專利名稱：用于制造支撐結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種制造用于在光刻中支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)：
在光刻投影設(shè)備中，在光刻處理期間，諸如晶片或中間掩模(reticle)之類的物品通過夾緊力夾在物品支撐結(jié)構(gòu)上，夾緊力可以是真空壓力、靜電力、分子間的結(jié)合力或者僅為重力。物品支架以界定均勻平面(晶片或中間掩模保持在均勻平面上)的多個突出物的形式界定了一個平面。這些突出物的高度的微小變化對圖像分辨率是不利的，這是因?yàn)槲锲飞晕⑵x理想平面方向可能會造成晶片旋轉(zhuǎn)，并且該旋轉(zhuǎn)會產(chǎn)生覆蓋誤差(overlayeiror)。此外，物品支架的這些高度變化可能造成由其支撐的物品的高度發(fā)生變化。在光刻期間，由于投影系統(tǒng)的焦距有限，這些高度變化可能會影響圖像分辨率。因此，具有理想 的平坦的物品支架至關(guān)重要。歐洲專利申請EP0947884描述了具有襯底架的光刻裝置，其中布置了突出物，以便改善襯底的平坦度。舉例而言，這些突出物的一般直徑為0. 5_，并且這些突出物通常彼此相隔3_，從而形成支撐襯底的支撐部件底座。由于突出物之間的空間相對較大，可能存在的污染物通常并不對襯底的平坦度形成妨礙，這是因?yàn)檫@些污染物將會位于突出物之間并且不會局部地提高襯底。傳統(tǒng)的制造技術(shù)較為冗長，并且包括損耗大并且可靠性低的拋光步驟。在替代的方法中，W02008/051369公開了制造靜電夾的方法，使用(幾片)硅晶片，使用CVD、PVD工藝以及光刻技術(shù)來處理和加工這些硅晶片，并且隨后進(jìn)行組裝以形成靜電夾。然而，在沒有復(fù)雜的組裝技術(shù)的情況下，難以在隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)提供由具有埋入式電極的支撐結(jié)構(gòu)組成的完整夾，這是因?yàn)檫@很容易損害所產(chǎn)生結(jié)構(gòu)的平坦度。US4184188示出了一種靜電夾制造方法，其中，對Al電極進(jìn)行氧化，以形成隔離層。但是，這些電極的平坦度存在問題，并且隔離層的厚度需要較厚以防止通過絕緣體的放電。反過來，這提供了使用較高鉗位電壓的需要，以具有所期望的鉗位效應(yīng)。在本申請的上下文中，所述“物品”可以是上述術(shù)語晶片、中間掩模、掩模、或襯底中的任一個，更具體地說，諸如以下的術(shù)語-在制造設(shè)備中要采用光刻投影技術(shù)處理的襯底；或-在光刻投影裝置、諸如掩模檢查或清潔裝置之類的掩模處理裝置、或掩模制造裝置或夾在輻射系統(tǒng)的光路中的任何其他物品或光學(xué)元件中的光刻投影掩模或掩模底版(mask blank)；-用于打印顯示的襯底；-要在在諸如CVD或PVD裝置之類的真空設(shè)備中進(jìn)行處理的襯底。

發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)岢鲆环N制造用于在光刻中支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)的方法，包括
提供襯底，所述襯底具有導(dǎo)電上層，所述導(dǎo)電上層提供在絕緣體上；對所述導(dǎo)電上層進(jìn)行圖案化，以提供經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)；以及對所述導(dǎo)電上層進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以便提供具有連接到所述絕緣體的絕緣頂面的埋入式電極結(jié)構(gòu)。另一方面，本申請涉及用于支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)，包括襯底，其具有提供在絕緣體上的導(dǎo)電層；所述導(dǎo)電上層，其被圖案化為電極結(jié)構(gòu)；以及
具有氧化的頂層的所述導(dǎo)電層，以形成具有絕緣頂層的埋入式電極結(jié)構(gòu)。通過這種方式，簡單的埋入式結(jié)構(gòu)可提供為電極結(jié)構(gòu)，以方便地提供靜電夾。


圖I示出了用于制造靜電夾的示例性方法；圖2示出了在圖I實(shí)施例的靜電夾上可選地提供節(jié)結(jié)構(gòu)；以及圖3示出了用于在圖I實(shí)施例的靜電夾上提供節(jié)結(jié)構(gòu)的替代方法。
具體實(shí)施例方式使用埋入式氧化物層SOI (絕緣體上硅結(jié)構(gòu))制造是眾所周知的，并且通常遵循以下基本步驟I)將高劑量(大約2el8cm_2)和能量(150-300keV)的氧氣注入硅襯底上；2)在惰性環(huán)境(例如，使用氮?dú)?中，在高溫(1100-1175攝氏度)下進(jìn)行3_5個小時的退火過程，從而實(shí)現(xiàn)以下兩點(diǎn)恢復(fù)襯底表面的結(jié)晶度以及形成埋入式氧化物本身；以及3)在埋入式氧化物上沉積一層外延硅(這層外延硅隨后將作為在其上建立電路的層)。近來，埋入式氮化硅層(Si3N4)同樣已經(jīng)成功用在SOI技術(shù)中。圖I中示出了絕緣體上硅結(jié)構(gòu)襯底10。圖I示出了創(chuàng)造性的靜電夾制造方法的起始點(diǎn)。雖然，該方法基本上可以適用于任何類型的靜電夾，尤其是約翰遜拉貝克(Johnson Rahbeck)類型的靜電夾,其中，電荷經(jīng)由摻雜的電介質(zhì)移動到夾的表面，本示例公開了使用庫倫靜電夾緊力的靜電夾。本質(zhì)上，該方法在步驟A中考慮提供具有導(dǎo)電上層30的襯底10，導(dǎo)電上層30提供在絕緣體20上。典型地，這種襯底是已知的絕緣體上硅結(jié)構(gòu)類型100的導(dǎo)電襯底10。或者，襯底可由具有鈍化層的標(biāo)準(zhǔn)硅(非SOI)、玻璃、具有陽極化表面的鋁制成，陽極化表面具有鋁、Ti、TiN的導(dǎo)電層。氧化硅層20為電絕緣層，硅上層30是導(dǎo)電的并且實(shí)質(zhì)上形成電極材料，以用于形成電極結(jié)構(gòu)。在步驟B中，在導(dǎo)電硅層中對預(yù)成型電極40進(jìn)行蝕刻。這個圖案化步驟是經(jīng)由已知方法來提供的，這個方法包括提供抗蝕層50、對抗蝕劑50進(jìn)行顯影(develop)；以及對襯底進(jìn)行刻蝕，以形成與抗蝕圖案相應(yīng)的圖案化的預(yù)成型電極結(jié)構(gòu)40。之后，移除圖案化的抗蝕層。因此，在該步驟中，制造出預(yù)成型電極圖案結(jié)構(gòu)40，其界定較厚材料部分41和較薄材料部件42的高度輪廓?；蛘?，如在替代步驟B'中所描繪的，通過暴露絕緣體層20，預(yù)成型圖案結(jié)構(gòu)40可以完全不具有較薄的材料部分42。較厚部分之間的典型間隙距離是大約20微米的量級，優(yōu)選地為10微米，以便該間隙在轉(zhuǎn)換期間被移除，使得頂面大體上閉合。在轉(zhuǎn)換之后，這些間隙通常完全填充轉(zhuǎn)換的二氧化硅，以便提供可拋光的均勻閉合頂層。在轉(zhuǎn)換中，尤其通過將硅熱轉(zhuǎn)換成二氧化硅，導(dǎo)電層30的較厚部分41的側(cè)面43變成絕緣。在步驟C中，上導(dǎo)電層30被部分轉(zhuǎn)換成絕緣體。特別地，通過上導(dǎo)電層(30)的轉(zhuǎn)換，形成預(yù)成型電極結(jié)構(gòu)40上的絕緣體層31。此外，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)30的較薄部分42被轉(zhuǎn)換成絕緣體，由此隔離因此形成的電極61。經(jīng)轉(zhuǎn)換的較薄部分42與低隔離層20相接觸，并且由此基本上隔離因此形成的電極結(jié)構(gòu)60。因此，通過氧化導(dǎo)電上層31，提供具有絕緣頂面31的埋入式電極結(jié)構(gòu)60，絕緣頂面31連接 到絕緣體20。因此，頂層31通過這種方式完全環(huán)繞導(dǎo)電電極部分61。典型地，氧化是通過熱氧化工藝來進(jìn)行的。要注意的是，通過轉(zhuǎn)化步驟，現(xiàn)在已經(jīng)在埋入絕緣體20、31內(nèi)的電極結(jié)構(gòu)60內(nèi)形成雛形。其他轉(zhuǎn)換方法也是可能的，比如在鋁的情況下進(jìn)行濕氧化或者在Ti、SiN或TiN的情況下進(jìn)行氧等離子處理。在后續(xù)的步驟D中，可以提供可選的精加工步驟，比如拋光、提供耐磨頂層70和/或準(zhǔn)備圖2中所示的后續(xù)處理步驟。需要注意的是，雖然所使用的材料是硅和氧化硅，但是也可以考慮其他材料，特別是例如Ge、SiN, Ti、TiN或Al，可以對硅層進(jìn)行摻雜，以提供JR型夾或者根據(jù)需要調(diào)整材料的導(dǎo)電性。此外，雖然熱氧化可以是優(yōu)選的氧化方法，但是通過選擇適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)物，可以考慮其他轉(zhuǎn)換方法。因此，在圖I中，特別是步驟D中，示出了 用于支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)100，包括襯底10，其具有提供在絕緣體20上的導(dǎo)電層30 ；導(dǎo)電上層30，其被圖案化為電極結(jié)構(gòu)40 ;以及具有經(jīng)轉(zhuǎn)換的頂面31的所述導(dǎo)電層，以形成具有絕緣頂層31的埋入式電極結(jié)構(gòu)40。顯然，在操作中，提供電控制系統(tǒng)(未示出)，以對電極進(jìn)行充電，從而提供靜電鉗位。圖2更具體地示出了在圖I中所形成的圖案化的電極結(jié)構(gòu)60上提供節(jié)結(jié)構(gòu)(burlstructure)的可選工藝。在步驟E中，提供了圖案形成步驟，其中，電極結(jié)構(gòu)具有通孔81。圖案形成驟通常是使用圖案化的抗蝕層82來提供的，圖案化的抗蝕層82界定通孔結(jié)構(gòu)；并且使用后續(xù)的蝕刻步驟以產(chǎn)生通孔81。因此，優(yōu)選地，提供蝕刻步驟，以使得通孔81與襯底10 (優(yōu)選地，襯底10是導(dǎo)電的)相接觸。在步驟F中，經(jīng)蝕刻的通孔81提供有節(jié)材料70，從而形成節(jié)結(jié)構(gòu)80 ;典型地，通過適當(dāng)?shù)某练e方法。TiN或二氧化娃是具有適當(dāng)耐磨性的可選材料。通過選擇導(dǎo)電的節(jié)材料，可以提供電導(dǎo)，以指導(dǎo)從晶片到接地電位的電荷建立。需要注意的是，節(jié)結(jié)構(gòu)80與電極結(jié)構(gòu)60是電隔離的。在步驟G中，通過剝離和拋光，移除頂面，以暴露電極結(jié)構(gòu)的絕緣頂面31。因此，節(jié)結(jié)構(gòu)80提供作為耐磨層70，耐磨層70提供在氧化導(dǎo)電上層上，其中耐磨層被部分移除，以形成節(jié)結(jié)構(gòu)。此外，對節(jié)結(jié)構(gòu)進(jìn)行平整，以便暴露絕緣頂面。
此外，在步驟H中，對絕緣頂面31蝕刻，以產(chǎn)生從絕緣頂面31突出的節(jié)結(jié)構(gòu)80。因此，在圖2中，特別是步驟H中，示出了支撐結(jié)構(gòu)，其進(jìn)一步包括圖案化的電極結(jié)構(gòu)40上的節(jié)結(jié)構(gòu)80 ;節(jié)結(jié)構(gòu)80提供有通孔81，益使得節(jié)結(jié)構(gòu)80與襯底10相接觸。雖然圖2中所公開的節(jié)結(jié)構(gòu)80具有通孔81，通孔81與導(dǎo)電襯底10電接觸，以形成接地接觸時，但是，在某些實(shí)施例中，這不是所期望的。因此，也可以與襯底10隔離(通常是通過提供在電極結(jié)構(gòu)上面的結(jié)構(gòu))來提供節(jié)結(jié)構(gòu)80。參看替代步驟B'，作為替代，在不使用薄層42時，可以在電極之間提供節(jié)結(jié)構(gòu)，并且形成在電極61之間的間隙可以填充有有適當(dāng)?shù)墓?jié)材料，從而產(chǎn)生與襯底10的接觸。圖3示出了在圖I實(shí)施例的靜電夾上提供節(jié)結(jié)構(gòu)的替代方法。在這個示例中，與在圖2的二氧化硅層31中所提供的插入的節(jié)結(jié)構(gòu)80相比，頂部二氧化硅層直接用于蝕刻電極頂部的節(jié)結(jié)構(gòu)。圖I中的步驟D以及圖3中可選的步驟E(2)產(chǎn)生具有平整的氧化硅 層的支撐結(jié)構(gòu)100，使用額外的沉淀氧化硅可選地放大該平整的氧化硅層。對于這個實(shí)施例 而言，二氧化硅層是足夠厚的，以便蝕刻節(jié)結(jié)構(gòu)，并且二氧化硅層尺寸通常如下，在絕緣頂層31內(nèi)具有大約為5-10微米的節(jié)間隙高度，優(yōu)選地，拋光后為7-15微米厚。通過這種方式，可以制造出完全平坦的表面，其中可以形成節(jié)，因此提供具有平坦支撐面作為節(jié)80的頂面的支撐結(jié)構(gòu)100。在可選的步驟E(I)中，在圖ID中的拋光步驟之前，絕緣頂層31可以提供有額外的二氧化硅71，例如，在化學(xué)氣相沉積(CVD)、濺射、PECVD或旋涂的過程中。在經(jīng)轉(zhuǎn)換的層的高度不足以提供所期望的節(jié)間隙高度時，需要這個步驟。轉(zhuǎn)換層31的通常尺寸為7微米，在熱氧化的情況下，其是在幾天的熱處理之后獲得的，并且其中最大的厚度約為15微米是可行的。熱氧化硅層(31)的隔離屬性非常優(yōu)越，并且可經(jīng)受約lV/nm。在絕緣頂層(31)成為具有額外耐磨層71的較厚層時，熱轉(zhuǎn)換層31的隔離屬性可以與耐磨層71的材料屬性相結(jié)合，耐磨層71的材料屬性可以使絕緣的(例如，PECVD, Si02、SiN)或?qū)щ姷?TaN)。因此，在某些實(shí)施例中，可以提供具有導(dǎo)電面的支撐結(jié)構(gòu)100。在2微米的氧化層31上，節(jié)間隙高度大約為5微米，整個厚度為7微米，相當(dāng)于大約僅600V的優(yōu)選鉗位電壓。與傳統(tǒng)的數(shù)千伏鉗位電壓(其更容易造成擊穿)相比，這是有利的。對于更高的節(jié)80而言，例如在4微米的氧化層上具有大約10微米的節(jié)間隙高度，夾中的鉗位電壓稍高，約為1200V。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，絕緣體層31具有良好的機(jī)電和熱魯棒性；特別地，2微米的層已經(jīng)形成優(yōu)越的隔離屬性，其可以經(jīng)受高鉗位電壓，以防止放電，并且也具有機(jī)械魯棒性，以防止表面損壞，表面損壞也可以引起放電效應(yīng)或經(jīng)受高沖擊力。在后續(xù)步驟F(2)中，平整的氧化硅層31提供有根據(jù)節(jié)圖案的圖案化抗蝕層82，例如，這些突出物的節(jié)直徑為0. 5mm，并且通常彼此相隔3mm的距離。在步驟G(2)中，對二氧化硅31進(jìn)行蝕刻，以便在由掩模圖案所保護(hù)的位置上提供節(jié)80。取決于蝕刻工藝，大約5-10微米的蝕刻高度是可能的。在步驟H(2)中，移除圖案化的抗蝕層82。由于在圖ID的拋光步驟中限定了節(jié)80的平坦度，所以節(jié)非常平坦，并且可以為電極夾100很好地提供所期望的平坦度。特別地，通過蝕刻形成的節(jié)之間的空隙的平坦度公差不太重要。雖然在附圖和前面的描述中已經(jīng)詳細(xì)示出并且描述了本申請，但是這種示意和描述應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為是說明性的或示例性的，而不是限制性的；本申請不限于所公開的實(shí)施例。特別地，除非從上下文中可以明確得出，否則在單獨(dú)討論的各個實(shí)施例中處理的各個實(shí)施例的各方面被視為在相關(guān)變化的任何組合中公開，并且物理上可行，本申請的范圍延伸到這種結(jié)合。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的是，在這種替代應(yīng)用的情況下，此處所使用的任何術(shù)語“晶片”可以視為與更普通的術(shù)語“襯底”具有相同的意義。通過研究附圖、說明書和所附權(quán)利要求，在實(shí)踐所要求的本申請的過程中，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解所公開的實(shí)施例的其他變化。建議提供一種制造用于在光刻中支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)的方法，包括
提供具有導(dǎo)電上層的襯底，導(dǎo)電上層提供在絕緣體上；對導(dǎo)電上層進(jìn)行圖案化，以便提供經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)；以及對導(dǎo)電上層進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以便提供具有連接到絕緣體的絕緣頂面的埋入式電極結(jié)構(gòu)。另一方面，本申請涉及用于支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)，包括襯底，其具有提供在絕緣體上的導(dǎo)電層；導(dǎo)電上層，其被圖案化為電極結(jié)構(gòu)；以及頂層，其位于經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)上，以形成具有絕緣頂面的埋入式電極結(jié)構(gòu)。如果頂層是硅，那么這種頂層尤其可為電極結(jié)構(gòu)上氧化的頂面。或者，電極可以由任何導(dǎo)電材料形成，例如，具有可以被光結(jié)構(gòu)化(photostructured)的金屬。在那種情況下，頂部絕緣層例如可以是PECVD氮化娃或任何其他的薄膜材料。在這些情況下，通過任何其他的方法，例如CVD、PECVD以及旋涂等方法，來沉積隔離頂層。材料例如可以是氧化硅、氮化硅、聚合物或可以通過薄而均勻的方式來沉積的任何其他的隔離層。在權(quán)利要求中，“包括”不排除其他元件或步驟，并且不定冠詞“一”或“一個”不排除復(fù)數(shù)。單個單元可完成權(quán)利要求書中所述的若干項(xiàng)的功能。在相互不同的從屬權(quán)利要求書中敘述某些措施，并不表示不能利用這些措施的組合。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)被解釋為是對本申請進(jìn)行限制。
權(quán)利要求
1.一種制造用于在光刻中支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)(100)的方法，包括 提供襯底(10)，所述襯底(10)具有導(dǎo)電上層(30)，所述導(dǎo)電上層(30)提供在絕緣體層(20)上； 在所述導(dǎo)電上層(30)中提供預(yù)成型圖案結(jié)構(gòu)(40)，所述預(yù)成型圖案結(jié)構(gòu)(40)具有電極部分(41)的高度輪廓； 對所述導(dǎo)電上層(30)進(jìn)行部分轉(zhuǎn)換，其中，所述電極部件(41)的側(cè)面(43)被轉(zhuǎn)換為變成絕緣的；因此提供具有絕緣頂層(31)的埋入式電極結(jié)構(gòu)(60)，所述絕緣頂層(31)連接到所述絕緣體(20)并且完全環(huán)繞剩余的導(dǎo)電電極￠1);并且，在拋光步驟之后，進(jìn)ー步包括下列步驟 在經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)(40)上提供節(jié)結(jié)構(gòu)(80)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述導(dǎo)電上層由硅層(30)形成，或者由SiN或TiN組中的任何ー個形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述導(dǎo)電層是經(jīng)摻雜的。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述部分轉(zhuǎn)換步驟是由熱氧化或等離子處理來形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)是提供為耐磨層(70、71)，所述耐磨層(70、71)提供在經(jīng)氧化的頂層(31)或絕緣體(20)中的任何ー個上，并且其中，所述耐磨層(70、71)被部分移除，以形成所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)。
6.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，在提供所述耐磨層(70)之前，所述電極結(jié)構(gòu)(40)提供有通孔(81)，以使得所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)與所述襯底(10)或絕緣體(20)中的任何ー個相接觸，并且進(jìn)一歩包括使所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)變平，以暴露所述絕緣頂層(31);并且對所述絕緣頂層(31)進(jìn)行蝕刻，由此產(chǎn)生從所述絕緣頂層(31)突出的節(jié)結(jié)構(gòu)(80)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)和所述襯底(10)是導(dǎo)電的。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述耐磨層(70、71)包括TiN或Si02。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述絕緣頂層(31)提供有圖案化的抗蝕層(82)，所述圖案化的抗蝕層(82)界定所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)，并且其中，在所述絕緣頂層(31)內(nèi)對節(jié)圖案進(jìn)行蝕刻，所述絕緣頂層(31)具有比所述絕緣頂層的厚度小的節(jié)間隙高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在提供所述圖案化的抗蝕層之前，通過CVD、濺射、PECVD或旋涂エ藝來增加所述絕緣頂層，以形成頂部耐磨層(71)。
11.ー種用于支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)(100)，包括 襯底(10)，其具有導(dǎo)電層(30)，所述導(dǎo)電層(30)提供在絕緣體層(20)上； 所述導(dǎo)電上層(30)，其被圖案化為包括電極(61)的電極結(jié)構(gòu)(40)； 具有部分轉(zhuǎn)換的頂層(31)的所述導(dǎo)電層，所述部分轉(zhuǎn)換的頂層(31)連接到所述絕緣體(20)，所述導(dǎo)電層完全環(huán)繞所述電極￠1)，以形成具有絕緣頂層(31)的埋入式電極結(jié)構(gòu)(40)，所述絕緣頂層(31)完全環(huán)繞導(dǎo)電電極(61);以及 節(jié)結(jié)構(gòu)，其提供在經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)(40)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的支撐結(jié)構(gòu)，進(jìn)一歩包括在經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)(40)上的節(jié)結(jié)構(gòu)(80);所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)提供有通孔(81)，以使得所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)與所述襯底(10)相接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的支撐結(jié)構(gòu)，其中，所述節(jié)圖案是提供在所述絕緣頂層(31)中的，所述絕緣頂層(31)具有小于絕緣頂面厚度的節(jié)間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的支撐結(jié)構(gòu)，其中，所述絕緣頂層(31)生長有頂部耐磨層(71)，所述節(jié)結(jié)構(gòu)(80)形成在所述頂部耐磨層(71)中。
15.一種制造用于在光刻中支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)(100)的方法，包括 提供硅襯底(10)，所述硅襯底(10)具有導(dǎo)電頂層(30)，所述導(dǎo)電頂層(30)提供在氧化娃層(20)上； 在所述導(dǎo)電頂層(30)中提供預(yù)成型圖案結(jié)構(gòu)(40)，所述預(yù)成型圖案結(jié)構(gòu)(40)具有電極部分(41)的高度輪廓； 對所述導(dǎo)電上層(30)進(jìn)行熱氧化，其中，所述電極部分(41)的側(cè)面(43)被轉(zhuǎn)換為變成絕緣的；因此提供具有絕緣頂層(31)的埋入式電極結(jié)構(gòu)(60)，所述絕緣頂層(31)連接到所述絕緣體(20)并且完全環(huán)繞剩余的導(dǎo)電電極￠1);并且，進(jìn)一歩包括在經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)(40)上提供節(jié)結(jié)構(gòu)(80)的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造用于在光刻中支撐物品的支撐結(jié)構(gòu)的方法，包括提供襯底，所述襯底具有導(dǎo)電頂層，所述導(dǎo)電頂層提供在絕緣體上；對所述導(dǎo)電頂層進(jìn)行圖案化，以提供經(jīng)圖案化的電極結(jié)構(gòu)；以及對所述導(dǎo)電頂層進(jìn)行氧化，以便提供具有絕緣頂面的埋入式電極結(jié)構(gòu)。通過這種方式，簡單的埋入式結(jié)構(gòu)可提供為電極結(jié)構(gòu)，以方便地提供靜電夾。另外，本發(fā)明涉及用于在光刻中支撐物品而相應(yīng)制造的支撐結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L21/687GK102696100SQ201080057988
公開日2012年9月26日 申請日期2010年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者N·B·科斯特, 埃德溫·特·斯利赫特, 馬庫斯·G·亨德里克斯·麥爾靈克 申請人:荷蘭應(yīng)用自然科學(xué)研究組織Tno