專利名稱：晶體硅臭氧清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種晶體硅清洗裝置，更準(zhǔn)確地是一種晶體硅臭氧清洗裝置。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體元件制作工藝日益精密復(fù)雜，對(duì)晶圓表面潔凈度的要求也日益提高。在晶體硅片生產(chǎn)工藝中，由于制作工藝差異及異常事件的發(fā)生，晶圓表面難免會(huì)有污染物，一般講硅片表面沾污大致可以分為三類有機(jī)雜質(zhì)沾污、顆粒及金屬離子沾污。 在電池片制作過程中，如果不及時(shí)清潔，對(duì)后期工藝及電池片效率會(huì)造成比較大的影響。本實(shí)用新型旨在提供一種方法，使晶圓在進(jìn)行蝕刻前可有效的將晶圓表面的污染物去除，不至于對(duì)產(chǎn)品的性能造成影響，從而有效的提高產(chǎn)品的質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了提供一種晶體硅臭氧清洗裝置，以解決背景技術(shù)中的缺
點(diǎn)ο一種晶體硅臭氧清洗裝置，包括滾輪、臭氧發(fā)生器、桶槽，所述的桶槽下部設(shè)有臭氧發(fā)生器，桶槽上部設(shè)有雙層滾輪，所述的雙層滾輪，上面一層滾輪，下面對(duì)應(yīng)有一層滾輪， 本實(shí)用新型去除污染物方法，是將水放入桶槽中，打開臭氧發(fā)生器，硅片將在上下滾輪的作用下依次通過桶槽，所述的臭氧發(fā)生器上部開有多孔，臭氧將通過小孔處進(jìn)入桶槽，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片的去污作用。本實(shí)用新型采用的臭氧去除污染物工作原理為臭氧在水中分解速度比氣體時(shí)快的多，分解過程如下03+0H — O2+HO2Ο3+ΗΟ2-— 202+0『Ο3+οη —Ο2+ΗΟ22Η02 — 03+Η20Η02+0Η — 02+Η20溶液中臭氧的分解速度與溫度和PH值有關(guān)。在酸性條件下較穩(wěn)定，而在堿性條件下分解非常快。升高溫度將加速臭氧的分解。臭氧是強(qiáng)的氧化劑。在水中臭氧的氧化還原電位為03+2H++2e = 02+Η20 Εα° = 2. 07V03+H20+2e = 02+20F Eb ° = 1. 24V所以許多無機(jī)物和有機(jī)物很容易被氧化，臭氧與-SH、= NH2, = S、-OH、-CHO等基團(tuán)作用生產(chǎn)相應(yīng)的氧化物；高濃度的臭氧可把SO2氧化成SO3或H2SO4 ；把NO2氧化成N2O5或 HNO3 ；將Ag+氧化成Ag2+鹽；與烯烴反應(yīng)成醛是臭氧的特性反應(yīng)。臭氧易和大多數(shù)有機(jī)物如蛋白質(zhì)、氨基酸、有機(jī)胺、鏈?zhǔn)讲伙柡突衔?芳香族化合物、什環(huán)化合物、木質(zhì)素、腐植酸以及含硫化合物反應(yīng)。氧化過程為連續(xù)的，即按有機(jī)物一臭氧化一醛一有機(jī)酸過程進(jìn)行，最終成為穩(wěn)定的化合物。有益效果本實(shí)用新型專利利用臭氧的強(qiáng)氧化作用將硅片表面的污染物氧化后隨去離子水的沖洗而被去除，且在水中可短時(shí)間內(nèi)自行分解，沒有二次污染，其副產(chǎn)物無毒，基本無二次污染，有著許多別的氧化劑無法比擬的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)由于其獨(dú)特的滾輪設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)硅片的自動(dòng)化生產(chǎn)，節(jié)約人力。

附圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。一種晶體硅臭氧清洗裝置，包括滾輪1、臭氧發(fā)生器3、桶槽4，所述的桶槽4下部設(shè)有臭氧發(fā)生器3，桶槽4上部設(shè)有雙層滾輪，所述的雙層滾輪，上面一層滾輪1，下面對(duì)應(yīng)有一層滾輪1，本實(shí)用新型去除污染物方法，是將水放入桶槽4中，打開臭氧發(fā)生器3，硅片 2將在上下滾輪1的作用下依次通過桶槽4，所述的臭氧發(fā)生器3上部開有多孔，臭氧將通過小孔處進(jìn)入桶槽4，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片的去污作用。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
權(quán)利要求1. 一種晶體硅臭氧清洗裝置，包括滾輪、臭氧發(fā)生器、桶槽，其特征在于，所述的桶槽下部設(shè)有臭氧發(fā)生器，桶槽上部設(shè)有雙層滾輪，所述的雙層滾輪，上面一層滾輪，下面對(duì)應(yīng)有一層滾輪。
專利摘要一種晶體硅臭氧清洗裝置，包括滾輪、臭氧發(fā)生器、桶槽，其特征在于，所述的桶槽下部設(shè)有臭氧發(fā)生器，桶槽上部設(shè)有雙層滾輪，所述的雙層滾輪，上面一層滾輪，下面對(duì)應(yīng)有一層滾輪。本實(shí)用新型利用臭氧的強(qiáng)氧化作用將硅片表面的污染物氧化后隨去離子水的沖洗而被去除，且在水中可短時(shí)間內(nèi)自行分解，沒有二次污染，其副產(chǎn)物無毒，基本無二次污染，有著許多別的氧化劑無法比擬的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)由于其獨(dú)特的滾輪設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)硅片的自動(dòng)化生產(chǎn)，節(jié)約人力。
文檔編號(hào)H01L21/02GK201975377SQ201020648369
公開日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月8日
發(fā)明者呂日祥, 敖淑恒, 范維濤, 黃貴雄, 龔小文 申請(qǐng)人:江西升陽光電科技有限公司