專利名稱：導(dǎo)電層合體和使用該導(dǎo)電層合體而形成的觸控面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在包含由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的導(dǎo)電成分的導(dǎo)電層上具有保護(hù)層的導(dǎo)電層合體。更詳細(xì)地說，本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電層合體，對(duì)在將導(dǎo)電層合體加工形成用于觸控面板(touch panel)等的電極構(gòu)件時(shí)的化學(xué)蝕刻中所使用的除去劑具有耐受性、對(duì)熱具有良好的耐久性。進(jìn)而，涉及也可在液晶顯示屏、有機(jī)電致發(fā)光、電子紙等顯示器相關(guān)產(chǎn)品和太陽能電池模塊等所使用的電極構(gòu)件上使用的導(dǎo)電層合體。
背景技術(shù)：
近年來，搭載觸控面板的移動(dòng)電話、游戲機(jī)、個(gè)人電腦等得到了普及。觸控面板中使用了電極用導(dǎo)電構(gòu)件，并且可進(jìn)行復(fù)雜操作的觸控面板中將導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電層表面形成所期望的圖案來使用。作為所述用于觸控面板的導(dǎo)電構(gòu)件，提出了在設(shè)置于高分子基材上的導(dǎo)電性薄膜層上、層合有由普通的高分子化合物形成的層的導(dǎo)電層合體(專利文獻(xiàn)I)、或?qū)雍嫌杏删哂星杌群囟ㄔ氐墓倌軋F(tuán)的高分子化合物形成的層的導(dǎo)電層合體(專利文獻(xiàn)2)。另外，提出了在設(shè)置于高分子基材上的含有球狀金屬微粒的導(dǎo)電層上、層合有與主成分的SiO2 一起將硅酮單體或硅酮低聚物作為粘結(jié)劑成分的層的導(dǎo)電層合體(專利文獻(xiàn)3)、或?qū)雍嫌杏啥喙倌軉误w的固化物形成的層的導(dǎo)電層合體(專利文獻(xiàn)4)。此外，還提出了在設(shè)置于高分子基材上的包含作為線狀結(jié)構(gòu)體的碳納米管(以下簡稱為CNT)的導(dǎo)電層上層合有薄膜的硅涂層即二氧化硅層的導(dǎo)電層合體(專利文獻(xiàn)5)。另一方面，作為這些導(dǎo)電構(gòu)件的圖案形成方法，一般使用激光消融法、應(yīng)用了蝕刻液的化學(xué)蝕刻法(專利文獻(xiàn)6)。激光消融法由于對(duì)導(dǎo)電膜照射近紅外區(qū)域(NIR)激光將不要的部分除去，所以不需要抗蝕劑，即可進(jìn)行高精度的圖案化，但是由于可適用的基材受到限定，而且成本高，處理速度慢，因而不適宜于大面積的加工。另一方面，化學(xué)蝕刻法中，例如提出了一種包含酸的蝕刻介質(zhì)(專利文獻(xiàn)7)，利用該蝕刻介質(zhì)通過絲網(wǎng)印刷等在導(dǎo)電構(gòu)件上轉(zhuǎn)印上所期望的圖案(例如，線寬為幾十微米 幾毫米的直線圖案等)后，進(jìn)行清洗，從而蝕刻介質(zhì)所轉(zhuǎn)印的圖案部分被除去，得到圖案(例如，線寬為幾十微米 幾毫米的直線圖案等)，所以工序數(shù)目少，成本低，因而是有利的。還提出了基于納米線的透明導(dǎo)電體(專利文獻(xiàn)8) ο專利文獻(xiàn)I :日本特開2003-115221號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-276322號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本專利第3442082號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本特開2001-243841號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 日本專利第3665969號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6 :日本特開2001-307567號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7 :日本特表2009-503825號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)8 :日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
但是，如專利文獻(xiàn)I 3中記載的層合體的保護(hù)層所示，在導(dǎo)電層上層合的層是普通的高分子化合物、具有氰基等含特定元素的官能團(tuán)的高分子化合物、以硅酮單體或硅酮低聚物作為成分的情況下，任一保護(hù)層對(duì)專利文獻(xiàn)7中所記載的包含酸的蝕刻介質(zhì)都沒有耐受性。因此，保護(hù)層與導(dǎo)電層一起剝離、溶解，暴露出高分子基材，從而在其后的熱處理工序或觸控面板等的使用時(shí)的熱的作用下低聚物從基材中析出，光學(xué)特性顯著降低，或者產(chǎn)生下述各種問題所形成的圖案易于被視覺辨認(rèn)而降低了顯示圖像的畫質(zhì)；僅一部分發(fā)生了剝離、溶解的部分形成缺陷等。另外，如專利文獻(xiàn)4所示由多官能單體的固化物形成的層結(jié)合得較密，耐酸性良好，但在導(dǎo)電成分為金屬微粒那樣的非線狀結(jié)構(gòu)體的情況下，由于金屬微粒也被致密地含在導(dǎo)電層內(nèi)以進(jìn)行導(dǎo)電，所以為了形成圖案，需要延長處理時(shí)間或增加酸濃度，結(jié)果，與專利文獻(xiàn)I 3同樣，保護(hù)層與導(dǎo)電層一起發(fā)生剝離、溶解，問題未能解決。而且，即使如專利文獻(xiàn)4所示導(dǎo)電成分為作為線狀結(jié)構(gòu)體的CNT，在將耐酸性差的二氧化硅層以不損害導(dǎo)電性的程度的薄膜的形式層合的情況下問題也同樣未能解決。鑒于所述現(xiàn)有技術(shù)的背景，本發(fā)明中，盡管保護(hù)層為不損害導(dǎo)電性的薄膜，但是通過相對(duì)于在化學(xué)蝕刻中使用的除去劑，改良導(dǎo)電層和保護(hù)層，從而試圖改善蝕刻后的層合體對(duì)熱的耐久性。為了解決上述課題，本發(fā)明采用如下構(gòu)成。即，(I) 一種導(dǎo)電層合體，在基材的至少一面層合有具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層、和保護(hù)層，保護(hù)層的平均厚度t為100 IOOOnm ；(2)設(shè)定將含有酸成分且pH為2. O的除去劑于130°C下涂布在保護(hù)層上3分鐘時(shí)的保護(hù)層的除去厚度為X，則保護(hù)層具有比X厚的部分和比X薄的部分；(3)上述保護(hù)層是使用不含下述任一物質(zhì)的高分子化合物而形成的，S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素；(4)上述保護(hù)層的表面的純水接觸角為80°以上且油酸接觸角為13°以上；(5)上述高分子化合物具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)；(6)上述線狀結(jié)構(gòu)體為銀納米線，并且保護(hù)層為不含下述任一物質(zhì)的多官能丙烯酸類高分子化合物或者多官能甲基丙烯酸類高分子化合物，S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素；(7)上述線狀結(jié)構(gòu)體為碳納米管，并且保護(hù)層為不含下述任一物質(zhì)的多官能丙烯酸類高分子化合物或者多官能甲基丙烯酸類高分子化合物，S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素；(8)在上述保護(hù)層中含有兩種以上光引發(fā)劑，各自的最大吸收波長值之差為20nm以上；(9)從保護(hù)層側(cè)入射時(shí)的基于JIS K7361-1 (1997年)的全光線透過率為80%以上；(10) 一種酸處理導(dǎo)電層合體，其是通過將含有酸成分且pH為2. O的除去劑于130°C下涂布在上述任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體的保護(hù)層上3分鐘而得到的，該酸處理導(dǎo)電層合體具有導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域，在所述非導(dǎo)電區(qū)域中除去了導(dǎo)電成分，且存在導(dǎo)電成分的不殘存除去痕；(11) 一種觸控面板，其是使用⑴ (10)所述的導(dǎo)電層合體而形成的。另外，本發(fā)明的導(dǎo)電層合體優(yōu)選用于觸控面板用途。而且，本發(fā)明的導(dǎo)電層合體也優(yōu)選用于液晶顯示屏、有機(jī)電致發(fā)光、電子紙等顯示器相關(guān)產(chǎn)品和太陽能電池模塊等所使用的電極構(gòu)件。根據(jù)本發(fā)明，通過在基材的至少一面從基材側(cè)層合包含導(dǎo)電成分的導(dǎo)電層和特定的保護(hù)層，所述導(dǎo)電成分具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，從而可以提供導(dǎo)電層合體，盡管保護(hù)層為不損害導(dǎo)電性的薄膜，但是該導(dǎo)電層合體對(duì)在化學(xué)蝕刻中使用的含有酸成分的除去劑具有耐受性，從而對(duì)熱具有良好的耐久性。


圖I是本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的截面示意圖的一例。圖2是從本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層側(cè)觀察的線狀結(jié)構(gòu)體的示意圖的一例。圖3是表不作為本發(fā)明一方式的觸控面板的一例的截面不意圖。圖4是本發(fā)明的線狀結(jié)構(gòu)體附近的截面示意圖的一例。圖5是流化床立式反應(yīng)裝置的簡圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的導(dǎo)電層合體中在基材的至少一面從基材側(cè)層合有導(dǎo)電層和保護(hù)層，所述導(dǎo)電層包含具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電成分，其中保護(hù)層的平均厚度t為100 lOOOnm。需要說明的是，由于導(dǎo)電成分由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成，所以在線狀結(jié)構(gòu)體的量為一定量以下的情況下，有可能在面內(nèi)分布有不存在線狀結(jié)構(gòu)體的區(qū)域，然而即使存在所述區(qū)域，如果線狀結(jié)構(gòu)體在面內(nèi)連續(xù)一致地存在，形成網(wǎng)，從而可在任意的2點(diǎn)間顯示導(dǎo)電性，則設(shè)定為形成了導(dǎo)電層。即，在上述情況下，將線狀結(jié)構(gòu)體形成的層狀區(qū)域(也包含散在的不存在線狀結(jié)構(gòu)體的區(qū)域)定義為導(dǎo)電層。而且，在上述情況下，在不存在線狀結(jié)構(gòu)體的區(qū)域中，有時(shí)形成保護(hù)層的表面比線狀結(jié)構(gòu)體的表面更接近基材側(cè)(從保護(hù)層側(cè)觀察時(shí)，線狀結(jié)構(gòu)體的一部分掩埋在保護(hù)層內(nèi)那樣)的狀態(tài)，但也包括該情況在內(nèi)，將基材表面至線狀結(jié)構(gòu)體的最表層定義為導(dǎo)電層，將線狀結(jié)構(gòu)體的最表層(導(dǎo)電層表面)至層合體的最外表面定義為保護(hù)層。通過使保護(hù)層的平均厚度t成為t彡IOOOnm,從而不阻礙導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性，使導(dǎo)電層合體的電阻值不會(huì)異常升高。另外，如果導(dǎo)電成分為具有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的線狀結(jié)構(gòu)體，則即使有不存在線狀結(jié)構(gòu)體的稀疏部分，電流也會(huì)流過線狀結(jié)構(gòu)體，因而表面的電阻值足夠低，可以獲得實(shí)用水平上沒有問題的程度的電阻值。另一方面，通過化學(xué)蝕刻而形成了圖案的導(dǎo)電層合體需要是圖案化部分的導(dǎo)電成分被除去了的電絕緣體。這是因?yàn)椋绻娊^緣不充分，則作為電極構(gòu)件使用時(shí)發(fā)生短路等不良情況，而且這種情況下，即使保護(hù)層的耐受性充分，也不能用作電極構(gòu)件。導(dǎo)電成分為線狀結(jié)構(gòu)體時(shí)，推測通過下述效果可容易地除去導(dǎo)電成分，從而易于獲得電絕緣性。進(jìn)而，通過設(shè)定為線狀結(jié)構(gòu)體，在從保護(hù)層突出的線狀結(jié)構(gòu)體中，實(shí)際上如圖4所示，優(yōu)選可形成在線狀結(jié)構(gòu)體稀疏的部分中保護(hù)層厚度變厚且在存在線狀結(jié)構(gòu)體的部分中、保護(hù)層厚度變薄的部分。這種情況下，當(dāng)使用用于化學(xué)蝕刻的含有酸成分且PH為2. O的除去劑于130°C對(duì)保護(hù)層成分蝕刻3分鐘時(shí)，由于酸成分侵蝕的速度相同，所以上述保護(hù)層厚度薄的部分中保護(hù)層剝離、溶解，與此相對(duì)，上述保護(hù)層厚度厚的部分中可以殘留保護(hù)層。即，本發(fā)明的優(yōu)選方式中，將含有酸成分且PH為2. O的除去劑于130°C涂布在保護(hù)層上3分鐘，設(shè)定此時(shí)的保護(hù)層的除去厚度為X，則保護(hù)層具有比X厚的部分和比X薄的部分。因此，在上述保護(hù)層厚度薄的部分中，酸成分在短時(shí)間內(nèi)到達(dá)線狀結(jié)構(gòu)體，通過酸成分選擇性地在對(duì)所述酸成分的耐受性低的線狀結(jié)構(gòu)體的線方向(后述的長軸方向)上進(jìn)行侵蝕，從而導(dǎo)電成分被除去的相對(duì)比例變大，另一方面，在上述保護(hù)層厚度厚的部分中，可以殘留保護(hù)層，其結(jié)果，推測清洗后也殘留保護(hù)層，從而將基材表面密封，可以抑制低聚物析出。另外，可推測通過保護(hù)層殘留而不發(fā)生剝離、溶解，從而形成的圖案部分與非圖案部分的階梯差非常小，視覺不能辨認(rèn)，進(jìn)而，一部分的局部部分保留下來、不發(fā)生剝離、溶解。將含有酸成分且PH為2. O的除去劑于130°C涂布在保護(hù)層上3分鐘，將此時(shí)的保護(hù)層的除去厚度設(shè)定為X，則保護(hù)層具有比X厚的部分和比X薄的部分，針對(duì)上述事實(shí)，可以通過在利用除去劑的上述處理后存在保護(hù)層殘留的部分和保護(hù)層消失的部分，來進(jìn)行確認(rèn)。因此，可以推測即使上述的除去成分向線狀結(jié)構(gòu)體的滲透速度與向保護(hù)層的滲透速度存在差異，在保護(hù)層的平均厚度t小于IOOnm的情況下，通過使直至除去成分向保護(hù)層和線狀結(jié)構(gòu)體滲透完為止的時(shí)間變短，從而直至除去成分滲透完成為止的時(shí)間差減小，結(jié)果，不能選擇性地將線狀結(jié)構(gòu)體除去而是將保護(hù)層也一起除去了，因而基材易于露出，無法得到抑制低聚物的效果，然而如果保護(hù)層的平均厚度為IOOnm以上，則在上述保護(hù)層厚度厚的部分可以殘留保護(hù)層，可以抑制低聚物。另外，在保護(hù)層的平均厚度t比IOOOnm厚的情況下，產(chǎn)生下述問題導(dǎo)電側(cè)(本發(fā)明中為層合有導(dǎo)電層和保護(hù)層的一側(cè))表層的線狀結(jié)構(gòu)體減少，使導(dǎo)電性降低，難以達(dá)成所期望的表面電阻值；除去成分不能到達(dá)線狀結(jié)構(gòu)體而產(chǎn)生除去不足，導(dǎo)致電絕緣不充分，產(chǎn)生短路等不良情況等。因而，導(dǎo)電層合體無法用作電極構(gòu)件。然而，通過使保護(hù)層的平均厚度t為IOOOnm以下，從而成為不阻礙導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性、不發(fā)生電阻值的異常升高和導(dǎo)通不良的導(dǎo)電層合體。 本發(fā)明的導(dǎo)電層合體在基材的至少一面從基材側(cè)具有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包含具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電成分。在不設(shè)置上述導(dǎo)電層的情況下，不顯示導(dǎo)電性。導(dǎo)電層的導(dǎo)電成分需要為線狀結(jié)構(gòu)體。在導(dǎo)電成分不為線狀結(jié)構(gòu)體的情況下，相對(duì)于后述的由除去劑所致的保護(hù)層的除去厚度X，保護(hù)層無法形成比X厚的部分和比X薄的部分，為了除掉導(dǎo)電層，需要將保護(hù)層全部除去，因而蝕刻后無法在蝕刻部分殘留保護(hù)層。在使用線狀結(jié)構(gòu)體的情況下，形成上述的薄部分和厚部分，蝕刻時(shí)保護(hù)層的厚度比除去劑的除去厚度小的部分被除去，由此存在于其下的線狀結(jié)構(gòu)體被蝕刻。此時(shí)，即使所除去的保護(hù)層的部分僅為一點(diǎn)點(diǎn)，也可以將線狀結(jié)構(gòu)體蝕刻，因而可以在層合體上殘留大部分保護(hù)層。
另外，在上述的蝕刻工序中，一旦線狀結(jié)構(gòu)體開始被蝕刻，線狀結(jié)構(gòu)體被蝕刻的速度就明顯比保護(hù)層被蝕刻的速度快，因而能夠獲得除去了線狀結(jié)構(gòu)體部分的保護(hù)層?，F(xiàn)有的蝕刻中，保護(hù)層與導(dǎo)電層一起溶解、剝離，基材暴露出來，從而在化學(xué)蝕刻后低聚物因熱而從基材中析出，無法獲得耐久性，光學(xué)特性顯著降低，而且化學(xué)蝕刻所產(chǎn)生的圖案化部分的電絕緣也不充分。本發(fā)明中的所謂線狀結(jié)構(gòu)體，是指長軸的長度與短軸的長度之比、即長寬比=長軸的長度/短軸的長度大于I的結(jié)構(gòu)體(另一方面，例如球狀的情況下，長寬比=D。作為線狀結(jié)構(gòu)體，例如可以舉出纖維狀導(dǎo)電體、晶須那樣的針狀導(dǎo)電體等。上述短軸和長軸的長度根據(jù)線狀結(jié)構(gòu)體的種類的不同而不同，因而不能一概而定，但是優(yōu)選短軸的長度比形成的圖案小Inm 1000nm(l μ m),另外,長軸的長度只要大于短軸的長度,使上述長寬比=長軸的長度/短軸的長度大于I即可，優(yōu)選I μ m 100 μ m(0. Imm)。
作為上述纖維狀導(dǎo)電體，可以舉出碳類纖維狀導(dǎo)電體、金屬類纖維狀導(dǎo)電體、金屬氧化物類纖維狀導(dǎo)電體等。作為碳類纖維狀導(dǎo)電體，可以舉出聚丙烯腈類碳纖維、浙青類碳纖維、人造絲類碳纖維、玻璃狀碳、CNT、碳納米線圈、碳納米線、碳納米纖維、碳晶須、石墨原纖維等。作為金屬類纖維狀導(dǎo)電體，可以舉出由金、鉬、銀、鎳、硅、不銹鋼、銅、黃銅、招、錯(cuò)、鉿、銀、銀、鉭、鉻、鑰、猛、锝、錸、鐵、鋨、鈷、鋅、鈧、硼、鎵、銦、娃、鍺、錫、鎂等制造的纖維狀或納米線狀的金屬和合金等。作為金屬氧化物類纖維狀導(dǎo)電體，可以舉出由Ιη02、InO2Sru Sn02、ZnO、SnO2-Sb2O4' SnO2-V2O5' TiO2 (Sn/Sb) 02、SiO2 (Sn/Sb) 02、K20_nTi02- (Sn/Sb)
02、K20-nTi02-C等制造的纖維狀或納米線狀的金屬氧化物和金屬氧化物復(fù)合體等。這些導(dǎo)電體也可以實(shí)施了表面處理。進(jìn)而，在植物纖維、合成纖維、無機(jī)纖維等非金屬材料的表面上用上述金屬、上述金屬氧化物或CNT進(jìn)行涂布或蒸鍍而得到的導(dǎo)電體也包括在纖維狀導(dǎo)電體內(nèi)。上述晶須那樣的針狀導(dǎo)電體，是指由金屬、碳類化合物、金屬氧化物等形成的化合物。作為金屬，可以舉出屬于短式元素周期表中的IIA族、IIIA族、IVA族、VA族、VIA族、VIIA族、VIII族、IB族、IIB族、IIIB族、IVB族或VB族的元素。具體可以舉出金、鉬、銀、鎳、不銹鋼、銅、黃銅、鋁、鎵、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鑰、錳、銻、鈀、鉍、锝、錸、鐵、鋨、鈷、鋅、鈧、硼、鎵、銦、硅、鍺、碲、錫、鎂、或含有這些元素的合金。作為碳類化合物，可以舉出碳納米突、富勒烯、石墨烯等。作為金屬氧化物，可以舉出In02、InO2Sn> SnO2> ZnO> SnO2-Sb2O4^SnO2-V2O5、TiO2 (Sn/Sb) O2、SiO2 (Sn/Sb) O2、K20_nTi02- (Sn/Sb) O2、K20-nTi02_C 等。這些線狀結(jié)構(gòu)體之中，從透明性等光學(xué)特性、導(dǎo)電性等觀點(diǎn)出發(fā)，可以優(yōu)選使用銀納米線或CNT。作為上述線狀結(jié)構(gòu)體的一例，對(duì)CNT進(jìn)行說明。在本發(fā)明中，導(dǎo)電層的成分中所用的CNT可以為單層CNT、雙層CNT、三層以上的多層CNT中的任一形式。優(yōu)選使用直徑為O. 3 lOOnm、長度為O. I 20 μ m左右的CNT。另外，為了提高后述的導(dǎo)電層合體的透明性、降低表面電阻值，更優(yōu)選直徑IOnm以下、長度I 10 μ m的單層CNT、雙層CNT。另外，在CNT的聚集體中優(yōu)選盡可能不含有無定形碳和催化劑金屬等雜質(zhì)。在含有這些雜質(zhì)的情況下，可以通過酸處理或加熱處理等適宜精制。該CNT可通過電弧放電法、激光消融法、催化劑化學(xué)氣相法(化學(xué)氣相法中使用在載體上負(fù)載有過渡金屬的催化劑的方法)等合成、制造，其中優(yōu)選生產(chǎn)率好且可以減少無定形碳等雜質(zhì)的生成的催化劑化學(xué)氣相法。在本發(fā)明中，可以涂布CNT分散液，形成導(dǎo)電層。為了得到CNT分散液，一般是利用混合分散機(jī)或超聲波照射裝置將CNT與溶劑一起進(jìn)行分散處理，優(yōu)選進(jìn)一步添加分散劑。作為分散劑，只要CNT可以分散就沒有特別限定，然而從將CNT分散液涂布在基材上、含有干燥CNT的導(dǎo)電層與基材的密合性、膜的硬度和耐摩擦性的方面考慮，優(yōu)先選擇合成高分子、天然高分子的聚合物。進(jìn)而，在不損害分散性的范圍中也可以添加交聯(lián)劑。
合成高分子例如為聚醚二醇、聚酯二醇、聚碳酸酯二醇、聚乙烯醇、部分皂化聚乙烯醇、乙酰乙?；男跃垡蚁┐肌⒁铱s醛基改性聚乙烯醇、丁縮醛基改性聚乙烯醇、硅烷醇基改性聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-乙烯醇-乙酸乙烯酯共聚樹脂、丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧類樹脂、苯氧基樹月旨、改性苯氧基類樹脂、苯氧基醚樹脂、苯氧基酯樹脂、氟類樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、酚樹脂、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、聚苯乙烯磺酸、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮。天然高分子例如可以從作為多糖類的淀粉、支鏈淀粉、葡聚糖、糊精、瓜爾膠、黃原膠、直鏈淀粉、支鏈淀粉、藻酸、阿拉伯樹膠、卡拉膠、硫酸軟骨素、透明質(zhì)酸、可得然膠、殼多糖、殼聚糖、纖維素及其衍生物中選擇。衍生物是指酯或醚等現(xiàn)有公知的化合物。這些可以使用I種，或混合兩種以上使用。其中，從對(duì)CNT的分散性優(yōu)異的方面考慮，優(yōu)選多糖類及其衍生物。進(jìn)而，纖維素及其衍生物由于膜形成能高，所以是優(yōu)選的。其中，優(yōu)選酯或醚衍生物，具體來說，羧甲基纖維素或其鹽等是適合的。
另外，也可對(duì)CNT與上述分散劑的配合比例進(jìn)行調(diào)整。CNT與分散劑的配合比例優(yōu)選在與基材的密合性、硬度、耐摩擦性上不產(chǎn)生問題的配合比例。具體地說,優(yōu)選CNT相對(duì)于導(dǎo)電層整體在10質(zhì)量％ 90質(zhì)量％的范圍。更優(yōu)選為30質(zhì)量％ 70質(zhì)量％的范圍。CNT為10質(zhì)量％以上時(shí)，易于獲得觸控面板所需的導(dǎo)電性，而且，涂布在基材表面時(shí)不產(chǎn)生排斥，易于均勻涂布，進(jìn)而可以以良好的生產(chǎn)率供給具有良好的外觀和品質(zhì)的導(dǎo)電層合體。CNT為90質(zhì)量％以下時(shí)，CNT在溶劑中的分散性變得良好，難以凝集，易于得到良好的CNT涂布層，生產(chǎn)率好，因而是優(yōu)選的。進(jìn)而，CNT為90質(zhì)量％以下時(shí)，涂布膜也牢固，在生產(chǎn)工序中不易產(chǎn)生擦傷，可以維持表面電阻值的均一性，因而是優(yōu)選的。另外，作為上述線狀結(jié)構(gòu)體而列舉的金屬、金屬氧化物的納米線公開在日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)、日本特開2009-146747號(hào)公報(bào)、日本特開2009-70660號(hào)公報(bào)中，另外，作為晶須那樣的針狀導(dǎo)電體，例如市售的有鈦酸鉀纖維與錫和銻類氧化物的復(fù)合化合物即Dentol WK系列(大塚化學(xué)株式會(huì)社制造)的WK200B、WK300R、WK500、二氧化硅纖維與錫和銻類氧化物的復(fù)合化合物即Dentol TM系列(大塚化學(xué)株式會(huì)社制造)的TM100等，上述線狀結(jié)構(gòu)體可以單獨(dú)使用，或者組合多種混合使用，進(jìn)而根據(jù)需要也可以添加其他的微米 納米大小的導(dǎo)電性材料，并不特別地限定于此。在本發(fā)明中，線狀結(jié)構(gòu)體在導(dǎo)電層中以網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的形式存在。通過成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，通向保護(hù)層側(cè)的面方向的導(dǎo)電通路增加，易于將導(dǎo)電層合體的保護(hù)層側(cè)調(diào)整為低表面電阻值，另外，除去劑中的酸成分沿網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行侵蝕，從而更具有選擇性地侵蝕線狀結(jié)構(gòu)體，由此使保護(hù)層更加易于殘留，導(dǎo)電層合體可以具有更好的對(duì)熱的耐久性。本發(fā)明中的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)是指如下結(jié)構(gòu)線狀結(jié)構(gòu)體彼此通過至少I個(gè)接點(diǎn)連接，因而最小的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中2條線狀結(jié)構(gòu)體具有某一接點(diǎn)。接點(diǎn)可以是線狀結(jié)構(gòu)體的任何部分彼此形成的，可以是線狀結(jié)構(gòu)體的末端部彼此連接、或末端與線狀結(jié)構(gòu)體的末端以外的部分連接、或線狀結(jié)構(gòu)體的末端以外的部分彼此連接，另外，連接是指其接點(diǎn)可以接合也可以僅接觸。網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)可以用后述的方法觀察，但沒有特別限定。在本發(fā)明中，保護(hù)層的平均厚度t需要為100 lOOOnm。如果平均厚度t比IOOOnm厚，則產(chǎn)生下述問題導(dǎo)電側(cè)(本發(fā)明中為層合有導(dǎo)電層和保護(hù)層的側(cè))表層的線狀結(jié)構(gòu)體變少，使導(dǎo)電性降低，難以達(dá)成所期望的表面電阻值；除去成分不能到達(dá)線狀結(jié)構(gòu)體而產(chǎn)生除去不足，導(dǎo)致電絕緣不充分，產(chǎn)生短路等不良情況等，從而難以形成導(dǎo)電層的圖案或者得不到所期望的圖案。因而導(dǎo)電層合體無法用作電極構(gòu)件。然而，通過設(shè)定保護(hù)層的平均厚度t為IOOOnm以下，從而成為不阻礙導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性、不發(fā)生電阻值的異常升高和導(dǎo)通不良的導(dǎo)電層合體。另外，在保護(hù)層的平均厚度t小于IOOnm的情況下，直至除去成分向保護(hù)層和線狀結(jié)構(gòu)體滲透完為止的時(shí)間變短，從而直至除去成分滲透完成為止的時(shí)間差減小，其結(jié)果，不能選擇性地將線狀結(jié)構(gòu)體除去而是將保護(hù)層也一起除去了，因而基材易于露出，無法得到抑制低聚物的效果，然而保護(hù)層的平均厚度為IOOnm以上時(shí)，在上述保護(hù)層厚度厚的部分可以殘留保護(hù)層，可以抑制低聚物。保護(hù)層的平均厚度t由于也依賴于線狀結(jié)構(gòu)體的直徑r,所以不能一概而定,但是優(yōu)選t ( 500nm,更優(yōu)選t ( 400nm,最優(yōu)選t ( 350nm。t ( 500nm時(shí)，化學(xué)蝕刻后保護(hù)層充分殘留，防止低聚物產(chǎn)生的效果高，t ( 400nm時(shí)，在具 有防止低聚物產(chǎn)生的效果的同時(shí)更加易于獲得低的表面電阻值，進(jìn)而t < 350時(shí)，即使導(dǎo)電成分的導(dǎo)電性稍微有些高，導(dǎo)電層合體也易于穩(wěn)定地具有低的表面電阻值。在此，保護(hù)層的平均厚度t如下所示求出。將樣品的欲觀察部分附近用冰包埋，冷凍固著，或者用環(huán)氧樹脂那樣的固著力比冰強(qiáng)的成分包埋后，使用Nihon MicrotomeKenkyusho K. K.制造的旋轉(zhuǎn)式切片機(jī)，以刀傾斜角度3°設(shè)置鉆石刀，對(duì)膜平面在垂直方向切斷。接著，使用電場放射型掃描電子顯微鏡(日本電子株式會(huì)社制造JSM-6700-F)以加速電壓3. OkV、觀察倍數(shù)10000 100000倍，適宜調(diào)節(jié)圖像的對(duì)比度在各倍數(shù)下對(duì)得到的膜截面進(jìn)行觀察。從所得到的截面照片上，對(duì)圖4所示的tl (不存在線狀結(jié)構(gòu)體的部分的保護(hù)層厚度上述保護(hù)層厚度厚的部分)和t2(層合在單一線狀結(jié)構(gòu)體的頂點(diǎn)上或由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的聚集體的頂上的保護(hù)層厚度上述保護(hù)層厚度薄的部分)的各任意的5處同樣地在觀察倍數(shù)10000 100000倍下測定(由放大倍數(shù)計(jì)算)，求出平均值。在本發(fā)明中，對(duì)于保護(hù)層來說優(yōu)選方案如下將含有酸成分且pH為2. O的除去劑于130°C涂布在保護(hù)層上3分鐘，將此時(shí)的保護(hù)層的除去厚度設(shè)定為X，則保護(hù)層具有比X厚的部分和比X薄的部分。需要說明的是，本發(fā)明中的除去厚度X是指被除去的厚度。也就是說，保護(hù)層僅為比除去厚度X厚的部分時(shí)，無法將作為導(dǎo)電成分的線狀結(jié)構(gòu)體除去而形成圖案，或者保護(hù)層僅為比除去厚度X薄的部分時(shí)(在保護(hù)層的厚度均一的情況下，在蝕刻導(dǎo)電層時(shí)，保護(hù)層的除去厚度X大于保護(hù)層的厚度)，清洗后保護(hù)層與導(dǎo)電層一起溶解、剝離，基材暴露出來，從而產(chǎn)生下述各種問題低聚物從基材中析出，光學(xué)特性顯著降低；所形成的圖案易于被視覺辨認(rèn)，降低了顯示圖像的畫質(zhì)；僅一部分發(fā)生了剝離、溶解的部分形成缺陷等。此處，進(jìn)而如果導(dǎo)電層的導(dǎo)電成分為線狀結(jié)構(gòu)體，則在形成后述的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)時(shí)線狀結(jié)構(gòu)體可以互相重疊，其互相重疊的部分相對(duì)保護(hù)層的平均厚度t突出，設(shè)定保護(hù)層的除去厚度為X，保護(hù)層可以具有比X厚的部分和比X薄的部分。此處，通過線狀結(jié)構(gòu)體的重疊而相對(duì)保護(hù)層的平均厚度t形成的突出，既可以使用上述的電場放射型掃描電子顯微鏡(日本電子株式會(huì)社制造JSM-6700-F)進(jìn)行確認(rèn)，或也可以通過后述的方法對(duì)截面或表面進(jìn)行觀察來確認(rèn)突出，進(jìn)而也可以從線狀結(jié)構(gòu)體附近的表面粗糙度確認(rèn)突出，并不特別地限定于這些確認(rèn)方法。在此，上述線狀結(jié)構(gòu)體的聚集體可以為在例如線狀結(jié)構(gòu)體的配置的方向性上不具有規(guī)則性的無規(guī)聚集的狀態(tài)，也可以為線狀結(jié)構(gòu)體長軸方向的面彼此平行地聚集的狀態(tài)。作為長軸方向的面彼此平行地聚集的狀態(tài)的例子，已知在將上述的CNT制成導(dǎo)電層時(shí)被稱為束的聚集體，其他的線狀結(jié)構(gòu)體同樣也可以具有類似的束結(jié)構(gòu)。在形成了束的情況下，束的保護(hù)層側(cè)的頂點(diǎn)可以從保護(hù)層突出。
接下來，對(duì)針對(duì)本發(fā)明而使用的除去劑進(jìn)行說明。所謂用于本發(fā)明的除去劑，含有酸成分且PH為2. 0，于130°C將其涂布在保護(hù)層上3分鐘時(shí)可以從保護(hù)層的比上述除去厚度X薄的部分，選擇性地將線狀結(jié)構(gòu)體除去。針對(duì)本發(fā)明所用的除去劑含有由沸點(diǎn)為80°C以上的酸(或通過外部能量產(chǎn)生酸的化合物)、溶劑、樹脂和流平劑組成的組中一種以上。通過含有流平劑，對(duì)導(dǎo)電層除去劑賦予高的滲透力，連以往難以除去的纖維狀導(dǎo)電成分也可以容易地除去。將上述除去劑涂布在導(dǎo)電層側(cè)的保護(hù)層的至少一部分上，于80°C以上進(jìn)行加熱處理，通過使用了液體的清洗來將導(dǎo)電層除去，由此可以選擇性地將涂布了上述除去劑的部分的導(dǎo)電層除去。通過將除去劑涂布在所期望的位置，也可以任意形成包含銳角或曲線的復(fù)雜且高精細(xì)的圖案。加熱處理溫度優(yōu)選為比除去劑中的除溶劑以外的成分的沸點(diǎn)還低的溫度，優(yōu)選200°C以下。用于本發(fā)明的除去劑，連含有反應(yīng)性低的CNT、石墨烯、銀或銅等金屬作為導(dǎo)電成分的導(dǎo)電層也可以容易地除去。對(duì)于優(yōu)選用于除去劑的酸，沸點(diǎn)為80°C以上。此處，在本發(fā)明中，沸點(diǎn)是指大氣壓下的值，基于JIS K5601-2-3(1999)測定。除去劑的沸點(diǎn)優(yōu)選100°C以上，更優(yōu)選200°C以上。需要說明的是，在本發(fā)明中，大氣壓下不具有明確的沸點(diǎn)、一旦升溫就先于氣化在80°C以上開始發(fā)生熱分解的酸，也包括在沸點(diǎn)為80°C以上的酸中。而且，更優(yōu)選在除去導(dǎo)電層時(shí)的加熱處理溫度下的蒸氣壓密度為30kPa以下的酸。例如，可以舉出甲酸、乙酸、丙酸等單羧酸、草酸、琥珀酸、酒石酸、丙二酸等二羧酸、檸檬酸、丙三羧酸等三羧酸、甲磺酸等烷基磺酸、苯磺酸等苯磺酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸等烷基苯磺酸、苯酚磺酸、硝基苯磺酸、苯乙烯磺酸、聚苯乙烯磺酸等磺酸化合物、三氟乙酸等將有機(jī)酸部分氟化而得到的衍生物、硫酸、鹽酸、硝酸和磷酸等無機(jī)酸。也可以含有它們中的兩種以上。其中，優(yōu)選具有高的氧化力的酸，更優(yōu)選硫酸或磺酸化合物。硫酸在大氣壓下的沸點(diǎn)為290°C，在例如150°C硫酸的蒸氣壓密度為I. 3kPa以下，因此即使在該溫度加熱，硫酸也保持液態(tài)，深深地向?qū)щ妼觾?nèi)的線狀結(jié)構(gòu)體滲透。進(jìn)而，由于硫酸具有高的氧化力，所以即使在80 200°C左右的低溫下也易于與導(dǎo)電層反應(yīng)，與硝酸和乙酸相比經(jīng)較時(shí)間的加熱處理，即可以除去導(dǎo)電層且不會(huì)對(duì)基材產(chǎn)生影響。另外，磺酸化合物由于在大氣壓下為固體酸，所以不蒸發(fā)，在例如150°C蒸氣壓密度為1.3kPa以下，因而即使在該溫度加熱，也不會(huì)蒸發(fā)或升華，加熱時(shí)高效地促進(jìn)反應(yīng)，從而可以通過短時(shí)間的加熱處理將導(dǎo)電層除去。進(jìn)而，由于含有固體酸的除去劑容易控制非牛頓流動(dòng)性，所以對(duì)各種基材可以進(jìn)行高精細(xì)的圖案形成，例如能夠線寬偏差(線彎曲)較少地形成線寬30μπι左右的線寬小的直線圖案等，因而特別優(yōu)選。作為除去劑中優(yōu)選使用的通過外部能量產(chǎn)生酸的化合物，可以舉出通過放射線、紫外線的照射和/或熱而產(chǎn)生酸的化合物。例如，可以舉出4-羥苯基二甲基锍的六氟銻酸鹽和三氟甲烷磺酸鹽等锍化合物、4，4-雙(二甲胺)二苯甲酮、4，4-二氯二苯甲酮等二苯甲酮化合物、苯偶姻甲醚等苯偶姻化合物、4-苯甲?；?4-甲基二苯基酮、二芐基酮等苯基酮化合物、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮等苯乙酮化合物、2，4_ 二乙基噻噸-9-酮、2-氯噻噸酮等噻噸化合物、2-氨基蒽醌、2-乙基蒽醌等蒽醌化合物、苯并蒽酮、亞甲基蒽酮等蒽酮化合物、2，2-雙(2-氯苯基)-4，4,5,5-四苯基-1，2-聯(lián)咪唑等咪唑化合物、2- (3,4- _■甲氧基苯乙稀基)-4,6-雙(二氣甲基)-I，3, 5- 二嚷、2-[2- (5-甲基咲喃-2-基)乙烯基]-4，6-雙(三氯甲基)-1，3，5_三嗪等三嗪化合物、2-苯甲酰苯甲酸、過氧化苯甲酰等苯甲?；衔?、2-吡啶基三溴甲基砜、三溴甲基苯基砜等砜化合物、4-異丙基-4-甲基二苯基碘鎗四(五氟苯基)硼酸鹽、二苯基碘鎗三氟甲烷磺酸鹽等碘鎗化合物、四甲基秋蘭姆二硫化物、9-芴酮、二苯并環(huán)庚酮、N-甲基吖啶酮、硝苯吡啶、樟腦醌、四溴化碳等。也可以含有它們中的兩種以上。
在用于本發(fā)明的除去劑中，沸點(diǎn)為80°C以上的酸或通過外部能量產(chǎn)生酸的化合物的含量優(yōu)選在除溶劑以外的成分中的質(zhì)量比例為I 80質(zhì)量％。其中，沸點(diǎn)為80°C以上的酸的含量優(yōu)選在除溶劑以外的成分中的質(zhì)量比例為10 70質(zhì)量％，更優(yōu)選為20 70質(zhì)量％。另外，通過外部能量產(chǎn)生酸的化合物的含量優(yōu)選為除溶劑以外的成分中的0. I 70質(zhì)量％，但不限于該范圍，可以根據(jù)化合物的分子量、產(chǎn)生的酸或堿的量、被除去的導(dǎo)電層的材質(zhì)和膜厚、加熱溫度和加熱時(shí)間適宜選擇。用于本發(fā)明的除去劑含有溶劑。作為溶劑的具體例，可以舉出乙酸乙酯、乙酸丁酯等乙酸酯類、丙酮、苯乙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮類、甲苯、二甲苯、苯甲醇等芳香族烴類、甲醇、乙醇、1，2-丙二醇、萜品醇、乙?；破反肌⒍』ū卮?、乙基溶纖劑、乙二醇、三甘醇、四甘醇、甘油等醇類、三甘醇單丁醚等乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、二甘醇單烷基醚乙酸酯類、乙二醇單芳基醚類、聚乙二醇單芳基醚類、丙二醇單烷基醚類、一縮二丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯、Y-丁內(nèi)酯、溶劑石腦油、水、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亞砜、六甲基磷酸三酰胺、二甲基咪唑啉酮、N，N’ - 二甲基丙烯基脲、四甲基脲等。也可以含有它們中的兩種以上。在本發(fā)明中，溶劑的含量優(yōu)選為除去劑中的I質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為30質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為50質(zhì)量％以上。通過設(shè)定溶劑的含量為I質(zhì)量％以上，可以使除去劑的流動(dòng)性提高，進(jìn)一步提高涂布性。另一方面，溶劑的含量優(yōu)選為99. 9質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為95質(zhì)量％以下。通過設(shè)定溶劑的含量為99. 9質(zhì)量％以下，可以將加熱時(shí)的流動(dòng)性保持在適當(dāng)?shù)姆秶?，可以精度良好地維持所期望的圖案。用于本發(fā)明的除去劑含有樹脂。通過含有樹脂，得到具有非牛頓流動(dòng)性的除去劑，通過公知的方法可以容易地涂布在導(dǎo)電層合體上。另外，可以限制加熱處理時(shí)的除去劑的流動(dòng)性，使涂布位置的精度提高。作為樹脂，例如，可以舉出聚苯乙烯樹脂、聚丙烯酸樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸樹脂、三聚氰胺樹脂、氨基甲酸酯樹脂、苯胍胺樹月旨、酚樹脂、有機(jī)硅樹脂、氟樹脂等。可以含有這些樹脂中的兩種以上。這些中，如果含有非離子性、陰離子性、兩離子性、陽離子性等的親水性樹脂，則用水、后述的堿性水溶液或有機(jī)溶劑的水溶液容易清洗，可以抑制除去面的殘?jiān)?，使面?nèi)均一性進(jìn)一步提高。作為親水性樹脂，具體可以舉出聚乙烯吡咯烷酮、親水性聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙基噁唑啉、聚丙烯酸、明膠、羥烷基瓜爾膠、瓜爾膠、刺槐豆膠、卡拉膠、藻酸、阿拉伯樹膠、果膠、黃原膠、纖維素、乙基纖維素、羥丙基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基羥乙基纖維素鈉、丙烯酰胺類共聚物、聚乙烯亞胺、多胺锍(polyamine sulfonium)、聚乙烯基卩比唳、聚甲基丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚二烷基氨基乙基甲基丙烯酰胺、聚二烷基氨基乙基丙烯酰胺、聚環(huán)氧胺、聚酰胺胺、雙氰胺-甲醛縮合物、聚二甲基二烯丙基氯化銨、聚酰胺聚胺環(huán)氧氯丙烷、聚乙烯基胺、聚丙烯酰胺等化合物和它們的改性物等。
其中，更優(yōu)選陽離子性樹脂，其即使在酸、高溫條件下也不易改性，在極性溶劑中顯示高溶解性。通過保持高溶解性，加熱處理后，在通過使用了液體的清洗來除去導(dǎo)電層的工序中，可以在短時(shí)間內(nèi)將導(dǎo)電層除去。需要說明的是，作為陽離子性樹脂，例如可以舉出聚甲基丙烯酸二烷基氨基 乙酯、聚丙烯酸二烷基氨基乙酯、聚二烷基氨基乙基甲基丙烯酰胺、聚二烷基氨基乙基丙烯酰胺、聚環(huán)氧胺、聚酰胺胺、雙氰胺-甲醛縮合物、聚二甲基二烯丙基氯化銨、瓜兒膠羥丙基三甲基氯化銨、聚酰胺聚胺環(huán)氧氯丙烷、聚乙烯基胺、聚烯丙胺、聚丙烯酰胺、聚季銨鹽(polyquaternium) _4、聚季銨鹽_6、聚季銨鹽_7、聚季銨鹽_9、聚季銨鹽-10、聚季銨鹽-11、聚季銨鹽-16、聚季銨鹽-28、聚季銨鹽-32、聚季銨鹽-37、聚季銨鹽-39、聚季銨鹽-51、聚季銨鹽-52、聚季銨鹽-44、聚季銨鹽-46、聚季銨鹽-55、聚季銨鹽-68等化合物和它們的改性物等。例如，聚季銨鹽-10在側(cè)鏈末端具有三甲基銨基。在酸性條件下三甲基銨基形成陽離子，通過靜電排斥作用，顯示高溶解性。并且，難以產(chǎn)生由加熱所導(dǎo)致的脫水縮聚，即使加熱后也保持高的溶劑溶解性。因此，加熱處理后，在通過使用了液體的清洗來除去導(dǎo)電層的工序中，可以在短時(shí)間內(nèi)將導(dǎo)電膜除去。在用于本發(fā)明的除去劑中，使用樹脂時(shí)的樹脂的含量優(yōu)選為除溶劑以外的成分中的0. 01 80質(zhì)量％。為了將除去導(dǎo)電層所需要的加熱溫度抑制在低水平、縮短加熱時(shí)間，除去劑中的樹脂含量更優(yōu)選在維持非牛頓流動(dòng)性的范圍中盡可能少。除去劑的粘度優(yōu)選為2 500Pa -S (25°C )左右，可以通過絲網(wǎng)印刷法容易地形成均勻的涂布膜。除去劑的粘度例如可以通過溶劑和樹脂的含量來調(diào)整。用于本發(fā)明的除去劑優(yōu)選含有流平劑。通過含有流平劑，可以賦予除去劑高滲透力，即使為包含纖維狀導(dǎo)電體的導(dǎo)電層也可以容易地除去。流平劑優(yōu)選具備使除去劑的表面張力降低為不足50mN/m的性質(zhì)的化合物。作為流平劑的具體例，可以舉出改性聚丙烯酸酯等丙烯酸類化合物或丙烯酸類樹脂、在分子骨架上具有雙鍵的乙烯基類化合物或乙烯基類樹脂、具有烷氧基甲硅烷基和/或聚硅氧烷骨架等的有機(jī)硅類化合物或有機(jī)硅類樹脂、具有氟代烷基和/或氟代苯基等的氟類化合物或氟類樹脂等?？梢愿鶕?jù)保護(hù)層表面的材質(zhì)或極性狀態(tài)，適宜選擇這些物質(zhì)進(jìn)行使用，然而具有氟代烷基和/或氟代苯基等的氟類化合物或氟類樹脂由于表面張力降低能力強(qiáng)，所以特別優(yōu)選使用。需要說明的是，在本發(fā)明中，只要化合物具備使表面張力降低為不足50mN/m的性質(zhì)即可，即使為高分子化合物也歸類為流平劑。從向?qū)щ妼雍象w的浸潤性和流平性等的表面活性能、以及所得到的涂膜的酸含量的均衡性的方面考慮，在用于本發(fā)明的除去劑中流平劑的含量優(yōu)選為除溶劑以外的成分中的0. 001 10質(zhì)量％，更優(yōu)選0.01 5質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選0. 05 3質(zhì)量％。在本發(fā)明中，在含有沸點(diǎn)為80°C以上的酸或通過外部能量產(chǎn)生酸的化合物的情況下，優(yōu)選進(jìn)一步含有硝酸鹽或亞硝酸鹽。酸與導(dǎo)電成分的反應(yīng)有時(shí)根據(jù)各自的種類的不同，反應(yīng)速度不同，但通過含有硝酸鹽或亞硝酸鹽，在加熱處理時(shí)，酸與硝酸鹽或亞硝酸鹽反應(yīng)，在體系中生成硝酸，因而可以進(jìn)一步促進(jìn)導(dǎo)電成分的溶解。因此，通過短時(shí)間的加熱處理，可以除去導(dǎo)電層。作為硝酸鹽，例如可以舉出硝酸鋰、硝酸鈉、硝酸鉀、硝酸鈣、硝酸銨、硝酸鎂、硝酸鋇或這些硝酸鹽的水合物。作為亞硝酸鹽，例如可以舉出亞硝酸鈉、亞硝酸鉀、亞硝酸鈣、亞硝酸銀、亞硝酸鋇等。也可以含有這些中的兩種以上。這些中，考慮生成硝酸的反應(yīng)速度等時(shí)，優(yōu)選硝酸鹽，更優(yōu)選硝酸鈉或硝酸鉀。
用于本發(fā)明的除去劑根據(jù)目的可以含有氧化鈦、氧化鋁、二氧化硅等無機(jī)微粒、可以賦予觸變性的觸變劑、抗靜電劑、消泡劑、粘度調(diào)整劑、耐光穩(wěn)定劑、耐候劑、耐熱劑、抗氧化劑、防銹劑、滑動(dòng)劑、蠟、脫模劑、增容劑、分散劑、分散穩(wěn)定劑、流變控制劑等。在本發(fā)明中，對(duì)構(gòu)成保護(hù)層的成分沒有特別限定，然而優(yōu)先選擇這樣的成分和膜厚將含有酸成分且pH為2. 0的除去劑于130°C涂布在保護(hù)層上3分鐘，將此時(shí)的保護(hù)層的除去厚度設(shè)定為X，保護(hù)層具有比X厚的部分和比X薄的部分。作為保護(hù)層的成分，可以舉出有機(jī)或無機(jī)類的高分子化合物等。作為無機(jī)類高分子化合物，可以舉出無 機(jī)類的氧化物等，例如可以使用作為硅氧化物的、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四-正丙氧基硅烷、四-異丙氧基硅烷、四-正丁氧基娃燒等四燒氧基娃燒類、甲基二甲氧基娃燒、甲基二乙氧基娃燒、乙基二甲氧基娃燒、乙基二乙氧基娃燒、正丙基二甲氧基娃燒、正丙基二乙氧基娃燒、異丙基二甲氧基娃燒、異丙基二乙氧基娃燒、正丁基二甲氧基娃燒、正丁基二乙氧基娃燒、正戍基二甲氧基娃燒、正戍基三乙氧基硅烷、正己基三甲氧基硅烷、正庚基三甲氧基硅烷、正辛基三甲氧基硅烷、乙烯基二甲氧基娃燒、乙稀基二乙氧基娃燒、環(huán)己基二甲氧基娃燒、環(huán)己基二乙氧基娃燒、苯基二甲氧基娃燒、苯基二乙氧基娃燒、N- (2-氛基乙基)-3-氛基丙基二甲氧基娃燒、N- (2-氛基乙基)_3~氣基丙基二乙氧基娃燒、3-氣丙基二甲氧基娃燒、3-氣丙基二乙氧基娃燒、3,3, 3- 二氣丙基二甲氧基娃燒、3, 3, 3- 二氣丙基二乙氧基娃燒、3-氣基丙基二甲氧基娃燒、3-氣基丙基二乙氧基娃燒、2-輕基乙基二甲氧基娃燒、2-輕基乙基二乙氧基娃燒、2-輕基丙基二甲氧基娃燒、2-輕基丙基二乙氧基娃燒、3-輕基丙基二甲氧基娃燒、3-輕基丙基二乙氧基娃燒、3-疏基丙基二甲氧基娃燒、3-疏基丙基二乙氧基娃燒、3-異氰酸酯丙基二甲氧基娃燒、3-異氰酸酯丙基二乙氧基娃燒、3-環(huán)氧丙氧基丙基二甲氧基娃燒、3-環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、2-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、2-(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三乙氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基)丙烯酰氧基丙基三乙氧基娃燒、3-服基丙基二甲氧基娃燒、3-服基丙基二乙氧基娃燒、乙稀基二甲氧基娃燒、乙稀基二乙氧基娃燒、稀丙基二甲氧基娃燒、乙稀基二乙酸氧基娃燒等二燒氧基娃燒類、由甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷等有機(jī)烷氧基硅烷的醇、水、酸等通過水解 聚合反應(yīng)而形成的溶膠-凝膠涂布膜、硅氧化物的濺射蒸鍍膜等。作為有機(jī)類高分子化合物，可以舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂等，從可見光透過性、基材的耐熱性、玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)和膜硬度等觀點(diǎn)考慮，可以適宜選擇。作為這些樹脂，例如可以舉出聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯類樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂、尼龍或苯胍胺等聚酰胺類樹脂、ABS樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚乙烯或聚丙烯等烯烴類樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙酸乙烯酯樹月旨、三聚氰胺類樹脂、酚類樹脂、聚氯乙烯或聚偏二氯乙烯等含有氯元素(Cl元素)的樹脂、含有氟元素(F元素)的樹脂、有機(jī)硅類樹脂等有機(jī)類的高分子化合物或其他無機(jī)類化合物，根據(jù)要求的特性、生產(chǎn)率等任意選擇它們中的至少一種，或者也可以將它們中的兩種以上混合，然而優(yōu)選使用不含S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素中的任一物質(zhì)的高分子化合物。S元素、P元素、N元素從其電子軌道狀態(tài)出發(fā)具有不與其他元素鍵合的電子對(duì)，或者形成具有金屬離子和離子鍵的官能團(tuán)(例如，-ONa, -COONa, -SO3Na等)，另外，金屬元素有時(shí)形成配位鍵?？梢酝茰y這些不與其他元素鍵合的電子對(duì)、離子鍵、配位鍵容易與除去劑中的酸成分發(fā)生作用，容易將與下述元素的鍵切斷·斷裂，所述元素是S元素、P元素、金屬元素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素原本鍵合的元素，其結(jié)果，可能使保護(hù)層對(duì)上述除去劑的耐酸性降低。因此，如果使用不含這些S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的高分子化合物，則易于賦予耐酸性，從而使保護(hù)層的厚度薄，并且除去劑的酸成分容易變更，因而是優(yōu)選的。作為不含S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的高分子化合物的例子，有上述有機(jī)類的高分子化合物中的、丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、含有氟元素(F元素)的樹脂、有機(jī)硅類樹脂等，根據(jù)要求的特性、生產(chǎn)率等任意選擇它們中的至少ー種，或者也可以將它們中的兩種以上混合，并不特別地限定為這些樹脂，但鑒于透明性等光學(xué)特性、對(duì)除去劑中的酸成分的耐受性良好等觀點(diǎn)以及后述的理由，可以優(yōu)選使用多官能丙烯酸類高分子化合物或多官能甲基丙烯酸類高分子化合物。在本發(fā)明中，層合在導(dǎo)電層上的保護(hù)層優(yōu)選其表面的純水接觸角為80°以上且油酸接觸角為13°以上。其理由如下所示。除去劑中除了含有用于除去導(dǎo)電成分的成分、即酸成分以外，還含有粘結(jié)劑、溶劑 等除去成分以外的物質(zhì)，因而根據(jù)其種類,作為除去劑的極性發(fā)生變化。伴隨其極性的變化，即使在通常的導(dǎo)電層合體表面通過絲網(wǎng)印刷等轉(zhuǎn)印除去劑，除去劑浸潤擴(kuò)展，難以獲得所期望的圖案，或圖案粗大(例如形成比所期望的直線圖案粗的直線)，而且除去劑不均勻地浸潤擴(kuò)展，導(dǎo)致無法形成美麗的圖案。在此，可以推測對(duì)于層合在導(dǎo)電層上的保護(hù)層的表面浸潤性的指標(biāo)、即接觸角，(I)通過將純水接觸角設(shè)定為80°以上，對(duì)顯示與除去劑中的水類接近的極性的成分，可以抑制其浸潤擴(kuò)展，(2)并且，通過將油酸接觸角設(shè)定為13°以上，對(duì)顯示與除去劑中的有機(jī)溶劑類(油類)接近的極性的成分，可以抑制其浸潤擴(kuò)展，(3)進(jìn)而，對(duì)顯示水類和有機(jī)溶劑類(油類)的成分混合的中間極性的除去劑，可以抑制其浸潤擴(kuò)展，從而，任何極性的除去劑的情況下，相對(duì)于所期望的圖案，都可以將除去劑微細(xì)且美麗地轉(zhuǎn)印/層合在導(dǎo)電層合體上。在保護(hù)層的表面至少為純水接觸角小于80°或油酸接觸角小于13°的任ー種情況時(shí)，當(dāng)將除去劑轉(zhuǎn)印/層合在導(dǎo)電層合體上的時(shí)候，有可能除去劑浸潤擴(kuò)展而無法得到所期望的圖案，或者圖案粗大，并且除去劑不均勻地浸潤擴(kuò)展導(dǎo)致不能形成美麗的圖案。另ー方面，在保護(hù)層的表面的純水接觸角為80°以上且油酸接觸角為13°以上時(shí)，除去劑為任何極性，都可以抑制除去劑的浸潤擴(kuò)展，相對(duì)于所期望的圖案，可以形成微細(xì)且美麗的圖案。此處，接觸角是指用基于JIS R3257(1999)的靜滴法，在將液滴靜置在水平設(shè)置的本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的保護(hù)層側(cè)上時(shí)所計(jì)算出的值Θ。在本發(fā)明中，將上述液滴設(shè)定為純水和油酸來實(shí)施，采用純水接觸角作為對(duì)顯示與除去劑中的水類接近的極性的成分的表面浸潤性的指標(biāo)，另外，采用油酸接觸角作為對(duì)顯示與除去劑中的有機(jī)溶劑類(油類)接近的極性的成分的表面浸潤性的指標(biāo)。本發(fā)明中的保護(hù)層側(cè)的純水接觸角由于依賴于構(gòu)成保護(hù)層的成分等，所以只要為80°以上即可，不能一概而定，然而為了相對(duì)于所期望的圖案，可以不發(fā)生圖案粗大和不均一化，形成更微細(xì)且美麗的圖案，純水接觸角優(yōu)選為85°以上，更優(yōu)選為90°以上，進(jìn)ー步優(yōu)選為93° 以上。此外，對(duì)上限沒有特別限定，然而根據(jù)除去劑的種類和含有的成分、轉(zhuǎn)印/層合在導(dǎo)電層合體上的方法等，除去劑有時(shí)產(chǎn)生凹陷等轉(zhuǎn)印缺陷/層合缺陷，因而純水接觸角優(yōu)選為100°以下。另外，本發(fā)明中的保護(hù)層側(cè)的油酸接觸角由于依賴于構(gòu)成保護(hù)層的成分等，所以只要為13°以上即可，不能一概而定，然而為了相對(duì)于所期望的圖案，可以不發(fā)生圖案粗大和不均一化，形成更微細(xì)且美麗的圖案，油酸接觸角優(yōu)選為30°以上，更優(yōu)選為40°以上，進(jìn)ー步優(yōu)選為45°以上。此外，對(duì)上限沒有特別限定，然而根據(jù)除去劑的種類和含有的成分、轉(zhuǎn)印/層合在導(dǎo)電層合體上的方法等，除去劑有時(shí)產(chǎn)生凹陷等轉(zhuǎn)印缺陷/層合缺陷，因而油酸接觸角優(yōu)選為70°以下。作為將本發(fā)明中的保護(hù)層的表面設(shè)定為純水接觸角在80°以上且油酸接觸角在13°以上的方法，通過與上述作為保護(hù)層成分的有機(jī)或無機(jī)類高分子化合物一起加入添加剤，設(shè)定成具有這樣的構(gòu)成的保護(hù)層，可以滿足各接觸角的范圍，但由于添加劑有可能滲出，阻礙高分子化合物的固化反應(yīng)，所以優(yōu)選在保護(hù)層成分的高分子化合物之中選擇其本身滿足各接觸角范圍的高分子化合物，僅用該化合物構(gòu)成保護(hù)層。作為添加剤，例如可以舉出含有氟元素(F元素)的低分子化合物/単體/低聚物等有機(jī)硅類低分子化合物/単體/低聚物樹脂等，進(jìn)而，這些添加劑可以以與保護(hù)層成分的化合物混合在一起的狀態(tài)存在于保護(hù)層內(nèi)，或者也可以部分與保護(hù)層成分的高分子化合物結(jié)合，只要滿足各接觸角的范圍即可，沒有特別的限定。另外，作為保護(hù)層成分的高分子化合物本身滿足各接觸角范圍的高分子化合物，可以舉出熱塑性樹脂、熱固性樹脂、光固性樹脂等，從可見光透過性、基材的耐熱性、玻璃化轉(zhuǎn)變點(diǎn)和膜硬度等觀點(diǎn)出發(fā)可以適宜選擇。作為這些樹脂，例如可以舉出聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯或聚萘ニ甲酸こニ醇酯等聚酯類樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸類樹脂、甲基丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚こ烯或聚丙烯等烯烴類樹脂、聚苯こ烯樹脂、聚こ酸こ烯酯樹脂、酚類樹脂、聚氯こ烯或聚偏ニ氯こ烯等含有氯元素(Cl元素)的樹脂、含有氟元素(F元素)的樹脂(例如，在聚酯類樹脂、丙烯酸類樹月旨、甲基丙烯酸類樹脂、環(huán)氧類樹脂、聚こ烯或聚丙烯等烯烴類樹脂等樹脂的結(jié)構(gòu)內(nèi)含有氟元素(F元素)的樹脂)、有機(jī)硅類樹脂(直鏈有機(jī)硅類樹脂、有機(jī)硅樹脂類樹脂、直鏈有機(jī)硅類樹脂或有機(jī)硅樹脂類樹脂與其他樹脂的共聚物或接枝結(jié)構(gòu)的共聚物、在上述直鏈有機(jī)硅類樹脂/上述有機(jī)硅樹脂類樹脂/上述其他樹脂的共聚物或接枝結(jié)構(gòu)的共聚物的硅酮的分子鏈末端、分子鏈中、支鏈中等結(jié)構(gòu)內(nèi)引入了各種官能團(tuán)的改性有機(jī)硅類樹脂)等，根據(jù)要求的特性、生產(chǎn)率等任意選擇它們中的至少ー種，或者也可以將它們中的兩種以上混合，并不特別地限定為這些樹脂，然而從容易將上述各接觸角設(shè)定為特定范圍這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選含有氟元素(F元素)的樹脂、有機(jī)硅類樹脂，進(jìn)而，鑒于透明性等光學(xué)特性以及后述的理由，可優(yōu)選使用多官能丙烯酸類高分子化合物或多官能甲基丙烯酸類高分子化合物。此外，在本發(fā)明中，上述高分子化合物具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)時(shí)，可以使保護(hù)層的耐酸性進(jìn)ー步提高，故特別優(yōu)選。本發(fā)明中的所謂交聯(lián)結(jié)構(gòu)是形成保護(hù)層的成分的鍵以三維方式相連接的狀態(tài)，可以推測通過采取交聯(lián)結(jié)構(gòu)，構(gòu)成保護(hù)層的成分的結(jié)合變得致密，保護(hù)層的自由空間(自由體積)變小，其結(jié)果，可以抑制酸成分從除去劑向保護(hù)層滲透，進(jìn)而可以使保護(hù)層本身的耐酸性進(jìn)ー步提高。對(duì)于該交聯(lián)結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的效果，無論是有機(jī)類高分子化合物還是無機(jī)類高分子化合物都同樣可以使保護(hù)層的耐酸性提高，但與有機(jī)類高分子化合物相比，無機(jī)類高分子化合物取交聯(lián)結(jié)構(gòu)時(shí)柔軟性和撓曲性降低，保護(hù)層變脆，生產(chǎn)時(shí)的處理方法等中有可能易于發(fā)生脆性破壞，因而最優(yōu)選有機(jī)類高分子化合物的交聯(lián)結(jié)構(gòu)體。
作為將有機(jī)類高分子化合物設(shè)定為交聯(lián)結(jié)構(gòu)的方法，有將多官能単體或多官能低聚物加熱固化，或照射紫外光、可見光、電子射線等活性電子射線進(jìn)行光固化的方法。在熱固化的情況下，由于熱能是固化反應(yīng)的驅(qū)動(dòng)力，所以一旦將單體或低聚物設(shè)定為更多官能，則反應(yīng)需要時(shí)間，因而有時(shí)需要延長固化時(shí)間等來應(yīng)對(duì)，另一方面，在光固化的情況下，含有光引發(fā)劑，對(duì)其照射上述活性電子射線，產(chǎn)生引發(fā)種，在該引發(fā)種作用下使反應(yīng)容易以鏈?zhǔn)竭M(jìn)行，所以基于固化時(shí)間短等的理由，更優(yōu)選光固化。此處，光引發(fā)劑是指吸收紫外區(qū)域的光、可見區(qū)域的光、電子射線等活性電子射線，產(chǎn)生作為反應(yīng)引發(fā)種的自由基種、陽離子種、陰離子種等活性種，引發(fā)高分子化合物的反應(yīng)的物質(zhì)。在本發(fā)明中，從使用的上述活性電子射線的種類出發(fā)，可以僅單獨(dú)使用一種光引發(fā)劑，但更優(yōu)選選擇使用最大吸收波長值各自相差20nm以上的兩種以上光引發(fā)劑。其理由如下所示。例如列舉引發(fā)種為自由基種的情況時(shí)，自由基種的反應(yīng)性非常高，而另一方面，其高的反應(yīng)性導(dǎo)致在與多官能単體或多官能低聚物反應(yīng)之前有時(shí)在大氣中的氧的作用下自由基失活，固化反應(yīng)無法理想地進(jìn)行，高分子化合物的交聯(lián)結(jié)構(gòu)有時(shí)變得不充分。為了抑制所述氧的阻礙，有時(shí)需要在經(jīng)氮或氬等惰性氣體置換的氣氛下或在經(jīng)脫氧的氣氛下等來應(yīng)對(duì)，但設(shè)定為那樣的特殊氣氛下時(shí)使設(shè)備的規(guī)模變大等在生產(chǎn)率和成本的方面變得不利。因此，如果在大氣下也可以充分進(jìn)行固化反應(yīng)而形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，則在成本低的同時(shí)可穩(wěn)定生產(chǎn)，進(jìn)而可以提供品質(zhì)更高的導(dǎo)電層合體。在此，發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過使混合的光引發(fā)劑的最大吸收波長值相差20nm以上，即使在大氣下，固化反應(yīng)也與在特殊氣氛下同樣地充分進(jìn)行。另外，此處所說的最大吸收波長是指，將光引發(fā)劑溶解在可溶的溶劑中時(shí)通過紫外可見分光光度法(UV-Vis)求出的吸收光譜的最大值處的波長。另外，具有多個(gè)最大值時(shí)，如下設(shè)定最大吸收波長。在光程長Icm下求出的吸收光譜中在200 400nm的區(qū)域存在的多個(gè)最大值內(nèi)，將吸光度最大的最大值處的波長設(shè)定為最大吸收波長。此處，如果溶解在溶劑中時(shí)的光引發(fā)劑的濃度過高，則上述吸光度最大的最大值超出所使用的裝置的檢測限，有時(shí)可能觀察到好像不存在上述吸光度最大的最大值，因而適宜改變光引發(fā)劑的濃度，同樣地進(jìn)行測定，將在每個(gè)濃度下吸光度相對(duì)最大的最大值處的波長設(shè)定為最大吸收波長。在最大吸收波長的值之差不足20nm的情況下，存在所混合的光引發(fā)劑的吸收帶發(fā)生重疊的區(qū)域，推測僅獲得如同與僅使用I種光引發(fā)劑時(shí)同等的效果。然而，從發(fā)出上述活性電子射線的燈等發(fā)射體中，實(shí)際上并不是僅發(fā)出單一波長，而是發(fā)出各種波長，通過混合兩種以上的最大吸收波長之差為20nm以上的光引發(fā)劑，可以吸收更寬區(qū)域的波長，結(jié)果，將所發(fā)出的活性電子射線效率良好地捕捉和使用，從而即使在大氣下也可使固化反應(yīng)充分進(jìn)行。因此，在含有3種以上光引發(fā)劑的情況下，如果各自的最大吸收波長之差為20nm以上，則更加有效。作為可使用的光引發(fā)劑，例如可以使用ニ苯甲酮、羥基ニ苯甲酮、4-苯基ニ苯甲酮等ニ苯甲酮類、苯偶酰ニ甲縮酮等苯偶姻類、I-羥基-環(huán)己基-苯基-酮、2-羥基-2-甲基-I-苯基丙烷-I-酮、2-甲基I [4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-I-酮、2-芐基-2- ニ甲氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-丁酮-I等α-羥基酮類或α-氨基酮類、異丙基噻噸酮、2-4-ニこ基噻噸酮等噻噸酮類、甲基苯基こ醛酸等，從最大吸收波長的值、吸光度、色彩觀、、著色程度等觀點(diǎn)考慮，可優(yōu)選使用這些光引發(fā)劑之中的光引發(fā)劑。優(yōu)選使用的光引發(fā)劑，例如作為市售品可以舉出作為I-羥基-環(huán)己基-苯基-酮的Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGACURE (注冊(cè)■商標(biāo))184 (Ciba Japan株式會(huì)社制造)、作為2-甲基-1 [4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙烷-I-酮的Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGA⑶RE (注冊(cè)商標(biāo))907 (Ciba Japan株式會(huì)社制造)、作為2-芐基-2- ニ甲氨基-I- (4-嗎啉代苯基)-丁酮-I的Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGA⑶RE (注冊(cè)■商標(biāo))369 (Ciba Japan株式會(huì)社制造)等。本發(fā)明的導(dǎo)電層合體，優(yōu)選為從上述導(dǎo)電層側(cè)入射時(shí)的基于JISK7361-1 (1997年)的全光線透過率為80%以上的透明導(dǎo)電層合體。作為透明導(dǎo)電層合體組裝本發(fā)明的 導(dǎo)電層合體而形成的觸控面板，顯示優(yōu)異的透明性，可以清楚地辨認(rèn)在使用了該透明導(dǎo)電層合體的觸控面板的下層所設(shè)置的顯示屏的顯示內(nèi)容。本發(fā)明中的透明性，是指從上述導(dǎo)電層側(cè)入射時(shí)的基于JIS K7361-l(1997年)的全光線透過率為80%以上，優(yōu)選為85%以上，更優(yōu)選為90%以上。作為用于提高全光線透過率的方法，例如，可以舉出提高所使用的基材的全光線透過率的方法、使上述導(dǎo)電層的膜厚更薄的方法、或者以保護(hù)層成為光學(xué)干涉膜的方式進(jìn)行層合的方法等。作為提高基材的全光線透過率的方法，可以舉出使基材的厚度薄的方法、或者選擇全光線透過率高的材質(zhì)的基材的方法。本發(fā)明的透明導(dǎo)電層合體的基材，可優(yōu)選使用可見光線的全光線透過率高的基材，具體為基于JIS K7361-l(1997年)的全光線透過率為80%以上的基材，更優(yōu)選為具有90%以上的透明性的基材。具體可以舉出例如透明的樹脂、玻璃等，不管是厚度為250 μ m以下可卷繞的膜、還是厚度超過250 μ m的基板，只要具有上述全光線透過率的范圍即可。從成本、生產(chǎn)率、處理性等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選250 μ m以下的樹脂膜，特別優(yōu)選為190 μ m以下，進(jìn)ー步優(yōu)選為150nm以下。作為樹脂，可以舉出聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)等聚酯、聚酰亞胺、聚苯硫醚、芳酰胺、聚丙烯、聚こ烯、聚乳酸、聚氯こ烯、聚碳酸酷、聚甲基丙烯酸甲酷、脂環(huán)式丙烯酸類樹脂、環(huán)烯烴樹脂、三こ酰纖維素以及這些樹脂的混合物和/或共聚物，例如將所述樹脂不拉伸、單向拉イ申、雙向拉伸，可以制成膜。這些基材中，從形成基材的成型性、透明性等光學(xué)特性、生產(chǎn)率等觀點(diǎn)考慮，可優(yōu)選使用聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)、聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)等聚酯膜、或與PEN混合和/或共聚而成的PET膜、聚丙烯膜。作為玻璃，可以使用通常的鈉玻璃。而且，也可以將上述多個(gè)基材組合使用。例如，可以為樹脂與玻璃組合的基材、將兩種以上樹脂層合而成的基材等復(fù)合基材。進(jìn)而，必要時(shí)，也可以對(duì)基材實(shí)施表面處理。表面處理可以是輝光放電、電暈放電、等離子體處理、火焰處理等物理處理、或者設(shè)置樹脂層。在膜的情況下，可以為具有易粘接層的膜。基材不限于上述種類，根據(jù)用途可以從透明性、耐久性、可撓性、成本等方面出發(fā)，選擇最佳的基材種類。接下來，對(duì)以保護(hù)層成為光學(xué)干渉膜的方式進(jìn)行層合的方法，進(jìn)行如下說明。導(dǎo)電層根據(jù)其導(dǎo)電成分自身的物性，反射或吸收光。因此，為了將包含設(shè)置于基材上的導(dǎo)電層的透明導(dǎo)電層合體的全光線透過率提高，將保護(hù)層設(shè)置為使用了透明材料的光學(xué)干渉膜、且將該光學(xué)干涉膜側(cè)的在波長380 780nm下的平均反射率降低為4%以下，是有效的，優(yōu)選為3%以下，更優(yōu)選為2%以下。如果平均反射率為4%以下，則可以以良好的生產(chǎn)率得到用于觸控面板用途等時(shí)的全光線透過率為80%以上的性能，因而是優(yōu)選的。
無論線狀結(jié)構(gòu)體的導(dǎo)電成分為任種物質(zhì)，本發(fā)明的導(dǎo)電層合體都優(yōu)選其導(dǎo)電層側(cè)的表面電阻值為1Χ10°Ω/ □以上、1Χ104Ω/ □以下，更優(yōu)選為IXlO1Q/ □以上、1.5Χ103以下。通過在該范圍，可優(yōu)選作為觸控面板用的導(dǎo)電層合體使用。即，如果為I X 10° Ω / □以上，可以減少消耗的電カ，如果為I X IO4 Ω / □以下，可以減小觸控面板的坐標(biāo)數(shù)字化轉(zhuǎn)換器的誤差的影響。作為在導(dǎo)電層上形成保護(hù)層的方法，根據(jù)用于形成保護(hù)層的物質(zhì)，選擇最佳的方法即可，可以舉出真空蒸鍍、EB蒸鍍、濺射等干法、澆注、旋涂、浸涂、棒涂、噴霧、刮板涂布、狹縫模涂、凹板印刷、反轉(zhuǎn)涂布、絲網(wǎng)印刷、鑄模涂布、印刷轉(zhuǎn)印、噴墨等濕涂法等普通的方法。其中，優(yōu)選可以均勻?qū)雍媳Ｗo(hù)層且不易對(duì)導(dǎo)電層引入傷痕的狹縫模涂、或者使用了可以均勻且生產(chǎn)率良好地形成保護(hù)層的微米照相凹版的濕涂法。 在本發(fā)明的基材和/或各層中，可以在不阻礙本發(fā)明效果的范圍內(nèi)添加各種添加齊U。作為添加剤，例如可以使用有機(jī)和/或無機(jī)的微粒、交聯(lián)劑、阻燃劑、阻燃助劑、耐熱穩(wěn)定劑、抗氧化穩(wěn)定劑、流平劑、滑動(dòng)活化劑(slip activator)、導(dǎo)電劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光穩(wěn)定劑、成核劑、染料、填充劑、分散劑和偶聯(lián)劑等。對(duì)于本發(fā)明所用除去劑的制造方法，舉例進(jìn)行說明。首先，在溶劑中添加樹脂，充分?jǐn)嚢?，使其溶解。攪拌可以在加熱條件下進(jìn)行，出于提高溶解速度的目的，優(yōu)選在50 80°C下攪拌。接下來，加入沸點(diǎn)為80°C以上的酸或通過外部能量產(chǎn)生酸的化合物、流平劑和必要時(shí)的上述添加剤，進(jìn)行攪拌。對(duì)添加方法和添加順序沒有特別限定。攪拌可以在加熱條件下進(jìn)行，出于提高添加劑的溶解速度的目的，優(yōu)選在50 80°C下攪拌。對(duì)于通過使用除去劑的化學(xué)蝕刻在本發(fā)明的導(dǎo)電層合體上形成圖案的方法，舉例進(jìn)行說明。在本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的保護(hù)層側(cè)的欲除去的部分上涂布除去劑。用于本發(fā)明的除去劑由于具有非牛頓流動(dòng)性，所以無論導(dǎo)電層合體的種類、大小、形狀如何，都可以使用公知方法涂布。作為涂布方法，例如可以舉出絲網(wǎng)印刷法、點(diǎn)膠機(jī)(dispenser)法、鏤空版印刷法、移印法、噴霧涂布、噴墨法、微凹版印刷法、刮刀涂布法、旋涂法、狹縫式涂布法、輥涂法、幕涂法、流涂法等，但不限于這些方法。另外，為了進(jìn)一步減少導(dǎo)電層的蝕刻不均，優(yōu)選將除去劑均勻涂布在導(dǎo)電層合體的保護(hù)層上。對(duì)于涂布的除去膜的厚度，根據(jù)被除去的導(dǎo)電層的材質(zhì)和厚度、加熱溫度和加熱時(shí)間適宜決定，但優(yōu)選以干燥后的厚度為O. I 200 μ m的方式涂布,更優(yōu)選為2 200 μ m。通過將干燥后的除去劑厚度設(shè)定在上述范圍內(nèi)，從而使涂膜中包含必要量的導(dǎo)電層除去成分，可以將導(dǎo)電層以面內(nèi)更加均勻的方式除去。另外，由于加熱時(shí)可以抑制橫向上的垂落，所以不發(fā)生涂布膜交界線的位置偏移，可以獲得所期望的圖案。接下來，將涂布了除去劑的導(dǎo)電層合體在80°C以上加熱處理。加熱處理溫度優(yōu)選為與除去劑之中的除溶劑以外的成分的沸點(diǎn)相比較低的溫度，優(yōu)選200°C以下。通過在上述溫度范圍進(jìn)行加熱處理，涂布了除去劑的部分的導(dǎo)電層被分解、溶解或可溶化。加熱處理方法可以根據(jù)目的和用途來選擇，例如可以舉出加熱板、熱風(fēng)烘箱、紅外線烘箱、頻率300兆赫 3太赫的微波照射等，但不限于這些方法。加熱處理后，通過使用了液體的清洗，將除去劑和導(dǎo)電層的分解/溶解物除去，得到所期望的導(dǎo)電圖案。清洗エ序中所使用的液體，優(yōu)選為溶解除去劑所含有的樹脂的液體，具體可以舉出丙酮等酮類、甲醇等醇類、四氫呋喃等有機(jī)溶劑，含有上述有機(jī)溶劑的水溶液、含有氫氧化鈉、こ醇胺、三こ胺等的堿性水溶液、純水等，但不限于這些液體。為了在清洗エ序中無殘?jiān)厍逑?，可以將上述液體加熱至25 100°C來使用。表示本發(fā)明的觸控面板的一例的截面示意圖如圖3所示。本發(fā)明的觸控面板是將圖I所示的本發(fā)明的導(dǎo)電層合體(層合有具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層、和保護(hù)層)単獨(dú)或多片、進(jìn)而與其他構(gòu)件組合搭載而得到的，作為其例子，可以舉出電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板等。本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)如圖2所示包含符號(hào)5、6、7、8那樣的線狀結(jié)構(gòu)體并且具有符號(hào)10、11、12那樣的由重疊構(gòu)成的接點(diǎn)。搭載本發(fā)明的導(dǎo)電層合體而成的觸控面板是如圖3所示將具有導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域的本發(fā)明的導(dǎo)電層合體13通過接合劑 或壓敏粘合劑等接合層接合層合得到的，進(jìn)而例如安裝引線和驅(qū)動(dòng)單元，組裝在液晶顯示屏的前面來使用。實(shí)施例以下，基于實(shí)施例具體說明本發(fā)明。但本發(fā)明不限于下述實(shí)施例。首先說明各實(shí)施例和比較例的評(píng)價(jià)方法。(I)保護(hù)層的平均厚度t將樣品的欲觀察部分附近用冰包埋，冷凍固著，或者用環(huán)氧樹脂那樣的固著力比冰強(qiáng)的成分包埋后，使用Nihon Microtome Kenkyusho K. K.制造的旋轉(zhuǎn)式切片機(jī)，以刀傾斜角度3°設(shè)置鉆石刀，對(duì)膜平面沿垂直方向切斷。接著，使用電場放射型掃描電子顯微鏡(日本電子株式會(huì)社制造JSM-6700-F)以加速電壓3. OkV、觀察倍數(shù)10000 100000倍，適宜調(diào)節(jié)圖像的對(duì)比度，在各倍數(shù)下對(duì)得到的膜截面進(jìn)行觀察。從所得到的截面照片上，對(duì)截面示意圖的圖4中對(duì)應(yīng)的tl (不存在線狀結(jié)構(gòu)體的部分的保護(hù)層厚度)和t2 (層合在単一線狀結(jié)構(gòu)體的頂點(diǎn)上或由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的聚集體的頂上的保護(hù)層厚度)的各任意5處同樣地在任意倍數(shù)下測定(由放大倍數(shù)計(jì)算)，求出平均值。(2)線狀結(jié)構(gòu)體的直徑r使用電場放射型掃描電子顯微鏡(日本電子株式會(huì)社制造JSM-6700-F)與(I)同樣地對(duì)截面進(jìn)行觀察，適宜調(diào)節(jié)線狀結(jié)構(gòu)體的部分和未層合線狀結(jié)構(gòu)體的部分的圖像對(duì)比度，進(jìn)行觀察、判斷。此處，在以單ー線狀結(jié)構(gòu)體的形式存在的部分中，直徑r是指圖4中所示的符號(hào)28，是從線狀結(jié)構(gòu)體的頂點(diǎn)上開始與基材方向垂直的方向上的直線距離。另外，在以由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的聚集體的形式存在的部分中，直徑r是指圖4中所示的符號(hào)29，是從由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的聚集體的頂上至聚集體的底的與基材方向垂直的方向上的直線距離。同樣地觀察任意5處，將5處的平均值作為線狀結(jié)構(gòu)體的直徑r。另外，r和t的大小的判斷中，如果通過截面觀察，則斷定線狀結(jié)構(gòu)體的直徑r，并與根據(jù)⑴求出的t作比較，如果通過表面觀察，則從觀察角度20°、30°、45°、90° (正上方)方向都對(duì)相同位置同樣地進(jìn)行觀察，確認(rèn)線狀結(jié)構(gòu)體的部分的隆起。在用上述方法難以觀察的情況下，接下來使用彩色3D激光顯微鏡((株)KEYENCE制造VK-9710)，用附帶的標(biāo)準(zhǔn)物鏡10X((株)尼康制造CF IC EPI Plan 10X)、20X((株)尼康制造CF IC EPI Plan 20X)、50X((株)尼康制造CF IC EPI Plan Apo 50X)、150X((株)尼康制造CFIC EPI Plan Apo 150XA)在各倍數(shù)下對(duì)保護(hù)層側(cè)的相同位置進(jìn)行表面觀察，根據(jù)其圖像數(shù)據(jù)使用觀察應(yīng)用程序((株)KEYENCE制造VK-HV1)進(jìn)行圖像解析，根據(jù)線狀結(jié)構(gòu)體的部分和未層合線狀結(jié)構(gòu)體的部分的各高度的差異，確認(rèn)線狀結(jié)構(gòu)體的部分的隆起。
在仍然難以觀察的情況下,接下來使用原子力顯微鏡(DigitalInstruments公司制造NanoScopelll)，在懸臂為硅單晶、掃描模式為輕敲模式、測定環(huán)境為溫度25°C和相對(duì)濕度65% RH的條件下進(jìn)行觀察，從線狀結(jié)構(gòu)體的部分和未層合線狀結(jié)構(gòu)體的部分中確認(rèn)線狀結(jié)構(gòu)體的部分的隆起。
(3)相對(duì)于保護(hù)層的除去厚度X的、保護(hù)層的厚度的判定相對(duì)于由除去劑所致的保護(hù)層的除去厚度X，保護(hù)層是否具有厚的部分和薄的部分的判定用以下的方法進(jìn)行。首先，對(duì)實(shí)施例和比較例中記載的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層側(cè)(保護(hù)層側(cè))用與(I)或(2)中記載的方法相同的方法進(jìn)行觀察，確認(rèn)在導(dǎo)電層上是否層合有保護(hù)層。其次，準(zhǔn)備后述的除去劑，在實(shí)施例和比較例中記載的導(dǎo)電層合體上的與上述觀察部分相同的位置，使用sus#500目的網(wǎng)通過絲網(wǎng)印刷以干燥后的膜厚為2. 4μπι的方式涂布除去劑。印刷圖案為線長5011、線寬5(^111、10(^111、20(^111、50(^111的各直線線條。涂布除去劑后，放入紅外線烘箱，在130°C加熱處理3分鐘，從烘箱中取出，自然冷卻至室溫后，用25°C的純水清洗I分鐘，將附著的除去劑和分解物除去。然后，將上述基板用壓縮空氣除去水分后，用紅外線烘箱在80°C干燥I分鐘，得到導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體。對(duì)該導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體的圖案化部分(與上述觀察部分相同的位置)，用與(I)或(2)中記載的方法相同的方法、或者用掃描透射電子顯微鏡((株)HitachiHigh-Technologies制造日立掃描透射電子顯微鏡HD-2700)進(jìn)行觀察,確認(rèn)導(dǎo)電成分和保護(hù)層有無殘存。相對(duì)于保護(hù)層除去厚度X的保護(hù)層厚度的判定，基于以下的基準(zhǔn)實(shí)施。(a)合格判定(保護(hù)層具有比除去厚度X厚的部分和薄的部分。)·將保護(hù)層殘存、導(dǎo)電成分不殘存的狀態(tài)的情況設(shè)定為合格判定。·保護(hù)層殘存是指，相對(duì)于除去厚度X，圖4中所示的符號(hào)21的部分厚，所以保護(hù)層殘存。即，意味著，保護(hù)層具有比X厚的部分?！?dǎo)電成分不殘存是指，相對(duì)于除去厚度X，圖4中所示的符號(hào)22和23作為薄的部分而存在，該薄的部分被除去后，除去劑從該部分浸入，與導(dǎo)電成分接觸，從而除去導(dǎo)電成分。因此，導(dǎo)電成分不殘存的情況意味著保護(hù)層存在比除去厚度X薄的部分。(b)不合格I判定(保護(hù)層僅為比除去厚度X厚的部分，不具有薄的部分。)·將導(dǎo)電成分和保護(hù)層都?xì)埓娴臓顟B(tài)的情況設(shè)定為不合格I判定?！ぴ诓粌H保護(hù)層殘存而且導(dǎo)電成分也殘存的情況下，除去劑沒有到達(dá)導(dǎo)電成分，即圖4中所示的符號(hào)22和23作為比除去厚度X厚的部分而存在，保護(hù)層不具有薄的部分，所以導(dǎo)電成分殘存。因此，意味著，相對(duì)于保護(hù)層的除去厚度X，保護(hù)層僅為比X厚的部分，不具有薄的部分。(c)不合格2判定(保護(hù)層僅為比除去厚度X薄的部分，不具有厚的部分。)·將導(dǎo)電成分和保護(hù)層都不殘存的狀態(tài)的情況設(shè)定為不合格2判定?！ぴ诓粌H導(dǎo)電成分不殘存而且保護(hù)層也不殘存的情況下，除去成分使全部的保護(hù)層被除去，即圖4中所示的符號(hào)21作為比除去厚度X薄的部分而存在，保護(hù)層不具有厚的部分，所以保護(hù)層不殘存。因此，意味著，相對(duì)于保護(hù)層的除去厚度X，保護(hù)層僅為比X薄的部分，不具有厚的部分。
(4)通過化學(xué)蝕刻形成的圖案的評(píng)價(jià)作為圖案的微細(xì)化的評(píng)價(jià)，在后述的直線圖案中用以下(a) (C)的3個(gè)指標(biāo)評(píng)價(jià)。(a)除去劑的印刷圖案的線寬·轉(zhuǎn)印/層合在導(dǎo)電層合體上的除去劑的線寬。·線寬越細(xì)，表示在導(dǎo)電層合體上轉(zhuǎn)印/層合的圖案越微細(xì)，線寬越粗，表示線越粗大。(b)蝕刻圖案的線寬
·將轉(zhuǎn)印/層合在導(dǎo)電層合體上的除去劑水洗后的蝕刻部分的線寬。·與上述(a)同樣，線寬越細(xì)，表示形成了越微細(xì)的圖案，線寬越粗，表示線越粗大。(C)蝕刻圖案的蝕刻交界部的線條直線性(線彎曲)·在上述(b)中求出的線寬的標(biāo)準(zhǔn)偏差(σ )。 標(biāo)準(zhǔn)偏差(O)越小，表示圖案精細(xì)度越高、越美麗。首先，對(duì)實(shí)施例和比較例中記載的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層側(cè)(保護(hù)層側(cè))用與(I)、(2)中記載的方法相同的方法進(jìn)行觀察，確認(rèn)在導(dǎo)電層上是否層合有保護(hù)層。其次，制備后述的除去劑，在實(shí)施例和比較例中記載的導(dǎo)電層合體上的與上述觀察部分相同的位置，使用sus#500目的網(wǎng)通過絲網(wǎng)印刷以干燥后的膜厚為2. 4 μ m的方式涂布除去劑。印刷圖案設(shè)定為線長5cm的⑴線寬50 μ m、(ii) 100 μ m的各直線線條。涂布除去劑后，放入紅外線烘箱，在130°C加熱處理3分鐘，從烘箱中取出，自然冷卻至室溫，得到轉(zhuǎn)印/層合有直線圖案的除去劑的導(dǎo)電層合體。接下來，在該轉(zhuǎn)印/層合有除去劑的導(dǎo)電層合體的(i)、( )的各直線圖案中，對(duì)與線長一端部距離O. 5cm、lcm、l. 5cm、2cm、2. 5cm(線條中點(diǎn))、3cm、3. 5cm、4cm(距離另一端部Icm)的8個(gè)位置,使用彩色3D激光顯微鏡((株)KEYENCE制造VK-9710)，用附帶的標(biāo)準(zhǔn)物鏡10X((株)尼康制造CF IC EPI Plan10X)、20X((株)尼康制造CF IC EPI Plan 20X)、50X((株)尼康制造CF IC EPI Plan Apo50X)、150X((株)尼康制造CF IC EPI Plan Apo 150XA)，任意變更倍數(shù)，進(jìn)行觀察。接下來，對(duì)(i) ( )的各直線圖案的圖像數(shù)據(jù)使用觀察應(yīng)用程序((株)KEYENCE制造VK-HV1)進(jìn)行圖像解析，求出各位置(上述8個(gè)位置)上線寬的最大值和最小值，計(jì)算出共16個(gè)點(diǎn)的平均值，將該值作為上述(a)除去劑的印刷圖案的線寬。接下來，將轉(zhuǎn)印/層合有除去劑的導(dǎo)電層合體用25°C的純水清洗I分鐘，除去附著的除去劑和分解物。然后，將上述基板用壓縮空氣除去水分后，在紅外線烘箱中于80°C干燥I分鐘，得到導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體。對(duì)該導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體的圖案化部分的與上述觀察部分相同的位置(上述8個(gè)位置)同樣地進(jìn)行觀察，將共16個(gè)點(diǎn)的平均值作為上述(b)蝕刻圖案的線寬。進(jìn)而，由共16個(gè)點(diǎn)，計(jì)算出標(biāo)準(zhǔn)偏差(σ )。(5)對(duì)熱的耐久性將(3)中得到的導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體用附帯安全門的恒溫器安全烘箱(Espec株式會(huì)社制造SPHH-201)在130°C加熱30分鐘，對(duì)圖案化部分的表面用光學(xué)顯微鏡((株)尼康制造ECLIPSE-L200)觀察，觀察加熱前后圖案化部分表面有無產(chǎn)生低聚物。需要說明的是，通過加熱前在表面不存在的斑點(diǎn)或斑點(diǎn)圖案在加熱后是否存在來判斷低聚物。在用上述光學(xué)顯微鏡無法觀察低聚物的情況下，接下來使用TOPCON社制造的掃描型電子顯微鏡ABT-32，同樣地對(duì)表面進(jìn)行觀察，確認(rèn)有無產(chǎn)生低聚物。對(duì)任意10個(gè)點(diǎn)進(jìn)行觀察，將沒有產(chǎn)生低聚物的情況設(shè)定為合格。(6)圖案化部分的電絕緣性將在(3)中制作的導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體切下距離各直線的線長的兩端部Icm的部分，得到被蝕刻線條隔開的3cmX IOcm的導(dǎo)電層合體。然后，在蝕刻線條的右側(cè)和左側(cè)放上絕緣電阻計(jì)(三和電氣計(jì)器株式會(huì)社制造、EA709DA-1)的探頭，施加25V直流電，將顯示10ΜΩ以上的電阻的情況設(shè)定為合格，將顯示小于10ΜΩ的電阻的情況設(shè)定為 不合格。(7)圖案化部分的導(dǎo)電成分有無殘存對(duì)在(3)中制作的導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體的圖案化部分，用與⑴或(2)中記載的相同的方法、或用掃描透射電子顯微鏡((株)Hitachi High-Technologies制造日立掃描透射電子顯微鏡HD-2700)進(jìn)行觀察。將確認(rèn)不到通過后述的(9)所辨別的導(dǎo)電成分的情況設(shè)定為合格(導(dǎo)電成分無殘存)，將確認(rèn)到導(dǎo)電成分的情況設(shè)定為不合格(導(dǎo)電成分有殘存)。(8)保護(hù)層的化合物的含有元素、結(jié)構(gòu)、結(jié)合狀態(tài)的鑒定對(duì)于保護(hù)層中的化合物的含有元素、化合物的結(jié)構(gòu)(高分子結(jié)構(gòu)等)、結(jié)合狀態(tài)(交聯(lián)等)，首先，用(I) (3)中記載的任一方法斷定導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層側(cè)或保護(hù)層側(cè)的面。其次，在必要時(shí)，用硅膠柱色譜法、凝膠滲透色譜法、高效液相色譜法、氣相色譜法等所代表的普通色譜法、或其他可分離/精制的方法，分離精制為單一物質(zhì)，或者適宜濃縮和稀釋。接下來，以保護(hù)層為對(duì)象，從下述方法中適宜選擇/組合，對(duì)保護(hù)層的化合物的含有元素、結(jié)構(gòu)、結(jié)合狀態(tài)進(jìn)行鑒定/分析動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜法(Dynamic-SIMS)、飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法(TOF-SIMS)、其他靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法(Static-SMS)、核磁共振分光法(1H-NH13C-NH29Si-NMI^19F-NMR)、ニ維核磁共振波譜法(2D-NMR)、紅外分光光度法(IR)、拉曼光譜法、質(zhì)譜法(Mass)、X射線衍射法(XRD)、中子衍射法(ND)、低能電子衍射法(LEED)、反射式高能電子衍射法(RHEED)、原子吸收光譜分析法(AAS)、紫外光電子能譜法(UPS)、俄歇電子能譜法(AES)、X射線光電子能譜法(XPS)、熒光X射線元素分析法(XRF)、電感耦合等離子體發(fā)射光譜法(ICP-AES)、電子探頭X射線微區(qū)分析(ΕΡΜΑ)、凝膠滲透色譜法(GPC)、透射電子顯微鏡-能量色散型X射線熒光分析(TEM-EDX)、掃描電子顯微鏡-能量色散型X射線熒光分光分析(SEM-EDX)、其他元素分析。(9)線狀結(jié)構(gòu)體的辨別(導(dǎo)電成分的結(jié)構(gòu))、線狀結(jié)構(gòu)體的網(wǎng)狀態(tài)對(duì)樣品的導(dǎo)電層側(cè)的表面，用與⑴或⑵中記載的相同的方法、或者用掃描透射電子顯微鏡((株)Hitachi High-Technologies制造日立掃描透射電子顯微鏡HD-2700)進(jìn)行觀察。通過表面觀察無法觀察時(shí)，用與(8)相同的任一方法對(duì)導(dǎo)電層的成分進(jìn)行分離精制后，采集/收集足夠量的相當(dāng)于導(dǎo)電成分的物質(zhì)，然后同樣地觀察，進(jìn)行線狀結(jié)構(gòu)體的辨別(導(dǎo)電成分的結(jié)構(gòu))。(10)光引發(fā)劑的最大吸收波長之差
用與(8)相同的任一方法對(duì)保護(hù)層的成分進(jìn)行分離精制，僅提取各種成分內(nèi)的相當(dāng)于光引發(fā)劑的化合物。在不明確是否相當(dāng)于光引發(fā)劑的情況下，將照射活性電子射線而產(chǎn)生自由基種、陽離子種、陰離子種中的任一活性種的化合物作為光引發(fā)劑。接下來，使光引發(fā)劑溶解在各種可溶的溶劑中。接著，將該溶液加入石英池中，使用紫外可見分光光度計(jì)(UV-Bis Spectrophotometer>日本分光株式會(huì)社制造V-660型)測定在波長200 900nm下的吸收光譜，求出最大吸收波長。
對(duì)于各光引發(fā)劑，同樣地測定3次吸收光譜，求出最大吸收波長，將其平均值作為光引發(fā)劑的最大吸收波長，求出各光引發(fā)劑的最大吸收波長之差。另外，在具有多個(gè)最大值的情況下，如下設(shè)定最大吸收波長。在光程長Icm下求出的吸收光譜中在200 400nm的區(qū)域存在的多個(gè)最大值內(nèi)，將吸光度最大的最大值處的波長設(shè)定為最大吸收波長。此處，如果溶解在溶劑中時(shí)的光引發(fā)劑的濃度過高，則上述吸光度最大的最大值超出所使用的裝置的檢測限，有可能在觀察時(shí)好像不存在上述吸光度最大的最大值，因而適宜改變光引發(fā)劑的濃度，同樣地進(jìn)行測定，將在每個(gè)濃度下吸光度相對(duì)最大的最大值處的波長設(shè)定為最大吸收波長。(11)表面電阻值Rtl使用無接觸式電阻率計(jì)(NAPS0N株式會(huì)社制造NC-10)以渦電流方式，對(duì)100_X50mm的樣品的中央部分測定導(dǎo)電層側(cè)的表面電阻值。計(jì)算出5個(gè)樣品的平均值，將其作為表面電阻值RJ Ω/ ロ]。超出檢測限而得不到表面電阻值時(shí)，接著用以下的方法測定。使用高電阻率計(jì)(三菱化學(xué)株式會(huì)社制造Hiresta-UPMCP_HT450)，連接圓形探頭(三菱化學(xué)株式會(huì)社制造URS探頭MCP-HTP14),以雙環(huán)方式(double ring method)對(duì)100_X 100mm的樣品的中央部分進(jìn)行測定。計(jì)算出5個(gè)樣品的平均值，將其作為表面電阻值 R0[Q / □]。(12)全光線透過率使用濁度計(jì)(霧度計(jì))NDH2000(日本電色エ業(yè)株式會(huì)社制造)，基于JISK7361-1 (1997年)，從導(dǎo)電層側(cè)射入光，測定導(dǎo)電層合體厚度方向的全光線透過率。由對(duì)5個(gè)樣品測定的值計(jì)算出平均值，將其作為全光線透過率。(13)非導(dǎo)電區(qū)域的導(dǎo)電成分的不殘存除去痕的有無對(duì)在(3)中制作的導(dǎo)電層被圖案化了的導(dǎo)電層合體的圖案化部分，用與(I)或(2)中記載的相同的方法、或者用掃描透射電子顯微鏡((株)Hitachi High-Technologies制造日立掃描透射電子顯微鏡HD-2700)進(jìn)行觀察。將確認(rèn)到用上述(9)的方法辨別的除去痕的情況設(shè)定為合格，將確認(rèn)不到除去痕的情況設(shè)定為不合格。(14)保護(hù)層側(cè)表面的接觸角用基于JIS R3257(1999)的靜滴法測定接觸角。使用接觸角計(jì)(協(xié)和界面科學(xué)株式會(huì)社制造FACE接觸角計(jì)CA-X型(圖像處理式))，將通過(9)辨別的本發(fā)明的導(dǎo)電層合體的導(dǎo)電層層側(cè)(保護(hù)層側(cè))作為測定面，水平設(shè)置在試樣臺(tái)上后，滴加純水，求出接觸角。用相同的方法對(duì)任意的共10個(gè)位置求出接觸角，將該10點(diǎn)的平均值作為本發(fā)明的純水接觸角。接下來，用相同的方法在其他的任意10個(gè)位置滴加油酸(Nacalai Tesque株式會(huì)社制造)，將10點(diǎn)的平均值作為本發(fā)明的油酸接觸角。用于各實(shí)施例和比較例的保護(hù)層的材料如下所示。用實(shí)施例和比較例的各方法在導(dǎo)電層上層合各保護(hù)層。(I)保護(hù)層材料A 直鏈丙烯酸類樹脂(綜研化學(xué)株式會(huì)社制造Foret GS-1000、固體成分濃度30
質(zhì)量％ )(一種不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的有機(jī)類高分子化合物，不具有交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(2)保護(hù)層材料B 多官能丙烯酸類樹脂組合物(綜研化學(xué)株式會(huì)社制造Fullcure HC_6、固體成分濃度51質(zhì)量％ )(一種不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(3)保護(hù)層材料C 多官能丙烯酸類樹脂組合物(綜研化學(xué)株式會(huì)社制造Fullcure UAF-1、固體成分濃度48. 4質(zhì)量％ )( 一種不含S兀素、P兀素、金屬兀素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N兀素、但含有F元素(氟元素)的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(4)保護(hù)層材料D 多官能丙烯酸類樹脂組合物(中國涂料株式會(huì)社制造Forseed No. 420C(舊商品編號(hào)Aurex JU-114)、固體成分濃度70質(zhì)量％ )( 一種不含S兀素、P兀素、金屬兀素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素、具有烷基側(cè)鏈的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(5)保護(hù)層材料E 多官能聚氨酯丙烯酸酯類樹脂組合物(根上工業(yè)株式會(huì)社制造ArtresinUN-904M、固體成分濃度80質(zhì)量％ )( 一種不含S兀素、P兀素、金屬兀素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素、但在骨架結(jié)構(gòu)內(nèi)含有N元素的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(6)保護(hù)層材料F 多官能丙烯酸類樹脂組合物(綜研化學(xué)株式會(huì)社制造Fullcure HCE-022、固體成分濃度52. I質(zhì)量％ )( 一種含有構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(7)保護(hù)層材料G 直鏈丙烯酸類樹脂(如下聚合，固體成分濃度100質(zhì)量％ )( 一種含S元素的有機(jī)類高分子化合物，不具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)。) 由丙烯酰胺叔丁基磺酸(別名2_丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸)和甲基丙烯酸甲酯(別名2-甲基-2-丙烯酸甲酯，簡稱MMA)共聚。
(8)保護(hù)層材料H 直鏈丙烯酸類樹脂(如下聚合，固體成分濃度100質(zhì)量％ )( —種含有S元素、金屬離子的有機(jī)類高分子化合物，不具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)。)
由丙烯酰胺叔丁基磺酸鈉鹽(別名2_丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸鈉鹽)和甲基丙烯酸甲酯(別名2-甲基-2-丙烯酸甲酯，簡稱MMA)共聚。(9)保護(hù)層材料I 多官能丙烯酸類樹脂組合物(如下制作，固體成分濃度40質(zhì)量％ )( —種含P元素的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。)
用與日本特開2008-222848號(hào)公報(bào)的實(shí)施例I相同的方法，得到樹脂組合物。在該樹脂組合物中含有下述(13)添加劑A。(10)保護(hù)層材料J 無機(jī)硅氧化物(二氧化硅)組合物(如下制作，固體成分濃度3質(zhì)量％ )( 一種不含S元素、P元素、金屬元素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的無機(jī)類高分子化合物，通過熱形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。) 在IOOmL塑料容器中加入乙醇20g,添加娃酸正丁酯40g,攪拌30分鐘。其后,添加0. IN鹽酸水溶液IOg后，進(jìn)行2小時(shí)攪拌(水解反應(yīng))，于4°C保存。第二天，將該溶液用異丙醇/甲苯/正丁醇混合液(混合質(zhì)量比2/1/1)稀釋成固體成分濃度為3.0質(zhì)量％。(11)保護(hù)層材料K 丙烯酸類樹脂(綜研化學(xué)株式會(huì)社制造Foret SBH-1、固體成分濃度57質(zhì)量％ )(一種不含有S元素、P元素、金屬元素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素的有機(jī)類高分子化合物，通過熱，與多官能異氰酸酯形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)。)(12)保護(hù)層材料L 環(huán)氧類樹脂組合物(DIC株式會(huì)社制造DIC Fine EN-0270、固體成分濃度20質(zhì)量％ )( 一種不含S兀素、P兀素、金屬兀素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N兀素中的任一物質(zhì)但在骨架結(jié)構(gòu)內(nèi)含有N元素的有機(jī)類高分子化合物，通過熱，與三聚氰胺/甲醛類樹脂組合物形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(13)保護(hù)層材料M 聚酯類氨基甲酸酯樹脂組合物(DIC株式會(huì)社制造HYDRANAP-40N、固體成分濃度35質(zhì)量％ )( 一種不含S兀素、P兀素、金屬兀素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N兀素中的任一物質(zhì)、但在骨架結(jié)構(gòu)內(nèi)含有N元素的有機(jī)類高分子化合物，通過熱，與三聚氰胺/甲醛類樹脂組合物形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(14)保護(hù)層材料N 多官能丙烯酸類樹脂組合物(綜研化學(xué)株式會(huì)社制造FullcureUAF-6、固體成分濃度50. 9質(zhì)量％ )( 一種不含S元素、P元素、金屬元素、金屬離子和構(gòu)成官能團(tuán)的N元素中的任一物質(zhì)的有機(jī)類高分子化合物，通過光引發(fā)劑形成交聯(lián)結(jié)構(gòu))。(15)添加劑 A 光聚合引發(fā)劑(Ciba Japan株式會(huì)社制造Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGA⑶RE (注冊(cè)商標(biāo))184) 最大吸收波長240nm。(16)添加劑 B 光聚合引發(fā)劑(Ciba Japan株式會(huì)社制造Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGA⑶RE (注冊(cè)商標(biāo))907)
最大吸收波長300nm。(17)添加劑 C 光聚合引發(fā)劑(Ciba Japan株式會(huì)社制造Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGA⑶RE (注冊(cè)商標(biāo))369) 最大吸收波長320nm。(18)添加劑 D 光聚合引發(fā)劑(Ciba Japan株式會(huì)社制造Ciba (注冊(cè)商標(biāo))IRGA⑶RE (注冊(cè)商標(biāo))651) 最大吸收波長250nm。(19)添加劑 E 縮二脲型HDI (六亞甲基二異氰酸酯)多官能異氰酸酯(Sumika Bayer Urethane株式會(huì)社制造Desmodur N3200、固體成分濃度100質(zhì)量％ )(含N元素的熱交聯(lián)固化劑)。(20)添加劑 F 三聚氰胺/甲醒類樹脂組合物(DIC株式會(huì)社制造Beckamine APM、固體成分濃度80質(zhì)量％ )。(21)添加劑 G 具有F元素(氟元素)的有機(jī)類低分子化合物(大金工業(yè)株式會(huì)社制造0PT00LDAC (注冊(cè)商標(biāo))、固體成分濃度20質(zhì)量％ )(含N元素的熱交聯(lián)固化劑)。各實(shí)施例和比較例中的導(dǎo)電層如下所示。用以下各方法在實(shí)施例和比較例中的基材上層合各導(dǎo)電層。(I)導(dǎo)電層A “針狀二氧化硅類 ATO (銻摻雜氧化錫)復(fù)合化合物導(dǎo)電層”使用上述保護(hù)層材料A(丙烯酸類樹脂)作為粘結(jié)劑成分，使用針狀形狀的二氧化硅類 ATO (銻摻雜氧化錫)復(fù)合化合物(大塚化學(xué)株式會(huì)社制造Dentol TM100、短軸700 900nm、長軸15 25 y m)作為導(dǎo)電成分，以導(dǎo)電成分量相對(duì)于固體成分整體為60質(zhì)量％的方式進(jìn)行混合(固體成分混合比粘結(jié)劑成分/導(dǎo)電成分=40質(zhì)量％/60質(zhì)量％)，接著，在該混合液中以涂料固體成分濃度為50質(zhì)量％的方式加入乙酸乙酯進(jìn)行稀釋，調(diào)整濃度，得到針狀二氧化硅類 ATO(銻摻雜氧化錫)復(fù)合化合物分散涂液。使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度lOOym)的狹縫式模涂布機(jī)，將該針狀二氧化硅類 ATO(銻摻雜氧化錫)復(fù)合化合物分散涂液涂布在基材上，在120°C干燥5分鐘，設(shè)置針狀二氧化硅類 ATO (銻摻雜氧化錫)復(fù)合化合物涂膜。(2)導(dǎo)電層B “銀納米線導(dǎo)電層”用日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)的例I (銀納米線的合成)中公開的方法得到銀納米線(短軸50 lOOnm、長軸20 40 y m)。接下來，用該日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)的例8(納米線分散)中公開的方法得到銀納米線分散涂液。調(diào)整該銀納米線分散涂液的濃度使銀納米線的量相對(duì)于涂液全體成為0. 05質(zhì)量％。使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 u m)的狹縫式模涂布機(jī)將該調(diào)整了濃度的銀納米線分散涂液涂布在基材上，在120°C干燥2分鐘，設(shè)置銀納米線涂膜。(3)導(dǎo)電層C “ CNT導(dǎo)電層”(催化劑調(diào)整)、
將檸檬酸鐵銨(綠色)(和光純藥工業(yè)株式會(huì)社制造)2. 459g溶解在甲醇(關(guān)東化學(xué)株式會(huì)社制造)500mL中。在該溶液中加入輕質(zhì)氧化鎂(巖谷化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造)100g，于室溫?cái)嚢?0分鐘，一邊在40°C至60°C攪拌一邊減壓干燥，除去甲醇，得到在輕質(zhì)氧化鎂粉末上載帶有金屬鹽的催化劑。(CNT組合物制造)用圖5的示意圖所示的流化床立式反應(yīng)裝置合成CNT。反應(yīng)器100是內(nèi)徑32mm、長度1200_的圓筒形石英管。在中央部具備石英燒結(jié)板101，在石英管下方部具備惰性氣體和原料氣體供給管線104，在上部具備排氣管線105和催化劑投入管線103。并且，具備包圍反應(yīng)器圓周的加熱器106，從而可以將反應(yīng)器保持在任意溫度。在加熱器106上設(shè)置有
取上述催化劑12g，從密閉型催化劑供給器102通過催化劑投入管線103，將上述“催化劑調(diào)整”部分中所示的催化劑108置于石英燒結(jié)板101上。接下來，從原料氣體供給管線104以1000毫升/分鐘開始供給氬氣。使反應(yīng)器內(nèi)處于氬氣氣氛下后，加熱至850°C的溫度。在達(dá)到850°C后，保持溫度，將原料氣體供給管線104的氬流量提升為2000毫升/分鐘，使石英燒結(jié)板上的固體催化劑開始流動(dòng)化。從加熱爐檢查口 107確認(rèn)發(fā)生流動(dòng)化后，進(jìn)一步開始以95毫升/分鐘向反應(yīng)器供給甲烷。供給該混合氣體90分鐘后，切換為僅流通氬氣，使合成終止。停止加熱，放置至室溫，變?yōu)槭覝睾髲姆磻?yīng)器中取出含有催化劑和CNT的CNT組合物。取上述所示的含催化劑的CNT組合物23. 4g于瓷皿中，用預(yù)先加熱至446°C的馬佛爐(大和科學(xué)株式會(huì)社制造、FP41)在大氣下于446°C加熱2小時(shí)后，從馬佛爐中取出。接著，為了除去催化劑，將CNT組合物添加在6N的鹽酸水溶液中，于室溫?cái)嚢鐸小時(shí)。將過濾所得的回收物進(jìn)一步添加在6N的鹽酸水溶液中，于室溫?cái)嚢鐸小時(shí)。將其過濾，數(shù)次水洗后，將過濾物用120°C的烘箱干燥一夜，從而得到除去了氧化鎂和金屬的CNT組合物57. Img,反復(fù)進(jìn)行上述操作，由此準(zhǔn)備除去了氧化鎂和金屬的CNT組合物500mg。接著，將經(jīng)馬佛爐加熱并除掉了催化劑的CNT組合物SOmg添加在濃硝酸(和光純藥工業(yè)株式會(huì)社制造I級(jí)Assay60 61 % ) 27mL中,在130°C的油浴中一邊攪拌一邊加熱5小時(shí)。加熱攪拌結(jié)束后，將含有CNT的硝酸溶液過濾，用蒸餾水進(jìn)行水洗后，得到直接為含水的濕態(tài)的CNT組合物1266. 4mg。(CNT分散涂液)在50mL的容器中稱取上述CNT組合物IOmg(換算成干燥時(shí)的重量)、作為分散劑的羧甲基纖維素鈉(Sigma社制造90kDa, 50-200cps) IOmg,加蒸懼水使總重量為IOg,以超聲波均化器輸出功率20W在冰冷卻下分散處理20分鐘，制備CNT涂液。將所得到的液體用高速離心分離機(jī)以10000G離心15分鐘，得到上清9mL。在重復(fù)該操作多次所得到的上清145mL中加入乙醇5mL，得到可用涂布機(jī)涂布的CNT濃度約0. I質(zhì)量％的CNT分散涂液(CNT與分散劑的配合比例為I比I)。將該CNT分散涂液涂布在石英玻璃上，干燥后的CNT導(dǎo)電層的折射率為1.82。(CNT導(dǎo)電層的形成)
將上述CNT分散涂液用微凹版涂布機(jī)(照相凹版線號(hào)150R、照相凹版旋轉(zhuǎn)比80% )涂布在基材上，在100°C干燥I分鐘，從而設(shè)置CNT涂膜(作為CNT涂膜中的CNT聚集體，短軸10 30nm,長軸I 5 y m)。(4)導(dǎo)電層D “針狀A(yù)TO (銻摻雜氧化錫)導(dǎo)電層”使用上述保護(hù)層材料A(丙烯酸類樹脂)作為粘結(jié)劑成分，使用針狀形狀的ATO (銻摻雜氧化錫、石原產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社制造針狀透明導(dǎo)電材料FS-10P、短軸10 20nm、長軸0. 2 2pm)作為導(dǎo)電成分，以導(dǎo)電成分量相對(duì)于固體成分全體為60質(zhì)量％的方式進(jìn)行混合(固體成分混合比粘結(jié)劑成分/導(dǎo)電成分=40質(zhì)量％ / 60質(zhì)量％ )，接著，在該混合液中以涂料固體成分濃度為20質(zhì)量％的方式加入乙酸乙酯進(jìn)行稀釋，調(diào)整濃度，得到針狀A(yù)TO(銻摻雜氧化錫)分散涂液。使用松尾產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社制造的刮條涂布機(jī)#12將該針狀A(yù)TO (銻摻雜氧化錫)分散涂液涂布在基材上，在120°C干燥2分鐘，從而設(shè)置針狀A(yù)TO (銻摻雜氧化錫)涂膜。(5)導(dǎo)電層E “銅納米線導(dǎo)電層”用日本特開2002-266007號(hào)公報(bào)中公開的方法得到銅納米線(短軸10 20nm、長軸1 lOOiim)。接下來，將日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)的例8 (納米線分散)中公開的銀納米線變更為本發(fā)明的銅納米線，用相同的方法得到銅納米線分散涂液。對(duì)該銅納米線分散涂液進(jìn)行濃度調(diào)整，以使銅納米線量相對(duì)于涂液全體為0. 05質(zhì)量％。使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 ym)的狹縫式模涂布機(jī)，將該經(jīng)濃度調(diào)整的銅納米線分散涂液涂布在基材上，在120°C干燥2分鐘，從而設(shè)置銅納米線涂膜。(6)導(dǎo)電層F “銀納米微粒導(dǎo)電層”用日本特開2001-243841號(hào)公報(bào)的實(shí)施例((2)銀納米膠體涂布液的調(diào)整)中公開的方法得到銀納米微粒(短軸、長軸(粒徑)9 15nm)分散液。接下來，用該日本特開2001-243841號(hào)公報(bào)的[實(shí)施例I 8]中公開的方法涂布銀納米微粒分散液，得到銀納米微粒涂月吳。(7)導(dǎo)電層G “銀納米線/銀納米微?；旌蠈?dǎo)電層”在用日本特開2001-243841號(hào)公報(bào)的實(shí)施例((2)銀納米膠體涂布液的調(diào)整)中公開的方法得到的銀納米微粒分散液中，混合用日本特表2009-505358號(hào)公報(bào)的例8 (納米線分散)中公開的方法得到的銀納米線分散涂液，使銀納米微粒與銀納米線的質(zhì)量比為銀納米微粒/銀納米線=8/2，得到銀納米線/銀納米微?；旌戏稚⒁骸＝酉聛?，用該日本特開2001-243841號(hào)公報(bào)的[實(shí)施例I 8]中公開的方法將銀納米線/銀納米微?；旌戏稚⒁和坎荚诨纳?，得到銀納米線/銀納米微?；旌贤磕?。(8)導(dǎo)電層H “ ITO (氧化銦錫)薄膜導(dǎo)電層”使用組成為In202/Sn02 = 90/10的銦 錫氧化物靶材，在真空度為KT4Torr、導(dǎo)入氬/氧混合氣體的條件下用濺射法在基材上設(shè)置厚度250nm的ITO(氧化銦錫)導(dǎo)電性薄膜。用于各實(shí)施例和比較例的除去劑如下所示。在容器中加入乙二醇(和光純藥工業(yè)株式會(huì)社制造)70g、N，N’ - 二甲基丙烯基脲(東京化成工業(yè)株式會(huì)社制造)30g、硝酸鈉5g,混合，向其中加入聚季銨鹽-10 (ISP Japan制造)5g和作為觸變劑的THIXATROL MAX (Elementis Japan株式會(huì)社制造、聚酯酰胺衍生物)0. 5g，一邊用油浴于60°C加熱一邊攪拌30分鐘。接著，將容器從油浴中取出，自然冷卻至室溫后，加入流平劑(DIC株式會(huì)社制造、F-555)0. 5g和對(duì)甲苯磺酸一水合物(東京化成工業(yè)株式會(huì)社制造、大氣壓下的沸點(diǎn)103 106°C ) IOg,攪拌15分鐘。將所得到的溶液用膜過濾器(Millipore株式會(huì)社制造的Omnipore Membrane PTFE、公稱直徑0. 45 u m)過濾，得到除去劑。(實(shí)施例I)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式 會(huì)社制造)作為基材，在基材的單面上層合“導(dǎo)電層A”。接著，將“保護(hù)層材料A” 296g、“乙酸乙酯” 704g混合、攪拌，制作保護(hù)層涂布液。使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 Pm)的狹縫式模涂布機(jī)，將該保護(hù)層涂布液涂布在上述“導(dǎo)電層A”上，在120°C干燥2分鐘，設(shè)置厚度為950nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例2)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料A” 500g、“乙酸乙酯” 1500g，除此以外，與實(shí)施例I同樣地制作，設(shè)置厚度為SOOnm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例3)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式會(huì)社制造)作為基材，在基材的單面上層合“導(dǎo)電層B”。接著，將“保護(hù)層材料B”150g、“添加劑A”3.60g、“添加劑B”7. 15g、“乙酸乙酯”1907g混合、攪拌，制作保護(hù)層涂布液。使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50 u m)的狹縫式模涂布機(jī)，將該保護(hù)層涂布液涂布在上述“導(dǎo)電層B”上，在120°C干燥2分鐘后，以I. 2J/cm2照射紫外線使其固化，設(shè)置厚度為450nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例4)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B”150g、“添加劑A”3.60g、“添加劑B”7. 15g、“乙酸乙酯”2288g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為380nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例5)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B”150g、“添加劑A”3.60g、“添加劑B”7. 15g、“乙酸乙酯”2748g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例6)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料C”150g、“添加劑A”3.41g、“添加劑B”6. 79g、“乙酸乙酯”2600g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例7)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料D” 100g、“添加劑A” 3. 29g、“添加劑B”6. 55g、“乙酸乙酯”2551g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例8)
使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料E”100g、“添加劑A”3.76、“乙酸乙酯”2688g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例9)
使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料F”120g、“添加劑A”2.94g、“添加劑B”5. 85g、“乙酸乙酯”2248g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例10)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B” 117g、“保護(hù)層材料G”6. 63g、“添加劑A” 3. 12g、“添加劑B，，6. 20g、“乙酸乙酯” 2388g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例11)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B” 117g、“保護(hù)層材料H”6. 63g、“添加劑A”3. 12g、“添加劑B”6. 20g、“乙酸乙酯”2388g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例⑵使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B” 117g、“保護(hù)層材料I” 16. 58g、“添加劑B”6. 2g、“乙酸乙酯”2277g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例I3)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式會(huì)社制造)作為基材，在基材的單面上層合“導(dǎo)電層B”。接著，將在上述(6)導(dǎo)電層F “銀納米微粒導(dǎo)電層”項(xiàng)中記載的用日本特開2001-243841號(hào)公報(bào)的實(shí)施例((2)銀納米膠體涂布液的調(diào)整)中公開的方法得到的銀納米微粒分散液蒸干，得到銀納米微粒。接著，將“保護(hù)層材料B”123. 5g、“上述銀納米微?！?. 32g、“添加劑A”3. 12g、“添加劑B”6. 20g、“乙酸乙酯”2384g混合、攪拌，制作保護(hù)層涂布液。使用安裝有材質(zhì)為sus的隔片(隔片厚度50i!m)的狹縫式模涂布機(jī)，將該保護(hù)層涂布液涂布在上述“導(dǎo)電層B”上，在120°C干燥2分鐘后，以I. 2J/cm2照射紫外線使其固化，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例14)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B”65g、“保護(hù)層材料C”68.5g、“添加劑A”3. 12g、“添加劑B”6. 20g、“乙酸乙酯”2378g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例15)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B”78g、“保護(hù)層材料C” 54. Sg、“添加劑A” 3. 12g、“添加劑B” 6. 20g、“乙酸乙酯” 2378g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例I6)
使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B” 117g、“保護(hù)層材料D”9. 47g、“添加劑A” 3. 12g、“添加劑B，，6. 20g、“乙酸乙酯” 2385g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例I7)使導(dǎo)電層為“導(dǎo)電層G”，除此以外，與實(shí)施例5同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例18)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料E” 80g、“添加劑A” 3. Olg,“添加劑B”5. 98g、“乙酸乙酯”2344g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù) 層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例19)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料D” 100g、“添加劑A” 3. 29g、“添加劑B”3. 27g、“添加劑C”3. 27g、“乙酸乙酯”2551g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例2O)不使用“添加劑B”，而是將所使用的添加劑設(shè)定為“添加劑D”，除此以外，與實(shí)施例18同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例21)不使用“添加劑C”，而是將所使用的添加劑設(shè)定為“添加劑D”，除此以外，與實(shí)施例19同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例22)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料A”500g、“添加劑G”0.75g、“乙酸乙酯” 1501. 25g，除此以外，與實(shí)施例I同樣地制作，設(shè)置厚度為SOOnm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例23)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料N” 150. 3g、“添加劑A” 3. 60g、“添加劑B”7. 15g、“乙酸乙酯”2747g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例24)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料E”87.5g、“添加劑A”3.29g、“添加劑B”3. 27g、“添加劑C”3. 27g、“乙酸乙酯”2563g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例25)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料D” 100g、“添加劑A” 3. 29g、“添加劑B” 3. 27g、“添加劑C” 3. 27g、“乙酸乙酯” 2551g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(實(shí)施例26)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料C” 123. 3g、“保護(hù)層材料H”6. 63g、“添加劑A”3. 12g、“添加劑B”6. 20g、“乙酸乙酯”2382g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度為310nm的保護(hù)層，得到本發(fā)明的導(dǎo)電層合體。(比較例I)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式會(huì)社制造)制成層合體，而不設(shè)置導(dǎo)電層和保護(hù)層。(比較例2)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式會(huì)社制造)作為基材，在基材的單面上僅層合“導(dǎo)電層B”，不設(shè)置保護(hù)層，制成導(dǎo)電層合體。(比較例3)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式會(huì)社制造)作為基材，在基材的單面上僅層合“導(dǎo)電層C”，不設(shè)置保護(hù)層，制成導(dǎo)電層合體。(比較例4)使導(dǎo)電層為“導(dǎo)電層F”，除此以外，與實(shí)施例5同樣地制作，在由非線狀結(jié)構(gòu)體的球狀導(dǎo)電成分構(gòu)成的導(dǎo)電層上設(shè)置厚度310nm的保護(hù)層，得到導(dǎo)電層合體。(比較例5)使導(dǎo)電層為“導(dǎo)電層H”，除此以外，與實(shí)施例5同樣地制作，在由非線狀結(jié)構(gòu)體的薄膜形式的導(dǎo)電成分形成的導(dǎo)電層上設(shè)置厚度310nm的保護(hù)層，得到導(dǎo)電層合體。(比較例6)使保護(hù)層涂布液的組成為“保護(hù)層材料B”450g、“添加劑A”10.79g、“添加劑B”21. 46g、“乙酸乙酯”2056g，除此以外，與實(shí)施例3同樣地制作，設(shè)置厚度t =厚度IlOOnm的保護(hù)層，相對(duì)于線狀結(jié)構(gòu)體，保護(hù)層的平均厚度t足夠厚，得到導(dǎo)電層合體。(比較例7)將厚度125 ii m的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、Lumiror (注冊(cè)商標(biāo))U46 (東麗株式會(huì)社制造)作為基材，在基材的單面上層合“導(dǎo)電層C”。接著，將“保護(hù)層材料K”50g、“乙酸乙酯”2325g混合、攪拌，制作保護(hù)層涂布液。通過微凹版印刷(照相凹版線號(hào)80R、照相凹版旋轉(zhuǎn)比100% )，將該保護(hù)層涂布液涂布在上述“導(dǎo)電層C”上，在120°C干燥2分鐘，從而設(shè)置由不具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)且對(duì)除去劑沒有耐受性的丙烯酸類樹脂形成的厚度為75nm的保護(hù)層，得到導(dǎo)電層合體。權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電層合體，其特征在于，在基材的至少一面層合有具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層、和保護(hù)層，保護(hù)層的平均厚度t為100 lOOOnm。
2.如權(quán)利要求I所述的導(dǎo)電層合體，其中，將含有酸成分且pH為2.O的除去劑于130°C下涂布在保護(hù)層上3分鐘，將此時(shí)的保護(hù)層的除去厚度設(shè)為X，則保護(hù)層具有比X厚的部分和比X薄的部分。
3.如權(quán)利要求I或2所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述保護(hù)層是使用不含下述任一物質(zhì)的高分子化合物而形成的， S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán) 的N元素。
4.如權(quán)利要求I 3中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述保護(hù)層的表面的純水接觸角為80°以上，且油酸接觸角為13°以上。
5.如權(quán)利要求3或4所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述高分子化合物具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述線狀結(jié)構(gòu)體為銀納米線，并且保護(hù)層為不含下述任一物質(zhì)的多官能丙烯酸類高分子化合物或者多官能甲基丙烯酸類高分子化合物， S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素。
7.如權(quán)利要求I 5中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體，其中，所述線狀結(jié)構(gòu)體為碳納米管，并且保護(hù)層為不含下述任一物質(zhì)的多官能丙烯酸類高分子化合物或者多官能甲基丙烯酸類高分子化合物， S元素、P元素、金屬元素、金屬離子、構(gòu)成官能團(tuán)的N元素。
8.如權(quán)利要求I 7中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體，其中，在所述保護(hù)層中含有兩種以上光引發(fā)劑，各自的最大吸收波長值之差為20nm以上。
9.如權(quán)利要求I 8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體，其中，從保護(hù)層側(cè)入射時(shí)的基于JISK7361-l(1997年)的全光線透過率為80%以上。
10.一種酸處理導(dǎo)電層合體，其是通過將含有酸成分且pH為2. O的除去劑于130°C下涂布在權(quán)利要求I 9中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體的保護(hù)層上3分鐘而得到的，所述酸處理導(dǎo)電層合體具有導(dǎo)電區(qū)域和非導(dǎo)電區(qū)域，在所述非導(dǎo)電區(qū)域中除去了導(dǎo)電成分，且存在導(dǎo)電成分的不殘存除去痕。
11.一種觸控面板，其是使用權(quán)利要求I 9中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電層合體而形成的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種導(dǎo)電層合體，其對(duì)在將導(dǎo)電層合體加工形成用于觸控面板等的電極構(gòu)件時(shí)的化學(xué)蝕刻中所使用的除去劑具有耐受性，對(duì)熱具有良好的耐久性。所述導(dǎo)電層合體的特征在于，在基材的至少一面從基材側(cè)層合有導(dǎo)電層和保護(hù)層，所述導(dǎo)電層包含具有由線狀結(jié)構(gòu)體構(gòu)成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電成分，保護(hù)層的平均厚度t為100～1000nm。
文檔編號(hào)H01B5/14GK102630327SQ20108005320
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2010年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者佐藤義和, 關(guān)口廣樹, 渡邊修, 真多淳二 申請(qǐng)人:東麗株式會(huì)社