專利名稱：一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路芯片上靜電放電防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，具體來講是一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中避免發(fā)生閂縮效應(yīng)的電源鉗位結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在集成電路芯片的制造、傳輸運(yùn)送及最終系統(tǒng)應(yīng)用中，都不可避免的會(huì)出現(xiàn)靜電放電(Electrostatic discharge ESD)現(xiàn)象，而ESD瞬間釋放的能量極有可能破壞IC芯片中的脆弱器件。因此，使用高性能的靜電防護(hù)電路來鉗位IC芯片各引腳的電壓并泄放ESD 的電荷以保護(hù)IC芯片不受損害是十分必需的。目前已有多種靜電防護(hù)器件被提出，如二極管、GGNM0S、SCR等。但是在實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓工藝制造的芯片的ESD防護(hù)過程中，由于這類芯片的工作電壓通常比較高，可達(dá)到20V-40V 甚至更高，因此其電源與地之間靜電防護(hù)模塊的觸發(fā)電壓要高于正常工作電壓。如果選用多指條(multi-finger)并聯(lián)的GGNMOS結(jié)構(gòu)，這里的NMOS就必須使用高壓工藝中的高壓晶體管，而對(duì)于高壓晶體管，其一次擊穿電壓遠(yuǎn)大于二次擊穿電壓(vt2 << vtl)，這將違背多指條器件均勻?qū)ǖ幕緱l件，即Vtl < Vt2，因此多指條并聯(lián)后的高壓NMOS器件的ESD保護(hù)能力并不能在單指條基礎(chǔ)上得到較大提高。一般的可在多指條 GGNMOS器件的每個(gè)指條中增加電阻以提高器件二次擊穿電壓值，從而提高導(dǎo)通均勻性，但是高壓NMOS的Vt2比Vtl值要小太多，即使在每個(gè)指條中串連電阻，仍然無法滿足各指條之間均勻?qū)ǖ臈l件，也就很難達(dá)到高的ESD防護(hù)能力。如果選用多指條SCR結(jié)構(gòu)，雖然可以避免非均勻?qū)▎栴}，達(dá)到較高的靜電放電防護(hù)能力，但是如果外部噪聲出現(xiàn)在電路的端口上，誤觸發(fā)了電源和地之間的SCR模塊，形成低電阻通路，而一般的SCR結(jié)構(gòu)的鉗位電壓都很低，在2 3V左右，這時(shí)電源處的鉗位電壓就比電路工作電壓還要小，電源和地之間的低阻導(dǎo)通狀態(tài)就可以一直保持，從而形成閂縮效應(yīng)，最終將導(dǎo)致該部分電路被燒毀。所以，高壓工藝集成電路中電源與地之間的靜電放電防護(hù)電路必須同時(shí)具備均勻?qū)ê涂杀苊庖蛲饨釉肼晫?dǎo)致的閂縮效應(yīng)發(fā)生的能力。針對(duì)上述問題，文獻(xiàn)中公開過的現(xiàn)有解決方案有如下三種在 Mingdou, Ker 的論文"Design on latchup-free power-rail ESD clamp circuit in high-voltage CMOS ICs”(E0S/ESD Symposium 2004)中，不同數(shù)量的場氧化物器件(FOD)通過級(jí)聯(lián)的方式來達(dá)到倍增單個(gè)FOD器件的鉗位電壓值，從而實(shí)現(xiàn)無閂縮效應(yīng)發(fā)生的ESD保護(hù)。在 Olivier Quittard 的論文“ESD protection for high-voltage CMOS technologies”(E0S/ESD Symposium 2006)中，則通過級(jí)聯(lián)不同數(shù)量的低壓GG匪OS或者 Gate-up PMOST (GUPMOS)場效應(yīng)晶體管器件來倍增單個(gè)MOSFET的鉗位電壓值，以實(shí)現(xiàn)無閂縮效應(yīng)發(fā)生的ESD保護(hù)。上面兩種方案基于FOD器件以及GGNM0S/GUPM0S器件自身有較高的鉗位電壓的特征，通過級(jí)聯(lián)數(shù)個(gè)相同的FOD器件或者M(jìn)OS器件來實(shí)現(xiàn)預(yù)期要求的鉗位電壓值。但是FOD 器件以及GGNM0S/GUPM0S的單位面積ESD保護(hù)能力不高，需要犧牲很大的芯片面積來實(shí)現(xiàn)基本的ESD保護(hù)指標(biāo)。在美國專利US20090212323 "Silicon-Controlled Rectifier (SCR) devices for high-voltage Electrostatic Discharge (ESD) applications” 中，提出了一種新型 SCR 結(jié)構(gòu)用來提升單個(gè)SCR器件結(jié)構(gòu)的鉗位電壓。該新型SCR結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)SCR器件寄生BJT的發(fā)射極(寄生PNP的P+發(fā)射級(jí)和寄生NPN的N+發(fā)射級(jí))在器件的縱向替換成P+和N+摻雜交替的方式。新型SCR器件的鉗位電壓將得到很大提升，通過選取合適的P+和N+摻雜面積比例，可以調(diào)整鉗位電壓的大小，使得鉗位電壓值高于電路正常工作電壓范圍，從而有效避免閂縮效應(yīng)的發(fā)生。但是該發(fā)明在實(shí)際應(yīng)用中，需要選取合適的參數(shù)即正極到負(fù)極之間的距離、N+和P+摻雜的面積比例，這些參數(shù)的選取是要建立在較多的試驗(yàn)基礎(chǔ)上，難以得到廣泛應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其單位面積靜電防護(hù)能力非常高，可以使得整個(gè)電路設(shè)計(jì)面積得到優(yōu)化，通過橋狀P+注入?yún)^(qū)的尺寸大小來控制電源鉗位結(jié)構(gòu)，并且隨著級(jí)聯(lián)級(jí)數(shù)的倍增，級(jí)聯(lián)器件的觸發(fā)電壓值以及鉗位電壓值也跟著倍增，不用較多的實(shí)驗(yàn)計(jì)算，易于普及應(yīng)用。為達(dá)到以上目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，包括單體MLSCR器件，所述單體MLSCR器件包括P阱和N阱，所述P阱和N阱之間有一橋狀P+注入?yún)^(qū)，所述橋狀P+注入?yún)^(qū)的尺寸調(diào)節(jié)范圍在2. 5um 10. Oum之間。其中，所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為N外延或N-Tub層，N外延或N-Tub層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括N阱和P阱，N阱和P阱上均設(shè)有兩個(gè)注入?yún)^(qū)，分別為N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)。其中，所述N阱的N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離P阱的一端，P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近P阱的一端；P阱的P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離N阱的一端，N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近N阱的一端；N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)之間由FOX隔離。其中，所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為埋層，埋層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括深N阱和深P阱。在上述方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還采取了一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，包括至少上述單體MLSCR器件形成的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述每個(gè)上一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極和下一級(jí)單體MLSCR器件的正極通過金屬連接，且第一級(jí)單體MLSCR器件的正極為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的正極，最后一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的負(fù)極。其中，所述單體MLSCR器件采用N-ring隔離，單體MLSCR器件之間采用P-ring隔離，N-ring隔離懸浮，P-ring隔離接地。其中，每一所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為N外延或N-Tub層，N 外延或N-Tub層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括N阱和P阱，N阱和P阱上均設(shè)有兩個(gè)注入?yún)^(qū)，分別為 N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)。其中，每一所述N阱的N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離P阱的一端，P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近P阱的一端；P阱的P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離N阱的一端，N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近N阱的一端；N+ 注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)之間由FOX隔離。其中，每一所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為埋層，埋層上為阱區(qū)， 阱區(qū)包括深N阱和深P阱。本發(fā)明的有益效果在于1.單體MLSCR器件具有橋狀P+注入?yún)^(qū)，改變了傳統(tǒng)SCR結(jié)構(gòu)的正向擊穿電壓，從 N-Well/P-Well(N阱/P阱)結(jié)擊穿電壓降低到N_Well/P+(N阱/P+注入?yún)^(qū))結(jié)擊穿電壓， 降低了 SCR單體器件的觸發(fā)電壓；2.此類單體MLSCR器件可以通過調(diào)節(jié)N阱中P+注入?yún)^(qū)和P阱中N+注入?yún)^(qū)的尺寸，N阱中P+注入?yún)^(qū)與橋狀P+注入?yún)^(qū)的距離和P阱中N+注入?yún)^(qū)與橋狀P+注入?yún)^(qū)的距離， 橋狀P+注入?yún)^(qū)在N阱和P阱中的寬度尺寸來實(shí)現(xiàn)高鉗位電壓，選取合適的尺寸，即可使得單體MLSCR器件的鉗位電壓逐漸接近觸發(fā)電壓；3.隨著單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)級(jí)數(shù)的倍增，通過N_ring、P-ring有效的隔離，級(jí)聯(lián)器件的觸發(fā)電壓值以及鉗位電壓值也跟著倍增，選取合適的級(jí)聯(lián)個(gè)數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)無閂縮效應(yīng)的電源鉗位靜電放電防護(hù)電路設(shè)計(jì)。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例的單體MLSCR器件結(jié)構(gòu)截面圖；圖2為兩個(gè)圖1中單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)截面圖；圖3為圖2的金屬級(jí)聯(lián)俯視圖；圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的單體MLSCR器件結(jié)構(gòu)截面圖；圖5為兩個(gè)圖4中單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)截面圖。圖6為本發(fā)明不同個(gè)數(shù)的單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)TLP測(cè)試特性圖。附圖標(biāo)記第一實(shí)施例P型襯底la，N外延或者^1\^層加力阱33，？阱乜，貼注入?yún)^(qū)(21a、 31a、41a)，P+注入?yún)^(qū)(22a、41a、42a)，F(xiàn)OX 5a，橋狀 P+注入?yún)^(qū) 6a，一層金屬 M，二層金屬 56， 孔55。第二實(shí)施例P型襯底lb，埋層2b，深N阱3b，深P阱4b，N+注入?yún)^(qū)(21b、31b、41b)， P+注入?yún)^(qū) O2b、41b、42b)，F(xiàn)0X 5b，橋狀 P+注入?yún)^(qū) 6b。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。如圖1所示，為本發(fā)明的第一實(shí)施例級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的基本單元，所述單體MLSCR器件的結(jié)構(gòu)截面圖，其包括P型襯底la，P型襯底Ia上為N外延或者N-Tub層加，N外延或者N-Tub 層加上為阱區(qū)，阱區(qū)包括N阱3a和P阱如。N阱3a和P阱如上均設(shè)有兩個(gè)注入?yún)^(qū)，分別是N阱3a上的N+注入?yún)^(qū)31a和P+注入?yún)^(qū)32a ；以及P阱4a上的N+注入?yún)^(qū)41a和P+注入?yún)^(qū)42a。其中N阱3a的N+注入?yún)^(qū)31a設(shè)置在遠(yuǎn)離P阱4a的一端，P+注入?yún)^(qū)3 設(shè)置在靠近P阱乜的一端；P阱乜的P+注入?yún)^(qū)4 設(shè)置在遠(yuǎn)離N阱3a的一端，N+注入?yún)^(qū)41a 設(shè)置在靠近N阱3a的一端；N阱3a和P阱乜上的N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)之間均用FOX 5a進(jìn)行隔離。在所述N阱3a和P阱如交界的地方，有橋狀P+注入?yún)^(qū)6a連接N阱3a和P阱乜。N阱3a中的N+注入?yún)^(qū)31a和P+注入?yún)^(qū)3 構(gòu)成所述單體MLSCR器件的正極，P阱乜中的N+注入?yún)^(qū)41a和P+注入?yún)^(qū)4 構(gòu)成所述單體MLSCR器件的負(fù)極。N阱3a中的N+注入?yún)^(qū)31a、P+注入?yún)^(qū)3 和P阱乜中的N+注入?yún)^(qū)41a、P+注入?yún)^(qū)42a的寬度尺寸均為D1， N阱3a和P阱如上的隔離FOXfe的寬度分別為D2、D5，橋狀P+注入?yún)^(qū)6a在N阱3a中的寬度為D3，在P阱如中的寬度為D4。調(diào)節(jié)D1、D5、D3和D4的尺寸，可實(shí)現(xiàn)高鉗位電壓，選取合適的D3和D4值，可以使得鉗位電壓逐漸接近觸發(fā)電壓，本實(shí)施例中，所述橋狀P+注入?yún)^(qū)6a的寬度，即尺寸調(diào)節(jié)范圍在2. 5um 10. Oum之間。如圖2所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例，兩個(gè)單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，所述第一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極，由P阱如中N+注入?yún)^(qū)41a和P+注入?yún)^(qū)4 構(gòu)成；所述第二級(jí)單體 MLSCR器件的正極，由N阱3a中的N+注入?yún)^(qū)31a和P+注入?yún)^(qū)3 構(gòu)成；所述第一級(jí)單體 MLSCR器件的負(fù)極和第二級(jí)單體MLSCR器件的正極通過金屬連接在一起。保留所述第一級(jí) SCR單體器件的正極，由N阱3a中的N+注入?yún)^(qū)31a和P+注入?yún)^(qū)3 作為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的正極， 不與金屬連接。保留第二級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極，由P阱如中的N+注入?yún)^(qū)41a和P+ 注入?yún)^(qū)4 作為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的負(fù)極，不與金屬連接。兩級(jí)單體MLSCR器件的N外延或N-Tub 層加偏置，即N-ring(由兩個(gè)N+注入?yún)^(qū)21a構(gòu)成)懸浮，兩級(jí)單體MLSCR器件周圍采用 P-ring(由兩個(gè)P+注入?yún)^(qū)2 構(gòu)成)隔離，且P_ring接地(GND)。如圖3所示，為第一實(shí)施例的金屬級(jí)聯(lián)俯視圖，每級(jí)單體MLSCR器件的正極和負(fù)極均采用一層金屬M(fèi)覆蓋，每兩級(jí)單體MLSCR器件之間的級(jí)聯(lián)采用二層金屬56連接，一層金屬M(fèi)和二層金屬56之間采用孔55互聯(lián)。如圖4所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例的單體MLSCR器件結(jié)構(gòu)截面圖，結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施例中單體MLSCR器件基本相同，可以看做是第一個(gè)實(shí)施例中單體MLSCR器件的擴(kuò)展結(jié)構(gòu)，區(qū)別在于N外延或N-Tub區(qū)加用埋層沘替換，N阱3a用深N阱北替換，P阱如用深P阱 4b替換，即單體MLSCR器件包括P型襯底Ib，P型襯底Ib上為埋層2b，埋層2b上為阱區(qū)， 阱區(qū)包括深N阱北和深P阱4b。本實(shí)施例中所述深N阱北中的N+注入?yún)^(qū)31b、P+注入?yún)^(qū)3 和深P阱4b中的N+注入?yún)^(qū)41b、P+注入?yún)^(qū)42b的寬度尺寸均為D1，深N阱北和深 P阱4b上的隔離FOX 5b的寬度分別為D2、D5，橋狀P+注入?yún)^(qū)6b在深N阱北中的寬度為 D3，在深P阱4b中的寬度為D4。調(diào)節(jié)Dl、D5、D3和D4的尺寸，可實(shí)現(xiàn)高鉗位電壓，選取合適的D3和D4值，可以使得鉗位電壓逐漸接近觸發(fā)電壓。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，單體MLSCR器件也可替換為相關(guān)拓展結(jié)構(gòu)，參照?qǐng)D3，P 型襯底Ib上的N外延或N-Tub層加可用其他的N型淺摻雜層替換，N阱3a可用摻雜濃度比N外延或N-Tub層加(或其他的N型淺摻雜層)深、比N+注入?yún)^(qū)31a淺的N型摻雜層替換，P阱如可用摻雜濃度比N外延或N-Tub層2a (或其他的N型淺摻雜層)深、P+注入?yún)^(qū) 4 淺的P型摻雜層替換。如圖5所示，為第二實(shí)施例的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)截面圖，所述第一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極，由深P阱4b中N+注入?yún)^(qū)41b和P+注入?yún)^(qū)4 構(gòu)成；所述第二級(jí)單體MLSCR器件的正極，由深N阱北中N+注入?yún)^(qū)31b和P+注入?yún)^(qū)32b構(gòu)成；所述第一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極和第二級(jí)單體MLSCR器件的正極通過金屬連接在一起。保留所述第一級(jí)SCR單體器件深 N阱中的N+注入?yún)^(qū)31b和P+注入?yún)^(qū)32b，作為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的正極。保留第二級(jí)單體MLSCR器件深P阱4b中的N+注入?yún)^(qū)41b和P+注入?yún)^(qū)42b，作為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的負(fù)極。兩級(jí)MLSCR單體之間控制一定的間隔寬度，該間隔寬度值需要滿足相應(yīng)工藝規(guī)則中指定的達(dá)到無閂鎖效應(yīng)發(fā)生所需要的最小值，該間隔通過P+注入?yún)^(qū)21b連接P型襯底和地(GND)。如圖6所示，為不同個(gè)數(shù)的單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)TLP測(cè)試后的電流-電壓 (I-V)特性圖(其中空心圖標(biāo)標(biāo)示的為相應(yīng)的漏電電流值)，其中分別有單體MLSCR器件、 兩個(gè)MLSCR器件級(jí)聯(lián)、三個(gè)MLSCR器件級(jí)聯(lián)、四個(gè)MLSCR器件級(jí)聯(lián)的圖形表示，隨著級(jí)聯(lián)級(jí)數(shù)的倍增，級(jí)聯(lián)單體MLSCR器件的觸發(fā)電壓值以及鉗位電壓值也跟著倍增。通過選取合適的SCR級(jí)聯(lián)個(gè)數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)無閂縮效應(yīng)的電源鉗位靜電放電防護(hù)電路設(shè)計(jì)。本發(fā)明不局限于上述實(shí)施方式，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，包括單體MLSCR器件，所述單體 MLSCR器件包括P阱和N阱，其特征在于；所述P阱和N阱之間有一橋狀P+注入?yún)^(qū)，所述橋狀P+注入?yún)^(qū)的尺寸調(diào)節(jié)范圍在2. 5um 10. Oum之間。
2.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為N外延或N-Tub層，N外延或N-Tub層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括N阱和P阱，N阱和P阱上均設(shè)有兩個(gè)注入?yún)^(qū)，分別為N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于所述 N阱的N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離P阱的一端，P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近P阱的一端；P阱的P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離N阱的一端，N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近N阱的一端；N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)之間由 FOX隔離。
4.如權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為埋層，埋層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括深N阱和深P 阱。
5.一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，包括至少兩個(gè)權(quán)利要求1中所述的單體MLSCR器件形成的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述每個(gè)上一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極和下一級(jí)單體MLSCR器件的正極通過金屬連接，且第一級(jí)單體MLSCR器件的正極為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的正極，最后一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的負(fù)極。
6.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于所述單體MLSCR器件采用N-ring隔離，單體MLSCR器件之間采用P-ring隔離，N-ring隔離懸浮，P-ring隔離接地。
7.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于每一所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為N外延或N-Tub層，N外延或N-Tub層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括N阱和P阱，N阱和P阱上均設(shè)有兩個(gè)注入?yún)^(qū)，分別為N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于每一所述N阱的N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離P阱的一端，P+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近P阱的一端；P阱的P+ 注入?yún)^(qū)設(shè)置在遠(yuǎn)離N阱的一端，N+注入?yún)^(qū)設(shè)置在靠近N阱的一端；N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)之間由FOX隔離。
9.如權(quán)利要求5所述的應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，其特征在于每一所述單體MLSCR器件包括P型襯底，P型襯底上為埋層，埋層上為阱區(qū)，阱區(qū)包括深N阱和深P阱。
全文摘要
一種應(yīng)用于高壓工藝集成電路中電源鉗位結(jié)構(gòu)，包括單體MLSCR器件，其包含P阱和N阱，P阱和N阱之間有一橋狀P+注入?yún)^(qū)，所述橋狀P+注入?yún)^(qū)的尺寸范圍在2.5um～10.0um，所述電源鉗位結(jié)構(gòu)還可采用至少兩個(gè)上述單體MLSCR器件級(jí)聯(lián)，每個(gè)上一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極和下一級(jí)單體MLSCR器件的正極通過金屬連接，且第一級(jí)單體MLSCR器件的正極為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的正極，最后一級(jí)單體MLSCR器件的負(fù)極為級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)的負(fù)極，該電源鉗位結(jié)構(gòu)，其單位面積靜電防護(hù)能力強(qiáng)，通過橋狀P+注入?yún)^(qū)的尺寸調(diào)節(jié)控制鉗位電壓，隨著級(jí)聯(lián)級(jí)數(shù)的倍增，級(jí)聯(lián)器件的觸發(fā)電壓值以及鉗位電壓值也跟著倍增，不用較多的實(shí)驗(yàn)計(jì)算，易于普及應(yīng)用。
文檔編號(hào)H01L27/02GK102169881SQ20111003705
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月14日
發(fā)明者劉志偉 申請(qǐng)人:武漢芯安微電子技術(shù)有限公司