專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是將電流轉(zhuǎn)換為光的半導(dǎo)體發(fā)光器件。近年來，隨著LED的亮度逐漸地增加，越來越多地將LED用作用于顯示器的光源、用于車輛的光源以及用于照明系統(tǒng)的光源。通過使用熒光材料或者組合發(fā)射三原色的單個(gè)LED，可以實(shí)現(xiàn)發(fā)射白光和具有優(yōu)異的效率的LED。LED的亮度取決于各種條件，諸如有源層的結(jié)構(gòu)、能夠有效地將光提取到外部的光提取結(jié)構(gòu)、在LED中使用的半導(dǎo)體材料、芯片大小以及包封LED的成型構(gòu)件的類型。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例提供具有新穎的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件及其制造方法以及發(fā)光器件封裝。實(shí)施例還提供基于具有優(yōu)異的結(jié)晶性能的氮化物半導(dǎo)體材料的發(fā)光器件及其制造方法以及發(fā)光器件封裝。實(shí)施例還提供能夠減少泄露電流的發(fā)光器件和其制造方法以及發(fā)光器件封裝。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的有源層；和在有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的抗電流泄漏層。該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括多個(gè)溝槽。所述有源層沿著溝槽形成。與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的抗電流泄漏層的表面是平坦的。在另一實(shí)施例中，發(fā)光器件包括襯底；溝槽形成層，該溝槽形成層形成襯底上； 第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成在溝槽形成層上，具有處于大約 1 μ m至大約5 μ m范圍內(nèi)的厚度，并且被摻雜有P型摻雜物；有源層，該有源層形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成在有源層上并且被摻雜有N型摻雜物。在又一實(shí)施例中，發(fā)光器件包括襯底；第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成在襯底上，并且具有處于大約1 μ m至大約5 μ m范圍內(nèi)的厚度，并且被摻雜有 P型摻雜物；有源層，該有源層形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；在有源層上的抗電流泄漏層，該抗電流泄漏層具有平坦的上表面，抗電流泄漏層具有大于有源層的帶隙的帶隙；以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層形成在有源層上并且被摻雜有N型摻雜物。在又一實(shí)施例中，制造發(fā)光器件的方法包括在襯底上形成包括多個(gè)溝槽的溝槽形成層；以保持溝槽的形狀的方式在溝槽形成層上形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；以保持溝槽的形狀的方式在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上形成有源層；在有源層上形成具有平坦的上表面的抗電流泄漏層；以及在抗電流泄漏層上形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。
在又一實(shí)施例中，發(fā)光器件封裝包括封裝主體部分；第一和第二引線電極，該第一和第二引線電極被安裝在封裝主體中；發(fā)光器件，該發(fā)光器件被安裝在封裝主體中并且被電氣地連接到第一和第二引線電極；以及成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件圍繞發(fā)光器件。該發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括多個(gè)溝槽；有源層，該有源層沿著溝槽形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的上表面上；抗電流泄漏層，該抗電流泄漏層形成在有源層上并且具有平坦的上表面；以及在抗電流泄漏層上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層。


圖1是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。圖2示出溝槽形成層的平面圖和形成在圖1的發(fā)光器件中的溝槽形成層處的溝槽的透視圖。圖3示出溝槽形成層的平面圖和形成在根據(jù)修改實(shí)施例的溝槽形成層處的溝槽的透視圖。圖4示出溝槽形成層的平面圖和形成在根據(jù)另一修改實(shí)施例的溝槽形成層處的溝槽的透視圖。圖5是包括圖1的發(fā)光器件的具有橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的橫截面圖。圖6是包括圖1的發(fā)光器件的具有垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件的橫截面圖。圖7是根據(jù)修改實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。圖8是根據(jù)另一修改實(shí)施例的發(fā)光器件的橫截面圖。圖9是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝的橫截面圖。圖10是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的背光單元的分解透視圖。圖11是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。
具體實(shí)施例方式在下面的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層(或膜)被稱為在另一層或者襯底“上”時(shí)， 它能夠直接地在另一層或者襯底上，或者也可以存在中間層。此外，將會(huì)理解的是，當(dāng)層被稱為是在另一層“下”時(shí)，它能夠直接地在另一層下，并且也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。 另外，將會(huì)基于附圖來描述術(shù)語“上”、或者“下”。在附圖中，為了圖示的清楚，層和區(qū)域的尺寸被夸大。另外，每個(gè)部分的尺寸沒有完全反映真實(shí)尺寸。在下文中，將會(huì)參考附圖描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件、制造發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝以及照明系統(tǒng)。圖1是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100的橫截面圖。參考圖1，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件100包括襯底110、在襯底110上的緩沖層112、 在緩沖層112上的未摻雜的半導(dǎo)體層120、在未摻雜的半導(dǎo)體層120上的溝槽形成層123、 在溝槽形成層123上的超晶格結(jié)構(gòu)層127、在超晶格結(jié)構(gòu)層127上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130、在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130上的有源層140、在有源層140上的抗電流泄漏層145以及在抗電流泄漏層145上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150。
通過第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130注入的電子(或者空穴)可以與通過第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150注入的空穴(或者電子)在有源層140處復(fù)合，使得有源層140發(fā)射光。因此，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、有源層140以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以形成用于發(fā)射光的發(fā)光結(jié)構(gòu)。襯底110 可以由例如藍(lán) 寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP 以及 Ge 中的至少一個(gè)制成，但是不限于此。盡管沒有被示出，但是襯底110可以由其上形成圖案的構(gòu)圖的藍(lán)寶石襯底(PSS) 形成，或者襯底110的上表面可以相對(duì)于主表面傾斜。因此，實(shí)施例不限于此。通過在室中1070的溫度的熱清潔來進(jìn)行清潔可以制備襯底110。形成在襯底110上的多個(gè)層可以包括氮化物半導(dǎo)體材料。例如，氮化物半導(dǎo)體材料可以具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式。例如，使用MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法、CVD(化學(xué)氣相沉積)方法、 PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)方法、MBE (分子束外延)方法、HVPE (氫化物氣相外延)方法等可以形成具有氮化物半導(dǎo)體層的多個(gè)層，但是不限于此。緩沖層112可以形成在襯底110上。可以形成緩沖層112以減輕由于襯底110和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130之間的晶格常數(shù)差而導(dǎo)致的晶格錯(cuò)配。緩沖層112可以包括具有InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料，例如，A1N、GaN等等?？梢栽诖蠹s400°C至大約1000°C的范圍內(nèi)的溫度，特別地，在大約400°C至大約 600°C的溫度生長(zhǎng)緩沖層112。未摻雜的半導(dǎo)體層120可以形成在緩沖層112上。因?yàn)槲磽诫s的半導(dǎo)體層120 沒有被摻雜有導(dǎo)電摻雜物，所以未摻雜的半導(dǎo)體層120的導(dǎo)電性顯著地低于第一和第二半導(dǎo)體層130和150。例如，未摻雜的半導(dǎo)體層120可以包括具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1， 0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。可以在大約1000°C至大約1100°C的范圍內(nèi)的溫度生長(zhǎng)未摻雜的半導(dǎo)體層120。未摻雜的半導(dǎo)體層120能夠減輕由于襯底110和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130之間的晶格常數(shù)差導(dǎo)致的晶格錯(cuò)配。而且，未摻雜的半導(dǎo)體層120能夠增強(qiáng)形成在未摻雜的半導(dǎo)體層120上的層的結(jié)晶性能。包括溝槽124的溝槽形成層123可以形成在未摻雜的半導(dǎo)體層120上。隨著朝著溝槽形成層123的內(nèi)部前進(jìn)，溝槽124的平面面積逐漸地減少。例如，溝槽124可以具有V 形狀的橫截面(V凹坑)。溝槽形成層123可以包括與未摻雜的半導(dǎo)體層120相同的材料。例如，溝槽形成層123可以包括具有InxAlyGai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料，優(yōu)選地，包括GaN。在相對(duì)低于未摻雜的半導(dǎo)體層120的生長(zhǎng)溫度的大約600°C至大約1000°C的范圍內(nèi)的溫度可以生長(zhǎng)溝槽形成層123。因此，在生長(zhǎng)溝槽形成層123期間，產(chǎn)生團(tuán)聚 (agglomeration)，并且然后溝槽形成層123具有多個(gè)溝槽124。團(tuán)聚的主要原因可以是襯底110和溝槽形成層123之間的晶格常數(shù)差。S卩，因?yàn)樵谙鄬?duì)高的溫度生長(zhǎng)未摻雜的半導(dǎo)體層120，所以未摻雜的半導(dǎo)體層120可以相對(duì)平坦。然而，因?yàn)樵谙鄬?duì)低的溫度生長(zhǎng)溝槽形成層123，所以襯底110和溝槽形成層123之間的晶格常數(shù)差影響溝槽形成層123的生長(zhǎng)。因此，溝槽形成層123可以包括多個(gè)溝槽124。如果使用MOCVD(金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法形成溝槽形成層123，那么可以通過以大約600°C至大約1000°C的溫度將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮?dú)?N2)以及氫氣(H2)中的至少一種氣體注入室來形成溝槽形成層123。溝槽形成層123可以具有大約0. 5 μ m至5 μ m的厚度。 如圖2中所示，溝槽124具有V形狀的橫截面并且在平面圖中的一個(gè)方向上延伸。 在圖3中所示的修改實(shí)施例中，溝槽124a具有圓錐形。在圖4中所示的另一修改實(shí)施例中， 溝槽124b具有多角椎形狀。即，隨著朝著溝槽形成層123的內(nèi)部前進(jìn)，溝槽124的平面面積逐漸地減少。然而，溝槽的形狀不限于此。在溝槽124的橫截面中，溝槽124的上寬度(或者直徑)可以大約0. 5 μ m至大約 1. 5 μ m，并且溝槽124的深度可以是大約0. 3 μ m至大約0. 7 μ m，但是其不限于此。同時(shí)，盡管由于表面處的團(tuán)聚導(dǎo)致溝槽形成層123具有溝槽124，但是溝槽形成層 124允許形成在溝槽形成層123上的層(例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、有源層140以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150)具有優(yōu)異的結(jié)晶性能。即，由于由與襯底110的晶格常數(shù)差引起的位錯(cuò)或者缺陷，溝槽124可以形成在溝槽形成層123處。與此相反，形成在溝槽形成層123上的層能夠通過團(tuán)聚具有優(yōu)異的結(jié)晶性能。因此，通過在溝槽形成層123上形成氮化物半導(dǎo)體層，能夠增加發(fā)光器件100的亮度。超晶格結(jié)構(gòu)層127能夠形成在溝槽形成層123上。超晶格結(jié)構(gòu)層127可以包括多個(gè)不同材料的層被交替地堆疊的結(jié)構(gòu)。例如，在超晶格結(jié)構(gòu)層127中，重復(fù)地堆疊InGaN層和GaN層的對(duì)大約15次至大約25次。在這里，InGaN層和GaN層中的每一個(gè)可以具有大約5 A至大約25 A的厚度。如果使用MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法形成超晶格結(jié)構(gòu)層127，那么通過將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮?dú)?N2)、以及氫氣(H2)中的至少一種氣體注入室可以形成超晶格結(jié)構(gòu)層127。超晶格結(jié)構(gòu)層127可以控制溝槽124的尺寸和形狀。即，根據(jù)被包括在超晶格結(jié)構(gòu)層127中的銦的數(shù)量和超晶格結(jié)構(gòu)層127的生長(zhǎng)溫度，可以控制溝槽124的深度和寬度 (或者直徑)(w)。超晶格結(jié)構(gòu)層127可以具有均勻的厚度，并且沿著溝槽124可以形成超晶格結(jié)構(gòu)層127的上表面和下表面。即，在形成溝槽124的部分處，上表面和下表面具有與溝槽124 相對(duì)應(yīng)的溝槽。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130可以形成在超晶格結(jié)構(gòu)層127上。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130可以包括ρ型半導(dǎo)體層。ρ型半導(dǎo)體層可以包括具有InxAlyGai_x_yN(0 ^ χ ^ 1, 0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料，諸如InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN。另外，ρ型半導(dǎo)體層可以以102°cm_3至9X IO21CnT3的摻雜濃度被摻雜有諸如Zn、Mg、 Ca、Sr、Ba的ρ型摻雜物。傳統(tǒng)上，由于ρ型半導(dǎo)體層形成在有源層上，所以為了防止有源層的損壞，在大約 900°C至大約1000°C的相對(duì)低的溫度以大約1000 A至大約2000 A的厚度生長(zhǎng)P型半導(dǎo)體層。
然而，在實(shí)施例中，在有源層140之前形成ρ型半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130。因此，能夠在大約1100°C至大約1150°c的相對(duì)高的溫度生長(zhǎng)第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130，并且能夠具有大約1 μ m至大約5 μ m的厚度。因此，能夠增加第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130的結(jié)晶性能，并且因此能夠增強(qiáng)發(fā)光器件100的發(fā)光效率。如果使用MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130， 那么通過將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮?dú)?N2)以及氫氣(H2)中的至少一種氣體和包括諸如Zn和Mg的ρ型摻雜物的ρ型摻雜物氣體注入室可以形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130。但是，形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的方法不限于此。在這樣的情況下，為了增加在諸如第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的生長(zhǎng)溫度的相對(duì)高溫度(大約1100°c至大約1150°C )的摻雜效率，摻雜到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130中的 P型摻雜物可以包括Zn。同時(shí)，鎵(Ga)具有平坦地生長(zhǎng)的特性。因此，通過當(dāng)在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130 被生長(zhǎng)時(shí)將TMGa氣體的量保持為在室中提供lssCm(標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)毫升/分)至2ssCm(傳統(tǒng)技術(shù)中的TMGa氣體的量的大約1/10)，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130具有與形成在溝槽形成層123上的溝槽124相對(duì)應(yīng)的溝槽。而且，通過緩慢地引入TMGa氣體，能夠在生長(zhǎng)工藝有效地活化被用作導(dǎo)電摻雜物的Zn或者M(jìn)g。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130可以具有均勻的厚度，并且沿著溝槽124可以形成第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的上表面和下表面。因此，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的上表面被設(shè)置有溝槽。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的溝槽具有與溝槽124相對(duì)應(yīng)的形狀，并且隨著朝著導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的內(nèi)部前進(jìn)，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的溝槽的平面面積逐漸地減少。有源層140可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130上。有源層140可以包括具有InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。有源層140可以具有量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)。在有源層140具有多量子阱(MQW)的情況下，通過交替地堆疊多個(gè)阱層和多個(gè)勢(shì)壘層可以形成有源層140。例如，多個(gè)阱層可以具有IrixGai_xN(0. 15 ^ χ ^ 1)的組成式，并且多個(gè)勢(shì)壘層可以具有InyGai_yN(0 < y彡0. 03)的組成式。如果使用MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法形成有源層140，那么通過將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮?dú)?N2)以及氫氣(H2)中的至少一種氣體注入室可以形成有源層140。然后，有源層140具有含有InGaN/GaN結(jié)構(gòu)的多量子阱。但是，形成有源層140 的方法不限于此。在實(shí)施例中，阱層的生長(zhǎng)速度可以為大約0. 5 A /分鐘至大約1 A /分鐘，并且勢(shì)壘層的生長(zhǎng)速度可以是大約5 A /分鐘至大約110 A /分鐘。如此，因?yàn)橼鍖拥纳L(zhǎng)速度小于勢(shì)壘層的生長(zhǎng)速度，所以能夠詳細(xì)地控制包含在阱層中的銦的量。因此，能夠最小化多余的銦。銦具有利用團(tuán)聚生長(zhǎng)的特性。因此，通過減少銦的量，能夠最小化有源層140的表面的團(tuán)聚。因此，能夠增強(qiáng)發(fā)光器件100的發(fā)光效率。有源層140可以具有均勻的厚度，并且沿著溝槽124可以形成有源層140的上表面和下表面。因此，有源層140的上表面被設(shè)置有溝槽?？闺娏餍孤?45可以形成在有源層上?？闺娏餍孤?45具有相對(duì)高的帶隙能和電阻，從而將電流擴(kuò)展到發(fā)光器件100 的整個(gè)區(qū)域。另外，抗電流泄漏層145生長(zhǎng)以填充通過溝槽124下沉的區(qū)域，并且因此具有平坦的上表面。因此，抗電流泄漏層145用于使得發(fā)光器件100能夠具有平坦的表面。因此，能夠最小化電流泄漏?？闺娏餍孤?45包括第一抗電流泄漏層143和第二抗電流泄漏層147中的至少一個(gè)。在這里，第一抗電流泄漏層143填充通過溝槽124下沉的區(qū)域，并且因此具有平坦的上表面。第二抗電流泄漏層147具有平坦的上表面和平坦的下表面。第一抗電流泄漏層143 可以包括具有 InxAlyGai_x_yN(0 ^ χ ^ 0. 03,0 < y < 1,0 < x+y < 1)的組成式的半導(dǎo)體材料。而且，諸如Si的η摻雜物被摻雜在第一抗電流泄漏層143的至少一部分中，并且因此該至少一部分可以包括η型半導(dǎo)體層。第一抗電流泄漏層143可以具有大約0.3μπι至大約0.7μπι的厚度。而且，可以在大約900°C至大約1000°C生長(zhǎng)第一抗電流泄漏層143。第二抗電流泄漏層147可以具有重復(fù)地堆疊被摻雜有η摻雜物的AlGaN和GaN層若干次的超晶格結(jié)構(gòu)(SLS)。 例如，AlGaN和GaN層中的每一個(gè)可以具有大約20 A至大約30 A的厚度。在第二抗電流泄漏層147中，重復(fù)地堆疊AlGaN和GaN層的對(duì)大約10次。在大約1000°C至大約 1100°C的溫度可以生長(zhǎng)第二抗電流泄漏層147?？闺娏餍孤?45包括鋁(Al)，并且因此具有相對(duì)高的帶隙能和電阻。通過有源層140和抗電流泄漏層145之間的帶隙能和電阻的差，電流能夠有效地?cái)U(kuò)展到發(fā)光器件 100。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以形成在抗電流泄漏層145上。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以包括η型半導(dǎo)體層。η型半導(dǎo)體層可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料，諸如InAlGaN、 GaN, AlGaN, InGaN、AlN和InN。另夕卜，ρ型半導(dǎo)體層可以以5 X 1018cm_3至3 X 1019cm_3的摻雜濃度被摻雜有P型摻雜物，諸如Si、Ge、Sn。如果使用MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)方法形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150， 那么通過將三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮?dú)?N2)、以及氫氣(H2)中的至少一種氣體和包括諸如Si的η型摻雜物的η型摻雜物氣體注入室可以形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 150。但是，形成第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150的方法不限于此?？梢栽诖蠹s1000°C至大約1100°c的范圍內(nèi)的溫度生長(zhǎng)第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 150。因此，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150可以具有大約1 μ m至大約1. 5 μ m的厚度以防止有源層140的損壞，但是不限于此。由于第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150包括η型半導(dǎo)體層，所以容易歐姆接觸η型半導(dǎo)體層的接觸層(未示出)能夠容易地形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150上。圖5是包括圖1的發(fā)光器件的具有橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100Α的橫截面圖。參考圖5，具有橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100Α包括襯底110、在襯底110上的緩沖層112、在緩沖層112上的未摻雜的半導(dǎo)體層120、在未摻雜的半導(dǎo)體層120上的溝槽形成層123、在溝槽形成層123上的超晶格結(jié)構(gòu)層127、在超晶格結(jié)構(gòu)層127上的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130上的有源層140、在有源層140上的抗電流泄漏層145、在抗電流泄漏層145上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150、在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層 130上的第一電極131以及在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150上的第二電極151。S卩，為了提供發(fā)光器件100A，可以對(duì)發(fā)光器件100執(zhí)行臺(tái)面蝕刻工藝以暴露第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130，并且第一電極131形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的暴露的 部分上。而且，第二電極151形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150上。橫向地定位的第一和第二電極131和151連接到外部電源，并且因此電力被施加到具有橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100A。同時(shí)，用于歐姆接觸的接觸層(未示出)可以形成在第一電極131和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130之間以及第二電極151和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150之間。接觸層可以是透明接觸層或者反射層。透射接觸層可以包括ΙΤ0、IZO (In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-Ga ZnO)、IGZ0(In-Ga ZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、ZnO 等等。反射接觸層可以包括具有高反射效率的金屬。例如，反射層160可以包括Ag、Al、 Pt、Cu或者其合金中的至少一個(gè)，但是不限于此。圖6是包括圖1的發(fā)光器件的具有垂直發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100B的橫截面圖。參考圖6，具有垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100B包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130下面的有源層140、在有源層140下面的抗電流泄漏層145、在抗電流泄漏層145下面的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150、在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150下面的反射層160、在反射層160下面的導(dǎo)電支撐構(gòu)件170以及第三電極132。S卩，為了提供發(fā)光器件100B，可以移除襯底(未示出)并且可以在導(dǎo)電支撐構(gòu)件 170可以形成在發(fā)光器件100上之后形成第三電極132。垂直地定位的導(dǎo)電支撐構(gòu)件170和第三電極132被連接到外部電源，并且因此電力被施加到具有垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100B。導(dǎo)電支撐構(gòu)件170可以包括從由Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo以及被摻雜有摻雜物的半導(dǎo)體襯底組成的組中選擇的至少一個(gè)。反射層160可以由具有高反射效率的金屬制成。例如，反射層160可以包括Ag、 Al、Pt、Cu或者其合金中的至少一個(gè)。通過激光剝離(LLO)方法和/或蝕刻方法可以移除襯底(未示出)。在移除襯底 (未示出)之后，可以執(zhí)行用于研磨第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的表面的蝕刻。在下文中，將會(huì)描述根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件。將會(huì)省略與上述相同或者相類似的內(nèi)容的詳細(xì)描述。圖7是根據(jù)修改示例的發(fā)光器件的橫截面圖。參考圖7，在本修改實(shí)施例的發(fā)光器件100C中，有源層141的上表面是平坦的。 艮口，有源層114包括沿著形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130上的具有均勻的厚度的第一層140a;和填充溝槽的內(nèi)部的第二層140b。第一和第二層140a和140b可以包括具有 InxAlyGa1^yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。因?yàn)橛性磳?41具有平坦的上表面，所以能夠增強(qiáng)發(fā)光器件100C的可靠性和電氣性能。提供具有橫向電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件作為圖7中的示例。然而，有源層141可以被應(yīng)用于具有垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件。圖8是根據(jù)另一修改實(shí)施例的發(fā)光器件100D的橫截面圖。

參考圖8，在具有垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件100D中，鈍化層180可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130、有源層140以及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150的至少側(cè)表面區(qū)域處。而且，在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150和導(dǎo)電支撐構(gòu)件170之間，粘附層182、歐姆接觸層184、 電流阻擋層(CBL) 185以及保護(hù)構(gòu)件188與反射層160 —起形成。粘附層182可以形成在導(dǎo)電支撐構(gòu)件170上。例如，粘附層182可以包括Ti、Au、 Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta中的至少一個(gè)。另外，粘附層182可以包括具有不同材料的多個(gè)層。反射層160可以形成在粘附層182上。因?yàn)樵谏厦婷枋隽朔瓷鋵?60，所以將會(huì)省略其詳細(xì)描述。歐姆接觸層184可以形成在反射層160上。歐姆接觸層184可以與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150形成歐姆接觸。例如，歐姆接觸層184可以包括11~0(銦錫氧化物)、附、？仏11·、!^以及Ag中的至少一個(gè)，但是不限于此。保護(hù)層188可以形成在反射層160的上表面的外圍區(qū)域和歐姆接觸層184的外圍區(qū)域處。保護(hù)層188防止在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150和導(dǎo)電支撐構(gòu)件170之間的電氣短路。保護(hù)層188可以包括透明材料以最小化光的損耗。例如，保護(hù)層188可以包括 SiO2, SixOy、Si3N4, SixNy、SiOxNy、A1203、TiO2, ITO、AZO(鋅鋁氧化物)以及 ZnO 中的至少一個(gè)。另一方面，保護(hù)層188可以包括導(dǎo)電材料，例如，Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir以及W中的至少一個(gè)。保護(hù)層188的材料不限于此。電流阻擋層186可以形成在歐姆層184和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150之間使得電流阻擋層186在垂直方向上部分地重疊第三電極132。因此，電流阻擋層186能夠防止電流沿著最短的路徑集中從而電流分布到發(fā)光器件100D的整個(gè)區(qū)域，從而有助于發(fā)光效率的增強(qiáng)。電流阻擋層186可以由與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150形成肖特基接觸的材料形成，即，由具有電氣絕緣性能的材料或者具有低于歐姆層184的導(dǎo)電性的材料形成。例如， 電流阻擋層 186 可以包括 ZnO, SiO2, SiOx、SiOxNy, Si3N4、A1203、TiOx、Ti、Al 以及 Cr 中的至少一個(gè)，但是不限于此。第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150、抗電流泄漏層145、有源層140以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130順序地形成在歐姆接觸層184和保護(hù)層188上。鈍化層180可以形成在第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150、抗電流泄漏層145、有源層140以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130中的至少一側(cè)表面上。鈍化層180可以形成為與將第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層150、抗電流泄漏層 145、有源層140以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的側(cè)表面與外電極(未示出)電氣地絕緣， 但是不限于此。如所示的，鈍化層180的一端可以形成在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層130的上表面上并且鈍化層180的另一端可以形成在保護(hù)層188上。然而，鈍化層180不限于此。
例如，鈍化層180可以包括Si02、SiOx, SiOxNy> Si3N4或者Al2O3，但是不限于此。圖9是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件100的發(fā)光器件封裝的橫截面圖。參考圖9，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝包括封裝主體20 ；第一和第二引線電極31 和32，該第一和第二引線電極31和32被安裝在封裝主體20上；根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件 100，其被安裝在封裝主體20上，并且電氣地連接至第一和第二引線電極31和32 ；以及成型構(gòu)件40，該成型構(gòu)件40包封發(fā)光器件100。封裝主體20可以形成為包括硅材料、合成樹脂材料、或者金屬材料，并且可以在發(fā)光器件100的周圍具有傾斜表面。第一引線電極31和第二引線電極32被電氣分離，并且向發(fā)光器件100供應(yīng)電力。 而且，第一和第二引線電極31和32可以反射從發(fā)光器件100產(chǎn)生的光以增加光效率，并且可以將從發(fā)光器件100產(chǎn)生的熱散發(fā)到外部。發(fā)光器件100可以被安裝在封裝主體20上，或者被安裝在第一引線電極31或第二引線電極32上。例如，通過使用布線，可以將發(fā)光器件100電氣地連接到第一引線電極31和第二引線電極32。根據(jù)實(shí)施例，布線被結(jié)合到第一電極或者保護(hù)構(gòu)件上的結(jié)合金屬層。因此，能夠最小化通過布線的光損耗，并且能夠防止當(dāng)布線被結(jié)合時(shí)可能產(chǎn)生的發(fā)光結(jié)構(gòu)145的損壞。
成型構(gòu)件40可以包封并且保護(hù)發(fā)光器件100。而且，熒光材料可以被包含在成型構(gòu)件40中，以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的發(fā)光器件封裝可以安裝至少一個(gè)根據(jù)前述實(shí)施例的發(fā)光器件， 但是本發(fā)明不限于此。發(fā)光器件封裝可以包括被排列在基板上的多個(gè)發(fā)光器件封裝。諸如導(dǎo)光面板、棱鏡片、擴(kuò)散片、熒光片等等的多個(gè)光學(xué)構(gòu)件可以被布置在從發(fā)光器件封裝發(fā)射的光的路徑上。發(fā)光器件封裝、基板、以及光學(xué)構(gòu)件可以用作背光單元或者照明單元，并且照明系統(tǒng)可以包括，例如背光單元、照明單元、指示器單元、燈、路燈等等。圖10是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的背光單元的分解透視圖。圖10的背光單元1100是照明系統(tǒng)的一個(gè)示例，并且本發(fā)明不限于此。參考圖10，背光單元1100可以包括底蓋1140、設(shè)置在底蓋1140中的導(dǎo)光構(gòu)件 1120、以及設(shè)置在導(dǎo)光構(gòu)件1120的下面或者導(dǎo)光構(gòu)件1120的至少一個(gè)側(cè)表面上的發(fā)光模塊1110。而且，反射片1130可以被設(shè)置在導(dǎo)光構(gòu)件1120的下面。底蓋1140可以形成為盒形形狀，其頂表面被開口使得能夠容納導(dǎo)光構(gòu)件1120、發(fā)光模塊1110、以及反射片1130。底蓋1140可以由金屬或者樹脂材料形成，但是本發(fā)明不限于此。發(fā)光模塊1110可以包括基板700和安裝在基板700上的多個(gè)發(fā)光器件封裝600。 多個(gè)發(fā)光器件封裝600可以將光提供給導(dǎo)光構(gòu)件1120。在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的發(fā)光模塊1110 中，示例性示出的是，發(fā)光器件封裝600被安裝在基板700上，但是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以直接地安裝在基板700上。如圖10中所示，可以將發(fā)光模塊1110設(shè)置在底蓋1140的至少一個(gè)內(nèi)側(cè)表面上， 并且因此可以將光提供到導(dǎo)光構(gòu)件1120的至少一個(gè)側(cè)表面。
還要理解的是，發(fā)光模塊1110可以被設(shè)置在底蓋1140內(nèi)的導(dǎo)光構(gòu)件1120下面， 以朝著導(dǎo)光構(gòu)件1120的底表面提供光。然而，由于可以根據(jù)背光單元1100的設(shè)計(jì)來修改此構(gòu)造，所以本發(fā)明不限于此。導(dǎo)光構(gòu)件1120可以被設(shè)置在底蓋1140內(nèi)。導(dǎo)光構(gòu)件1120可以將從發(fā)光模塊提供的光轉(zhuǎn)換為平面光源，并且將轉(zhuǎn)換的平面光源導(dǎo)向顯示面板(未示出)。例如，導(dǎo)光構(gòu) 件1120可以是導(dǎo)光面板(LGP)。例如，LGP可以由諸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸系樹脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、C0C、以及聚萘二甲酸乙二酯樹脂中的一個(gè)形成。光學(xué)片1150可以被設(shè)置在導(dǎo)光構(gòu)件1120上。例如，光學(xué)片1150可以包括擴(kuò)散片、聚光片、亮度增強(qiáng)片以及熒光片中至少一種。 例如，通過堆疊的擴(kuò)散片、聚光片、亮度增強(qiáng)片以及熒光片可以構(gòu)造光學(xué)片1150。在這樣的情況下，擴(kuò)散片1150均勻地?cái)U(kuò)散從發(fā)光模塊1110發(fā)射的光，并且通過聚光片可以將擴(kuò)散光聚集在顯示面板(未示出)上。這時(shí)，從聚光片發(fā)射的光是隨機(jī)偏振的光，并且亮度增強(qiáng)片可以增加從聚光片發(fā)射的光的偏振。例如，聚光片可以是水平和/或垂直棱鏡片。而且，例如，亮度增強(qiáng)片可以是雙亮度增強(qiáng)膜。而且，熒光片可以是包括熒光材料的透明板或膜。反射片1130可以被設(shè)置在導(dǎo)光構(gòu)件1120的下面。反射片1130可以朝著導(dǎo)光構(gòu)件1120的發(fā)光表面反射從導(dǎo)光構(gòu)件1120的底表面發(fā)射的光。反射片1130可以由例如PET、PC、PVC樹脂等的具有良好的反射率的樹脂材料形成，但是本發(fā)明不限于此。圖11是根據(jù)實(shí)施例的包括發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝的照明單元的透視圖。圖 11的照明單元1200是照明系統(tǒng)的示例，并且本發(fā)明不限于此。參考圖11，照明單元1200可以包括殼體1210、被安裝在殼體1210中的發(fā)光模塊 1230、以及安裝在殼體1210中以被供應(yīng)有來自于外部電源的電力的連接端子。殼體1210可以優(yōu)選地由具有良好的熱屏蔽特性的材料形成，例如，由金屬材料或者樹脂材料形成。發(fā)光模塊1230可以包括基板700和安裝在基板700上的發(fā)光器件封裝600。在根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的發(fā)光模塊1230中，示例性示出的是，發(fā)光器件封裝600被安裝在基板700 上，但是根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以被直接地安裝在基板700上。基板700可以是其上印刷有電路圖案的絕緣體基板，并且可以包括，例如，普通的印刷電路板(PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB，等等。而且，基板700可以由有效地反射光的材料形成，并且其表面可以形成為能夠有效地反射光的顏色，例如，白色、銀色等。至少一個(gè)發(fā)光器件封裝600可以被安裝在基板700上。發(fā)光器件封裝600中的每一個(gè)可以包括至少一個(gè)發(fā)光二極管(LED)。發(fā)光二極管可以包括發(fā)射紅、綠、藍(lán)或者白光的彩色LED，和發(fā)射紫外線(UV)的UV LED。發(fā)光模塊1230可以具有若干LED的組合，以獲得所期望的顏色和亮度。例如，發(fā)光模塊1230可以具有白光LED、紅光LED、以及綠光LED的組合，以便獲得高顯色指數(shù)(CRI)。 熒光片可以進(jìn)一步被設(shè)置在從發(fā)光模塊1230發(fā)射的光的路徑上。熒光片轉(zhuǎn)換從發(fā)光模塊發(fā)射的光的波長(zhǎng)。例如，當(dāng)從發(fā)光模塊1230發(fā)射的光具有藍(lán)光波長(zhǎng)帶時(shí)，熒光片可以包括黃熒光材料，使得從發(fā)光模塊1230發(fā)射并且穿過熒光片的光最終呈現(xiàn)為白光。連接端子1220可以電氣地連接至發(fā)光模塊1230，以向發(fā)光模塊1230供應(yīng)電力。 如圖11中所示，可以將連接端子1220螺紋耦合到外部電源，但是本發(fā)明不限于此。例如， 連接端子1220可以以插頭類型制成，并且插入到外部電源中，或者可以通過電源線連接到外部電源。如上所述，照明系統(tǒng)可以包括光的行進(jìn)路徑上的導(dǎo)光構(gòu)件、擴(kuò)散片、聚光片、亮度增強(qiáng)片以及熒光片中的至少一種，以獲得想要的光學(xué)效果。如上所述，由于根據(jù)本實(shí)施例的照明系統(tǒng)包括具有增強(qiáng)的發(fā)光效率和增強(qiáng)的可靠性的發(fā)光器件或者發(fā)光器件封裝，所以照明系統(tǒng)能夠示出優(yōu)秀的特性。在本說明書中對(duì)于“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的任何引用意味著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在說明書中，在多個(gè)位置出現(xiàn)的這類短語不必都表示相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的其它實(shí)施例來實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性也在本領(lǐng)域技術(shù)人員的認(rèn)識(shí)范圍內(nèi)。

雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的多個(gè)示例性實(shí)施例描述了實(shí)施例，但是應(yīng)該理解，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出許多落入本公開內(nèi)容的原理的精神和范圍內(nèi)的其它修改和實(shí)施例。 更具體地，在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，主題組合布置的組成部件和/ 或布置方面的多種變化和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置方面的變化和修改之夕卜，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，替代的使用也將是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層以及在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的有源層；和在所述有源層和所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的抗電流泄漏層，其中所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括多個(gè)溝槽，其中所述有源層沿著所述溝槽形成，并且其中與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的所述抗電流泄漏層的表面是平坦的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中朝著所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的內(nèi)部所述溝槽的平面面積逐漸地減少。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽具有在一個(gè)方向上伸長(zhǎng)的V形狀、圓錐形、以及多角錐形中的一個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中沿著所述溝槽形成與所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的所述有源層的第一表面，并且沿著所述溝槽形成與所述抗電流泄漏層相鄰的所述有源層的第二表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中沿著所述溝槽形成與所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的所述有源層的第一表面，并且與所述抗電流泄漏層相鄰的所述有源層的第二表面是平坦的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述抗電流泄漏層具有大于所述有源層的帶隙的帶隙。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述抗電流泄漏層包括至少一個(gè)第一和第二抗電流泄漏層，并且其中所述第一抗電流泄漏層包括InxAlyGai_x_yN(0 < χ ≤ 0. 03,0 <y < 1，0 < x+y < 1)，并且所述第二抗電流泄漏層具有其中重復(fù)地堆疊AlGaN層和GaN層的堆疊結(jié)構(gòu)的超晶格結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述抗電流泄漏層包括第一抗電流泄漏層，所述第一抗電流泄漏層形成在所述有源層上，第二抗電流泄漏層，所述第二抗電流泄漏層形成在所述第一抗電流泄漏層上，其中沿著所述溝槽形成與所述有源層相鄰的所述第一抗電流泄漏層的第一表面，并且沿著所述溝槽形成與所述第二抗電流泄漏層相鄰的所述第一抗電流泄漏層的第二表面，并且其中沿著所述溝槽形成與所述第一抗電流泄漏層相鄰的所述第二抗電流泄漏層的第一表面，并且與所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的所述第二抗電流泄漏層的第二表面是平坦的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層具有處于大約 1 μ m至大約5 μ m的范圍內(nèi)的厚度，并且所述第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層具有處于大約1 μ m至大約1.5μπι范圍內(nèi)的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括Zn。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層下面形成溝槽形成層，并且在所述溝槽形成區(qū)域下面形成未摻雜的半導(dǎo)體層，其中所述溝槽形成區(qū)域包括多個(gè)第二溝槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽形成層具有與所述未摻雜的半導(dǎo)體層的材料相同的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括在所述溝槽形成層和所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間形成其中重復(fù)地堆疊InGaN層和GaN層的超晶格結(jié)構(gòu)層。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述溝槽形成層具有處于大約0.5 μ m至大約5μπι范圍內(nèi)的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中與所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的所述第二溝槽的上部具有大約0. 5 μ m至大約1. 5 μ m的寬度，并且所述第二溝槽具有大約 0. 3 μ m至大約0. 7 μ m的深度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種發(fā)光器件。在一個(gè)實(shí)施例中，發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層、以及在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的有源層；和在有源層和第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的抗電流泄漏層。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層包括多個(gè)溝槽。沿著溝槽形成有源層。與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相鄰的抗電流泄漏層的表面是平坦的。
文檔編號(hào)H01L33/14GK102169935SQ20111004226
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月18日
發(fā)明者孫孝根 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司