專利名稱：晶片干燥裝置以及利用該裝置的晶片干燥方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片干燥裝置以及利用該裝置的晶片干燥方法，更加詳細(xì)而言， 尤其涉及能夠減少晶片的損傷且能夠減少氣體使用量的晶片干燥裝置以及利用該裝置的晶片干燥方法。
背景技術(shù)：
晶片雖然有多種，但是在半導(dǎo)體、LED (Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)、光伏電池等的制造中所使用的晶片具有700 μ m以下的厚度。作為晶片干燥方式，通常使用利用高溫的氮?dú)舛舭l(fā)水分的方式。然而，如果利用這種方式，則需要長時(shí)間供給干燥氮?dú)猓⑶揖蚋稍锏獨(dú)鈺?huì)晃動(dòng)，因此存在發(fā)生晶片損傷的隱患。對(duì)于現(xiàn)有的晶片干燥器的工作進(jìn)一步具體說明如下。即，首先在第一步驟中，在裝有超純水的水槽內(nèi)放置承載有晶片的盒子(cassette)，噴射異丙醇(IPA)/氮?dú)饣旌蠚怏w， 利用marangoni力(marangoni force)，進(jìn)行干燥。然后，在第二步驟中，提供300 4001pm 的氮?dú)猓M(jìn)行干燥。此時(shí)，在第一步驟中晶片會(huì)貼在盒子的傾斜面，因此在第二步驟中需要提供非常強(qiáng)的氮?dú)獠拍苁咕蛛x。如果晶片不與盒子分離，則由于無法干燥，因此會(huì)產(chǎn)生水印 (water mark)、微粒(particle)。并且，由于晶片的厚度非常薄，因此會(huì)發(fā)生晶片彎曲的現(xiàn)象，據(jù)此導(dǎo)致晶片之間接觸。如果晶片之間接觸，則難以從貼合的狀態(tài)再次分離。為了解決這種問題，只能加寬晶片之間的間距。因此，會(huì)導(dǎo)致單次工藝中能夠處理的晶片的數(shù)量減少。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題本發(fā)明的目的在于提供一種能夠減少晶片的損傷且能夠減少氣體使用量的晶片干燥裝置以及利用該裝置的晶片干燥方法。技術(shù)方案為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一方面提供一種晶片干燥裝置，包括工藝室，側(cè)面固定有第一旋轉(zhuǎn)軸，上部形成有可移動(dòng)的第二旋轉(zhuǎn)軸，下部形成有第一排水口 ；傾斜臂，固定在所述第一旋轉(zhuǎn)軸和所述第二旋轉(zhuǎn)軸，末端固定有承載晶片的盒子；第一噴嘴，向所述盒子供給IPA/氮?dú)鈿怏w；螺桿，使所述第二旋轉(zhuǎn)軸向第一方向或第二方向移動(dòng)；驅(qū)動(dòng)電機(jī)，旋轉(zhuǎn)所述螺桿。進(jìn)一步地提供一種所晶片干燥裝置，所述工藝室的上部側(cè)面形成有噴射純水的第二噴嘴，另一側(cè)面形成有第二排水口，從所述第二噴嘴噴射的純水通過所述第二排水口排
出O為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第二方面提供一種利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，包括第一步驟，具有向第一方向或第二方向移動(dòng)螺桿而使傾斜臂傾斜的工藝室，在所述傾斜臂上固定承載有晶片的盒子，然后向第一方向移動(dòng)所述螺桿，以使所述盒子傾斜于純水界面；第二步驟，利用所述工藝室內(nèi)的純水清洗所述晶片；第三步驟，向所述工藝室噴射純水，向外部排出漂浮在所述純水界面的異物；第四步驟，向所述盒子噴射IPA/氮?dú)鈿怏w，通過排水口排出所述工藝室內(nèi)的純水，由此干燥所述晶片；第五步驟，向所述第二方向移動(dòng)所述螺桿，向所述盒子噴射IPA/氮?dú)鈿怏w，由此干燥所述晶片；第六步驟，向所述第一方向移動(dòng)所述螺桿，向所述盒子噴射IPA/氮?dú)鈿怏w，由此干燥所述晶片。進(jìn)一步地提供一種利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，還包括第七步驟，在第六步驟后，向所述第一方向和第二方向移動(dòng)所述螺桿，向所述盒子供給IPA/氮?dú)鈿怏w，由此干燥所述晶片，但與所述第五步驟和所述第六步驟的移動(dòng)距離相比，第七步驟的移動(dòng)距離短。進(jìn)一步地提供一種利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，所述IPA/氮?dú)鈿怏w在每個(gè)步驟中供給150 ^Olprn。進(jìn)一步地提供一種利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，所述IPA/氮?dú)鈿怏w供給 80 1401pm。有益效果根據(jù)本發(fā)明的晶片干燥裝置以及利用該干燥裝置的晶片干燥方法，由于能夠有效地噴射IPA/氮?dú)饣旌蠚怏w，因此能夠減少氣體的使用量，并且由于能夠減少晶片之間接觸的現(xiàn)象，因此能夠防止晶片損傷。


圖1的(a)和(b)為表示根據(jù)本發(fā)明的晶片干燥裝置的側(cè)視圖。圖2的(a)和(b)為表示晶片干燥裝置中采用的噴嘴和盒子的示意圖。圖3為表示利用根據(jù)本發(fā)明的晶片干燥裝置而對(duì)晶片進(jìn)行干燥的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。圖1的(a)和(b)為表示根據(jù)本發(fā)明的晶片干燥裝置的側(cè)視圖。圖2的(a)和(b) 為表示晶片干燥裝置中采用的噴嘴和盒子的示意圖。參照圖1的(a)、(b)以及圖2的(a)、 (b)，晶片干燥裝置包括工藝室、第一旋轉(zhuǎn)軸102、第二旋轉(zhuǎn)軸106、噴嘴104、傾斜臂101、螺桿 105。工藝室的側(cè)面附著有第一旋轉(zhuǎn)軸102，工藝室的上部形成有第二旋轉(zhuǎn)軸106。并且，下部形成有第一排水口 107。并且，工藝室的上部的兩側(cè)面形成有第二噴嘴和第二排水口。在工藝室中可以進(jìn)行基于清洗液的洗滌工序和基于IPA和氮?dú)獾幕旌蠚怏w的干燥工序。在第一旋轉(zhuǎn)軸102和第二旋轉(zhuǎn)軸106上連接有傾斜臂101，并且傾斜臂101的下端設(shè)有工藝架(stage)，在工藝架上固定盒子(cassette) 103。螺桿105進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而將旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)轉(zhuǎn)換為直線運(yùn)動(dòng)，由此進(jìn)行前后移動(dòng)。據(jù)此，能夠使連接于螺桿105上的第二旋轉(zhuǎn)軸106進(jìn)行直線運(yùn)動(dòng)。螺桿105根據(jù)驅(qū)動(dòng)電機(jī)100而沿著順時(shí)針方向或逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。
噴嘴104具有供給氮?dú)獾墓┙o部104b和排出氮?dú)獾牡谝粐娮?04a，并且如圖2所示，具有H形狀。從噴嘴104供給的氮?dú)馐怯糜谑咕?03a不與盒子103的狹縫部分附著而提供的。形成在噴嘴104的H形狀的縱列部分，形成在靠近晶片103a與盒子103的狹縫接觸的部分，據(jù)此能夠向晶片103a與盒子103的狹縫之間的空間有效地噴射氮?dú)?。從而?可以減少氮?dú)獾氖褂昧?。傾斜臂101通過第一旋轉(zhuǎn)軸102和第二旋轉(zhuǎn)軸106而位于工藝室內(nèi)。并且，傾斜臂101的末端形成有工藝架，在工藝架上放置承載有晶片103a的盒子103。此時(shí)，盒子103 根據(jù)傾斜臂101而傾斜。對(duì)于傾斜臂101的動(dòng)作進(jìn)一步具體說明如下。即，第一旋轉(zhuǎn)軸102 固定在工藝室，而第二旋轉(zhuǎn)軸106在工藝室的上部通過螺桿105的運(yùn)動(dòng)而如圖1的(a)所示向右側(cè)運(yùn)動(dòng)，或者如圖1的(b)所示向左側(cè)運(yùn)動(dòng)。并且，根據(jù)第二旋轉(zhuǎn)軸106的移動(dòng)距離， 傾斜臂101的傾斜角度可被調(diào)節(jié)。并且，由于盒子103固定在傾斜臂101的末端，因此當(dāng)傾斜臂101傾斜時(shí)，盒子103也會(huì)傾斜。盒子103的內(nèi)部形成有多個(gè)狹縫，晶片103a位于狹縫內(nèi)，由此使晶片103a固定在盒子103內(nèi)。圖3為表示利用根據(jù)本發(fā)明的晶片干燥裝置對(duì)晶片進(jìn)行干燥的方法的流程圖。參照圖3說明如下。第一步驟ST100 將盒子103放置于傾斜臂101的工藝架。第二步驟STllO 旋轉(zhuǎn)螺桿105，以使傾斜臂101和螺桿105的第二旋轉(zhuǎn)軸106向第一方向移動(dòng)。此時(shí)，第一方向?yàn)楣に囀业挠覀?cè)方向。如果第二旋轉(zhuǎn)軸106沿著第一方向移動(dòng)，則傾斜臂101將會(huì)傾斜。如果傾斜臂101傾斜，則晶片因重力，只有一側(cè)面與盒子的狹縫接觸，而另一側(cè)面會(huì)分離。第三步驟ST120 向晶片干燥裝置的工藝室內(nèi)供給純水，用純水清洗晶片103a。作為清洗晶片103a的方法如下預(yù)先在工藝室內(nèi)盛裝純水的狀態(tài)下，使盒子103位于工藝室內(nèi)，以使晶片103a位于工藝室內(nèi)。此時(shí)，貼在晶片103a的表面上的異物會(huì)漂浮在純水的界面。此時(shí)，從形成在工藝室的上端左側(cè)的第二噴嘴放進(jìn)純水，從形成在工藝室的上端右側(cè)的第二排水口排出純水。這樣會(huì)使漂浮在純水界面上的異物與純水一同通過第二排水口流出到外部。第四步驟ST130 關(guān)閉第二噴嘴和第二排水口。然后，通過形成在噴嘴104的第一噴嘴10 噴射IPA/氮?dú)饣旌蠚怏w。并且，打開第一排水口 107，由此工藝室內(nèi)的純水將通過第一排水口 107被排出。根據(jù)IPA和氮?dú)獾幕旌蠚怏w而發(fā)生Marangoni現(xiàn)象，據(jù)此晶片 103a被干燥。此時(shí)，盒子103因傾斜臂101而處于傾斜的狀態(tài)，因此晶片103a以不垂直于水面的狀態(tài)存在。如果在晶片103a位于與純水的水面垂直的狀態(tài)下，純水通過第一排水口 107排出，則會(huì)發(fā)生純水的晶片和晶片之間等的壓力差，因此晶片103a因壓力而會(huì)發(fā)生彎曲，從而相鄰的晶片之間會(huì)附著。如果晶片103a之間附著，則不會(huì)分離，即使分離，晶片 103a也會(huì)發(fā)生損傷。因此，會(huì)增加各個(gè)晶片103a之間的間距，據(jù)此導(dǎo)致單次工藝中能夠處理的晶片103a的數(shù)量減少。但是，如果在晶片103a傾斜而不與純水的水面垂直的狀態(tài)下， 純水通過第一排水口 107排出，則晶片103a不會(huì)附著到相鄰的晶片103a上。由此，能夠減少晶片103a的損傷，而且單次工藝中能夠處理的晶片103a的數(shù)量與不傾斜的情況相比，會(huì)更多。并且，晶片103a因IPA/氮?dú)饣旌蠚怏w而從盒子103的狹縫分離。據(jù)此，存在于晶片 103a與盒子103的狹縫接觸的面的純水會(huì)被排出。
第五步驟ST140 將螺桿105的旋轉(zhuǎn)方向改為相反方向，以使第二旋轉(zhuǎn)軸106向第二方向移動(dòng)。第二方向?yàn)楣に囀业淖髠?cè)方向。在這種狀態(tài)下，從I噴嘴104噴射IPA/N2，使晶片103a的另一個(gè)面與狹縫分離，以使存在于晶片103a與盒子103的狹縫接觸的面的純水排出。第六步驟ST150 將螺桿105的旋轉(zhuǎn)方向交替地改變成順時(shí)針方向和逆時(shí)針方向， 以使第二旋轉(zhuǎn)軸106能夠向第一方向和第二方向交替地移動(dòng)。據(jù)此，連續(xù)排出IPA/氮?dú)饣旌蠚怏w，以使存在于晶片103a與盒子103的狹縫之間的純水能夠有效地排出。第七步驟ST160 將螺桿105的旋轉(zhuǎn)方向交替地改變成順時(shí)針方向和逆時(shí)針方向， 以使第二旋轉(zhuǎn)軸106能夠向第一方向和第二方向交替地移動(dòng)，而且減少螺桿105的旋轉(zhuǎn)數(shù)， 以使第二旋轉(zhuǎn)軸106向第一方向和第二方向移動(dòng)的距離減少。如果第二旋轉(zhuǎn)軸向第一方向和第二方向移動(dòng)的距離減少，則會(huì)減小傾斜臂101的傾斜角度，最終減少晶片103a的傾斜角度。即使晶片103a傾斜的角度減小，晶片103a也會(huì)根據(jù)IPA/氮?dú)饣旌蠚怏w而干燥，因此殘留在晶片103a或盒子103的狹縫的純水變少，據(jù)此晶片103a能夠容易與盒子的狹縫分離。并且，還能減少IPA/氮?dú)饣旌蠚怏w的噴射量。第八步驟ST170 去除工藝室內(nèi)的氮?dú)狻５诰挪襟EST180 從工藝架上取下盒子103，結(jié)束晶片103a的干燥過程。對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例使用特定用語作了記載，但是這些記載僅是為了進(jìn)行說明，應(yīng)當(dāng)理解為在不脫離權(quán)利要求書的技術(shù)思想和范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更以及變形。
權(quán)利要求
1.一種晶片干燥裝置，包括工藝室，側(cè)面固定有第一旋轉(zhuǎn)軸，上部形成有可移動(dòng)的第二旋轉(zhuǎn)軸，下部形成有第一排水口 ；傾斜臂，固定在所述第一旋轉(zhuǎn)軸和所述第二旋轉(zhuǎn)軸，末端固定有承載晶片的盒子；第一噴嘴，向所述盒子供給異丙醇/氮?dú)鈿怏w；螺桿，使所述第二旋轉(zhuǎn)軸向第一方向或第二方向移動(dòng)；驅(qū)動(dòng)電機(jī)，旋轉(zhuǎn)所述螺桿。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片干燥裝置，所述工藝室的上部側(cè)面形成有噴射純水的第二噴嘴，另一側(cè)面形成有第二排水口，從所述第二噴嘴噴射的純水通過所述第二排水口排出。
3.利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，包括第一步驟，具有向第一方向或第二方向移動(dòng)螺桿而使傾斜臂傾斜的工藝室，在所述傾斜臂上固定承載有晶片的盒子，然后向第一方向移動(dòng)所述螺桿，以使所述盒子傾斜于純水界面；第二步驟，利用所述工藝室內(nèi)的純水清洗所述晶片；第三步驟，向所述工藝室噴射純水，向外部排出漂浮在所述純水界面的異物；第四步驟，向所述盒子噴射異丙醇/氮?dú)鈿怏w，并通過排水口排出所述工藝室內(nèi)的純水，由此干燥所述晶片；第五步驟，向所述第二方向移動(dòng)所述螺桿，向所述盒子噴射異丙醇/氮?dú)鈿怏w，由此干燥所述晶片；第六步驟，向所述第一方向移動(dòng)所述螺桿，向所述盒子噴射異丙醇/氮?dú)鈿怏w，由此干燥所述晶片。
4.如權(quán)利要求3所述的利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，還包括第七步驟，在第六步驟之后，向所述第一方向和第二方向移動(dòng)所述螺桿，向所述盒子供給異丙醇/氮?dú)鈿怏w， 由此干燥所述晶片，但與所述第五步驟和所述第六步驟的移動(dòng)距離相比，第七步驟的移動(dòng)距離短。
5.如權(quán)利要求3所述的利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，所述異丙醇/氮?dú)鈿怏w在每個(gè)步驟中供給150 ^Olpm。
6.如權(quán)利要求4所述的利用晶片干燥裝置的晶片干燥方法，所述異丙醇/氮?dú)鈿怏w供給 80 1401pm。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠減少晶片的損傷且能夠減少氣體使用量的晶片干燥裝置以及利用該裝置的晶片干燥方法。本發(fā)明涉及一種晶片干燥裝置以及利用該裝置的晶片干燥方法，包括工藝室，側(cè)面固定有第一旋轉(zhuǎn)軸，上部形成有可移動(dòng)的第二旋轉(zhuǎn)軸，下部形成有第一排水口；傾斜臂，固定在所述第一旋轉(zhuǎn)軸和所述第二旋轉(zhuǎn)軸，末端固定有承載晶片的盒子；第一噴嘴，向所述盒子供給IPA/氮?dú)鈿怏w；螺桿，使所述第二旋轉(zhuǎn)軸向第一方向或第二方向移動(dòng)；驅(qū)動(dòng)電機(jī)，旋轉(zhuǎn)所述螺桿。
文檔編號(hào)H01L21/304GK102484055SQ201080031255
公開日2012年5月30日 申請日期2010年7月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月10日
發(fā)明者盧奉鎬, 崔憲植, 洪性昊, 金德鎬 申請人:Apet株式會(huì)社