專利名稱：電荷再生結(jié)構(gòu)、其制備方法及應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種電荷再生結(jié)構(gòu)、其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)：
目前，為了提高發(fā)光亮度和發(fā)光效率，疊層有機(jī)電致發(fā)光器件越來(lái)越受到重視，這種結(jié)構(gòu)通常是用電荷再生結(jié)構(gòu)作為連接層把數(shù)個(gè)發(fā)光單元串聯(lián)起來(lái)。與單元器什相比，疊層結(jié)構(gòu)器件往往具有成倍的電流效率和發(fā)光亮度，疊層OLED的初始亮度比較大，在相同的電流密度下測(cè)量時(shí)，換算成單元器件的初始亮度，堆積器件會(huì)有較長(zhǎng)的壽命，而這種疊層器件也可以很容易的將不同顏色的發(fā)光單元串聯(lián)混合成白光，從而實(shí)現(xiàn)白光的發(fā)射。疊層器件的電荷再生結(jié)構(gòu)必須具有電子再生能力和空穴再生能力，且具有比較好的注入能力，才能有效的將電子和空穴注入到各個(gè)發(fā)光單元，從而實(shí)現(xiàn)器件的白光發(fā)射。目前的做法是兩種具有空穴注入或電子注入的材料分別作為電荷生成層(如Cs:BCP/V205)， 或者是η型和P型摻雜層分別作為電荷再生結(jié)構(gòu)(如η型(Alq3 = Li)和ρ型(NPB = FeCl3)),形成復(fù)合的電荷再生結(jié)構(gòu)(至少兩層以上)，但是這種電荷再生結(jié)構(gòu)至少需要進(jìn)行兩次以上的工序，給制備帶來(lái)一定的復(fù)雜性，同時(shí)，兩層的電荷再生結(jié)構(gòu)之間存在一定的界面缺陷(如層與層之間的接觸電阻的變化)，而需要較高的啟動(dòng)電壓。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電荷再生結(jié)構(gòu)，解決現(xiàn)有技術(shù)中電荷再生結(jié)構(gòu)存在界面缺陷導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件啟動(dòng)電壓高的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，—種電荷再生結(jié)構(gòu)，包括P型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料，以及η型半導(dǎo)體材料，該P(yáng)型化合物的homo能級(jí)大于5. O,重量百分含量為10-40% ;該η型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50%,該具有電子傳輸能力的有機(jī)材料的重量百分含量為10-60%。本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步提供上述電荷再生結(jié)構(gòu)制備方法，包括如下步驟將ρ型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料，以及η型半導(dǎo)體材料混合，得到混合物，該P(yáng)型化合物的homo能級(jí)大于5. O,重量百分含量為10-40% ;該η型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50% ;該具有電子傳輸能力的有機(jī)材料的重量百分含量為10-60% ；將該混合物進(jìn)行蒸鍍、濺射或旋涂，形成電荷再生結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例還提供上述電荷再生結(jié)構(gòu)在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。本發(fā)明實(shí)施例電荷再生結(jié)構(gòu)通過(guò)由η型半導(dǎo)體材料、P型半導(dǎo)體材料及具有電子傳輸能力的有機(jī)材料共同形成單層結(jié)構(gòu)，避免了電荷再生結(jié)構(gòu)的內(nèi)部存在界面缺陷，降低電荷再生結(jié)構(gòu)的電阻，降低有機(jī)電致發(fā)光器件的啟動(dòng)電壓；本發(fā)明實(shí)施例制備方法，操作簡(jiǎn)單，成本低廉，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例和對(duì)比例的有機(jī)電致發(fā)光器件電流密度和電壓關(guān)系對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例提供一種電荷再生結(jié)構(gòu)，包括ρ型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料，以及的η型半導(dǎo)體材料，該ρ型化合物的homo能級(jí)大于5. 0，重量百分含量為10-40% ;該η型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50%，該具有電子傳輸能力的有機(jī)材料的重量百分含量為10-60%。具體地，該電荷再生結(jié)構(gòu)包括P型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料及η型半導(dǎo)體材料，該P(yáng)型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料及η型半導(dǎo)體材料相摻雜，均勻混合；通過(guò)將P型化合物和η型化合物(即鋰鹽或/和銫鹽)混合，形成單獨(dú)的一層電荷再生 結(jié)構(gòu)，使得電荷再生結(jié)構(gòu)的電阻大大減少，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光器件啟動(dòng)電壓的顯著降低。具體地,該P(yáng)型化合物是指P型半導(dǎo)體材料，而且該P(yáng)型半導(dǎo)體材料的homo能級(jí)大于5. O (即homo能級(jí)大于5. O的ρ型半導(dǎo)體材料),優(yōu)選homo能級(jí)在5. 0-5. 5之間,沒(méi)有其他的限制。例如，三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WoO3)或五氧化二釩(V2O5)中的一種或以上，選用兩種以上時(shí)，各自的重量百分比沒(méi)有限制。同時(shí)，氧化鑰(Mo03)、氧化鎢(WoO3)或五氧化二釩還具有一定的η型半導(dǎo)體特性，具有電子注入能力，從而使該有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光單元的電子注入效率得到提高，使有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率增強(qiáng)。具體地，該η型半導(dǎo)體材料，具體可以為銫鹽或鋰鹽中的一種，或者，銫鹽和鋰鹽，同時(shí)選用銫鹽和鋰鹽時(shí)，銫鹽和鋰鹽沒(méi)有重量比例的限制，η型半導(dǎo)體材料的重量百分含量為30-50%。銫鹽或鋰鹽沒(méi)有具體限制，例如，銫鹽包括碳酸銫(Cs2CO3)、疊氮銫(CsN3)、氟化銫(CsF)、氯化銫(CsCl)、溴化銫(CsBr);例如，鋰鹽包括氟化鋰(LiF)、氯化鋰(LiCl)、溴化鋰(LiBr)或碳酸鋰(Li2CO3)。進(jìn)一步，該電荷再成層中，η型半導(dǎo)體材料的重量百分含量大于ρ型化合物的重量百分含量，由于電子的傳遞速率大于空穴的傳遞速率，通過(guò)使用比P型半導(dǎo)體材料更多的η型半導(dǎo)體材料，保證電子正常的的傳遞速率。具體地，該電荷再生結(jié)構(gòu)為層狀結(jié)構(gòu)，厚度為5-30納米。具體地，該具有電子傳輸能力的有機(jī)材料選自，8-羥基喹啉鋁(Alq3)、1，2，4-三唑衍生物(如ΤΑΖ)、Ν-芳基苯并咪唑(TPBI)、4，7-二苯基-I，10-菲咯啉(Bphen)或二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、喹喔啉衍生物(TPQ)、2_ (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、2，5-二 (I-萘基)_1，3，4-二唑(BND)，該具有電子傳輸能力的有機(jī)材料的重量百分含量為10-60%。本發(fā)明實(shí)施例電荷再生結(jié)構(gòu)，通過(guò)由η型半導(dǎo)體材料、P型半導(dǎo)體材料及具有電子傳輸能力的有機(jī)材料共同形成單層結(jié)構(gòu)，避免了電荷再生結(jié)構(gòu)的界面缺陷，降低了電荷再生結(jié)構(gòu)的電阻，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光器件的啟動(dòng)電壓顯著降低。本發(fā)明實(shí)施例電荷再生層適用于有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括ITO玻璃、兩個(gè)或以上發(fā)光單元、電荷再生結(jié)構(gòu)及陰極，該電荷再生結(jié)構(gòu)位于該有機(jī)電致發(fā)光器件的相鄰兩個(gè)發(fā)光單元之間，并且和該兩個(gè)發(fā)光單元相接觸，例如，如果該有機(jī)電致發(fā)光器件具有兩個(gè)發(fā)光單元，其結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/第一發(fā)光單元/電荷再生結(jié)構(gòu)/第二發(fā)光單元/陰極；如果該有機(jī)電致發(fā)光器件具有三個(gè)發(fā)光單元，其結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/第一發(fā)光單元/電荷再生結(jié)構(gòu)/第二發(fā)光單元/電荷再生結(jié)構(gòu)/第三發(fā)光單元/陰極；以此類推。每個(gè)發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)可以是空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層；或 者空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層；或者空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層；或者空穴傳輸層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層；或者空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/電子傳輸層；或者空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層；或者空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層。上述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層和電子傳輸層的材質(zhì)如下空穴注入層采用三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、VOx ( 二氧化釩與五氧化二釩的混合物)或五氧化二釩(V2O5)空穴傳輸層采用的是N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺(TPD)、N，N’-(I-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc。發(fā)光層采用四-叔丁基二萘嵌苯(TBP)、4_( 二腈甲基)-2_ 丁基_6_(1，1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(AND)、二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)、4-( 二腈甲烯基)-2-異丙基-6-(1，1，7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTI)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_四(I-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq) 2 (acac))、乙酰丙酮酸二(2-苯基批唳)銥(Ir (ppy)2(acac))、三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq)3)或三(2-苯基批卩定)合銥(Ir(ppy)3)的一種或一種以上。發(fā)光層是空穴傳輸材料或者電子傳輸材料的一種或兩種進(jìn)行混合摻雜制備，空穴傳輸材料與電子傳輸材料的摻雜重量質(zhì)量比為1% -20%。電子傳輸層采用2-(4-聯(lián)苯基)-5_(4-叔丁基)苯基_1，3，4_噁二唑(PBD)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5_二(I-萘基)-1，3，4_二唑(BND)、1，2，4_三唑衍生物(如 TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。電子注入層采用Cs2CO3,還可采用LiF、CsF、CaF2, MgF2或者NaF。本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極為ITO玻璃；金屬陰極采用銀(Ag)，還可采用招(Al)、鎂銀(Mg:Ag)合金或金(Au)?？昭ㄗ钃鯇舆x用上述電子傳輸材料，電子阻擋層選用上述空穴傳輸材料。上述空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、陰極及電子傳輸層根據(jù)上述發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)，采用蒸鍍方法、濺射、旋涂等方法制備。本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步提供上述電荷再生結(jié)構(gòu)制備方法，包括如下步驟將ρ型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料，以及η型半導(dǎo)體材料混合，得到混合物，該P(yáng)型化合物的homo能級(jí)大于5. O,重 量百分含量為10-40% ;該η型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50% ；將該混合物進(jìn)行蒸鍍、濺射或旋涂，形成電荷再生結(jié)構(gòu)。具體地，本發(fā)明實(shí)施例電荷再生結(jié)構(gòu)制備方法中，使用的蒸鍍、濺射、或旋涂方法沒(méi)有具體限制，蒸鍍、濺射、或旋涂中使用的襯底為使用該電荷再生結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光單元，該發(fā)光單元和前述的相同，在此不重復(fù)闡述。以含有兩個(gè)發(fā)光單元的有機(jī)電致發(fā)光器件為例，其制備方法具體為制備有機(jī)電致發(fā)光器件的第一發(fā)光單元后，在該第一發(fā)光單元上制備電荷再生結(jié)構(gòu)，然后在該電荷再生結(jié)構(gòu)上制備第二發(fā)光單元，該第一發(fā)光單元、電荷再生結(jié)構(gòu)及第二發(fā)光單元構(gòu)成了有機(jī)電致發(fā)光器件。進(jìn)一步，如果本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件具有兩個(gè)以上的發(fā)光單元，則在第二發(fā)光單元上蒸鍍、濺射、或旋涂一層電荷再生結(jié)構(gòu)，然后再制備第三個(gè)發(fā)光單元。以此類推。具體地，該η型材料、ρ型化合物及具有電子傳輸能力的有機(jī)材料和前述的相同，在此不重復(fù)闡述。具體地，本發(fā)明實(shí)施例制備方法所制備的電荷再生結(jié)構(gòu)的厚度為5-30納米。本發(fā)明實(shí)施例電荷再生結(jié)構(gòu)制備方法，操作簡(jiǎn)單、成本低廉，容易對(duì)電荷再生結(jié)構(gòu)的厚度進(jìn)行控制，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步提供上述電荷再生結(jié)構(gòu)在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施例的電荷再生結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，啟動(dòng)電壓大大減少，該有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命也顯著增強(qiáng)。以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法進(jìn)行詳細(xì)闡述。實(shí)施例一本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟制備第一發(fā)光單元在ITO玻璃上蒸鍍、形成(三氧化鑰)空穴注入層、在該空穴注入層上蒸鍍、形成(Alq3)發(fā)光層、在該發(fā)光層上蒸鍍、形成(PBD)電子傳輸層；制備電荷再生結(jié)構(gòu)將三氧化鑰、Bphen、疊氮銫混合，得到混合物，該三氧化鑰的重量百分含量為20% ;該疊氮銫的重量百分含量為40%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為15納米的電荷再生結(jié)構(gòu)；制備第二發(fā)光單元在該電荷再生結(jié)構(gòu)上蒸鍍、形成(NPB)空穴傳輸層、在該空穴傳輸層上蒸鍍、形成(Alq3)發(fā)光層、在該發(fā)光層上蒸鍍、形成(PBD)電子傳輸層,在該電子傳輸層上蒸鍍、形成(LiF)電子注入層；制備陰極在該第二發(fā)光單元電子注入層上蒸鍍、形成銀陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟制備第一發(fā)光單元在ITO玻璃上濺射、形成(三氧化鑰)空穴注入層、在該空穴注入層上蒸鍍、形成(NPB)空穴傳輸層、在該空穴傳輸層上濺射、形成(NPB)電子阻擋層、在該電子阻擋層上濺 射、形成(AND)發(fā)光層、在該發(fā)光層上蒸鍍、形成(Alq3)空穴阻擋層、在該空穴阻擋層上濺射、形成(Alq3)電子傳輸層；制備電荷再生結(jié)構(gòu)將三氧化鑰、BALQ、疊氮銫混合，得到混合物，該三氧化鑰相對(duì)于BALQ的重量百分含量為10%;該疊氮銫相對(duì)于該BALQ的重量百分含量為20%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行濺射，形成厚度為10納米的電荷再生結(jié)構(gòu)；制備第二發(fā)光單元在該電荷再生結(jié)構(gòu)上濺射、形成(三氧化鑰)空穴注入層、在該空穴注入層上濺射、形成(TDAPB)空穴傳輸層、在該空穴傳輸層上濺射、形成(TDAPB)電子阻擋層、在該電子阻擋層上濺射、形成(AND)發(fā)光層、在該發(fā)光層上濺射、形成(Alq3)空穴阻擋層、在該空穴阻擋層上濺射、形成(Alq3)電子傳輸層；制備陰極在該第二發(fā)光單元電子傳輸層上濺射、形成銀陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，包括如下步驟制備第一發(fā)光單元在ITO玻璃上旋涂、形成(三氧化鎢)空穴注入層、在該空穴注入層上旋涂、形成(NPB)空穴傳輸層、在該空穴傳輸層上旋涂、形成(Ir(Piq)3)發(fā)光層、在該發(fā)光層上旋涂、形成(BND)空穴阻擋層、在該空穴阻擋層上旋涂、形成(BND)電子傳輸層；制備電荷再生結(jié)構(gòu)將三氧化鑰、TPBI、疊氮銫混合，得到混合物，該三氧化鑰相對(duì)于TPBI的重量百分含量為40%;該疊氮銫相對(duì)于該TPBI的重量百分含量為50%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行旋涂，形成厚度為30納米的電荷再生結(jié)構(gòu)；制備第二發(fā)光單元在該電荷再生結(jié)構(gòu)上旋涂、形成(三氧化鑰)空穴注入層、在該空穴注入層上旋涂、形成(NPB)空穴傳輸層、在該空穴傳輸層上旋涂、形成(NPB)電子阻擋層、在該電子阻擋層上旋涂、形成(AND)發(fā)光層、在該發(fā)光層上旋涂、形成(Alq3)空穴阻擋層、在該空穴阻擋層上旋涂、形成(Alq3)電子傳輸層；制備陰極在該第二發(fā)光單元電子傳輸層上旋涂、形成銀陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
實(shí)施例四本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例一，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為三氧化鑰、Bphen、碳酸銫混合，得到混合物，該三氧化鑰相對(duì)于Bphen的重量百分含量為25% ;該碳酸銫相對(duì)于該Bphen的重量百分含量為35%,再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為15納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。實(shí)施例五本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例二，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為三氧化鑰、BALQ、氟化銫混合，得到混合物，該三氧化鑰相對(duì)于BALQ的重量百分含 量為15%;該氟化銫相對(duì)于該BALQ的重量百分含量為25%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為18納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。實(shí)施例六本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例三，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為三氧化鎢、TPBI、氟化鋰混合，得到混合物，該三氧化鎢相對(duì)于TPBI的重量百分含量為15%;該氟化鋰相對(duì)于該TPBI的重量百分含量為40%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為15納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。實(shí)施例七本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例一，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為三氧化鎢、Bphen、氟化鋰混合，得到混合物，該三氧化鎢相對(duì)于Bphen的重量百分含量為30% ;該氟化鋰相對(duì)于該Bphen的重量百分含量為35%,再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為12納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。實(shí)施例八本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例二，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為五氧化二釩、BALQ、碳酸銫混合，得到混合物，該五氧化二釩相對(duì)于BALQ的重量百分含量為35%;該碳酸銫相對(duì)于該BALQ的重量百分含量為45%,再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為25納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。實(shí)施例九本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例三，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為五氧化二釩、TPBI、碳酸銫混合，得到混合物，該五氧化二釩相對(duì)于TPBI的重量百分含量為40%;該碳酸銫相對(duì)于該TPBI的重量百分含量為50%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為30納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。實(shí)施例十本實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例三，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)步驟為
五氧化二釩、TPBI、碳酸鋰混合，得到混合物，該五氧化二釩相對(duì)于TPBI的重量百分含量為10%;該碳酸鋰相對(duì)于該TPBI的重量百分含量為15%，再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為30納米的電荷再生結(jié)構(gòu)。對(duì)比例本對(duì)比例有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法參照實(shí)施例一，其中，制備電荷再生結(jié)構(gòu)的步驟為將疊氮銫、Bphen混合，得到混合物，該疊氮銫相對(duì)于Bphen的重量百分含量為20%;再將該混合物在第一發(fā)光單元電子傳輸層上進(jìn)行蒸鍍，形成厚度為7納米的第一電荷 再生結(jié)構(gòu)；在該第一電荷再生結(jié)構(gòu)上蒸鍍、形成厚度為8納米的(三氧化鑰)第二電荷再生結(jié)構(gòu)；然后該第二電荷再生結(jié)構(gòu)上蒸鍍、形成其他功能層。請(qǐng)參閱圖1，圖I顯示本發(fā)明實(shí)施例與對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件電流密度與電壓關(guān)系的對(duì)比圖。從圖上可以看到，在12V時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例共摻雜電荷再生結(jié)構(gòu)的疊層器件亮度為29082cd/cm2，對(duì)比例沒(méi)有共摻雜的普通疊層器件亮度為20662cd/cm2，本發(fā)明實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度比對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件亮度大很多，而且隨著電壓的增大，該數(shù)值之差在逐漸增大。這說(shuō)明，當(dāng)共摻雜后，電子和空穴的再生更有效，提高了電子和空穴的傳輸速率，因此，器件的亮度得到了增大。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電荷再生結(jié)構(gòu),包括相互摻雜的P型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料、以及η型半導(dǎo)體材料，所述P型化合物的homo能級(jí)大于5. 0，所述p型化合物的重量百分含量為10-40% ;所述η型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50%，所述具有電子傳輸能力的有機(jī)材料的重量百分含量為10-60%。
2.如權(quán)利要求I所述的電荷再生結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型化合物的homo能級(jí)為5.0-5. 5。
3.如權(quán)利要求I所述的電荷再生結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電荷再生結(jié)構(gòu)的厚度為5-30納米。
4.如權(quán)利要求I所述的電荷再生結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述η型化合物的重量百分含量大于所述P型半導(dǎo)體材料的重量百分含量。
5.如權(quán)利要求I所述的電荷再生結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型化合物選自三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化ニ釩中ー種或以上。
6.如權(quán)利要求I所述的電荷再生結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述η型半導(dǎo)體材料選自銫鹽或/和鋰鹽。
7.如權(quán)利要求I所述的電荷再生結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述具有電子傳輸能力的有機(jī)材料選自8-羥基喹啉鋁、N-芳基苯并咪唑、4，7-ニ苯基-1，10-菲咯啉或ニ(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁。
8.一種電荷再生結(jié)構(gòu)制備方法，包括如下步驟 將P型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料，以及η型半導(dǎo)體材料混合，得到混合物，所述P型化合物的homo能級(jí)大于5. 0，所述P型化合物重量百分含量為10-40%;所述η型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50% ;所述具有電子傳輸能力的有機(jī)材料的重量百分含量為 10-60% 將所述混合物進(jìn)行蒸鍍、濺射或旋涂，形成電荷再生結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的電荷再生結(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述P型化合物的homo能級(jí)為5. 0-5. 5 ;所述電荷再生結(jié)構(gòu)的厚度為5-30納米。
10.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的電荷再生結(jié)構(gòu)在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用。
全文摘要
本發(fā)明適用于有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種電荷再生結(jié)構(gòu)、其制備方法和應(yīng)用。該電荷再生結(jié)構(gòu)包括相摻雜p型化合物、具有電子傳輸能力的有機(jī)材料，以及n型半導(dǎo)體材料，該p型化合物的homo能級(jí)大于5.0，重量百分含量為10-40％；該n型半導(dǎo)體材料重量百分含量為30-50％。本發(fā)明電荷再生結(jié)構(gòu)通過(guò)由n型半導(dǎo)體材料、p型化合物及具有電子傳輸能力的有機(jī)材料共同形成單層結(jié)構(gòu)，避免了電荷再生結(jié)構(gòu)的界面缺陷，使得電荷再生結(jié)構(gòu)的電阻大大降低，實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光器件的啟動(dòng)電壓顯著降低；本發(fā)明制備方法，操作簡(jiǎn)單，成本低廉，非常適于工業(yè)化生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L51/54GK102683600SQ20111005583
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2011年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月9日
發(fā)明者周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司