專(zhuān)利名稱(chēng)：紫外光感測(cè)顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種紫外光感測(cè)顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于休閑風(fēng)潮的盛行，使得世界各國(guó)的人們競(jìng)相走出戶(hù)外從事休閑活動(dòng)以維護(hù)身體的健康。并且，隨著科技日新月異，在戶(hù)外從事休閑活動(dòng)時(shí)，可使用便攜式顯示裝置來(lái)處理事情。但是，環(huán)境的污染造成臭氧層破裂，使有害人體的紫外光得以長(zhǎng)驅(qū)直入， 容易讓人發(fā)生皮膚病變。因此，能夠提醒人們做足防曬準(zhǔn)備的紫外光強(qiáng)度的感測(cè)裝置便顯
得日趨重要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種紫外光感測(cè)顯示裝置，以感測(cè)出一定照射量的紫外光強(qiáng)度。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種紫外光感測(cè)顯示裝置，設(shè)置于一基板上，用于檢測(cè)一紫外光。紫外光感測(cè)顯示裝置包括一第一開(kāi)關(guān)晶體管、一第一光敏晶體管、一第一電容、一第一發(fā)光二極管、一第二開(kāi)關(guān)晶體管、一第二光敏晶體管、一第二電容以及一第二發(fā)光二極管。第一開(kāi)關(guān)晶體管具有一第一源極、一第一漏極與一第一柵極。第一光敏晶體管具有一第二源極、一第二漏極與一第二柵極，且第二柵極電性連接至第一漏極。第一電容電性連接于第一漏極與第二源極之間。第一發(fā)光二極管具有一第一陽(yáng)極與一第一陰極，且用于產(chǎn)生一第一顏色的光線(xiàn)。第一陽(yáng)極電性連接至第二漏極，且第一陰極與第二源極分別電性連接于一第一電壓源與一第二電壓源。第二開(kāi)關(guān)晶體管具有一第三源極、一第三漏極與一第三柵極。第二光敏晶體管具有一第四源極、一第四漏極與一第四柵極，且第四柵極電性連接至第三漏極。當(dāng)紫外光持續(xù)照射第一光敏晶體管與第二光敏晶體管時(shí)，第一光敏晶體管較第二光敏晶體管快開(kāi)啟。第二電容電性連接于第三漏極與該第四源極之間。第二發(fā)光二極管具有一第二陽(yáng)極與一第二陰極，且用于產(chǎn)生一不同于第一顏色的第二顏色的光線(xiàn)。第二陽(yáng)極電性連接至第四漏極，且第二陰極與第四源極分別電性連接于第一電壓源與第二電壓源。所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，還包括一第三開(kāi)關(guān)晶體管，具有一第五源極、一第五漏極與一第五柵極；—第三光敏晶體管，具有一第六源極、一第六漏極與一第六柵極，且該第六柵極電性連接至該第五漏極；一第三電容，電性連接于該第五漏極與該第六源極之間；以及一第三發(fā)光二極管，具有一第三陽(yáng)極與一第三陰極，且用于產(chǎn)生一不同于該第一顏色與該第二顏色的第三顏色的光線(xiàn)，其中該第三陽(yáng)極電性連接至該第六漏極，且該第三陰極與該第六源極分別電性連接于該第一電壓源與該第二電壓源。當(dāng)該紫外光持續(xù)照射該第一光敏晶體管、該第二光敏晶體管以及該第三光敏晶體管時(shí)，該第一光敏晶體管與該第二光敏晶體管較該第三光敏晶體管快開(kāi)啟。該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一柵極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管的該第二柵極電性連接至一掃描線(xiàn)。該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一源極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管的該第二源極電性連接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)。該第一光敏晶體管包括一第一柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第二柵極；一絕緣層，覆蓋于該第一柵極電極層與該基板上；一第一漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二漏極；一第一源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二源極；以及一第一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的該絕緣層上，且該第一氧化物半導(dǎo)體層具有一第一通道區(qū)與一第一電阻區(qū)，其中該第一通道區(qū)為該第一氧化物半導(dǎo)體層與該第一柵極電極層重疊的一部分，且該第一電阻區(qū)為該第一氧化物半導(dǎo)體層未與該第一柵極電極層重疊的另一部分。該第二光敏晶體管包括一第二柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第四柵極，其中該絕緣層覆蓋于該第二柵極電極層與該基板上；一第二漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四漏極；一第二源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四源極；以及一第二氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的該絕緣層上，且該第二氧化物半導(dǎo)體層具有一與該第二柵極電極層重疊的一部分的第二通道區(qū)以及一未與該第二柵極電極層重疊的另一部分的第二電阻區(qū)，其中該第一電阻區(qū)位于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的長(zhǎng)度小于該第二電阻區(qū)位于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的長(zhǎng)度，使該第一光敏晶體管較該第二光敏晶體管快開(kāi)啟。該第一氧化物半導(dǎo)體層延伸至該第一漏極電極層與該第一源極電極層上。該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。該第一漏極電極層與該第一源極電極層分別延伸至該第一氧化物半導(dǎo)體層上，且該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，還包括一保護(hù)層，覆蓋于該第一光敏晶體管上，且暴露出該第一漏極電極層，其中該第一發(fā)光二極管包括一陽(yáng)極電極層，設(shè)于該保護(hù)層上，且遮蔽該第一氧化物半導(dǎo)體層；一陰極電極層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層上；以及一發(fā)光層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層與該陰極電極層之間。該第一開(kāi)關(guān)晶體管包括一第三柵極電極層，設(shè)于該基板上，作為該第一柵極，其中該絕緣層覆蓋于該第三柵極電極層與該基板上；一第三漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，作為該第一漏極；一第三源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，作為該第一源極；以及一第三氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第三漏極電極層與該第三源極電極層間的該絕緣層上，且該第三氧化物半導(dǎo)體層完全重疊于該第三柵極電極層。為達(dá)上述的目的，本發(fā)明另提供一種紫外光感測(cè)顯示裝置，其包括一第一開(kāi)關(guān)晶體管、一第一光敏晶體管、一驅(qū)動(dòng)晶體管、一第一電容、一第一發(fā)光二極管、一第二開(kāi)關(guān)晶體管、一第二光敏晶體管、一第二電容以及一第二發(fā)光二極管。第一開(kāi)關(guān)晶體管具有一第一源極、一第一漏極與一第一柵極，且第一光敏晶體管具有一第二源極、一第二漏極與一第二柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管具有一第七源極、一第七漏極與一第七柵極，且第七柵極電性連接至第一漏極，而第二源極電性連接至第七漏極。第一電容電性連接于第一漏極與第七源極之間。第一發(fā)光二極管具有一第一陽(yáng)極與一第一陰極，且用于產(chǎn)生一第一顏色的光線(xiàn)。第一陽(yáng)極電性連接至第七漏極，且第一陰極與第二源極分別電性連接于一第一電壓源與一第二電壓源。 第二開(kāi)關(guān)晶體管具有一第三源極、一第三漏極與一第三柵極。第二光敏晶體管具有一第四源極、一第四漏極與一第四柵極，且第四柵極電性連接至第三漏極。第二電容電性連接于第三漏極與第四源極之間。第二發(fā)光二極管具有一第二陽(yáng)極與一第二陰極，且用于產(chǎn)生一不同于第一顏色的第二顏色的光線(xiàn)。第二陽(yáng)極電性連接至第四漏極，且第二陰極與第四源極分別電性連接于第一電壓源與第二電壓源。其中該第一感光敏光敏晶體管之的該第二間極柵極電性連接至該第一開(kāi)關(guān)晶體管之的該第一汲極漏極。其中該第一感光敏光敏晶體管之的該第二閘極柵極電性連接至一開(kāi)關(guān)線(xiàn)。其中該第一開(kāi)關(guān)晶體管之的該第一間極柵極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管之的該第二閘極柵極電性連接至一掃描線(xiàn)。其中該第一開(kāi)關(guān)晶體管之的該第一源極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管之的該第二源極電性連接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)。該第一感光敏光敏晶體管包括一第一閘極柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第二閘極柵極；一絕緣層，覆蓋于該第一閘極柵極電極層與該基板上；—第一汲極漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二汲極漏極；一第一源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二源極；以及—第一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第一汲極漏極電極層與該第一源極電極層間之的該絕緣層上，且該第一氧化物半導(dǎo)體層具有一與該第一間極柵極電極層重迭重疊之的第一通道區(qū)與一未與該第一閘極柵極電極層重迭重疊之的第一電阻區(qū)。該第二感光敏光敏晶體管包括一第二閘極柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第四閘極柵極，其中該絕緣層覆蓋于該第二間極柵極電極層與該基板上；一第二汲極漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四汲極漏極；一第二源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四源極；以及一第二氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第二汲極漏極電極層與該第二源極電極層間之的該絕緣層上，且該第二氧化物半導(dǎo)體層具有一與該第二間極柵極電極層重迭重疊之的第二通道區(qū)與一未與該第一閘極柵極電極層重迭重疊之的第二電阻區(qū)，其中該第一電阻區(qū)位于該第一汲極漏極電極層與該第一源極電極層間之的長(zhǎng)度系約略相同于該第二電阻區(qū)位于該第二汲極漏極電極層與該第二源極電極層間之的長(zhǎng)度。
該第一氧化物半導(dǎo)體層系延伸至該第一汲極漏極電極層與該第一源極電極層上。該第一感光敏光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。該第一汲極漏極電極層與該第一源極電極層分別延伸至該第一氧化物半導(dǎo)體層上，且該第一感光敏光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。該第一開(kāi)關(guān)晶體管與該第二開(kāi)關(guān)晶體管分別包括一第三閘極柵極電極層，設(shè)于該基板上，其中該絕緣層覆蓋于該第三閘極柵極電極層與該基板上；—第三汲極漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上；一第三源極電極層，設(shè)于該絕緣層上；以及一第三氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第三汲極漏極電極層與該第三源極電極層間之的該絕緣層上，且該第三氧化物半導(dǎo)體層完全重迭重疊于該第三間極柵極電極層。所述之的紫外光感測(cè)顯示裝置，另還包括一保護(hù)層，覆蓋于該第一感光敏光敏晶體管上，且暴露出該第一汲極漏極電極層，其中該第一發(fā)光二極管包括一陽(yáng)極電極層，設(shè)于該保護(hù)層上，且遮蔽該第一氧化物半導(dǎo)體層；一陰極電極層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層上；以及一發(fā)光層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層與該陰極電極層之間。綜上所述，本發(fā)明利用于紫外光照射下具有不同開(kāi)啟速度的光敏晶體管來(lái)控制發(fā)光二極管的開(kāi)關(guān)，使紫外光感測(cè)顯示裝置顯示出不同的顏色，以判斷出紫外光的照射量。


圖1為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置的示意圖；圖2為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一光敏晶體管與第一發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明第一光敏晶體管隨著紫外光照時(shí)間的變化的第二漏極電流與第二柵極與第二源極間的電壓關(guān)系圖；圖4為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第二光敏晶體管與第二發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一光敏晶體管的另一實(shí)施方式；圖7為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一光敏晶體管的又一實(shí)施方式；圖8為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置的示意圖；圖9為本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置的示意圖。其中，附圖標(biāo)記100紫外光感測(cè)顯示裝置102基板
1041第--紫外光感測(cè)顯示單元1042第二紫外光感測(cè)顯示單元
1043第三三紫外光感測(cè)顯示單元1061第—-開(kāi)關(guān)晶體管
1061a第--源極1061b第—11極
1061c第--柵極1062第二開(kāi)關(guān)晶體管
1062a第三源極1062b第三漏極
1062c第三柵極1063 第三開(kāi)關(guān)晶
1063a第五源極1063b第五漏極
1063c第五柵極1081 第一光敏晶
1081a第二源極1081b第二漏極
1081c第二柵極1082 第二光敏晶
1082a第四源極1082b第四漏極
1082c第四柵極1083 第三光敏晶
1083a第六源極1083b第六漏極
1083c第六柵極1101 第一電容
1102第二電容1103 第三電容
1121第一發(fā)光二極管1121a第一陽(yáng)極
1121b第一陰極1122第二發(fā)光二極管
1122a第二陽(yáng)極1122b第二陰極
1123第三發(fā)光二極管1123a第三陽(yáng)極
1123b第三陰極114第一電壓源
116第二電壓源118掃描線(xiàn)
120數(shù)據(jù)線(xiàn)1221第一柵極電極層
1222第二柵極電極層124絕緣層
1261第一漏極電極層1262第二漏極電極層
1281第一源極電極層1282第二源極電極層
1301第一氧化物半導(dǎo)體層1302第二氧化物半導(dǎo)體層
1321第一通道區(qū)1322第二通道區(qū)
1341第一電阻區(qū)1342第二電阻區(qū)
136保護(hù)層138陽(yáng)極電極層
140陰極電極層142發(fā)光層
150蝕刻停止層200紫外光感測(cè)顯示裝置
202區(qū)動(dòng)晶體管202a第七源極
202b第七漏極202c第七柵極
300紫外光感測(cè)顯示裝置302開(kāi)關(guān)線(xiàn)
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參考圖1，圖1為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置的示意圖。如圖 1所示，紫外光感測(cè)顯示裝置100設(shè)置于一基板102上，且可用于檢測(cè)一紫外光?；?02 可為各種用于制作薄膜晶體管的基板，例如硅基板、玻璃基板或塑料基板等，但不限于此。 并且，紫外光感測(cè)顯示裝置100包括一第一紫外光感測(cè)顯示單元1041以及一第二紫外光感測(cè)顯示單元1042，其中第一紫外光感測(cè)顯示單元1041包括一第一開(kāi)關(guān)晶體管1061、一第一光敏晶體管1081、一第一電容1101以及一第一發(fā)光二極管1121，且第二紫外光感測(cè)顯示單元1042包括一第二開(kāi)關(guān)晶體管1062、一第二光敏晶體管1082、一第二電容1102以及一第二發(fā)光二極管1122。于第一紫外光感測(cè)顯示單元1041中，第一開(kāi)關(guān)晶體管1061具有一第一源極1061a、一第一漏極1061b以及一第一柵極1061c，且第一光敏晶體管1081具有一第二源極1081a、一第二漏極1081b以及一第二柵極1081c。第一光敏晶體管1081的第二柵極1081c電性連接至第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一漏極1061b，且第一電容1101電性連接于第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一漏極1061b與第一光敏晶體管1081的第二源極1081a之間。 并且，第一發(fā)光二極管1121具有一第一陽(yáng)極1121a與一第一陰極1121b，且第一陽(yáng)極1121a 電性連接至第一光敏晶體管1081的第二漏極1081b，而第一陰極1121b電性連接至一第一電壓源114。再著，第一光敏晶體管1081的第二源極1081a電性連接至一第二電壓源116。 本實(shí)施例的第一電壓源114為接地，且第二電壓源116為一正電壓源，但本發(fā)明不限于此。并且，第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一柵極1061c電性連接至一掃描線(xiàn)118，而第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一源極1061a電性連接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)120。當(dāng)掃描線(xiàn)118傳遞一開(kāi)啟信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一柵極1061c時(shí)，第一開(kāi)關(guān)晶體管1061可被開(kāi)啟，使數(shù)據(jù)線(xiàn) 120從第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一源極1061a傳遞一顯示信號(hào)至第一光敏晶體管1081的第二柵極1081c。值得注意的是，本實(shí)施例的第一光敏晶體管1081于第二柵極1081c接收有一顯示信號(hào)時(shí)仍需有一定照射量的紫外光照射，才能被開(kāi)啟。因此，當(dāng)紫外光持續(xù)照射第一光敏晶體管1081時(shí)，第一光敏晶體管1081會(huì)被開(kāi)啟。連接至第二源極1081a的第一電壓源116可提供正電流通過(guò)已開(kāi)啟的第一光敏晶體管1081，以驅(qū)動(dòng)第一發(fā)光二極管1121。 借此，第一發(fā)光二極管1121可用于產(chǎn)生一第一顏色的光線(xiàn)。本實(shí)施例的第一顏色為綠色， 但不限于此，本發(fā)明的第一顏色亦可為各種其它顏色。此外，第二開(kāi)關(guān)晶體管1062具有一第三源極1062a、一第三漏極106 與一第三柵極1062c，且第二光敏晶體管1082具有一第四源極1082a、一第四漏極1082b與一第四柵極 1082c。第二光敏晶體管1082的第四柵極1082c電性連接至第二開(kāi)關(guān)晶體管1062的第三漏極1062c，且第二電容1102電性連接于第二開(kāi)關(guān)晶體管1062的第三漏極1062b與第二光敏晶體管1082的第四源極108 之間。并且，第二發(fā)光二極管1122具有一第二陽(yáng)極112 與一第二陰極1122b，且可用于產(chǎn)生一不同于第一顏色的第二顏色的光線(xiàn)。本實(shí)施例的第二顏色為紅色，但不限于此。第二陽(yáng)極1122a電性連接至第二光敏晶體管1082的第四漏極 1082b，且第二陰極1122b與第二光敏晶體管1082的第四源極108 分別電性連接于第一電壓源114與第二電壓源116。于本實(shí)施例中，第二開(kāi)關(guān)晶體管1062的第三柵極1062c與第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一柵極1061c電性連接至同一條掃描線(xiàn)118，且第二開(kāi)關(guān)晶體管 1062的第三源極1062a與第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一源極1061a電性連接至同一條數(shù)據(jù)線(xiàn) 120。值得注意的是，當(dāng)紫外光持續(xù)照射第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082 時(shí)，第一光敏晶體管1081會(huì)較第二光敏晶體管1082快被開(kāi)啟。因此，當(dāng)紫外光開(kāi)始照射紫外光感測(cè)顯示裝置100時(shí)，第一紫外光感測(cè)顯示單元1041會(huì)顯示出綠色。隨著紫外光照射時(shí)間越長(zhǎng)或照射強(qiáng)度越強(qiáng)，第二紫外光感測(cè)顯示單元1042會(huì)顯示出紅色，使紫外光感測(cè)顯示裝置100所顯示的顏色從綠色轉(zhuǎn)變?yōu)榫G色與紅色結(jié)合的顏色。借此，使用者可通過(guò)紫外光感測(cè)顯示裝置100的顏色改變來(lái)判斷出紫外光的照射量變多，甚至已達(dá)危險(xiǎn)狀態(tài)。于本實(shí)施例中，紫外光感測(cè)顯示裝置100另包括一第三紫外光感測(cè)顯示單元 1043，且第三紫外光感測(cè)顯示單元1043包括一第三開(kāi)關(guān)晶體管1063、第三光敏晶體管1083、第三電容1103以及第三發(fā)光二極管1123。第三開(kāi)關(guān)晶體管1063具有一第五源極1063a、一第五漏極1063b與一第五柵極1063c，且第三光敏晶體管1083具有一第六源極1083a、一第六漏極1083b與一第六柵極1083c。第六柵極1083c電性連接至第五漏極 1063b，且第三電容1103電性連接于第五漏極106 與第六源極1083a之間。第三發(fā)光二極管1123具有一第三陽(yáng)極1123a與一第三陰極1123b，且用于產(chǎn)生一不同于第一顏色與第二顏色的第三顏色的光線(xiàn)。本實(shí)施例的第三顏色為藍(lán)色，但不限于此。第三陽(yáng)極1123a電性連接至第六漏極1083b，且第三陰極112 與第六源極1083a分別電性連接于第一電壓源 114與第二電壓源116。并且，第五柵極1063c與第一柵極1061c以及第三柵極1062c電性連接至同一條掃描線(xiàn)118，且第五源極1063a與第一源極1061a以及第三源極1062a電性連接至同一條數(shù)據(jù)線(xiàn)120。值得注意的是，當(dāng)紫外光持續(xù)照射第一光敏晶體管1081、第二光敏晶體管1082以及第三光敏晶體管1083時(shí)，第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082較第三光敏晶體管1083快被開(kāi)啟，使第一紫外光感測(cè)顯示單元1041、第二紫外光感測(cè)顯示單元1042以及第三紫外光感測(cè)顯示單元1043可分別于不同紫外光照射量下被開(kāi)啟。借此， 由第一紫外光感測(cè)顯示單元1041、第二紫外光感測(cè)顯示單元1042以及第三紫外光感測(cè)顯示單元1043所分別顯示出的綠色、紅色與藍(lán)色可分別代表不同紫外光照射量的狀態(tài)。使用者可通過(guò)紫外光感測(cè)顯示裝置100所顯示的顏色改變來(lái)判斷出不同紫外光照射量所代表的不同危險(xiǎn)狀態(tài)。 由上述可知，本實(shí)施例的第一光敏晶體管1081、第二光敏晶體管1082與第三光敏晶體管1083隨著所受到紫外光照射的時(shí)間或照射量增加而會(huì)依序被開(kāi)啟，使紫外光感測(cè)顯示裝置100可依序顯示出不同顏色的光線(xiàn)，以判斷紫外光的照射量。并且，第一光敏晶體管1081較第二光敏晶體管1082快被開(kāi)啟，且第二光敏晶體管1082較第三光敏晶體管 1083快被開(kāi)啟，因此第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082于結(jié)構(gòu)上的差異關(guān)系相同于第二光敏晶體管1082與第三光敏晶體管1083于結(jié)構(gòu)上的差異關(guān)系。為了清楚說(shuō)明第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082的差異關(guān)系以及第二光敏晶體管1082與第三光敏晶體管1083的差異關(guān)系，以下將以第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082的結(jié)構(gòu)為例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明。請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一光敏晶體管與第一發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例的第一光敏晶體管1081設(shè)于基板 102上，且第一光敏晶體管1081包括一第一柵極電極層1221、一絕緣層124、一第一漏極電極層1沈1、一第一源極電極層1281以及第一氧化物半導(dǎo)體層1301。第一柵極電極層1221 設(shè)于基板102上，且作為第二柵極1081c。絕緣層IM覆蓋于第一柵極電極層1221與基板 102上，且位于第一柵極電極層1221上的絕緣層IM可作為第一光敏晶體管1081的柵極絕緣層。第一漏極電極層1261設(shè)于絕緣層IM上，且作為第二漏極1081b。第一源極電極層 1281設(shè)于絕緣層IM上，且作為第二源極1081a。并且，第一源極電極層1281與第一柵極電極層1221部分重疊，且第一漏極電極層1261未與第一柵極電極層1221重疊。本實(shí)施例的第一氧化物半導(dǎo)體層1301覆蓋于第一漏極電極層1261與第一源極電極層1281間的絕緣層IM上，并延伸至第一漏極電極層1261與第一源極電極層1281上。位于第一漏極電極層1261與第一源極電極層1281之間的第一氧化物半導(dǎo)體層1301具有一第一通道區(qū)1321 與一第一電阻區(qū)1341，并且第一通道區(qū)1341的第一氧化物半導(dǎo)體層1301具有一通道電阻， 而第一電阻區(qū)1341的第一氧化物半導(dǎo)體層1301具有一第一電阻。通道電阻與第一電阻串聯(lián)于第一漏極電極層1261與第一源極金屬層1281之間。其中，第一通道區(qū)1321為第一氧化物半導(dǎo)體層1301與第一柵極電極層1221重疊的一部分，且第一電阻區(qū)1341為第一氧化物半導(dǎo)體層1301未與第一柵極電極層1221重疊的另一部分。并且，第一電阻區(qū)1341位于第一漏極電極層1261與第一源極電極層1281之間具有一第一長(zhǎng)度Li，且本實(shí)施例的第一長(zhǎng)度Ll可約略介于0. 1微米至1000微米之間，但不以此為限。值得注意的是，本實(shí)施例的第一氧化物半導(dǎo)體層1301具有對(duì)紫外光敏感的特性，亦即當(dāng)未與第一柵極電極層1221重疊的第一氧化物半導(dǎo)體層1301的下表面受到紫外光照射后，第一電阻區(qū)1341的第一氧化物半導(dǎo)體層1301內(nèi)的載子濃度會(huì)上升，使受到照射的第一電阻區(qū)1341的第一氧化物半導(dǎo)體層1301的電阻值下降，而可忽略第一電阻的電阻值。并且，當(dāng)?shù)谝浑娮鑵^(qū)1341的第一氧化物半導(dǎo)體層1301的體積越大，第一電阻的電阻值的降低速度會(huì)越慢。第一氧化物半導(dǎo)體層1301的材料可為氧化銦鎵鋅(indium galliumzinc oxide)、氧化銦(indium oxide)、氧化鋅(zinc oxide)或氧化鎵(galliumoxide)，但不限于此。為了清楚說(shuō)明第一電阻的電阻值的變化與紫外光照射時(shí)間的關(guān)系，請(qǐng)參考圖3，圖 3為本發(fā)明第一光敏晶體管隨著紫外光照時(shí)間的變化的第二漏極電流與第二柵極與第二源極間的電壓關(guān)系圖。如圖3所示，第一曲線(xiàn)Cl、第二曲線(xiàn)C2、第三曲線(xiàn)C3、第四曲線(xiàn)C4、第五曲線(xiàn)C5、第六曲線(xiàn)C6、第七曲線(xiàn)C7、第八曲線(xiàn)C8、第九曲線(xiàn)C9以及第十曲線(xiàn)ClO依序代表第一光敏晶體管1081受到紫外光照射量由低至高的關(guān)系曲線(xiàn)，且第一曲線(xiàn)Cl至第十曲線(xiàn)ClO于相同電壓下的漏極電流依序遞增。因此，隨著紫外光照射量增加，第一光敏晶體管 1081的第二漏極1081b與第二源極1081a之間的電阻值會(huì)逐漸遞減，而開(kāi)始導(dǎo)通。另外，請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，紫外光感測(cè)顯示裝置100另包括一保護(hù)層136覆蓋于第一光敏晶體管1081上，且暴露出第一漏極電極層1沈1。第一發(fā)光二極管1121設(shè)于保護(hù)層136 上，且包括一陽(yáng)極電極層138、一陰極電極層140以及一發(fā)光層142。陽(yáng)極電極層138設(shè)于保護(hù)層136上，且作為第一發(fā)光二極管1121的第一陽(yáng)極1221a。并且，陽(yáng)極電極層138與暴露出的第一漏極電極層1261相接觸，以電性連接至第二漏極1081b，且陽(yáng)極電極層138 完全覆蓋第一光敏晶體管1081，以遮蔽第一氧化物半導(dǎo)體層1301，使第一氧化物半導(dǎo)體層 1301的上表面免于紫外光的照射。陽(yáng)極電極層138可由金屬導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如招、鎂鋁合金等。此外，陰極電極層140設(shè)于陽(yáng)極電極層138上，且作為第一發(fā)光二極管1121的第一陰極1221b。陰極電極層140可由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如氧化銦鋅(indium zinc oxide)或氧化銦錫(indium tin oxide)等。另外，發(fā)光層138設(shè)于陽(yáng)極電極層138與陰極電極層140之間，且發(fā)光層142可由一有機(jī)發(fā)光材料所構(gòu)成。因此，第一發(fā)光二極管1121 可為一有機(jī)發(fā)光二極管，但本發(fā)明不限于此，發(fā)光層142亦可為一半導(dǎo)體材料所構(gòu)成，使第一發(fā)光二極管1121為一無(wú)機(jī)發(fā)光二極管。請(qǐng)參考圖4，圖4為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第二光敏晶體管與第二發(fā)光二極管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，第二光敏晶體管1082包括一第二柵極電極層1222、一第二漏極電極層1262、一第二源極電極層1282以及一第二氧化物半導(dǎo)體層1302。第二柵極電極層1222與第一柵極電極層1221設(shè)于同一基板102上，且作為第四柵極1082c。并且， 絕緣層1 覆蓋于第二柵極電極層1222與基板102上。第二漏極電極層1262設(shè)于絕緣層 IM上，且作為第四漏極1082b。第二源極電極層1282設(shè)于絕緣層IM上，且作為第四源極 1082a。并且，第二氧化物半導(dǎo)體層1302設(shè)于第二漏極電極層1262與第二源極電極層1282間的絕緣層1 上，且位于第二漏極電極層1262與第二源極電極層1282之間的第二氧化物半導(dǎo)體層1302具有一與第二柵極電極層1222重疊的一部分的第二通道區(qū)1322以及一未與第二柵極電極層1222重疊的另一部分的第二電阻區(qū)1342。第二電阻區(qū)1342位于第二漏極電極層1262與第二源極電極層1282之間具有一第二長(zhǎng)度L2，且第二長(zhǎng)度L2大于第一長(zhǎng)度Li。第二發(fā)光二極管1122設(shè)于第二光敏晶體管1082上，使第二發(fā)光二極管1122的陽(yáng)極電極層1 完全覆蓋第二光敏晶體管1082，以遮蔽第二氧化物半導(dǎo)體層1302。因此，第二氧化物半導(dǎo)體1302的上表面不會(huì)受到紫外光的照射，而影響第二光敏晶體管1082的操作。此外，本實(shí)施例的第一發(fā)光二極管1121、第二發(fā)光二極管1222與第三發(fā)光二極管1223 為相同結(jié)構(gòu)，因此不再贅述。于本實(shí)施例中，第二氧化物半導(dǎo)體層1302與第一氧化物半導(dǎo)體層1301由相同的材料所構(gòu)成，并且具有相同的寬度與高度。由此可知，第二光敏晶體管 1082與第一光敏晶體管1081的差異在于，第一電阻區(qū)1341的位于第一漏極電極層1261與第一源極電極層1281間的長(zhǎng)度小于第二電阻區(qū)1342位于第二漏極電極層1262與第二源極電極層1282間的長(zhǎng)度，使未受到第二柵極電極層遮蔽1222的第二電阻區(qū)1342的第二氧化物半導(dǎo)體層1302的體積大于第一電阻區(qū)1341的第一氧化物半導(dǎo)體層1301的體積。因此，相較于第一電阻區(qū)1341，第二電阻區(qū)1342需多的紫外光照射量才能使電阻值降低至與第一電阻區(qū)1341的電阻值一樣，使得在紫外光持續(xù)照射下，第一光敏晶體管1081會(huì)較第二光敏晶體管1082快被開(kāi)啟。同樣地，本實(shí)施例的第三光敏晶體管1083的結(jié)構(gòu)相似于第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082，其差異僅在于第三光敏晶體管1083的一第三電阻區(qū)具有一第三長(zhǎng)度，且第三長(zhǎng)度的長(zhǎng)度大于第一長(zhǎng)度與第二長(zhǎng)度，使第一光敏晶體管與第二光敏晶體管較第三光敏晶體管快被開(kāi)啟。因此，在此不再對(duì)第三光敏晶體管1083的結(jié)構(gòu)多作贅述。不過(guò)， 本發(fā)明第一光敏晶體管1081、第二光敏晶體管1082與第三光敏晶體管1083具有不同的開(kāi)啟速度并不限由第一電阻區(qū)1341、第二電阻區(qū)1342與第三電阻區(qū)的長(zhǎng)度不同來(lái)決定，本發(fā)明亦可通過(guò)調(diào)整第一電阻區(qū)1341、第二電阻區(qū)1342與第三電阻區(qū)的寬度與高度來(lái)決定第一光敏晶體管1081、第二光敏晶體管1082與第三光敏晶體管1083的開(kāi)啟速度。另外，本發(fā)明的第一光敏晶體管1081的第一氧化物半導(dǎo)體層1301亦可完全重疊于第一柵極電極層 1221，而不具有第一電阻區(qū)1341，使第一紫外光感測(cè)顯示單元1041于未照射紫外光時(shí)仍可產(chǎn)生綠色光線(xiàn)。此外，本實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)晶體管1061、第二開(kāi)關(guān)晶體管1062與第三開(kāi)關(guān)晶體管 1063具有相同的晶體管結(jié)構(gòu)，以分別用于控制第一光敏晶體管1081、第二光敏晶體管1082 與第三光敏晶體管1083的開(kāi)關(guān)。因此，為了清楚說(shuō)明第一開(kāi)關(guān)晶體管1061、第二開(kāi)關(guān)晶體管1062與第三開(kāi)關(guān)晶體管1063的晶體管結(jié)構(gòu)，以下將以第一開(kāi)關(guān)晶體管1061為例來(lái)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，第一開(kāi)關(guān)晶體管1061包括一第三柵極電極層142、一第三漏極電極層144、一第三源極電極層146以及一第三氧化物半導(dǎo)體層148。第三柵極電極層142設(shè)于基板102上， 且作為第一柵極1061c。絕緣層1 覆蓋于第三柵極電極層142與基板102上。第三漏極電極層144設(shè)于絕緣層IM上，且作為第一漏極1061b。第三源極電極層146設(shè)于絕緣層 124上，且作為第一源極1061a。第三氧化物半導(dǎo)體層148設(shè)于第三漏極電極層144與第三源極電極層146間的絕緣層IM上，且位于第三源極電極層146與第三漏極電極層144之間的第三氧化物半導(dǎo)體層148完全重疊于第三柵極電極層142，使位于第三源極電極層146 與第三漏極電極層144之間的第三氧化物半導(dǎo)體層148作為第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的通道區(qū)。于本實(shí)施例中，第三氧化物半導(dǎo)體層148的材料與第一氧化物半導(dǎo)體層1301的材料相同，但不限于此。由此可知，本實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置使用相同的開(kāi)關(guān)晶體管來(lái)控制具有不同開(kāi)啟速度的光敏晶體管，且將不同開(kāi)啟速度的光敏晶體管分別電性連接至發(fā)光二極管， 以作為發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)晶體管，進(jìn)而于不同紫外光照射量下可顯示出不同顏色。此外，本實(shí)施例的光敏晶體管并不限于上述光敏晶體管的結(jié)構(gòu)，且由于第一光敏晶體管、第二光敏晶體管與第三光敏晶體管的差異僅在于電阻區(qū)的長(zhǎng)度不同，因此以下將以第一光敏晶體管為例來(lái)說(shuō)明。請(qǐng)參考圖6與圖7，圖6為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一光敏晶體管的另一實(shí)施方式，圖7為本發(fā)明第一較佳實(shí)施例的第一光敏晶體管的又一實(shí)施方式。如圖6所示，相較于上述第一光敏晶體管，本實(shí)施方式的第一光敏晶體管1081另包括一蝕刻停止層150覆蓋于第一氧化物半導(dǎo)體層1301上，且由于蝕刻停止層150作為形成第一氧化物半導(dǎo)體層1301的屏蔽，所以蝕刻停止層150與第一氧化物半導(dǎo)體層1301切齊。 本實(shí)施方式的蝕刻停止層150可包括氮化硅，但不限于此。如圖7所示，相較于上述第一光敏晶體管，本實(shí)施方式的第一光敏晶體管1081的第一漏極電極層1261與第一源極電極層 1281分別延伸至第一氧化物半導(dǎo)體層1301上，且第一光敏晶體管1081另包括一蝕刻停止層150，覆蓋于第一氧化物半導(dǎo)體層1301上。并且，部分蝕刻停止層150位于第一漏極電極層1261與第一氧化物半導(dǎo)體層1301之間與位于第一源極電極層1281與第一氧化物半導(dǎo)體層1301之間。本發(fā)明的紫外光感測(cè)顯示單元并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化形，且下述實(shí)施例的開(kāi)關(guān)晶體管與第一實(shí)施例的開(kāi)關(guān)晶體管具有相同的結(jié)構(gòu)。并且，下述實(shí)施例的光敏晶體管亦與第一實(shí)施例的光敏晶體管具有相同結(jié)構(gòu)，且可為上述其它實(shí)施方式的光敏晶體管結(jié)構(gòu)。然為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并突顯各實(shí)施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)注相同組件，且不再對(duì)重復(fù)部分作贅述。請(qǐng)參考圖8，且一并參考圖2、圖4與圖5。圖8為本發(fā)明第二較佳實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置的示意圖。如圖8所示，相較于第一實(shí)施例，本實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置 200僅包括第一紫外光感測(cè)顯示單元1041以及第二紫外光感測(cè)顯示單元1042，而未包括第三紫外光感測(cè)顯示單元。并且，第一紫外光感測(cè)顯示單元1041另包括一驅(qū)動(dòng)晶體管202， 且第一紫外光感測(cè)顯示單元1041的電路連接方式不同于第一實(shí)施例的第一紫外光感測(cè)顯示單元。于本實(shí)施例的第一紫外光感測(cè)顯示單元1041中，驅(qū)動(dòng)晶體管202具有一第七源極 20 、一第七漏極20 與一第七柵極202c，且第七漏極20 電性連接至第二源極20加，而第七柵極202c電性連接至第一漏極1061b。第一電容1101電性連接于第一漏極1061b與該第七源極20 之間，且第一陽(yáng)極1121a電性連接至第七漏極202b，而第一陰極1121b與第二源極1081a分別電性連接于第一電壓源114與第二電壓源116。第一光敏晶體管1081 的第二柵極1081c電性連接至第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一漏極1061b。并且，第二紫外光感測(cè)單元1042的電路連接方式相同于第一實(shí)施例的第二紫外光感測(cè)單元，因此在此不再贅述。另外，如圖5所示，本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)晶體管202用于控制第一發(fā)光二極管1121的開(kāi)關(guān)， 且未具有紫外光感測(cè)功能，而可與第一實(shí)施例的第一開(kāi)關(guān)晶體管1061具有相同結(jié)構(gòu)，但不
15限于此。此外，如圖2與圖4所示，本實(shí)施例的第二紫外光感測(cè)顯示單元1042的第二光敏晶體管1082與第一光敏晶體管1081具有相同結(jié)構(gòu)，因此第一電阻區(qū)1341位于第一漏極電極層1261與第一源極電極層1281間的長(zhǎng)度約略相同于第二電阻區(qū)1342位于第二漏極電極層1262與第二源極電極層1282間的長(zhǎng)度，即第一長(zhǎng)度Ll相同于第二長(zhǎng)度L2。當(dāng)紫外光未照射本實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置200時(shí)，掃描線(xiàn)118傳遞一開(kāi)啟信號(hào)至第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一柵極1061c，使第一開(kāi)關(guān)晶體管1061可被開(kāi)啟，且數(shù)據(jù)線(xiàn)120從第一開(kāi)關(guān)晶體管1061的第一源極1061a傳遞一顯示信號(hào)至驅(qū)動(dòng)晶體管202的第七柵極202c，使驅(qū)動(dòng)晶體管被開(kāi)啟。因此，第二電壓源116可經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管202驅(qū)動(dòng)第一發(fā)光二極管1121，進(jìn)而產(chǎn)生第一顏色的光線(xiàn)。當(dāng)紫外光持續(xù)照射本實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置200時(shí)，第一光敏晶體管1081與第二光敏晶體管1082會(huì)隨著紫外光的持續(xù)照射而同時(shí)被開(kāi)啟。當(dāng)?shù)谝蛔贤夤飧袦y(cè)單元1041的第一光敏晶體管1081被開(kāi)啟時(shí)，原本用于驅(qū)動(dòng)第一發(fā)光敏晶體管 1121的電流會(huì)被導(dǎo)引至被開(kāi)啟的第一光敏晶體管1081，因此第一發(fā)光敏晶體管1121無(wú)法再產(chǎn)生第一顏色的光線(xiàn)。同時(shí)，當(dāng)?shù)诙贤夤飧袦y(cè)單元1042的第二光敏晶體管1082被開(kāi)啟時(shí)，第二電壓源116可經(jīng)過(guò)第二光敏晶體管1082來(lái)驅(qū)動(dòng)第二發(fā)光二極管1122，使第二發(fā)光二極管1122可產(chǎn)生第二顏色的光線(xiàn)。由此可知，當(dāng)紫外光照射紫外光感測(cè)顯示裝置200時(shí)， 紫外光感測(cè)顯示裝置200所顯示的光線(xiàn)會(huì)從第一顏色轉(zhuǎn)換為第二顏色，借此使用者可通過(guò)光線(xiàn)的顏色的轉(zhuǎn)換，來(lái)判斷已有一定照射量的紫外光照射在紫外光感測(cè)顯示裝置200上。請(qǐng)參考圖9，圖9為本發(fā)明第三較佳實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置的示意圖。如圖 9所示，相較于第二實(shí)施例，本實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置300的第一光敏晶體管1081的第二柵極1081c電性連接至一開(kāi)關(guān)線(xiàn)302，借此可通過(guò)開(kāi)關(guān)線(xiàn)302來(lái)選擇是否開(kāi)啟第一光敏晶體管1081。當(dāng)開(kāi)關(guān)線(xiàn)302為開(kāi)啟時(shí)，本實(shí)施例的第一紫外光感測(cè)顯示單元1041的操作方式與第二實(shí)施例的第一紫外光感測(cè)顯示單元相同。當(dāng)開(kāi)關(guān)線(xiàn)302為關(guān)閉時(shí)，本實(shí)施例的第一紫外光感測(cè)顯示單元1041于未有紫外光照射時(shí)即會(huì)產(chǎn)生第一顏色的光線(xiàn)。當(dāng)紫外光進(jìn)一步照射在本實(shí)施例的紫外光感測(cè)顯示裝置300上時(shí)，第二紫外光感測(cè)顯示單元1042會(huì)被開(kāi)啟而產(chǎn)生第二顏色的光線(xiàn)，此時(shí)紫外光感測(cè)顯示裝置300會(huì)顯示出混合有第一顏色與第二顏色的光線(xiàn)。因此，使用者可通過(guò)光線(xiàn)的顏色的轉(zhuǎn)換，來(lái)判斷已有一定照射量的紫外光照射在紫外光感測(cè)顯示裝置300上。綜上所述，本發(fā)明利用氧化物半導(dǎo)體層具有受到紫外光照射會(huì)降低電阻值的特性，并將光敏晶體管的氧化物半導(dǎo)體層設(shè)計(jì)為未被柵極電極層完全遮蔽，使氧化物半導(dǎo)體層可區(qū)分為通道區(qū)與電阻區(qū)。借此，紫外光感測(cè)顯示單元可通過(guò)電阻區(qū)的電阻下降而感測(cè)到紫外光的照射。并且，本發(fā)明的紫外光感測(cè)顯示裝置可通過(guò)組合具有不同電阻區(qū)大小的紫外光感測(cè)顯示單元，或通過(guò)組合不同電路連接方式的紫外光感測(cè)顯示單元，來(lái)判斷出紫外光的照射量。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的等效變化與完善，應(yīng)屬本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種紫外光感測(cè)顯示裝置，設(shè)置于一基板上，用于檢測(cè)一紫外光，其特征在于，該紫外光感測(cè)顯示裝置包括一第一開(kāi)關(guān)晶體管，具有一第一源極、一第一漏極與一第一柵極； 一第一光敏晶體管，具有一第二源極、一第二漏極與一第二柵極，且該第二柵極電性連接至該第一漏極；一第一電容，電性連接于該第一漏極與該第二源極之間；一第一發(fā)光二極管，具有一第一陽(yáng)極與一第一陰極，且用于產(chǎn)生一第一顏色的光線(xiàn)，其中該第一陽(yáng)極電性連接至該第二漏極，且該第一陰極與該第二源極分別電性連接于一第一電壓源與一第二電壓源；一第二開(kāi)關(guān)晶體管，具有一第三源極、一第三漏極與一第三柵極； 一第二光敏晶體管，具有一第四源極、一第四漏極與一第四柵極，且該第四柵極電性連接至該第三漏極，其中當(dāng)該紫外光持續(xù)照射該第一光敏晶體管與該第二光敏晶體管時(shí)，該第一光敏晶體管較該第二光敏晶體管快開(kāi)啟；一第二電容，電性連接于該第三漏極與該第四源極之間；以及一第二發(fā)光二極管，具有一第二陽(yáng)極與一第二陰極，且用于產(chǎn)生一不同于該第一顏色的第二顏色的光線(xiàn)，其中該第二陽(yáng)極電性連接至該第四漏極，且該第二陰極與該第四源極分別電性連接于該第一電壓源與該第二電壓源。
2.如權(quán)利要求1所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，還包括 一第三開(kāi)關(guān)晶體管，具有一第五源極、一第五漏極與一第五柵極；一第三光敏晶體管，具有一第六源極、一第六漏極與一第六柵極，且該第六柵極電性連接至該第五漏極；一第三電容，電性連接于該第五漏極與該第六源極之間；以及一第三發(fā)光二極管，具有一第三陽(yáng)極與一第三陰極，且用于產(chǎn)生一不同于該第一顏色與該第二顏色的第三顏色的光線(xiàn)，其中該第三陽(yáng)極電性連接至該第六漏極，且該第三陰極與該第六源極分別電性連接于該第一電壓源與該第二電壓源。
3.如權(quán)利要求2所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，當(dāng)該紫外光持續(xù)照射該第一光敏晶體管、該第二光敏晶體管以及該第三光敏晶體管時(shí)，該第一光敏晶體管與該第二光敏晶體管較該第三光敏晶體管快開(kāi)啟。
4.如權(quán)利要求1所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一柵極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管的該第二柵極電性連接至一掃描線(xiàn)。
5.如權(quán)利要求1所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一源極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管的該第二源極電性連接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)。
6.如權(quán)利要求1所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一光敏晶體管包括 一第一柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第二柵極；一絕緣層，覆蓋于該第一柵極電極層與該基板上； 一第一漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二漏極； 一第一源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二源極；以及一第一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的該絕緣層上，且該第一氧化物半導(dǎo)體層具有一第一通道區(qū)與一第一電阻區(qū)，其中該第一通道區(qū)為該第一氧化物半導(dǎo)體層與該第一柵極電極層重疊的一部分，且該第一電阻區(qū)為該第一氧化物半導(dǎo)體層未與該第一柵極電極層重疊的另一部分。
7.如權(quán)利要求6所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第二光敏晶體管包括 一第二柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第四柵極，其中該絕緣層覆蓋于該第二柵極電極層與該基板上；一第二漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四漏極； 一第二源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四源極；以及一第二氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的該絕緣層上，且該第二氧化物半導(dǎo)體層具有一與該第二柵極電極層重疊的一部分的第二通道區(qū)以及一未與該第二柵極電極層重疊的另一部分的第二電阻區(qū)，其中該第一電阻區(qū)位于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的長(zhǎng)度小于該第二電阻區(qū)位于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的長(zhǎng)度，使該第一光敏晶體管較該第二光敏晶體管快開(kāi)啟。
8.如權(quán)利要求6所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一氧化物半導(dǎo)體層延伸至該第一漏極電極層與該第一源極電極層上。
9.如權(quán)利要求8所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。
10.如權(quán)利要求6所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一漏極電極層與該第一源極電極層分別延伸至該第一氧化物半導(dǎo)體層上，且該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。
11.如權(quán)利要求6所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，還包括一保護(hù)層，覆蓋于該第一光敏晶體管上，且暴露出該第一漏極電極層，其中該第一發(fā)光二極管包括一陽(yáng)極電極層，設(shè)于該保護(hù)層上，且遮蔽該第一氧化物半導(dǎo)體層； 一陰極電極層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層上；以及一發(fā)光層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層與該陰極電極層之間。
12.如權(quán)利要求6所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一開(kāi)關(guān)晶體管包括 一第三柵極電極層，設(shè)于該基板上，作為該第一柵極，其中該絕緣層覆蓋于該第三柵極電極層與該基板上；一第三漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，作為該第一漏極； 一第三源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，作為該第一源極；以及一第三氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第三漏極電極層與該第三源極電極層間的該絕緣層上，且該第三氧化物半導(dǎo)體層完全重疊于該第三柵極電極層。
13.一種紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，包括一第一開(kāi)關(guān)晶體管，具有一第一源極、一第一漏極與一第一柵極； 一第一光敏晶體管，具有一第二源極、一第二漏極與一第二柵極； 一驅(qū)動(dòng)晶體管，具有一第七源極、一第七漏極與一第七柵極，其中該第七柵極電性連接至該第一漏極，且該第二源極電性連接至該第七漏極；一第一電容，電性連接于該第一漏極與該第七源極之間；一第一發(fā)光二極管，具有一第一陽(yáng)極與一第一陰極，且用于產(chǎn)生一第一顏色的光線(xiàn)，其中該第一陽(yáng)極電性連接至該第七漏極，且該第一陰極與該第二源極分別電性連接于一第一電壓源與一第二電壓源；一第二開(kāi)關(guān)晶體管，具有一第三源極、一第三漏極與一第三柵極； 一第二光敏晶體管，具有一第四源極、一第四漏極與一第四柵極，且該第四柵極電性連接至該第三漏極；一第二電容，電性連接于該第三漏極與該第四源極之間；以及一第二發(fā)光二極管，具有一第二陽(yáng)極與一第二陰極，且用于產(chǎn)生一不同于該第一顏色的第二顏色的光線(xiàn)，其中該第二陽(yáng)極電性連接至該第四漏極，且該第二陰極與該第四源極分別電性連接于該第一電壓源與該第二電壓源。
14.如權(quán)利要求13所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一光敏晶體管的該第二柵極電性連接至該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一漏極。
15.如權(quán)利要求13所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一光敏晶體管的該第二柵極電性連接至一開(kāi)關(guān)線(xiàn)。
16.如權(quán)利要求13所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一柵極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管的該第二柵極電性連接至一掃描線(xiàn)。
17.如權(quán)利要求13所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一開(kāi)關(guān)晶體管的該第一源極與該第二開(kāi)關(guān)晶體管的該第二源極電性連接至一數(shù)據(jù)線(xiàn)。
18.如權(quán)利要求13所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一光敏晶體管包括 一第一柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第二柵極；一絕緣層，覆蓋于該第一柵極電極層與該基板上； 一第一漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二漏極； 一第一源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第二源極；以及一第一氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的該絕緣層上，且該第一氧化物半導(dǎo)體層具有一與該第一柵極電極層重疊的第一通道區(qū)與一未與該第一柵極電極層重疊的第一電阻區(qū)。
19.如權(quán)利要求18所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第二光敏晶體管包括 一第二柵極電極層，設(shè)于該基板上，且作為該第四柵極，其中該絕緣層覆蓋于該第二柵極電極層與該基板上；一第二漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四漏極； 一第二源極電極層，設(shè)于該絕緣層上，且作為該第四源極；以及一第二氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的該絕緣層上，且該第二氧化物半導(dǎo)體層具有一與該第二柵極電極層重疊的第二通道區(qū)與一未與該第一柵極電極層重疊的第二電阻區(qū)，其中該第一電阻區(qū)位于該第一漏極電極層與該第一源極電極層間的長(zhǎng)度相同于該第二電阻區(qū)位于該第二漏極電極層與該第二源極電極層間的長(zhǎng)度。
20.如權(quán)利要求18所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一氧化物半導(dǎo)體層延伸至該第一漏極電極層與該第一源極電極層上。
21.如權(quán)利要求18所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。
22.如權(quán)利要求18所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一漏極電極層與該第一源極電極層分別延伸至該第一氧化物半導(dǎo)體層上，且該第一光敏晶體管另包括一蝕刻停止層，覆蓋于該第一氧化物半導(dǎo)體層上。
23.如權(quán)利要求18所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，該第一開(kāi)關(guān)晶體管與該第二開(kāi)關(guān)晶體管分別包括一第三柵極電極層，設(shè)于該基板上，其中該絕緣層覆蓋于該第三柵極電極層與該基板上；一第三漏極電極層，設(shè)于該絕緣層上； 一第三源極電極層，設(shè)于該絕緣層上；以及一第三氧化物半導(dǎo)體層，設(shè)于該第三漏極電極層與該第三源極電極層間的該絕緣層上，且該第三氧化物半導(dǎo)體層完全重疊于該第三柵極電極層。
24.如權(quán)利要求18所述的紫外光感測(cè)顯示裝置，其特征在于，還包括一保護(hù)層，覆蓋于該第一光敏晶體管上，且暴露出該第一漏極電極層，其中該第一發(fā)光二極管包括一陽(yáng)極電極層，設(shè)于該保護(hù)層上，且遮蔽該第一氧化物半導(dǎo)體層； 一陰極電極層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層上；以及一發(fā)光層，設(shè)于該陽(yáng)極電極層與該陰極電極層之間。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種紫外光感測(cè)顯示裝置，包括二個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管、二個(gè)光敏晶體管、二個(gè)電容以及二個(gè)發(fā)光二極管。各光敏晶體管的柵極分別電性連接至各開(kāi)關(guān)晶體管的漏極與各電容的一端。各發(fā)光二極管的陽(yáng)極電性連接至各光敏晶體管的漏極，且各發(fā)光二極管的陰極電性連接至一第一電壓源。各光敏晶體管的源極電性連接至一第二電壓源與各電容的另一端。各發(fā)光二極管分別產(chǎn)生不同顏色的光線(xiàn)。當(dāng)紫外光持續(xù)照射光敏晶體管時(shí)，其中一光敏晶體管較另一光敏晶體管快開(kāi)啟。
文檔編號(hào)H01L31/10GK102163640SQ20111000970
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2011年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月13日
發(fā)明者謝信弘 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司