專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，且尤其涉及一種具有儲(chǔ)存電 容的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
由于顯示器的需求與日遽增，加上近年來(lái)綠色環(huán)保概念的興起，具有高畫(huà)質(zhì)、 空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)已逐漸成為顯示器市場(chǎng)的主流。為了滿足使用者的需求，薄膜晶體管液晶顯示器的性能不斷朝向高對(duì)比(high contrast ratio), 無(wú)灰階反轉(zhuǎn)(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、高亮度(high luminance)、高色彩豐富度、高色飽和度、快速反應(yīng)、顯示畫(huà)面穩(wěn)定與廣視角等特性發(fā)展。一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由分別配置有像素陣列與彩色濾光陣列的兩基板以及配置于此兩基板間的液晶層所組成。圖1為現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。像素結(jié)構(gòu)100包括薄膜晶體管110、像素電極120以及儲(chǔ)存電容下電極 130。像素電極120電性連接薄膜晶體管110。儲(chǔ)存電容下電極130與像素電極120構(gòu)成儲(chǔ)存電容，以維持像素結(jié)構(gòu)100顯示影像的穩(wěn)定。然而，現(xiàn)有此種儲(chǔ)存電容下電極130與薄膜晶體管110的柵極112是以相同的金屬層制作，而降低影響像素結(jié)構(gòu)100的開(kāi)口率(aperture ratio) 0若像素結(jié)構(gòu)100應(yīng)用于穿透式液晶顯示器時(shí)，則必須提高背光源的發(fā)光效能以維持適當(dāng)?shù)娘@示亮度，如此將造成能源的耗費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提出一種像素結(jié)構(gòu)，其具有儲(chǔ)存電容，且可維持良好的開(kāi)口率。本發(fā)明更提供一種前述像素結(jié)構(gòu)的制作方法。為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種像素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一掃描線、一柵極、一柵絕緣層、一主動(dòng)層、一阻擋層、一電容電極、一源極電極、一漏極電極、一數(shù)據(jù)線、一共享線、一保護(hù)層以及一像素電極。掃描線配置于基板上。柵極配置于基板上且電性連接掃描線。柵絕緣層配置于基板上且覆蓋柵極與掃描線。主動(dòng)層配置于柵絕緣層上且對(duì)應(yīng)位于柵極上方。主動(dòng)層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間的一通道區(qū)，其中源極區(qū)與漏極區(qū)的片電阻小于通道區(qū)的片電阻。阻擋層配置于主動(dòng)層的通道區(qū)上，且暴露出源極區(qū)與漏極區(qū)。電容電極配置于柵絕緣層上。源極電極位于柵絕緣層上，且源極電極電性連接主動(dòng)層的源極區(qū)。漏極電極位于柵絕緣層上，且漏極電極電性連接主動(dòng)層的漏極區(qū)。數(shù)據(jù)線配置于柵絕緣層上且電性連接源極電極。數(shù)據(jù)線的延伸方向與掃描線的延伸方向相交。共享線配置于柵絕緣層上且連接電容電極。保護(hù)層配置于柵絕緣層上。保護(hù)層覆蓋主動(dòng)層、阻擋層、電容電極、源極電極、漏極電極、數(shù)據(jù)線以及共享線，且保護(hù)層具有一接觸窗暴露出漏極電極。像素電極配置于保護(hù)層上。像素電極經(jīng)由接觸窗電性連接至該漏極電極。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，共享線的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線的延伸方向在本發(fā)明之一實(shí)施例中，源極電極與漏極電極覆蓋局部的主動(dòng)層，而共享線覆蓋局部的電容電極。在本發(fā)明之一實(shí)施例中，主動(dòng)層覆蓋局部的源極電極與局部的漏極電極，而電容電極覆蓋局部的共享線。在此更提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟提供一基板；形成一第一圖案化金屬層于基板上，第一圖案化金屬層包括一掃描線以及一柵極，柵極電性連接掃描線；形成一柵絕緣層于基板上，柵絕緣層覆蓋柵極與掃描線；形成一圖案化半導(dǎo)體層于柵絕緣層上，圖案化半導(dǎo)體層包括一主動(dòng)層以及一電容電極，其中主動(dòng)層對(duì)應(yīng)位于柵極上方， 且主動(dòng)層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于源極區(qū)與漏極區(qū)之間的一通道區(qū)；形成一阻擋層于主動(dòng)層的通道區(qū)上，且阻擋層暴露出源極區(qū)與漏極區(qū)；以阻擋層為掩膜對(duì)主動(dòng)層的源極區(qū)與漏極區(qū)以及電容電極進(jìn)行一退火(annealing)工藝，使源極區(qū)與漏極區(qū)的片電阻小于通道區(qū)的片電阻；形成一第二圖案化金屬層于柵絕緣層上，第二圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一共享線、一源極電極以及一漏極電極，源極電極電性連接主動(dòng)層的源極區(qū)，漏極電極電性連接主動(dòng)層的漏極區(qū)，數(shù)據(jù)線電性連接源極電極，且數(shù)據(jù)線的延伸方向與掃描線的延伸方向相交，共享線電性連接電容電極；形成一保護(hù)層于柵絕緣層上，保護(hù)層覆蓋主動(dòng)層、阻擋層、電容電極、源極電極、漏極電極、數(shù)據(jù)線以及共享線；形成一接觸窗于保護(hù)層中， 接觸窗暴露出漏極電極；以及，形成一像素電極于保護(hù)層上，像素電極經(jīng)由接觸窗電性連接至漏極電極。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述共享線的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線的延伸方向。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述圖案化半導(dǎo)體層是在第二圖案化金屬層形成之前形成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述圖案化半導(dǎo)體層是在第二圖案化金屬層形成之后形成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述退火工藝包括一準(zhǔn)分子激光退火(excimer laser annealing, ELA) XSsK^^i(plasma annealing)工"2。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，電容電極與主動(dòng)層由同一透明材料層圖案化而成。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述透明材料層例如是氧化半導(dǎo)體層，例如氧化銦鎵鋅 (IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘·氧化鍺(2Cd0 · GeO2)或氧化鎳鈷(NiCo2O4)15在本發(fā)明之一實(shí)施例中，阻擋層的材質(zhì)包括氧化硅(SiOx)、氮化硅 (SiNx)、氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(InGaO3)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(SiO)、氧化銦鋅(Zn2In2O5)、銀(Ag)、三氧化鋅錫(ZnSnO3)、四氧化二鋅錫(Zn2SnO4)或非晶硅(a-Si)，或上述組合所組成的群組其中之一。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻擋層對(duì)于波長(zhǎng)為308納米(nm)的光線的光穿透率介于 2%M 10% 之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，阻擋層對(duì)于波長(zhǎng)為308納米(nm)的光線的光穿透率為4%。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，源極區(qū)與漏極區(qū)的片電阻為104歐姆/單位面積(Ω / 口或Ω /sq)，而通道區(qū)的片電阻為1012 ( Ω / □)?；谏鲜?，本發(fā)明提出一種有別以往的像素結(jié)構(gòu)，其可選擇在形成主動(dòng)層時(shí)以相同的材質(zhì)來(lái)制作儲(chǔ)存電容的電極，其中材質(zhì)可采用具有良好透光率的氧化半導(dǎo)體，如此除了可通過(guò)儲(chǔ)存電容來(lái)維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫(huà)面的穩(wěn)定性，又能夠兼顧良好的開(kāi)口率，甚至進(jìn)一步降低能源的耗費(fèi)。


圖1為現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)。圖3為圖2的像素結(jié)構(gòu)的上視圖。圖4Α 4F依序繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)的制作流程。圖5Α 5Ε繪示圖4Α 4F的制作流程的上視圖。圖6繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)。其中，附圖標(biāo)記100 像素結(jié)構(gòu)110:薄膜晶體管120:像素電極130:儲(chǔ)存電容下電極210 基板222 柵極224 掃描線230 柵絕緣層240 主動(dòng)層242 源極區(qū)244 漏極區(qū)246 通道區(qū)248:電容電極250:阻擋層262 源極電極264 漏極電極266 數(shù)據(jù)線268 共享線270 保護(hù)層272 接觸窗28O:像素電極340 主動(dòng)層342:源極區(qū)
344 漏極區(qū)346 通道區(qū)348:電容電極350:阻擋層362 源極電極364 漏極電極368 共享線L 準(zhǔn)分子激光
具體實(shí)施例方式圖2繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種像素結(jié)構(gòu)。圖3為圖2的像素結(jié)構(gòu)的上視圖。如圖2與3所示，柵極222與掃描線224與配置于基板210上，且柵極222電性連接掃描線224。在本實(shí)施例中，基板210例如是玻璃、塑料等透光材質(zhì)。柵絕緣層230配置于基板210上且覆蓋柵極222與掃描線224。主動(dòng)層240配置于柵絕緣層230上且對(duì)應(yīng)位于柵極222上方。主動(dòng)層240的材質(zhì)例如是氧化銦鎵鋅(IGZ0或InGaZnO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘·氧化鍺(2Cd0 · GeO2)或氧化鎳鈷(NiCo2O4)等氧化半導(dǎo)體，且主動(dòng)層240包括具有不同片電阻的源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及通道區(qū)246。通道區(qū)246位于源極區(qū)242與漏極區(qū)244之間，且源極區(qū)242與漏極區(qū)244的片電阻小于通道區(qū)246的片電阻。舉例而言，源極區(qū)242與漏極區(qū)244的片電阻可為小于104 Ω / □，而通道區(qū)246的片電阻為大于1012 Ω / 口。請(qǐng)?jiān)賲⒖紙D2與3，阻擋層250配置于主動(dòng)層240的通道區(qū)246上，且暴露出源極區(qū)242與漏極區(qū)244。在本實(shí)施例中，阻擋層的材質(zhì)例如是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、 氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(InGaO3)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(Zn2In2O5)、銀(Ag)、三氧化鋅錫(ZnSnO3)、四氧化二鋅錫(Zn2SnO4)或非晶硅(a-Si)，或上述組合所組成的群組其中之一。阻擋層250可作為對(duì)主動(dòng)層240進(jìn)行退火工藝時(shí)的掩膜，S卩，以自我對(duì)準(zhǔn)(self-alignment)的方式來(lái)形成源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及通道區(qū)246。本實(shí)施例可采用的退火工藝可為準(zhǔn)分子激光退火 (excimer laser annealing, ELA)工藝或等離子退火(plasma annealing)工藝。阻擋層 250可在退火過(guò)程中減輕通道層246被激光照射或等離子轟擊的程度，使得通道區(qū)246的片電阻高于源極區(qū)242與漏極區(qū)244的片電阻。 具體而言，以采用波長(zhǎng)為308納米(nm)的準(zhǔn)分子激光來(lái)進(jìn)行退火工藝，則選用的阻擋層250對(duì)于波長(zhǎng)為308納米(nm)的光線的光穿透率可介于2%至10%之間，例如4%。電容電極248配置于柵絕緣層230上，且可選擇與主動(dòng)層240采用同一透明材料層圖案化而成。更具體而言，用以形成電容電極248的透明材料圖案可與主動(dòng)層240同時(shí)進(jìn)行退火工藝，而具有與主動(dòng)層240的源極區(qū)242、漏極區(qū)244相同的材料特性，例如，具有相同的低片電阻。此外，源極電極262以及漏極電極264位于柵絕緣層230上，且分別電性連接至主動(dòng)層240的源極區(qū)242與漏極區(qū)244。數(shù)據(jù)線266配置于柵絕緣層230上且電性連接源極電極262。數(shù)據(jù)線266的延伸方向與掃描線224的延伸方向相交。此外，共享線268配置于柵絕緣層230上且連接電容電極248。在本實(shí)施例中，源極電極262、漏極電 極264、數(shù)據(jù)線 266以及共享線268是對(duì)同一金屬層圖案化而來(lái)。共享線268的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線266的延伸方向。源極電極262與漏極電極264覆蓋局部的主動(dòng)層240，以分別連接主動(dòng)層240的源極區(qū)242與漏極區(qū)244。共享線268覆蓋局部的電容電極248。保護(hù)層270配置于柵絕緣層230上，以覆蓋主動(dòng)層240、阻擋層250、電容電極248、 源極電極262、漏極電極264、數(shù)據(jù)線266以及共享線268，且保護(hù)層270具有接觸窗272暴露出漏極電極264的至少一部分。像素電極280配置于保護(hù)層270上，且像素電極280經(jīng)由接觸窗272電性連接至漏極電極264。在本實(shí)施例所述的像素結(jié)構(gòu)中，主動(dòng)層240與電容電極248可采用具有良好透光率的氧化半導(dǎo)體來(lái)同時(shí)制作。電容電極248可與像素電極280形成儲(chǔ)存電容，以維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫(huà)面的穩(wěn)定性。此外，由于電容電極248具有良好透光率，因此有助于提高像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。換言之，顯示時(shí)不需提高背光源的發(fā)光效能，便可維持適當(dāng)?shù)娘@示亮度，因而可避免能源的耗費(fèi)。下文更舉例說(shuō)明前述像素結(jié)構(gòu)的制作方法。圖4A 4F依序繪示該制作流程的剖面結(jié)構(gòu)。圖5A 5E為該制作流程的上視圖。首先，如圖4A與5A所示，提供基板210，并且形成一第一圖案化金屬層于基板210 上。此處的第一圖案化金屬層先在基板210上全面沉積形成一金屬材料層，再對(duì)該金屬材料層進(jìn)行圖案化工藝而得。所述第一圖案化金屬層包括圖標(biāo)的柵極222以及掃描線224，其中柵極222電性連接掃描線224。此外，形成柵絕緣層230于基板210上，使柵絕緣層230 覆蓋柵極222與掃描線224。接著，如圖4B所示，形成一圖案化半導(dǎo)體層于柵絕緣層230上。此處的圖案化半導(dǎo)體層系先在柵絕緣層230上全面沉積形成一透明的半導(dǎo)體材料層，再對(duì)該半導(dǎo)體材料層進(jìn)行圖案化工藝而得。半導(dǎo)體材料層的材質(zhì)例如包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、 氧化銦鎵(IGO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘·氧化鍺(2Cd0 · GeO2)或氧化鎳鈷(NiCo2O4)等氧化半導(dǎo)體。在本實(shí)施例中，所述圖案化半導(dǎo)體層包括主動(dòng)層240以及電容電極248，其中主動(dòng)層240對(duì)應(yīng)位于柵極222上方，且主動(dòng)層240被劃分為源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及位于源極區(qū)242與漏極區(qū)244之間的通道區(qū)246。然后，如圖4C與5B所示，形成阻擋層250于主動(dòng)層240的通道區(qū)246上，且阻擋層250暴露出源極區(qū)242與漏極區(qū)244。并且，以阻擋層250為掩膜對(duì)主動(dòng)層240的源極區(qū) 242與244漏極區(qū)以及電容電極248進(jìn)行一退火(annealing)工藝。經(jīng)由退火工藝可以降低源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及電容電極248的片電阻，使源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及電容電極248具有導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。在此，退火工藝?yán)缡菧?zhǔn)分子激光退火工藝，其中通過(guò)準(zhǔn)分子激光L來(lái)照射主動(dòng)層240以及電容電極248。阻擋層250的材質(zhì)包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化鈦(TiOx)、三氧化二銦(In2O3)、氧化銦鎵(InGaO3)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、 二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(Zn2In2O5)、銀(Ag)、三氧化鋅錫(ZnSnO3)、四氧化二鋅錫(Zn2SnO4)或非晶硅(a-Si)，或上述組合所組成的群組其中之一。另外，準(zhǔn)分子激光L的波長(zhǎng)例如是308納米，則可選用對(duì)于波長(zhǎng)為308納米的光線的光穿透率介于2%至10%之間的材料作為阻擋層250。例如，阻擋層250對(duì)于波長(zhǎng)為 308納米(nm)的光線的光穿透率可為4%。換言之，本實(shí)施例選用的阻擋層250仍可容許少量的激光光L通過(guò)，因此除了未被阻擋層250覆蓋的源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及電容電極248會(huì)與準(zhǔn)分子激光L作用之外，被阻擋層250覆蓋的通道區(qū)246也會(huì)受到少量的準(zhǔn)分子激光L的照射，以通過(guò)準(zhǔn)分子激光L來(lái)改善通道區(qū)246的材料特性。例如，戴子移動(dòng)率 (carrier mobility)次臨界擺輻(ss，sub-threhold swing)。由于照光程度不同，因此源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及電容電極248的片電阻會(huì)低于通道區(qū)246的片電阻。例如，源極區(qū)242、漏極區(qū)244以及電容電極248的片電阻為小于104 Ω / □，而通道區(qū)246的片電阻為大于 1012Ω/ 口。當(dāng)然，在可能的情況下，本發(fā)明也可以選擇其它技術(shù)，如氫(H2)等離子退火工藝， 來(lái)取代準(zhǔn)分子激光退火工藝。接著，如圖4D與5C，形成一第二圖案化金屬層于柵絕緣層230上。此處的第二圖案化金屬層先在柵絕緣層230上全面沉積形成一金屬材料層，再對(duì)該金屬材料層進(jìn)行圖案化工藝而得。所述第二圖案化金屬層包括圖標(biāo)的數(shù)據(jù)線266、共享線268、源極電極262以及漏極電極264。源極電極262電性連接主動(dòng)層240的源極區(qū)242。漏極電極264電性連接主動(dòng)層240的漏極區(qū)244。數(shù)據(jù)線266電性連接源極電極262，且數(shù)據(jù)線266的延伸方向與掃描線224的延伸方向相交。此外，共享線268電性連接電容電極248，且共享線268的延伸方向例如實(shí)質(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線266的延伸方向。然后，如圖4Ε與5D，形成保護(hù)層270于柵絕緣層230上，以覆蓋主動(dòng)層240、阻擋層250、電容電極248、源極電極262、漏極電極264、數(shù)據(jù)線266以及共享線268。并且形成接觸窗272于保護(hù)層270中，使接觸窗272暴露出漏極電極264。之后，如圖4F與5Ε所示，形成像素電極280于保護(hù)層270上，使像素電極280經(jīng)由接觸窗272電性連接至漏極電極264。像素電極280與電容電極248之間可形成儲(chǔ)存電容，以維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫(huà)面的穩(wěn)定性。此外，由于電容電極248具有良好透光率，因此有助于提高像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。前述實(shí)施例是先如圖4B、4C與5B所示形成圖案化半導(dǎo)體層，再如圖4D與5C所示形成第二圖案化金屬層。然而，在其它實(shí)施例中，也可以選擇先進(jìn)行圖4D與5C的步驟，即先形成第二圖案化金屬層，再進(jìn)行圖4B、4C與5B所示的步驟，形成圖案化半導(dǎo)體層。圖6 即繪示依此制作流程所形成的像素結(jié)構(gòu)。圖6所示的像素結(jié)構(gòu)與圖2所繪示的像素結(jié)構(gòu)類似，除了 圖6的主動(dòng)層340 (包括源極區(qū)342、漏極區(qū)344、通道區(qū)346)以及阻擋層350會(huì)覆蓋局部的源極電極362與局部的漏極電極364，而電容電極348覆蓋局部的共享線368。 圖6的其它元件的相關(guān)說(shuō)明可參照?qǐng)D2與3，此處不再贅述。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一基板；一掃描線，配置于該基板上；一柵極，配置于該基板上且電性連接該掃描線；一柵絕緣層，配置于該基板上且覆蓋該柵極與該掃描線；一主動(dòng)層，配置于該柵絕緣層上且對(duì)應(yīng)位于該柵極上方，該主動(dòng)層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間的一通道區(qū)，其中該源極區(qū)與該漏極區(qū)的片電阻小于該通道區(qū)的片電阻；一阻擋層，配置于該主動(dòng)層的該通道區(qū)上，且暴露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)；一電容電極，配置于該柵絕緣層上；一源極電極，位于該柵絕緣層上，且該源極電極電性連接該主動(dòng)層的該源極區(qū)； 一漏極電極，位于該柵絕緣層上，且該漏極電極電性連接該主動(dòng)層的該漏極區(qū)； 一數(shù)據(jù)線，配置于該柵絕緣層上且電性連接該源極電極，該數(shù)據(jù)線的延伸方向與該掃描線的延伸方向相交；一共享線，配置于該柵絕緣層上且連接該電容電極；一保護(hù)層，配置于該柵絕緣層上，該保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)層、該阻擋層、該電容電極、該源極電極、該漏極電極、該數(shù)據(jù)線以及該共享線，且該保護(hù)層具有一接觸窗暴露出至少部分該漏極電極；以及一像素電極，配置于該保護(hù)層上，該像素電極經(jīng)由該接觸窗電性連接至該漏極電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共享線的延伸方向平行于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極電極與該漏極電極覆蓋局部的該主動(dòng)層，該共享線覆蓋局部的該電容電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動(dòng)層覆蓋局部的該源極電極與局部的該漏極電極，該電容電極覆蓋局部的該共享線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容電極與該主動(dòng)層由同一透明材料層圖案化而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透明材料層包括一氧化半導(dǎo)體層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該氧化半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化鋅、氧化鎘·氧化鍺或氧化鎳鈷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻擋層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、氧化鈦、三氧化二銦、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、二氧化錫、氧化鋅、氧化銦鋅、銀、三氧化鋅錫、四氧化二鋅錫或非晶硅，或上述組合所組成的群組其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該阻擋層對(duì)于波長(zhǎng)為308納米的光線的光穿透率介于2%至10%之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該源極區(qū)與該漏極區(qū)的片電阻為小于IO4 Ω / □，該通道區(qū)的片電阻為大于IO12 Ω / 口。
11.一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括 提供一基板；形成一第一圖案化金屬層于該基板上，該第一圖案化金屬層包括一掃描線以及一柵極，該柵極電性連接該掃描線；形成一柵絕緣層于該基板上，該柵絕緣層覆蓋該柵極與該掃描線； 形成一圖案化半導(dǎo)體層于該柵絕緣層上，該圖案化半導(dǎo)體層包括一主動(dòng)層以及一電容電極，其中該主動(dòng)層對(duì)應(yīng)位于該柵極上方，且該主動(dòng)層包括一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間的一通道區(qū)；形成一阻擋層于該主動(dòng)層的該通道區(qū)上，且該阻擋層暴露出該源極區(qū)與該漏極區(qū)； 以該阻擋層為掩膜對(duì)該主動(dòng)層的該源極區(qū)與該漏極區(qū)以及該電容電極進(jìn)行一退火工藝；形成一第二圖案化金屬層于該柵絕緣層上，該第二圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一共享線、一源極電極以及一漏極電極，該源極電極電性連接該主動(dòng)層的該源極區(qū)，該漏極電極電性連接該主動(dòng)層的該漏極區(qū)，該數(shù)據(jù)線電性連接該源極電極，且該數(shù)據(jù)線的延伸方向與該掃描線的延伸方向相交，該共享線電性連接該電容電極；形成一保護(hù)層于該柵絕緣層上，該保護(hù)層覆蓋該主動(dòng)層、該阻擋層、該電容電極、該源極電極、該漏極電極、該數(shù)據(jù)線以及該共享線；形成一接觸窗于該保護(hù)層中，該接觸窗暴露出至少部分該漏極電極；以及形成一像素電極于該保護(hù)層上，該像素電極經(jīng)由該接觸窗電性連接至該漏極電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該共享線的延伸方向平行于該數(shù)據(jù)線的延伸方向。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層是在該第二圖案化金屬層形成之前形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層是在該第二圖案化金屬層形成之后形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層包括一氧化半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該氧化半導(dǎo)體層的材質(zhì)包括氧化銦鎵鋅、氧化銦鋅、氧化銦鎵、氧化鋅、氧化鎘·氧化鍺或氧化鎳鈷。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該退火工藝包括一準(zhǔn)分子激光退火工藝或等離子退火工藝。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該阻擋層的材質(zhì)包括氧化硅、氮化硅、氧化鈦、三氧化二銦、氧化銦鎵、氧化銦鎵鋅、二氧化錫、氧化鋅、氧化銦鋅、 銀、三氧化鋅錫、四氧化二鋅錫或非晶硅，或上述組合所組成的群組其中之一。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該阻擋層對(duì)于波長(zhǎng)為 308納米的光線的光穿透率介于2%至10%之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該源極區(qū)與該漏極區(qū)的片電阻為小于IO4 Ω / □，而該通道區(qū)的片電阻為大于IO12 Ω / 口。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法，選擇在形成主動(dòng)層時(shí)以相同的材質(zhì)來(lái)制作儲(chǔ)存電容的電極，其中材質(zhì)可采用具有良好透光率的氧化半導(dǎo)體，如此除了可通過(guò)儲(chǔ)存電容來(lái)維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫(huà)面的穩(wěn)定性，又能夠兼顧良好的開(kāi)口率，甚至進(jìn)一步降低能源的耗費(fèi)。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102176098SQ20111005229
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者葉家宏, 林武雄, 沈光仁, 陳信學(xué), 陳勃學(xué) 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司