專利名稱：一種碳基場效應(yīng)晶體管及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場效應(yīng)晶體管及其制備方法，特別涉及一種碳基場效應(yīng)晶體管及其制備方法，屬于納電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
以碳材料為基的納米電子學(xué)，尤其是碳納米管(Carbon Nanotube)和石墨烯 (Graphene)為基的納米電子學(xué)，被認(rèn)為具有極大的應(yīng)用前景，極富潛力可替代硅基材料。自從1991年碳納米管和2004年石墨烯被成功研制以來，碳基電子學(xué)取得了巨大發(fā)展?；谔蓟碾娮訉W(xué)具有尺寸小、速度快、功耗低、工藝簡單等特點，受到人們越來越廣泛的關(guān)注。場效應(yīng)晶體管的性能受到兩個最重要因素的影響，一是材料性質(zhì)，它決定了器件性能的潛力；另一個就是柵介質(zhì)材料，由于它與溝道直接接觸，所以柵介質(zhì)的性能會直接影響整個器件的性能，高性能的場效應(yīng)晶體管要求柵介質(zhì)材料具有絕緣性能好、介電常數(shù)高、 抗擊穿能力強(qiáng)等特點。而碳基場效應(yīng)晶體管自身的一個重要特點是，由于導(dǎo)電碳材料只有一個或幾個原子層厚度，其材料對與其接觸的介質(zhì)層非常敏感，柵介質(zhì)層通常會影響碳材料的表面態(tài)，在碳材料中引入新的散射機(jī)制，會造成碳材料載流子遷移率的顯著下降，造成器件性能退化。在碳基材料的電子器件中，高性能柵介質(zhì)的制備一直是制約器件性能的關(guān)鍵問題。對于普遍使用的高介電常數(shù)柵介質(zhì)的生長方法-原子層沉積(ALD)，由于碳納米管和石墨烯表面不能提供懸掛鍵為其生長提供成核中心，所以無法直接在碳基材料上生成均勻的薄層?xùn)沤橘|(zhì)。為了能夠通過原子層沉積形成柵介質(zhì)層，通常在原子層沉積之前對材料表面進(jìn)行功能化處理，如脫氧核糖核酸(DNA)分子功能化、二氧化氮(NO2)分子功能化、臭氧(O3) 功能化等；或者在碳材料表面蒸發(fā)或濺射沉積活性金屬后通過高溫氧化形成氧化金屬，為原子層沉積提供成核中心。但不管是哪種處理方法，都會給碳材料引入額外的散射機(jī)制，降低載流子遷移率，使器件性能退化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例針對現(xiàn)有的高性能柵介質(zhì)的制備會給碳材料引入額外的散射機(jī)制， 降低載流子遷移率，使器件性能退化的不足，提供一種碳基場效應(yīng)晶體管及其制備方法。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種碳基場效應(yīng)晶體管包括半導(dǎo)體襯底、絕緣層、導(dǎo)電通道、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和柵電極，所述絕緣層設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上，所述導(dǎo)電通道設(shè)置于所述絕緣層上，所述導(dǎo)電通道由碳基材料構(gòu)成，所述源電極和漏電極分別設(shè)置于所述導(dǎo)電通道的兩端，所述柵介質(zhì)層覆蓋在所述源電極、所述漏電極以及所述源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上，所述柵電極位于所述柵介質(zhì)層之上，所述柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層。所述碳基材料為碳納米管或石墨烯，具有很高的介電常數(shù)，所述柵介質(zhì)層良好的絕緣性質(zhì)以及抗擊穿能力。
在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層由苯并環(huán)丁烯單體通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體構(gòu)成；或者由苯并環(huán)丁烯單體在光刻后再通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體構(gòu)成構(gòu)成。進(jìn)一步，所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層的厚度為5納米 50納米。所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層的厚度通過苯并環(huán)丁烯與溶劑之間的稀釋比例，勻膠機(jī)旋轉(zhuǎn)的速度、時間來控制。進(jìn)一步，所述柵介質(zhì)層還包括金屬氧化物介質(zhì)層，所述金屬氧化物介質(zhì)層位于所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層之上。所述金屬氧化物和苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層形成復(fù)合介質(zhì)層，可以提升柵介質(zhì)層的性能，從而獲得絕緣性能良好、介電常數(shù)高，抗擊傳能力強(qiáng)的頂柵介質(zhì)，最終使碳基場效應(yīng)晶體管獲得很好的頂柵調(diào)制能力，而且苯并環(huán)丁烯含有的甲基能夠為原子層沉積法生長高性能介質(zhì)層提供成核中心，從而與原子層沉積工藝相兼容，解決了原子層沉積方法無法在碳基材料表面成核的問題。進(jìn)一步，所述金屬氧化物介質(zhì)層由氧化鉿、氧化鋯或者氧化鋁構(gòu)成，所述金屬氧化物介質(zhì)層的厚度為3納米 30納米。本發(fā)明還提供一種解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種碳基場效應(yīng)晶體管的制備方法包括以下步驟步驟一在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層、由碳基材料構(gòu)成的導(dǎo)電通道、源電極和漏電極；步驟二 將形成有絕緣層、導(dǎo)電通道、源電極和漏電極的半導(dǎo)體襯底放入充滿氮氣的烘箱內(nèi)，烘箱的溫度保持在110°C 130°c，同時使六甲基二硅胺烷均勻地涂覆在源電極、漏電極以及源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上；步驟三利用溶劑將苯并環(huán)丁烯稀釋后，通過勻膠機(jī)旋涂在均勻涂覆有六甲基二硅胺烷的源電極、漏電極以及源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上；步驟四在隊或者惰性氣體的保護(hù)下，將旋涂后的器件加熱至200°C 300°C，使苯并環(huán)丁烯單體發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)生成苯并環(huán)丁烯聚合體，從而形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層為苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層，再在所述柵介質(zhì)層上形成柵電極即可。所述步驟二中放入烘箱內(nèi)進(jìn)行預(yù)處理可以增加半導(dǎo)體襯底對苯并環(huán)丁烯有機(jī)物的粘附性，使得用于生長器件的原基底片形貌較好，而且在導(dǎo)電通道和源電極或漏電極接觸的邊緣處，由于材料和苯并環(huán)丁烯介質(zhì)的張力不同的影響，苯并環(huán)丁烯會聚集，導(dǎo)致苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層的厚度不可控，故通過六甲基二硅胺烷來改變半導(dǎo)體襯底的表面性質(zhì)， 使苯并環(huán)丁烯能夠在源電極、漏電極和導(dǎo)電通道的表面均勻展開，使形成的苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層的厚度及介電性質(zhì)均勻一致。進(jìn)一步，所述步驟三中將苯并環(huán)丁烯稀釋的溶劑為1，3，5-三甲基苯、癸烷、1- 丁醇、甲苯、丙二醇甲醚乙酸酯或者N-甲基吡咯烷酮。進(jìn)一步，所述步驟四中采用烘箱、熱板或者管式爐進(jìn)行加熱。進(jìn)一步，所述步驟四中加熱溫度大于或者等于200°C且小于270°C時，在該加熱溫度處恒溫保持15分鐘 90分鐘后，再自然冷卻至常溫；當(dāng)加熱溫度大于或者等于270°C且小于300°C時，于5秒 1分鐘的時間內(nèi)進(jìn)行快速熱退火。所述步驟四中旋涂后的器件加熱的溫度越低，需要加熱的時間就越長，加熱的溫度越高，需要加熱的時間就越短，當(dāng)加熱溫度為200°C 270°C時，加熱到該溫度時還需要恒溫保持1小時左右，當(dāng)加熱溫度為270°C 300°C時，于5秒 1分鐘的時間內(nèi)進(jìn)行快速熱退火即可。進(jìn)一步，所述步驟四中在形成苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層后，還包括利用原子層沉積法在苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層上再沉積一層金屬氧化物介質(zhì)層的步驟，從而形成柵介質(zhì)層， 所述柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和金屬氧化物介質(zhì)層。本發(fā)明有益效果是本發(fā)明碳基場效應(yīng)晶體管解決了原子層沉積法無法在碳基材料形成的導(dǎo)電通道上直接生長高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜的問題，苯并環(huán)丁烯既提供了原子層沉積的成核中心，同時不會引起碳基材料載流子遷移率的顯著下降，不會引起器件性能的下降；本發(fā)明碳基場效應(yīng)晶體管的制備工藝簡單，成本低廉，可靠性及重復(fù)性好，為碳基高性能器件的實現(xiàn)提供了一個良好的解決方案，滿足碳基規(guī)?；呻娐返男枨?。


圖1為本發(fā)明碳基場效應(yīng)晶體管第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明碳基場效應(yīng)晶體管第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例1碳基場效應(yīng)晶體管的頂柵Ids-Vgs轉(zhuǎn)移特性曲線；圖4為本發(fā)明實施例1碳基場效應(yīng)晶體管的背柵Ids-Vgs轉(zhuǎn)移特性曲線。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。圖1為本發(fā)明碳基場效應(yīng)晶體管第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，碳基場效應(yīng)晶體管包括半導(dǎo)體襯底10、絕緣層11、導(dǎo)電通道12、源電極13、漏電極14、柵介質(zhì)層和柵電極17，絕緣層11設(shè)置于半導(dǎo)體襯底10上，導(dǎo)電通道12設(shè)置于絕緣層11上，導(dǎo)電通道 12由碳基材料構(gòu)成，源電極13和漏電極14分別設(shè)置于導(dǎo)電通道12的兩端，柵介質(zhì)層覆蓋在源電極13、漏電極14以及源電極13和漏電極14之間的導(dǎo)電通道12上，柵電極17位于柵介質(zhì)層15之上，柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層15。圖2為本發(fā)明碳基場效應(yīng)晶體管第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，與圖1 不同之處在于，柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層15和金屬氧化物介質(zhì)層16，金屬氧化物介質(zhì)層16位于苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層15上。苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層由苯并環(huán)丁烯單體通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體構(gòu)成，或者由苯并環(huán)丁烯單體在光刻后再通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體構(gòu)成。苯并環(huán)丁烯單體通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體的反應(yīng)方程式如下CH3 CH3 CH3 CH3實施例1 以金屬鈦/金作為源漏電極，苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和原子層沉積氧化鉿作為柵復(fù)合介質(zhì)層，金屬鎳/金作為柵電極的石墨烯場效應(yīng)晶體管。具體制備步驟如下(1)在IOOnm二氧化硅/體硅襯底片上的石墨烯材料上，通過電子束光刻形成源漏電極形狀后，電子束蒸發(fā)一層10nm/50nm厚的鈦/金(Ti/Au = 10/50nm)金屬作為源漏電極，然后將樣品放入丙酮中剝離，去掉不需要的金屬層，得到源漏金屬電極；(2)將形成有絕緣層、導(dǎo)電通道、源電極和漏電極的半導(dǎo)體襯底放入充滿氮氣的烘箱內(nèi)，烘箱的溫度保持在120°C，同時使六甲基二硅胺烷均勻地涂覆在源電極、漏電極以及源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上；(3)配置BCB (苯并環(huán)丁烯)稀釋溶液，將BCB(Cyclotene3022-46，購自美國Dow 化學(xué)公司)與1，3，5_三甲苯溶液以體積比1 27進(jìn)行稀釋，充分搖勻稀釋后，通過勻膠機(jī)旋涂在樣品表面，勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速6000轉(zhuǎn)/分鐘，時間1分鐘；(4)將樣品放入烘箱中，箱體中通N2進(jìn)行保護(hù)，將烘箱升溫到230°C，保持一小時后，將溫度降為常溫，取出樣品，測量苯并環(huán)丁烯有機(jī)層厚度為IOnm ；(5)將樣品放入原子層沉積設(shè)備腔體中，生長IOnm厚氧化鉿介質(zhì)層；(6)通過電子束光刻，形成柵電極圖形，通過電子束蒸發(fā)蒸鍍一層10nm/50nm厚鎳 /金(Ni/Au = 10/50nm)金屬層作為柵電極，然后將樣品放入丙酮中剝離，去除不需要的金屬層，得到柵電極。圖3為本發(fā)明實施例1碳基場效應(yīng)晶體管的頂柵Ids-Vgs轉(zhuǎn)移特性曲線。如圖3 所示，實施例1制備的碳基場效應(yīng)晶體管Vd自下向上即沿Ids軸的正方向上分別為0. IV、 0. 3V、0. 5V、0. 7V和0. 9V，可見在不同的漏電壓下，器件轉(zhuǎn)移特性關(guān)于狄拉克點對稱性良好，且晶體管頂柵柵控特性良好。圖4為本發(fā)明實施例1碳基場效應(yīng)晶體管的背柵Ids-Vgs 轉(zhuǎn)移特性曲線。如圖4所示，實施例1制備的碳基場效應(yīng)晶體管電流輸運特性無顯著下降。實施例2 以金屬鈦/金作為源漏電極，苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和原子層沉積氧化鉿作為柵復(fù)合介質(zhì)層，金屬鎳/金作為柵電極的石墨烯場效應(yīng)晶體管。具體步驟與實施例1類似，但步驟2中烘箱的溫度保持在110°C，步驟4采用快速熱退火(RTA)方式對BCB進(jìn)行處理，BCB經(jīng)290攝氏度，15s快速熱退火形成有機(jī)介質(zhì)層厚度為5nm。 實施例3 以金屬鈦/金作為源漏電極，苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和原子層沉積氧化鉿作為柵復(fù)合介質(zhì)層，金屬鎳/金作為柵電極的石墨烯場效應(yīng)晶體管。
具體步驟與實施例1類似，但步驟3中BCB (Cyclotene3022-46，購自美國Dow化學(xué)公司)與癸烷以體積比1 27進(jìn)行稀釋。步驟4后，測量BCB有機(jī)層厚度為50nm，氧化鉿層為30nm。實施例4 以金屬鈦/金作為源漏電極，苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和原子層沉積氧化鋁作為柵復(fù)合介質(zhì)層，金屬鎳/金作為柵電極的石墨烯場效應(yīng)晶體管。具體步驟與實施例1類似，但步驟2中烘箱的溫度保持在130°C，步驟5改為通過原子層沉積生長IOnm厚氧化鋁介質(zhì)層。實施例5 以金屬鈦/金作為源漏電極，苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層作為柵介質(zhì)層，金屬鎳/金作為柵電極的石墨烯場效應(yīng)晶體管。具體步驟與實施例1類似，但步驟3中BCB(Cyclotene3022-46，購自美國Dow化學(xué)公司)與1，3，5_三甲苯以體積比1 6進(jìn)行稀釋，并去掉步驟5，只使用BCB有機(jī)介質(zhì)層作為柵介質(zhì)，苯并環(huán)丁烯介質(zhì)層厚度為40nm。實施例6 以金屬鈦/金作為源漏電極，苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和原子層沉積氧化鋯作為柵復(fù)合介質(zhì)層，金屬鎳/金作為柵電極的碳納米管場效應(yīng)晶體管，氧化鋯層為3nm。具體步驟與實施例1類似，但材料為絕緣基底上的碳納米管。同樣的，經(jīng)過測試，上述五個實施例制備的碳基場效應(yīng)晶體管由于使用苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層作為柵介質(zhì)層，在不同的漏電壓下，器件轉(zhuǎn)移特性關(guān)于狄拉克點對稱性良好， 且晶體管頂柵柵控特性良好，而且制得的器件的電流運輸特性無顯著下降。本發(fā)明由國家科技重大專項資助，項目編號2011ZX02707。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種碳基場效應(yīng)晶體管，包括半導(dǎo)體襯底、絕緣層、導(dǎo)電通道、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和柵電極，所述絕緣層設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上，所述導(dǎo)電通道設(shè)置于所述絕緣層上， 所述導(dǎo)電通道由碳基材料構(gòu)成，所述源電極和漏電極分別設(shè)置于所述導(dǎo)電通道的兩端，所述柵介質(zhì)層覆蓋在所述源電極、所述漏電極以及所述源電極和所述漏電極之間的導(dǎo)電通道上，所述柵電極位于所述柵介質(zhì)層之上，其特征在于，所述柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳基場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層由苯并環(huán)丁烯單體通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體構(gòu)成；或者由苯并環(huán)丁烯單體在光刻后再通過加熱形成的交聯(lián)的苯并環(huán)丁烯聚合體構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳基場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層的厚度為5納米 50納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳基場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述柵介質(zhì)層還包括金屬氧化物介質(zhì)層，所述金屬氧化物介質(zhì)層位于所述苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層之上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的碳基場效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述金屬氧化物介質(zhì)層由氧化鉿、氧化鋯或者氧化鋁構(gòu)成，所述金屬氧化物介質(zhì)層的厚度為3納米 30納米。
6.一種碳基場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟步驟一在半導(dǎo)體襯底上依次形成絕緣層、由碳基材料構(gòu)成的導(dǎo)電通道、源電極和漏電極；步驟二 將形成有絕緣層、導(dǎo)電通道、源電極和漏電極的半導(dǎo)體襯底放入充滿氮氣的烘箱內(nèi)，烘箱的溫度保持在110°c 130°c，同時使六甲基二硅胺烷均勻地涂覆在源電極、漏電極以及源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上；步驟三利用溶劑將苯并環(huán)丁烯稀釋后，通過勻膠機(jī)旋涂在均勻涂覆有六甲基二硅胺烷的源電極、漏電極以及源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上；步驟四在隊或者惰性氣體的保護(hù)下，將旋涂后的器件加熱至200°C 300°C，使苯并環(huán)丁烯單體發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)生成苯并環(huán)丁烯聚合體，從而形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層為苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層，再在所述柵介質(zhì)層上形成柵電極即可。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳基場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟三中將苯并環(huán)丁烯稀釋的溶劑為1，3，5_三甲基苯、癸烷、1-丁醇、甲苯、丙二醇甲醚乙酸酯或者 N-甲基吡咯烷酮。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳基場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟四中采用烘箱、熱板或者管式爐進(jìn)行加熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的碳基場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟四中加熱溫度大于或者等于200°C且小于270°C時，在該加熱溫度處恒溫保持15分鐘 90分鐘后，再自然冷卻至常溫；當(dāng)加熱溫度大于或者等于270°C且小于300°C時，于5秒 1分鐘的時間內(nèi)進(jìn)行快速熱退火。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9任一所述的碳基場效應(yīng)晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟四中在形成苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層后，還包括利用原子層沉積法在苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層上再沉積一層金屬氧化物介質(zhì)層的步驟，從而形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層和金屬氧化物介質(zhì)層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種碳基場效應(yīng)晶體管及其制備方法，屬于納電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。所述碳基場效應(yīng)晶體管包括半導(dǎo)體襯底、絕緣層、導(dǎo)電通道、源電極、漏電極、柵介質(zhì)層和柵電極，絕緣層設(shè)置于半導(dǎo)體襯底上，導(dǎo)電通道設(shè)置于絕緣層上，導(dǎo)電通道由碳基材料構(gòu)成，源電極和漏電極分別設(shè)置于導(dǎo)電通道的兩端，柵介質(zhì)層覆蓋在源電極、漏電極以及源電極和漏電極之間的導(dǎo)電通道上，柵電極位于柵介質(zhì)層之上，柵介質(zhì)層包括苯并環(huán)丁烯有機(jī)介質(zhì)層。本發(fā)明解決了原子層沉積法無法在碳基材料形成的導(dǎo)電通道上直接生長高介電常數(shù)柵介質(zhì)薄膜的問題，苯并環(huán)丁烯既提供了原子層沉積的成核中心，同時不會引起碳基材料載流子遷移率的顯著下降，不會引起器件性能的下降。
文檔編號H01L21/285GK102593169SQ20111000267
公開日2012年7月18日 申請日期2011年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月7日
發(fā)明者王顯泰, 蘇永波, 郭建楠, 金智, 麻芃 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所