部。此外，導(dǎo)電性接腳的第一部分與第二部分之間夾一角度。例如，第一部分114與第二部分116實(shí)質(zhì)上垂直，即第一部分114與第二部分116之間實(shí)質(zhì)上夾90度；或者，第一部分114與第二部分 116之間的夾角鈍角或銳角。較佳但非限定地，導(dǎo)電性接腳106的第二部分116實(shí)質(zhì)上平行于基板單元102的上表面10 ，封裝體108形成后可抵壓第二部分116的上表面，使導(dǎo)電性接腳106更穩(wěn)固地設(shè)于基板單元102上。
導(dǎo)電性接腳106的材質(zhì)可以是任何導(dǎo)電材料，例如是金屬。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電性接腳106可以選自于銅、錫、鋅、不銹鋼、鋁及其組合所構(gòu)成的群組。由于導(dǎo)電性接腳106被封裝體108及防電磁干擾膜110完全包覆而受到完整的保護(hù)，故導(dǎo)電性接腳106即使是廉價(jià)或甚至是不具防腐性的導(dǎo)電材料，亦不致發(fā)生氧化問題。請(qǐng)參照?qǐng)D2，其繪示另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部放大圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600的基板單元602具有第一基板上表面60加1、第二基板上表面60加2、第一基板側(cè)面602sl及第二基板側(cè)面60&2，封裝體608具有第一封裝上表面608al及第一封裝側(cè)面608sl，而防電磁干擾膜610具有上部610a、側(cè)部610b及支部610c，其中上部610a覆蓋封裝體608的第一封裝上表面608al，側(cè)部610b覆蓋封裝體608的第一封裝側(cè)面608s 1與基板單元602的第一基板側(cè)面60 1，而支部610c覆蓋基板單元602的第二基板上表面60加2。第一基板側(cè)面602sl及封裝體608的第一封裝側(cè)面608sl沿基板單元602的水平方向與第二基板側(cè)面602s2相距一距離d2，亦即第二基板上表面602a2具有一投影長(zhǎng)度 d2，以定義出側(cè)向凹陷部618。第一基板側(cè)面60kl相對(duì)于第二基板側(cè)面602s2往半導(dǎo)體組件的方向Dl陷入。此外，第一基板側(cè)面602sl與封裝體608的第一封裝側(cè)面608sl實(shí)質(zhì)上齊平，即共面。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)700的基板單元702具有第一基板側(cè)面702sl與第二基板側(cè)面70&2，封裝體708具有第一封裝側(cè)面708sl，其中第一封裝側(cè)面708sl與第一基板側(cè)面702sl實(shí)質(zhì)上齊平，且封裝體708的第一封裝側(cè)面708sl沿基板單元702的水平方向與第二基板側(cè)面702s2相距一距離d3，以定義出側(cè)向凹陷部718?；鍐卧?02的第二基板側(cè)面702s2相對(duì)于封裝體708的第一封裝側(cè)面708sl往半導(dǎo)體組件的方向Dl陷入。如此亦可防止防電磁干擾膜與外部電路組件接觸而導(dǎo)致短路。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其繪示其它實(shí)施例的導(dǎo)電性接腳的剖視圖，導(dǎo)電性接腳亦可不具折彎部而為平板或?yàn)橹睏U。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的導(dǎo)電性接腳206傾斜地設(shè)于基板單元102上。導(dǎo)電性接腳206的端面206al接觸于防電磁干擾膜110，導(dǎo)電性接腳206的另一端面206a2電性接觸于基板單元102的接地端10加。請(qǐng)參照?qǐng)D5，其繪示圖1的導(dǎo)電性接腳及基板單元的上視圖，此實(shí)施例中的導(dǎo)電性接腳數(shù)量可以是單個(gè)或數(shù)個(gè)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括數(shù)根導(dǎo)電性接腳106，每個(gè)導(dǎo)電性接腳 106電性接觸單個(gè)接地端10加。請(qǐng)參照?qǐng)D6，其繪示本發(fā)明另一實(shí)施方面的導(dǎo)電性接腳及基板單元的上視圖，接地端30 長(zhǎng)條形接地端，導(dǎo)電性接腳306電性接觸接地端30加。圖6中，導(dǎo)電性接腳306具有至少一貫穿部306d，在封裝體108的形成步驟(后續(xù)將說明)中，呈流動(dòng)態(tài)的封裝材料可經(jīng)由導(dǎo)電性接腳306的貫穿部306d而覆蓋導(dǎo)電性接腳 306的第二側(cè)306c。于一實(shí)施方面中，導(dǎo)電性接腳306的貫穿部306d的數(shù)量亦可為單個(gè)， 并不受如圖7所示的數(shù)個(gè)貫穿部306d所限制。于另一實(shí)施方面中，導(dǎo)電性接腳的貫穿部的外形可以是任意外形，并不受如圖7所示的矩形所限制。請(qǐng)參照?qǐng)D7，其繪示本發(fā)明又一實(shí)施方面的導(dǎo)電性接腳及基板單元的上視圖，導(dǎo)電性接腳406不具貫穿部。在此情況下，于封裝體108的形成步驟中，呈流動(dòng)態(tài)的封裝材料進(jìn)入導(dǎo)電性接腳406的第二側(cè)406c的通道不存在或減少，因此完全無法覆蓋導(dǎo)電性接腳406的第二側(cè)406c或僅覆蓋導(dǎo)電性接腳406的第二側(cè)406c的一部分。請(qǐng)參照?qǐng)D8，繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖9繪示圖8中局部 9’的放大示意圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500包括基板單元102、至少一半導(dǎo)體組件104、至少一導(dǎo)電性接腳106、封裝體508及防電磁干擾膜510。其中半導(dǎo)體組件例如是主動(dòng)芯片。圖8中，封裝體508覆蓋導(dǎo)電性接腳106的第一側(cè)106b，導(dǎo)電性接腳106的第二側(cè) 106c與基板單元102定義一凹口空間Si，封裝體508完全未填入凹口空間Sl或僅覆蓋導(dǎo)電性接腳106的第一側(cè)106b的一部分。圖8中，封裝體508可以選用較不具流動(dòng)性的封裝材料，例如是層壓封裝體 (laminated package body)。在形成封裝體508的步驟(后續(xù)說明)中，由于層壓材料 (laminated material)較不具流動(dòng)性，故完全未覆蓋導(dǎo)電性接腳106的第二側(cè)106c或僅覆蓋導(dǎo)電性接腳106的第一側(cè)106b的一部分。此外，封裝體508未填滿主動(dòng)芯片10 與基板單元102的上表面10 之間的空間S2。防電磁干擾膜510包括上部510a及側(cè)部510b。封裝體508具有封裝上表面508a 及第一封裝側(cè)面508sl。防電磁干擾膜510的上部5IOa覆蓋封裝體508的封裝上表面508a， 而側(cè)部510b覆蓋封裝體508的第一封裝側(cè)面508s 1及導(dǎo)電性接腳106的第二側(cè)106c及導(dǎo)電性接腳106的端面106a。請(qǐng)參照?qǐng)DIOA至10G，其繪示圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造示意圖。如圖IOA所示，提供一基板120，其中基板120具有至少一接地端10 及相對(duì)的上表面10 與下表面102f?；?20定義至少一封裝件單元區(qū)160及至少一基板單元區(qū) 170，每個(gè)基板單元區(qū)170內(nèi)包含至少一封裝件單元區(qū)160。上述接地端10 鄰近封裝件單元區(qū)160的邊緣配置。然后，鄰近基板120的上表面10 設(shè)置至少一半導(dǎo)體組件104， 例如是主動(dòng)芯片10 以及被動(dòng)組件104b。設(shè)置被動(dòng)組件104b可應(yīng)用例如是表面黏著技術(shù)(SMT)完成。于一實(shí)施方面中，設(shè)置主動(dòng)芯片10 及設(shè)置被動(dòng)組件104b亦可分別于不同設(shè)置工藝完成。如圖IOB所示，鄰近基板120的上表面10 設(shè)置至少一導(dǎo)電性腳架122。其中， 導(dǎo)電性腳架122設(shè)于基板120的接地端10 上，例如，導(dǎo)電性腳架122跨接于多個(gè)接地端 102a。于一實(shí)施方面中，設(shè)置導(dǎo)電性腳架122的步驟，可與設(shè)置半導(dǎo)體組件104的步驟整合。 例如，在設(shè)置被動(dòng)組件104b的步驟中，一并完成導(dǎo)電性腳架122的設(shè)置。如圖IOC所示，形成一封裝材料，其中封裝材料包覆半導(dǎo)體組件。例如，以壓縮成型(compression molding)、注身寸成型(injection molding)或轉(zhuǎn)注成型(transfer molding)技術(shù)，形成封裝材料108’包覆半導(dǎo)體組件104。此外，封裝材料108’更包覆整個(gè)導(dǎo)電性腳架122，例如是覆蓋導(dǎo)電性腳架122的第一側(cè)106b及第二側(cè)106c。封裝材料108’的材質(zhì)可包括酚醛基樹脂(Novolac-based resin)、環(huán)氧基樹脂 (epoxy-based resin)、娃基樹月旨(silicone-based resin)或其它適當(dāng)?shù)陌昌RLU封裝材料108’亦可包括適當(dāng)?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀的二氧化硅。在一?shí)施例中，封裝材料108’為封膠(molding compound)。如圖10D所示，形成至少一第一切割狹縫Tl。例如，以刀具或激光，往封裝材料 108’(封裝材料108’繪示于圖10C)的方向切割，于封裝材料108’及導(dǎo)電性腳架122形成第一切割狹縫Tl。其中，第一切割狹縫Tl經(jīng)過封裝材料108’及導(dǎo)電性腳架122，使導(dǎo)電性
10腳架122形成至少一導(dǎo)電性接腳106以及使封裝材料108’形成至少一封裝體108。封裝體 108具有封裝上表面108a及第一封裝側(cè)面IOSsl。于一實(shí)施方面中，第一切割狹縫Tl更經(jīng)過基板120的一部分，以形成圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)600。第一切割狹縫Tl形成后，導(dǎo)電性腳架122保留在基板120的余留部(remainder) 成為導(dǎo)電性接腳106。此外，第一切割狹縫Tl形成后，導(dǎo)電性接腳106形成端面106a。其中，第一封裝側(cè)面IOSsl與導(dǎo)電性接腳106的端面106a齊平。第一切割狹縫經(jīng)過導(dǎo)電性腳架的第一部分與連接部分中至少一者，以形成導(dǎo)電性接腳。于圖IOE中，形成至少一防電磁干擾材料110’。其中，防電磁干擾材料110’覆蓋封裝體108的封裝上表面108a及第一封裝側(cè)面IOSsl及導(dǎo)電性接腳106的端面106a。防電磁干擾材料110’可應(yīng)用例如是化學(xué)蒸鍍(Chemical Vapor Deposition, CVD)、無電鍍(electroless plating)、電鍍、印刷(printing)、噴布(spraying)、Si 鍍 (sputtering)或真空沉積(vacuum deposition)等技術(shù)制成，故其厚度甚薄，可縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的尺寸。于圖10F中，形成至少一電性接點(diǎn)112于基板120的下表面102f上。其中，電性接點(diǎn)112形成于對(duì)應(yīng)的接墊128上。于圖10G中，以例如是刀具或激光，往基板120的方向切割，于基板120及封裝材料108’形成第二切割狹縫T2。其中，第二切割狹縫T2至少經(jīng)過基板120并延伸至第一切割狹縫Tl，在本實(shí)施例中，第二切割狹縫T2經(jīng)過基板120的至少一部分，例如是經(jīng)過基板 120的整個(gè)厚度。第二切割狹縫T2形成后，防電磁干擾材料110’形成至少一防電磁干擾膜 110，且基板120形成至少一如圖1所示的基板單元102。此外，本實(shí)施例的第二切割狹縫 T2更經(jīng)過封裝材料108’的一部分126，其中，封裝材料108’的一部分1 封裝材料108’ 中覆蓋導(dǎo)電性腳架122的第二側(cè)106c的部分。第二切割狹縫T2形成后，形成至少一如圖 1所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。由于第一切割狹縫Tl及第二切割狹縫T2寬度不同的緣故，故可于形成側(cè)向凹陷部(如側(cè)向凹陷部118、618及718)。如圖10G所示，第一切割狹縫Tl的寬度Wl大于第二切割狹縫T2的寬度W2。然而此并未用以限制本發(fā)明，亦可如另一實(shí)施例所示，第二切割狹縫T2的寬度W2大于第一切割狹縫Tl的寬度W1，且第一切割狹縫Tl經(jīng)過基板120的一部分，以形成圖3的結(jié)構(gòu)。于其它實(shí)施例中，第二切割狹縫T2的寬度W2實(shí)質(zhì)上等于第一切割狹縫Tl的寬度Wl。請(qǐng)參照?qǐng)D11，繪示圖10B的上視圖。由于導(dǎo)電性腳架122跨接于相鄰二接地端 102a，且相鄰二導(dǎo)電性腳架122之間具有空間S3，于后續(xù)(圖10C)封裝材料的形成中，封裝材料108’的一部分1 可經(jīng)由空間S3進(jìn)入而覆蓋導(dǎo)電性腳架122的第二側(cè)106c。請(qǐng)參照?qǐng)D12，繪示圖10B的導(dǎo)電性腳架一實(shí)施例的立體圖。導(dǎo)電性腳架122包括二第一部分114及連接部分116’，連接部分116’連接二第一部分114，二第一部分114分別連接于相鄰二接地端102a(繪示于圖11)。其中，第一部分114與連接部分116’的連接處C定義轉(zhuǎn)折部。當(dāng)?shù)谝磺懈瞠M縫Tl經(jīng)過連接部分116’，連接部分116’形成如圖1所示的第二部分116。亦即，相連接的第一部分114與第二部分116形成導(dǎo)電性接腳106。圖12中，導(dǎo)電性腳架122具有相對(duì)的第一側(cè)106b與第二側(cè)106c，導(dǎo)電性腳架122 的第二側(cè)106c面向基板120。其中，第一側(cè)106b導(dǎo)電性腳架122的外側(cè)面，第二側(cè)106c導(dǎo)電性腳架122的內(nèi)側(cè)面。較佳但非限定地，第一部分114與連接部分116’實(shí)質(zhì)上垂直；或者，第一部分114與連接部分116’之間的夾角鈍角或銳角。請(qǐng)參照?qǐng)D13，繪示另一實(shí)施方面中設(shè)于基板上的多個(gè)導(dǎo)電性腳架的上視圖。導(dǎo)電性腳架622同時(shí)電性接觸多個(gè)接地端10加。請(qǐng)參照?qǐng)D14，繪示圖13的導(dǎo)電性腳架的立體圖。每個(gè)導(dǎo)電性腳架622包括數(shù)個(gè)第一部分614及連接部分616’，連接部分616’連接該些第一部分614，第一部分614設(shè)于對(duì)應(yīng)的接地端10 (繪示于圖13)上。由于每個(gè)導(dǎo)電性腳架622包括數(shù)個(gè)第一部分614，故于一次設(shè)置導(dǎo)電性腳架622后，導(dǎo)電性腳架622可電性接觸數(shù)個(gè)接地端102a，例如是電性接觸位于相鄰二封裝件單元區(qū)160之間的至少一些接地端10 或位于封裝件單元區(qū)160的一側(cè)的全部接地端10加。導(dǎo)電性腳架622具有至少一貫穿部622d，于后續(xù)形成封裝材料的步驟中，封裝材料可經(jīng)由貫穿部622d而覆蓋導(dǎo)電性腳架622的第二側(cè)606c。請(qǐng)參照?qǐng)D15，其繪示又一實(shí)施方面的設(shè)于基板上的導(dǎo)電性框體的上視圖。導(dǎo)電性框體7M包括邊框72 及導(dǎo)電性腳架622，邊框72 連接該些導(dǎo)電性腳架622。本實(shí)施方面中，透過鄰近基板120的上表面10 設(shè)置導(dǎo)電性框體724，使導(dǎo)電性框體7M的導(dǎo)電性腳架622設(shè)于數(shù)個(gè)接地端10 上，例如是設(shè)于整個(gè)基板單元區(qū)170的至少一些接地端10 上?？墒褂脝我话寮?未繪示)，經(jīng)由沖壓工藝與折彎工藝中至少一者，形成導(dǎo)電性框體724 一體成形的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D16，繪示再一實(shí)施方面中設(shè)于基板上的導(dǎo)電性框體的上視圖，圖17繪示圖16的導(dǎo)電性框體的立體圖。如圖16所示，導(dǎo)電性框體3M包括邊框32 及多個(gè)導(dǎo)電性腳架322，邊框32 連接該些導(dǎo)電性腳架322。如圖17所示，導(dǎo)電性腳架322包括二第一部分314及連接部分316’，連接部分 316’連接該些第一部分314，第一部分314連接于數(shù)個(gè)接地端30 (繪示于圖16)。導(dǎo)電性框體3M經(jīng)由后續(xù)切割步驟后，即形成圖6的導(dǎo)電性接腳306。導(dǎo)電性腳架322具有至少一貫穿部306d，于后續(xù)形成封裝材料的步驟中，封裝材料可經(jīng)由貫穿部306d而覆蓋導(dǎo)電性腳架322的第二側(cè)306c。請(qǐng)參照?qǐng)D18，繪示其它實(shí)施方面中設(shè)于基板上的導(dǎo)電性框體的上視圖，圖19繪示圖18的導(dǎo)電性框體的立體圖。如圖18所示，導(dǎo)電性框體似4包括邊框42 及多個(gè)導(dǎo)電性腳架422，邊框42 連接該些導(dǎo)電性腳架422。如圖19所示，導(dǎo)電性腳架422包括二第一部分414及連接部分416’，連接部分 416’連接該些第一部分414，第一部分414連接于接地端30 (繪示于圖18)。導(dǎo)電性框體似4經(jīng)由后續(xù)切割步驟后，即形成圖7所示的導(dǎo)電性接腳406。由于本實(shí)施例的連接部分416’不具貫穿部，因此后續(xù)封裝材料的步驟中，封裝材料不會(huì)進(jìn)入二第一部分414之間的空間而覆蓋導(dǎo)電性腳架422的第二側(cè)406c。請(qǐng)參照?qǐng)D20，其繪示其它實(shí)施方面的導(dǎo)電性腳架的剖視圖。導(dǎo)電性腳架222包括二第一部分214及連接部分216’。該些第一部分214分別設(shè)于二接地端10 上，連接部分216’連接該些第一部分214。于設(shè)置導(dǎo)電性腳架的步驟中，第一部分214傾斜地設(shè)于基板120上，使導(dǎo)電性腳架222經(jīng)由后續(xù)切割步驟，形成如圖4所示的傾斜設(shè)置的導(dǎo)電性接腳 206。亦即，第一切割狹縫Tl經(jīng)過導(dǎo)電性腳架222的連接部分216’及部分的第一部分214，而第一部分214的余留部分形成導(dǎo)電性接腳206。綜合上述，本發(fā)明的導(dǎo)電性腳架具有多種構(gòu)造，因此可與基板的接地端形成多種配置型態(tài)。例如，單個(gè)導(dǎo)電性腳架配置于單個(gè)接地端；或者，單個(gè)導(dǎo)電性腳架配置于多個(gè)接地端；或者，單個(gè)導(dǎo)電性框體配置于至少一個(gè)接地端；或者，多個(gè)導(dǎo)電性框體配置于至少一個(gè)接地端。請(qǐng)參照?qǐng)D21A至21D，其繪示圖8的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500的制造示意圖。如圖21A所示，于形成封裝材料的步驟中包括設(shè)置至少一層壓材料(laminated material) 530覆蓋半導(dǎo)體組件104，例如是主動(dòng)芯片。層壓材料530的材質(zhì)包括樹脂與纖維樹脂O^r印reg)。層壓材料530多層結(jié)構(gòu)，其包括第一層結(jié)構(gòu)530a及第二層結(jié)構(gòu)530b。第一層結(jié)構(gòu) 530a具有至少一組件容置部530al。當(dāng)?shù)谝粚咏Y(jié)構(gòu)530a放置于基板120上后，半導(dǎo)體組件 104位于組件容置部530al內(nèi)；然后，放置第二層結(jié)構(gòu)530b覆蓋半導(dǎo)體組件104。此外，當(dāng)層壓材料530為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，第一層結(jié)構(gòu)530a與第二層結(jié)構(gòu)530b結(jié)合成一體的結(jié)構(gòu)，在此情況下，組件容置部530al成為層壓材料530的凹槽。如圖21B所示，以例如是加熱與加壓方式中至少一者，硬化層壓材料530，以形成封裝材料508’。形成封裝材料508’后，封裝材料508’覆蓋導(dǎo)電性腳架122的第一側(cè)106b， 例如是覆蓋導(dǎo)電性腳架122的整個(gè)第一側(cè)106b。由于層壓材料較不具流動(dòng)性，故未完全覆蓋導(dǎo)電性接腳106的第二側(cè)106c或僅覆蓋導(dǎo)電性接腳106的第二側(cè)106c的一部分，如此導(dǎo)電性腳架122的第二側(cè)106c與基板120定義出凹口空間Si。此外，由于層壓材料530較不具流動(dòng)性，封裝材料508’未填滿半導(dǎo)體組件104與基板120的上表面10 之間的空間 S2。如圖21C所示，形成至少一第一切割狹縫T3經(jīng)過圖21B所示的封裝材料508’及導(dǎo)電性腳架122并延伸至凹口空間Si。其中，導(dǎo)電性腳架122形成至少一導(dǎo)電性接腳106 以及封裝材料508’形成至少一封裝體508。封裝體508具有封裝上表面508a及第一封裝側(cè)面508sl。第一切割狹縫T3形成后，導(dǎo)電性接腳106形成端面106a。此外，于一實(shí)施方面中，第一切割狹縫T3更經(jīng)過基板120的一部分，以形成基板單元，其相似于圖2的基板單元602，容此不再贅述。如圖21D所示，形成防電磁干擾材料510’覆蓋封裝體508的封裝上表面508a、第一封裝側(cè)面508sl、導(dǎo)電性接腳106的端面106a及第二側(cè)106c。其中，防電磁干擾材料510， 于每個(gè)封裝體508上形成防電磁干擾膜510。然后，往圖21D的基板120的方向，形成第二切割狹縫經(jīng)過基板120并延伸至凹口空間Si?；?20形成至少一如圖8所示的基板單元 102。請(qǐng)參照?qǐng)D22，其繪示依照本發(fā)明其它實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖視圖。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 800的封裝體808具有至少一凹口 808r及對(duì)應(yīng)的凹口側(cè)壁808w。防電磁干擾膜810覆蓋凹口側(cè)壁808w。此外，凹口可位于封裝體的任意位置。例如，如圖22所示，凹口 808r同時(shí)延伸至封裝上表面108a及第一封裝側(cè)面108sl，使得凹口 808r位于封裝體808的至少一側(cè)或至少一角；或者，凹口 808r亦可呈環(huán)繞狀，其鄰近封裝體808的整個(gè)周邊形成；或者， 凹口 808r亦可延伸至封裝上表面108a但不延伸至第一封裝側(cè)面108sl，使凹口 808r形同一凹槽。此外，封裝體的凹口側(cè)壁可沿水平、垂直與傾斜方位中至少一者延伸。例如，圖22中，凹口側(cè)壁808W沿水平及垂直方位延伸。圖22中，可于第一切割狹縫Tl (如圖IOD所示)形成后，以激光或刀具切割出凹口 808r，同時(shí)形成對(duì)應(yīng)的凹口側(cè)壁808w。如此，后續(xù)形成的防電磁干擾材料110，(如圖IOE 所示)可更覆蓋凹口側(cè)壁808w。此外，本實(shí)施例并不限制第一切割狹縫Tl及凹口 808r的形成順序。一實(shí)施方面中，切割狹縫與封裝體的凹口可于同一切割工藝中形成。例如，以圖 22的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800為例說明，于第一切割狹縫Tl形成步驟(如圖IOD所示)中，激光或刀具同時(shí)切割出凹口 808r。以刀具切割來說，同一刀具可具有對(duì)應(yīng)凹口 808r及第一切割狹縫Tl的外形，使得以該刀具切割封裝體后，同時(shí)形成凹口 808r及第一切割狹縫Tl。如圖22所示，由于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)800的封裝體808具有至少一凹口 808r及對(duì)應(yīng)的凹口側(cè)壁808w，當(dāng)將本法明所揭露的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)應(yīng)用于一無線通信系統(tǒng)時(shí)，可以避免半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與無線通信系統(tǒng)的電子組件、螺柱、螺絲等鄰近部件干涉。此外，透過于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中設(shè)計(jì)至少一凹口，可降低無線通信系統(tǒng)的設(shè)計(jì)復(fù)雜度，避免大幅更動(dòng)螺柱或螺絲的位置等。 此一設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的封裝體定義一凹口 808r，可避開半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)周遭的干涉物。封裝體并具有對(duì)應(yīng)于凹口 808r的一凹口側(cè)壁808w，因此防電磁干擾膜可同時(shí)覆蓋凹口壁面。綜上所述，雖然本發(fā)明已以至少一實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板單元，具有一接地端、一上表面及一下表面； 一半導(dǎo)體組件，設(shè)置于鄰近該基板單元的該上表面； 一導(dǎo)電性接腳，設(shè)置于鄰近該基板單元的該上表面；一封裝體，包覆該半導(dǎo)體組件且具有一第一封裝上表面、一第二封裝上表面及一第一封裝側(cè)面，該第一封裝上表面實(shí)質(zhì)上平行于該第二封裝上表面，且該第一封裝側(cè)面連接該第一封裝上表面與該第二封裝上表面；以及一防電磁干擾膜，包括一上部、一側(cè)部及一支部，該上部覆蓋該第一封裝上表面，該側(cè)部覆蓋該第一封裝側(cè)面，而該支部覆蓋該第二封裝上表面；其中，該導(dǎo)電性接腳連接該基板單元的該接地端與該防電磁干擾膜的該側(cè)部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電性接腳具有相對(duì)的一第一側(cè)與一第二側(cè)，該第二側(cè)朝向該基板單元，該封裝體覆蓋該第一側(cè)與該第二側(cè)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電性接腳具有相對(duì)的一第一側(cè)與一第二側(cè)，該封裝體覆蓋該導(dǎo)電性接腳的該第一側(cè)，該導(dǎo)電性接腳的該第二側(cè)與該基板單元定義一凹口空間。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電性接腳包括 一第一部分，該第一部分連接于該接地端；以及一第二部分，連接該第一部分與該防電磁干擾膜的該側(cè)部； 其中，該第一部分與該第二部分的連接處定義一轉(zhuǎn)折部。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電性接腳具有一端面，該導(dǎo)電性接腳的該端面與該封裝體的該第一封裝側(cè)面實(shí)質(zhì)上齊平。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該基板單元更具有一基板側(cè)面，該封裝體更具有一第二封裝側(cè)面，該防電磁干擾膜更具有一外側(cè)面，該基板側(cè)面、該第二封裝側(cè)面與該防電磁干擾膜的該外側(cè)面實(shí)質(zhì)上齊平。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該封裝體的該第一封裝上表面更具有至少一凹口。
8.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板，該基板具有一接地端、一上表面及一下表面； 設(shè)置一半導(dǎo)體組件于鄰近該基板的該上表面；設(shè)置一導(dǎo)電性腳架于鄰近該基板的該上表面，其中該導(dǎo)電性腳架設(shè)于該基板的該接地端上；形成一封裝材料，其中該封裝材料包覆該半導(dǎo)體組件；形成至少一第一切割狹縫，其中該至少一第一切割狹縫至少經(jīng)過該封裝材料及該導(dǎo)電性腳架，使該導(dǎo)電性腳架形成一導(dǎo)電性接腳以及使該封裝材料形成一封裝體，該封裝體具有一第一封裝上表面、一第二封裝上表面及一第一封裝側(cè)面，該第一封裝上表面實(shí)質(zhì)上平行于該第二封裝上表面，且該第一封裝側(cè)面連接該第一封裝上表面與該第二封裝上表面；形成一防電磁干擾材料，其中該防電磁干擾材料覆蓋該封裝體的該第一封裝上表面、 該第二封裝上表面、第一封裝側(cè)面及該導(dǎo)電性接腳；以及形成至少一第二切割狹縫，其中該至少一第二切割狹縫至少經(jīng)過該基板。
9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于鄰近該基板的該上表面設(shè)置該導(dǎo)電性腳架的該步驟中，該導(dǎo)電性腳架包括二第一部分，設(shè)于該接地端上；以及一連接部分，連接該二第一部分；其中，各該第一部分與該連接部分的連接處定義一轉(zhuǎn)折部。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其中于形成該至少一第一切割狹縫的該步驟中，該至少一第一切割狹縫經(jīng)過該連接部分，使該連接部分形成二第二部分，其中相連接的該第一部分與該第二部分形成該導(dǎo)電性接腳。
11.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于鄰近該基板的該上表面設(shè)置該導(dǎo)電性腳架的該步驟中，該導(dǎo)電性腳架具有一第二側(cè)，該第二側(cè)面向該基板；于形成該封裝材料的該步驟中，該封裝材料的一部分覆蓋該導(dǎo)電性腳架的該第二側(cè)；于形成該至少一第二切割狹縫的該步驟中，該至少一第二切割狹縫更經(jīng)過該封裝材料的該部分。
12.如權(quán)利要求11所述的制造方法，其中該導(dǎo)電性腳架具有至少一貫穿部；于形成該封裝材料的該步驟中，該封裝材料經(jīng)由該至少一貫穿部而覆蓋該導(dǎo)電性腳架的該第二側(cè)。
13.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于鄰近該基板的該上表面設(shè)置該導(dǎo)電性腳架的該步驟中，該導(dǎo)電性腳架具有相對(duì)的一第一側(cè)與一第二側(cè)；于形成該封裝材料的該步驟中，該封裝材料覆蓋導(dǎo)電性腳架的該第一側(cè)，該導(dǎo)電性腳架的該第二側(cè)與該基板定義一凹口空間。
14.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于鄰近該基板的該上表面設(shè)置該導(dǎo)電性腳架的該步驟中更包括鄰近該基板的該上表面設(shè)置一導(dǎo)電性框體，其中該導(dǎo)電性框體包括一邊框及該導(dǎo)電性腳架，該邊框連接該導(dǎo)電性腳架；其中，透過鄰近該基板的該上表面設(shè)置該導(dǎo)電性框體，使該導(dǎo)電性框體的該導(dǎo)電性腳架設(shè)于該接地端。
15.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于形成該封裝材料的該步驟中更包括設(shè)置一層壓材料覆蓋該半導(dǎo)體組件；以及硬化該層壓材料，以形成該封裝材料。
16.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其中于形成該至少一第一切割狹縫的該步驟中更包括于該封裝體的該第一封裝上表面形成至少一凹口。
全文摘要
半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基板單元、半導(dǎo)體組件、導(dǎo)電性接腳、封裝體及防電磁干擾膜?；鍐卧哂薪拥囟?、上表面及下表面。半導(dǎo)體組件及導(dǎo)電性接腳設(shè)置于鄰近基板單元的上表面，封裝體包覆半導(dǎo)體組件且具有第一封裝上表面、第二封裝上表面及封裝側(cè)面，第一封裝上表面實(shí)質(zhì)上平行于第二封裝上表面，且封裝側(cè)面連接第一封裝上表面與第二封裝上表面。防電磁干擾膜包括上部、側(cè)部及支部，上部覆蓋封裝體的第一封裝上表面，支部覆蓋封裝體的第二封裝上表面，而側(cè)部覆蓋封裝體的封裝側(cè)面。導(dǎo)電性接腳連接基板單元的接地端與防電磁干擾膜的側(cè)部。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102254901SQ20111022131
公開日2011年11月23日 申請(qǐng)日期2011年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者史馥毓, 廖國(guó)憲, 陳子康, 陳建成 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司