專利名稱：保護(hù)元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種保護(hù)元件，用以在對(duì)電子設(shè)備等施加過(guò)大電流或電壓的情況下， 通過(guò)該熱量使可熔性導(dǎo)體熔斷，以阻斷電流。
背景技術(shù)：
以往，裝載于二次電池裝置等中的保護(hù)元件，不僅使用具有過(guò)電流防止功能的保護(hù)元件，也使用具有過(guò)電壓防止功能的保護(hù)元件。該保護(hù)元件以方式形成在基板上積層發(fā)熱體與由低熔點(diǎn)金屬體構(gòu)成的可熔性導(dǎo)體，通過(guò)過(guò)電流使可熔性導(dǎo)體熔斷，且在產(chǎn)生過(guò)電壓時(shí)也可對(duì)保護(hù)元件內(nèi)的發(fā)熱體通電，通過(guò)發(fā)熱體的熱量而使可熔性導(dǎo)體熔斷。可熔性導(dǎo)體的熔斷是由于在作為屬低熔點(diǎn)金屬的可熔性導(dǎo)體熔融時(shí)，對(duì)所連接的電極表面的良好濕潤(rùn)性而產(chǎn)生。熔融后的低熔點(diǎn)金屬被吸引至電極上，其結(jié)果便使可熔性導(dǎo)體被截?cái)喽钄嚯娏?。另一方面，隨著近年來(lái)可攜式設(shè)備等的電子設(shè)備的小型化，對(duì)此種保護(hù)元件也要求小型化/薄型化，且要求動(dòng)作的穩(wěn)定性與高速化，作為其辦法，有一種將低熔點(diǎn)金屬體的可熔性導(dǎo)體配置于絕緣基板上，同時(shí)以絕緣蓋將其密封，并在可熔性導(dǎo)體上涂布助熔劑來(lái)構(gòu)成的辦法。該助熔劑設(shè)置為，實(shí)現(xiàn)可熔性導(dǎo)體表面的抗氧化的同時(shí)，在可熔性導(dǎo)體加熱時(shí)迅速穩(wěn)定地使可熔性導(dǎo)體熔斷。作為這樣的保護(hù)元件，有如圖9所示的構(gòu)造的產(chǎn)品。該保護(hù)元件在基座基板1上設(shè)有一對(duì)電極2，在與電極2垂直相交的另一側(cè)對(duì)向緣部，也設(shè)有圖中未顯示的一對(duì)電極。在圖中未顯示的電極間設(shè)有由電阻構(gòu)成的發(fā)熱體5，并通過(guò)絕緣層6設(shè)有連接于圖中未顯示的電極的一側(cè)的導(dǎo)體層7。在該保護(hù)元件中，在形成于基座基板1兩端上的一對(duì)電極2間， 設(shè)有由低熔點(diǎn)金屬箔構(gòu)成的可熔性導(dǎo)體3?？扇坌詫?dǎo)體3的中央部連接于導(dǎo)體層7。并且， 與基座基板1上的可熔性導(dǎo)體3相面對(duì)，設(shè)有絕緣蓋4。安裝于基座基板1上的絕緣蓋4相對(duì)于可熔性導(dǎo)體3覆蓋，從而形成所定空間8。在可熔性導(dǎo)體3上涂布有助熔劑9，助熔劑 9則收容于絕緣蓋4內(nèi)的空間8內(nèi)。另外，作為以絕緣蓋來(lái)密封可熔性導(dǎo)體的保護(hù)元件，也有一種專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的構(gòu)造的產(chǎn)品。該保護(hù)元件由于因薄型化導(dǎo)致在可熔性導(dǎo)體熔斷時(shí)，熔融金屬聚集于電極上的空間較為狹窄，因此為了確實(shí)地將熔融金屬拉往各電極部分，在與絕緣蓋內(nèi)面的各電極相面對(duì)的部位設(shè)置對(duì)熔融金屬濕潤(rùn)性良好的金屬圖案，以使熔融金屬迅速地拉往各電極形成部。此外，如專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的那樣，為了防止動(dòng)作溫度的偏差，已提出一種將助熔劑涂布于可熔合金片上，且在連接有可熔合金的電極周圍設(shè)置槽或玻璃帶體，以防止熔融合金的濕潤(rùn)擴(kuò)展的方案。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2004-265617號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2007-294117號(hào)公報(bào)在上述圖9所示的產(chǎn)品或?qū)＠墨I(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2所公開(kāi)的保護(hù)元件中，助熔劑用于可熔性導(dǎo)體的抗氧化、以及用于在異常電流/電壓下熔斷的活性劑，助熔劑的保留狀態(tài)對(duì)動(dòng)作速度會(huì)造成影響。特別是，為了減輕環(huán)境負(fù)擔(dān)而使用不含溴(Br)等鹵素成分的無(wú)鹵素助熔劑時(shí)，此種助熔劑的活性度較低，助熔劑的狀態(tài)對(duì)可熔性導(dǎo)體的熔斷速度會(huì)大幅造成影響。即，如圖10所示，在絕緣蓋4中，可熔性導(dǎo)體3上的助熔劑9會(huì)出現(xiàn)無(wú)法穩(wěn)定保持于空間8的中央部而偏向左右的其中一側(cè)的情形。此種情況下，可熔性導(dǎo)體3的熔融金屬便易于流入保持有助熔劑9的部位，在助熔劑9不足的部位呈現(xiàn)可熔性導(dǎo)體3不易熔融的現(xiàn)象，而產(chǎn)生至確實(shí)熔斷為止的時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)的問(wèn)題。再者，如專利文獻(xiàn)1所述的發(fā)明那樣，將金屬圖案形成于絕緣蓋上的構(gòu)造、或如專利文獻(xiàn)2所述的發(fā)明那樣，將槽或帶體設(shè)置于電極周邊的構(gòu)造中，并無(wú)法預(yù)先穩(wěn)定地留住可熔性導(dǎo)體上的助熔劑。而且，在專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的構(gòu)造的將金屬圖案形成于絕緣蓋的方法中，必須在成型絕緣蓋后印刷金屬圖案，而會(huì)使材料成本變高。同樣地，在專利文獻(xiàn)2 所公開(kāi)的構(gòu)造中，也必須將用以防止熔融合金濕潤(rùn)擴(kuò)展的槽或玻璃帶體設(shè)置于連接有可熔合金的電極的周圍，因而耗費(fèi)成本。另外，專利文獻(xiàn)1的構(gòu)造中，在絕緣蓋側(cè)引起熱變形等時(shí)，也因與絕緣蓋的距離接近，而會(huì)有造成電極與絕緣蓋的金屬圖案短路的危險(xiǎn)。此外，如上述那樣將助熔劑9的位置預(yù)先穩(wěn)定地留住于中央部雖然重要，但在覆蓋絕緣蓋4之后便無(wú)從了解內(nèi)部的狀態(tài)，而也有希望能確認(rèn)助熔劑9是否留在中央部或助熔劑本身是否已被涂布的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述背景技術(shù)而完成，目的在于提供一種保護(hù)元件，其能夠?qū)⒖扇坌詫?dǎo)體上的助熔劑穩(wěn)定地保持于所定位置，且可確認(rèn)助熔劑的保持狀態(tài)，在異常時(shí)可熔性導(dǎo)體能夠迅速熔斷。本發(fā)明提供一種保護(hù)元件，其具有可熔性導(dǎo)體，該可熔性導(dǎo)體配置于絕緣性的基座基板上且連接于保護(hù)對(duì)象設(shè)備的電力供應(yīng)線路，并通過(guò)所定的異常電力熔斷；絕緣蓋，該絕緣蓋隔著所定空間覆蓋所述可熔性導(dǎo)體且安裝于所述基座基板；以及助熔劑，該助熔劑涂布于所述可熔性導(dǎo)體表面且位于所述空間內(nèi)，在所述異常電力供應(yīng)至所述保護(hù)對(duì)象設(shè)備時(shí)，所述可熔性導(dǎo)體即熔斷以阻斷該電流線路，其中，在所述絕緣蓋上，對(duì)向于所述可熔性導(dǎo)體形成有由透孔所構(gòu)成的開(kāi)口部，且所述助熔劑接觸于該開(kāi)口部的周緣部，而在所述可熔性導(dǎo)體上能夠?qū)⑺鲋蹌┍３钟谒隹臻g內(nèi)的所定位置。所述開(kāi)口部形成于所述絕緣蓋的中央部，且由與所述可熔性導(dǎo)體中央部相面對(duì)的大口徑的開(kāi)口部所構(gòu)成。并且，所述開(kāi)口部?jī)?yōu)選以透明的膜來(lái)覆蓋。另外，所述開(kāi)口部?jī)?yōu)選在所述絕緣蓋上形成有多個(gè)。再者，多個(gè)所述開(kāi)口部也最好以透明的膜來(lái)覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)元件，由于在絕緣蓋上設(shè)置了開(kāi)口部，因此可使助熔劑確實(shí)穩(wěn)定地保持于開(kāi)口部的周緣部。由此，尤其在使用活性度較低的助熔劑(無(wú)鹵素的助熔劑等) 時(shí)，可防止因助熔劑涂布后的保持狀態(tài)的偏移所造成的活性度的偏移，在可熔性導(dǎo)體的熔斷動(dòng)作，尤其在低電力的發(fā)熱動(dòng)作特性方面，可極度縮小動(dòng)作的偏差。而且，通過(guò)使用無(wú)鹵素的助熔劑而可提供環(huán)境負(fù)擔(dān)較小的保護(hù)元件。另外，通過(guò)將開(kāi)口部設(shè)置于絕緣蓋，即可通過(guò)目視來(lái)檢查內(nèi)部的助熔劑的狀態(tài)。


圖1為本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件卸除了絕緣蓋的狀態(tài)的俯視圖。圖2為安裝有絕緣蓋的狀態(tài)的圖1的A-A截面圖。圖3為本實(shí)施形態(tài)的絕緣蓋的俯視圖。圖4為表示本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件的使用例的電路圖。圖5為本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的縱截面圖。圖6為本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的絕緣蓋的俯視圖。圖7為本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的縱截面圖。圖8為本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的變形例的縱截面圖。圖9為公知保護(hù)元件的縱截面圖。圖10為表示公知保護(hù)元件的助熔劑的狀態(tài)的縱截面圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明10保護(hù)元件11基座基板12，21 電極13可熔性導(dǎo)體14絕緣蓋15發(fā)熱體16絕緣層18 空間19助熔劑20 開(kāi)口部
具體實(shí)施例方式以下，針對(duì)本發(fā)明的保護(hù)元件的第一實(shí)施形態(tài)，根據(jù)圖1 圖4加以說(shuō)明。本實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10，在絕緣性的基座基板11的上面兩端設(shè)有一對(duì)電極12，在與一對(duì)電極12 垂直相交的對(duì)向緣部也設(shè)有另一對(duì)電極21。在一對(duì)電極21上連接有由電阻構(gòu)成的發(fā)熱體 15。在發(fā)熱體15上則隔著絕緣層16積層有連接于一側(cè)電極21的導(dǎo)體層17。此外，在導(dǎo)體層I7與一對(duì)電極12上涂布有圖中未顯示的焊糊，通過(guò)焊糊連接固定有由低熔點(diǎn)金屬構(gòu)成的熔線的可熔性導(dǎo)體13。再者，在基座基板11上與可熔性導(dǎo)體13相面對(duì)而安裝有絕緣體的絕緣蓋14。此處，作為基座基板11的材質(zhì)，只要是具有絕緣性的材料即可，例如優(yōu)選使用于諸如陶瓷基板、玻璃環(huán)氧基板那樣的印刷電路基板的絕緣基板。此外，配合相應(yīng)用途，可使用玻璃基板、樹(shù)脂基板、絕緣處理金屬基板等，但最好是耐熱性優(yōu)異且熱傳導(dǎo)性良好的陶瓷基板。作為電極12、21及導(dǎo)體層17，可使用銅等金屬箔或表面以Ag_Pt、Au等鍍敷的導(dǎo)體材料。另外，涂布Ag糊等導(dǎo)電性糊而燒成的導(dǎo)體層及電極也可，以蒸鍍等所形成的金屬
5薄膜結(jié)構(gòu)也可。作為可熔性導(dǎo)體13的低熔點(diǎn)金屬，只要是能以所定電力熔融的材料即可，作為熔線材料可使用公知的各種低熔點(diǎn)金屬。例如，BiSnPb合金、BiPbSn合金、BiPb合金、BiSn 合金、SnPb合金、SnAg合金、PWn合金、ZnAl合金、hSn合金、及PbAgSn合金等。形成發(fā)熱體15的電阻，其為涂布例如由氧化釕、碳黑等導(dǎo)電材料與玻璃等無(wú)機(jī)系黏結(jié)劑、或熱固性樹(shù)脂等有機(jī)系黏結(jié)劑所構(gòu)成的電阻糊后再加以燒成的制品。另外，也可為印刷氧化釕、碳黑等的薄膜后再予以烘烤的制品、或通過(guò)鍍敷、蒸鍍、濺鍍形成的制品、也可為將這些電阻材料的膜予以貼附、積層等而形成的制品。安裝于基座基板11的絕緣蓋14，其一側(cè)面部形成為開(kāi)口的箱狀，對(duì)可熔性導(dǎo)體13 形成所定空間18，并覆蓋于基座基板11。絕緣蓋14上，在與可熔性導(dǎo)體13的中央部相面對(duì)的位置，以同心形成有圓形的開(kāi)口部20。開(kāi)口部20以對(duì)基座基板11的投影位置為圍繞發(fā)熱體15的中心部的方式而形成。絕緣蓋14的材質(zhì)，只要是具有可耐受可熔性導(dǎo)體13熔斷時(shí)的熱量的耐熱性、及具有作為保護(hù)元件10的機(jī)械強(qiáng)度的絕緣材料即可。例如可以為用于諸如玻璃、陶瓷、塑料、玻璃環(huán)氧樹(shù)脂那樣的印刷電路基板的基板材料等各種材料。再者，也可以是使用金屬板并將絕緣性樹(shù)脂等絕緣層形成于與基座基板11的對(duì)向面的制品。較佳為，若是如陶瓷那樣的機(jī)械強(qiáng)度及絕緣性較高的材料，則有助于保護(hù)元件整體的薄型化，故較佳。在可熔性導(dǎo)體13的表面整面上，設(shè)有助熔劑19，以防止其表面的氧化。助熔劑19 較佳為不含溴等鹵素元素的無(wú)鹵素的助熔劑。助熔劑19在可熔性導(dǎo)體13上，通過(guò)表面張力保持并收容于空間18內(nèi)，且如圖2所示，附著在形成于絕緣蓋14的開(kāi)口部20的周緣部及內(nèi)面14a，通過(guò)其濕潤(rùn)性及表面張力而更穩(wěn)定地保持。由此，助熔劑19在可熔性導(dǎo)體13的中央部，不會(huì)產(chǎn)生位置偏移而被穩(wěn)定地保持。此外，助熔劑19中的溶劑從開(kāi)口部20揮發(fā)， 如虛線所示的那樣，助熔劑19的表面形成為圓弧狀的凹狀。其次，作為將本實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10使用于電子設(shè)備的例，對(duì)二次電池裝置的過(guò)電流/過(guò)電壓保護(hù)電路沈，根據(jù)圖4加以說(shuō)明。該過(guò)電流/過(guò)電壓保護(hù)電路沈中，保護(hù)元件10的一對(duì)電極12串聯(lián)于輸出端子Al與輸入端子Bl之間，保護(hù)元件10的一對(duì)電極12 的一側(cè)的端子連接于輸入端子Bi，另一側(cè)的電極12則連接于輸出端子Al。此外，可熔性導(dǎo)體13的中點(diǎn)連接于發(fā)熱體15的一端，電極21的一側(cè)的端子則連接于發(fā)熱體15的另一側(cè)的端子。發(fā)熱體15的另一側(cè)的端子連接于晶體管Tr的集電極，晶體管Tr的發(fā)射極則連接于另一側(cè)的輸入端子A2與輸出端子B2之間。再者，在晶體管Tr的基極上，通過(guò)電阻R連接齊納二極管ZD的陽(yáng)極，齊納二極管ZD的陰極則連接于輸出端子Al。電阻R被設(shè)定為如下所述的值，當(dāng)輸出端子Al、A2之間施加有被設(shè)定為異常的所定電壓時(shí)，對(duì)齊納二極管ZD 施加擊穿電壓以上的電壓。在輸出端子A1、A2之間，連接有例如鋰離子電池等被保護(hù)裝置的二次電池23的電極端子，在輸入端子Bl、B2上連接有連接于二次電池23使用的圖中未顯示的充電器等裝置的電極端子。其次，對(duì)本實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10的保護(hù)動(dòng)作加以說(shuō)明。安裝有本實(shí)施形態(tài)的過(guò)電流/過(guò)電壓保護(hù)電路沈的鋰離子電池等二次電池裝置中，在其充電時(shí)，若異常的電壓施加于輸出端子Al、A2，則擊穿電壓以上的反向電壓即以設(shè)定為異常的所定電壓施加于齊納二極管ZD，而使齊納二極管ZD導(dǎo)通。因齊納二極管ZD的導(dǎo)通，基極電流ib即流至晶體管 Tr的基極，由此晶體管Tr便開(kāi)啟(on)，集電極電流ic即流至發(fā)熱體15，而使發(fā)熱體15發(fā)熱。該熱量傳導(dǎo)至發(fā)熱體15上的低熔點(diǎn)金屬的可熔性導(dǎo)體13，而使可熔性導(dǎo)體13熔斷，輸入端子Bl與輸出端子Al間的導(dǎo)通便被阻斷，以防止過(guò)電壓施加于輸出端子Al、A2。
此時(shí)，助熔劑19保持于可熔性導(dǎo)體13的中央部，在所定熔斷位置迅速且確實(shí)地熔斷。另外，在異常電流朝向輸出端子Al流動(dòng)時(shí)，也設(shè)定成使可熔性導(dǎo)體13通過(guò)該電流發(fā)熱而熔斷。 根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10，在絕緣蓋14上設(shè)有開(kāi)口部20，通過(guò)開(kāi)口部20可確認(rèn)助熔劑19是否確實(shí)地留在中央部。再者，助熔劑19保持于開(kāi)口部20的周緣部，而可使助熔劑19穩(wěn)定地保持于可熔性導(dǎo)體13中央部的一定位置。由此，尤其即使在使用了活性度較低的無(wú)鹵素助熔劑等助熔劑19的情況下，也可防止因助熔劑19涂布狀態(tài)的偏移或偏差所造成的助熔劑作用的不穩(wěn)定，而使可熔性導(dǎo)體13確實(shí)地熔斷。其次，對(duì)本發(fā)明的保護(hù)元件的第二實(shí)施形態(tài)，根據(jù)圖5、圖6加以說(shuō)明。此處，與上述實(shí)施形態(tài)同樣的部件賦予同一符號(hào)并省略其說(shuō)明。本實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10在絕緣蓋 14上形成有多個(gè)小透孔的開(kāi)口部22。此外，助熔劑19中的溶劑從開(kāi)口部22揮發(fā)，如虛線所示的那樣，助熔劑19的表面依各開(kāi)口部22形成為圓弧狀的凹狀。此外，開(kāi)口部22也可形成在形成于絕緣蓋14中央部的第一實(shí)施形態(tài)的大口徑的開(kāi)口部20的周圍。根據(jù)本實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10，與上述實(shí)施形態(tài)同樣地，助熔劑19也可確實(shí)地保持于所定的位置，可熔性導(dǎo)體13的熔斷動(dòng)作確實(shí)。再者，可通過(guò)開(kāi)口部22以肉眼來(lái)辨識(shí)助熔劑19的保持狀態(tài)，而可使產(chǎn)品檢查更容易且確實(shí)。其次，對(duì)本發(fā)明的保護(hù)元件的第三實(shí)施形態(tài)，根據(jù)圖7加以說(shuō)明。此處，與上述實(shí)施形態(tài)同樣的部件賦予同一符號(hào)并省略其說(shuō)明。本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)的絕緣蓋14，與上述實(shí)施形態(tài)同樣地，在絕緣蓋14上形成開(kāi)口部20，且在該絕緣蓋14的表面黏貼透明的膜24。另外，如圖8所示的那樣，也可形成由多個(gè)透孔所構(gòu)成的開(kāi)口部22，且在該絕緣蓋14表面黏貼透明的膜對(duì)。根據(jù)這些實(shí)施形態(tài)的保護(hù)元件10，除了與上述實(shí)施形態(tài)同樣的效果以外，也可以肉眼來(lái)辨識(shí)助熔劑19的保持狀態(tài)，且通過(guò)膜M使灰塵等無(wú)法從開(kāi)口部20、22附著于助熔劑19或滲入內(nèi)部。此外，本發(fā)明的保護(hù)元件并非限定于上述實(shí)施形態(tài)，只要在絕緣蓋上具有透孔的開(kāi)口部即可，并不局限其形狀或數(shù)目。另外，不局限助熔劑或絕緣蓋的材料，而可適當(dāng)選擇適宜的材料。
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)元件，其具有可熔性導(dǎo)體，配置于絕緣性的基座基板上且連接于保護(hù)對(duì)象設(shè)備的電力供應(yīng)線路，通過(guò)所定的異常電力熔斷；絕緣蓋，隔著所定空間覆蓋所述可熔性導(dǎo)體且安裝于所述基座基板；以及助熔劑，涂布于所述可熔性導(dǎo)體表面且位于所述空間內(nèi)，在所述異常電力供應(yīng)至所述保護(hù)對(duì)象設(shè)備時(shí)，所述可熔性導(dǎo)體熔斷以阻斷該電流線路，其特征在于，在所述絕緣蓋上，對(duì)向于所述可熔性導(dǎo)體形成有由透孔所構(gòu)成的開(kāi)口部， 且所述助熔劑接觸于該開(kāi)口部的周緣部，而在所述可熔性導(dǎo)體上能夠?qū)⑺鲋蹌┍３钟谒隹臻g內(nèi)的所定位置。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)元件，其中所述開(kāi)口部形成于所述絕緣蓋的中央部，且由與所述可熔性導(dǎo)體中央部相面對(duì)的大口徑的開(kāi)口部所構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)元件，其中所述開(kāi)口部以透明的膜來(lái)覆蓋。
4.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)元件，其中所述開(kāi)口部與所述可熔性導(dǎo)體中央部相面對(duì)， 且在所述絕緣蓋上形成有多個(gè)。
5.如權(quán)利要求4所述的保護(hù)元件，其中多個(gè)所述開(kāi)口部以透明的膜來(lái)覆蓋。
全文摘要
一種保護(hù)元件，能夠?qū)⒖扇坌詫?dǎo)體上的助熔劑穩(wěn)定地保持于所定位置，且可確認(rèn)助熔劑的保持狀態(tài)，在異常時(shí)能夠使可熔性導(dǎo)體迅速地熔斷。該保護(hù)元件具有可熔性導(dǎo)體13，其配置于絕緣性的基座基板11上且連接于保護(hù)對(duì)象設(shè)備的電力供應(yīng)線路，并通過(guò)所定的異常電力而熔斷；助熔劑19，其涂布于可熔性導(dǎo)體13表面；以及絕緣蓋14，其用以覆蓋可熔性導(dǎo)體13且安裝于基座基板11。絕緣蓋14具有由對(duì)向于可熔性導(dǎo)體13的透孔所構(gòu)成的開(kāi)口部20。助熔劑19接觸于開(kāi)口部20的周緣部，以將助熔劑19保持于可熔性導(dǎo)體13上的所定位置。
文檔編號(hào)H01H37/76GK102217021SQ201080003213
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2010年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月21日
發(fā)明者木村裕二, 鈴木和明 申請(qǐng)人:新力化工與資訊產(chǎn)品股份有限公司