專利名稱：晶片傳送支撐裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶片傳送支撐裝置。
背景技術(shù)：
由于硅片尺寸的不斷增大和集成電路(IC)圖形特征尺寸的急劇縮小，芯片結(jié)構(gòu) 更加復(fù)雜，缺陷密度對(duì)成品率的影響變得越來(lái)越突出。芯片生產(chǎn)的每道工序都可能機(jī)械或 人為地引入缺陷和沾污。這類問(wèn)題如果不及時(shí)發(fā)現(xiàn)并加以解決，就會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)線成品率大 幅度下降。因此，在每道工藝流程后都需對(duì)晶片進(jìn)行掃描檢測(cè)，從而及時(shí)發(fā)現(xiàn)缺陷。晶片的缺陷掃描一般使用電子束掃描儀。電子束掃描儀是一種在真空狀態(tài)下對(duì)晶 片表面進(jìn)行掃描的儀器，且晶片的表面不與電子束掃描儀直接接觸，而是通過(guò)晶片傳送支 撐裝置將晶片從晶片盒中取出，并置于其上，然后置于電子束掃描儀上，對(duì)晶片表面進(jìn)行掃 描。請(qǐng)參考圖1至圖2，其中圖1為現(xiàn)有的晶片傳送支撐裝置中的機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意 圖，圖2為現(xiàn)有的晶片傳送支撐裝置中的支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1至圖2所示，現(xiàn)有 的晶片傳送支撐裝置包括機(jī)械手100，將晶片從晶片盒中取出，并傳遞；支撐裝置200，接收所述機(jī)械手100傳遞的晶片，支撐所述晶片，供電子束掃描儀掃描。其中，所述機(jī)械手100包括機(jī)械手臂101，以及設(shè)置在所述機(jī)械手臂101上的插片 (blade) 102，所述插片102的數(shù)量為一個(gè)；所述支撐裝置200包括底座201，以及設(shè)置在所述底座201上的支撐板(holder plate) 202，所述支撐板202的數(shù)量為一個(gè)。通常來(lái)說(shuō)，經(jīng)過(guò)不同處理流程的晶片，其缺陷檢測(cè)應(yīng)使用不同的晶片傳送支撐裝 置，從而防止對(duì)各處理流程造成交叉污染。例如，對(duì)半導(dǎo)體制備工藝中的前段工藝處理 (FEOL, Front End ofLine)和后段工藝處理(BE0L，Back End of Line)各流程以及硅化物制 備流程中的晶片缺陷檢測(cè)應(yīng)分別使用不同的晶片傳送支撐裝置，以防止由于BEOL和FEOL 以及硅化物制備的工藝處理的不同而給芯片帶來(lái)交叉污染。這是因?yàn)榫贐EOL以及硅 化物制備過(guò)程中，其背面可能會(huì)有金屬污染，當(dāng)其背面與晶片傳送支撐裝置接觸時(shí)，可能會(huì) 對(duì)晶片傳送支撐裝置造成污染，從而污染其它與晶片傳送支撐裝置接觸的FEOL中的晶片， 進(jìn)一步對(duì)FEOL工藝造成污染。然而，若BEOL和FEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片在缺陷檢測(cè)中分別使 用不同的晶片傳送支撐裝置，也會(huì)造成晶片傳送支撐裝置數(shù)量太多，從而增加半導(dǎo)體制備 的成本。為了在節(jié)約成本的同時(shí)，不造成晶片之間的交叉污染，目前采取的方法為BE0L 和FEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片在缺陷檢測(cè)中使用同一晶片傳送支撐裝置，但是對(duì)于BEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片必須增加一額外的晶背清洗步驟，即 對(duì)晶片的背面進(jìn)行清洗，去除背面的金屬污染，并將清洗后的晶片置于一中間盒中，接下來(lái) 通過(guò)晶片傳送支撐裝置將清洗后的晶片置于電子束掃描儀下進(jìn)行掃描。從而避免了 BEOL 各流程以及硅化物制備流程中的晶片背面對(duì)FEOL各流程中的晶片造成交叉污染。然而，上述現(xiàn)有的方法存在以下缺點(diǎn)和不足之處(1)需要額外的晶背清洗步驟，從而大大增加了生產(chǎn)成本；(2)需要制備額外的中間盒，用于放置經(jīng)過(guò)晶背清洗的晶片，增加了生產(chǎn)成本；(3)由于需要對(duì)晶片進(jìn)行晶背清洗，并將其放置于中間盒中，因而延長(zhǎng)了工藝時(shí) 間；(4)仍然存在交叉污染的風(fēng)險(xiǎn)，這是因?yàn)槿绻诰П城逑吹牟襟E中，晶片背面的金 屬?zèng)]有被完全清洗掉，則仍然會(huì)污染晶片傳送支撐裝置。因此，有必要對(duì)現(xiàn)有的晶片傳送支撐裝置進(jìn)行改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶片傳送支撐裝置，以防止在對(duì)晶片進(jìn)行分析測(cè) 量的過(guò)程中，對(duì)晶片造成交叉污染。為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種晶片傳送支撐裝置，用于將晶片從晶片盒 中取出，并傳遞至晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)上，該裝置包括機(jī)械手，將晶片從晶片盒中取出，并傳遞，包括機(jī)械手臂以及設(shè)置在所述機(jī)械手臂 上的多個(gè)上下排列的插片，所述機(jī)械手臂控制所述多個(gè)插片在其上內(nèi)外伸縮；支撐裝置，設(shè)置于所述測(cè)量機(jī)臺(tái)上，接收所述機(jī)械手傳遞的晶片，包括底座以及設(shè) 置在所述底座上的與所述插片相匹配的多個(gè)支撐板?？蛇x的，所述插片的數(shù)量與所述支撐板的數(shù)量相等?？蛇x的，所述插片的數(shù)量為2 5個(gè)?？蛇x的，所述支撐板的數(shù)量為2 5個(gè)?？蛇x的，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為電子束掃描儀?？蛇x的，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為光學(xué)關(guān)鍵尺度(OCD，OpticalCritical Dimension) 測(cè)量?jī)x。本實(shí)用新型由于采用以上的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下的優(yōu)點(diǎn)和 積極效果1、本實(shí)用新型提供的機(jī)械手設(shè)置有多個(gè)插片，從而可使FEOL和BEOL各流程以及 硅化物制備流程中的晶片分別使用不同的插片，防止因FEOL和BEOL各流程以及硅化物制 備流程中的晶片共用一個(gè)插片而造成交叉污染；2、本實(shí)用新型提供的支撐裝置包括有多個(gè)支撐板，從而可使FEOL和BEOL各流程 以及硅化物制備流程中的晶片分別使用不同的支撐板，而防止因FEOL和BEOL各流程以及 硅化物制備流程中的晶片共用一個(gè)支撐板而造成交叉污染；3、由于本使用新型提供的機(jī)械手上的插片與支撐裝置上的支撐板匹配使用，即 FEOL流程中的晶片用一對(duì)插片和支撐板，BEOL流程中的晶片用一對(duì)插片和支撐板，硅化物 制備流程中的晶片共用一對(duì)插片和支撐板，從而不需對(duì)BEOL流程中的晶片以及硅化物制備流程中的晶片進(jìn)行背面清洗，并且也不需要中間盒，因而節(jié)省了生產(chǎn)成本，節(jié)約了工藝時(shí) 間。

圖1為現(xiàn)有的晶片傳送支撐裝置中的機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的晶片傳送支撐裝置中的支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片傳送支撐裝置中的機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片傳送支撐裝置中的支撐裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的晶片傳送支撐裝置作進(jìn)一步詳 細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附 圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新 型實(shí)施例的目的。本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種晶片傳送支撐裝置，用于將晶片從晶片盒 中取出，并傳遞至晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)上，該裝置包括機(jī)械手及支撐裝置，所述機(jī)械手將晶片從晶 片盒中取出，并傳遞，包括機(jī)械手臂以及設(shè)置在所述機(jī)械手臂上的多個(gè)上下排列的插片，所 述機(jī)械手臂控制所述多個(gè)插片在其上內(nèi)外伸縮；所述支撐裝置設(shè)置于所述測(cè)量機(jī)臺(tái)上，接 收所述機(jī)械手傳遞的晶片，包括底座以及設(shè)置在所述底座上的與所述插片相匹配的多個(gè)支 撐板；由于本實(shí)用新型提供的晶片傳送支撐裝置包括多個(gè)插片以及與所述插片相匹配的多 個(gè)支撐板，因而FEOL和BEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片分別使用不同的插片與 支撐板，從而防止了晶片之間的交叉污染。請(qǐng)參考圖3至圖4，其中，圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片傳送支撐裝置中的 機(jī)械手的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片傳送支撐裝置中的支撐裝置的 結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3至圖4所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片傳送支撐裝置，用于將晶片 從晶片盒中取出，并傳遞至晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)上，該裝置包括機(jī)械手300，將晶片從晶片盒中取出，并傳遞，包括機(jī)械手臂301以及設(shè)置在所述 機(jī)械手臂301上的多個(gè)上下排列的插片302，所述機(jī)械手臂301控制所述多個(gè)插片302在其 上內(nèi)外伸縮；支撐裝置400，設(shè)置于所述測(cè)量機(jī)臺(tái)上，接收所述機(jī)械手300傳遞的晶片，包括底 座401以及設(shè)置在所述底座401上的與所述插片302相匹配的多個(gè)支撐板402。進(jìn)一步地，所述插片302的數(shù)量與所述支撐板402的數(shù)量相等。進(jìn)一步地，所述插片302的數(shù)量為2 5個(gè)(本實(shí)施例僅示意3個(gè))。進(jìn)一步地，所述支撐板402的數(shù)量為2 5個(gè)(本實(shí)施例僅示意3個(gè))。當(dāng)所述插片302及所述支撐板402的數(shù)量均為2個(gè)時(shí)，所述BEOL各流程以及硅化 物制備流程中的晶片共用一個(gè)插片及一個(gè)支撐板，所述FEOL各流程的晶片用另一個(gè)插片 及另一個(gè)支撐板，從而防止BEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片對(duì)FEOL各流程的晶 片造成交叉污染。這是因?yàn)锽EOL各流程晶片與硅化物制備流程中的晶片之間的相互影響 幾乎可以忽略不計(jì)，而B(niǎo)EOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片背面的金屬污染對(duì)FEOL各流程的晶片造成的交叉污染的影響是非常顯著的。當(dāng)所述插片302及所述支撐板402的數(shù)量均為3個(gè)以上時(shí)，所述FEOL和BEOL各 流程以及硅化物制備流程中的晶片分別使用不同的插片與支撐板。進(jìn)一步地，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為電子束掃描儀。進(jìn)一步地，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為光學(xué)關(guān)鍵尺度(OCD，OpticalCritical Dimension) lljfift。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片傳送支撐裝置的使用方法為所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)讀取所述晶片盒的條形碼，判斷所述晶片來(lái)自哪個(gè)流程(FE0L 流程、BEOL流程或硅化物制備流程)；所述機(jī)械手根據(jù)晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)判斷的流程，控制相應(yīng)的插片伸出機(jī)械手臂，并從 晶片盒中吸取出晶片，將晶片傳遞至相應(yīng)的支撐板；所述支撐板支撐所述晶片供所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)測(cè)量。在本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述插片及所述支撐板的數(shù)量為2 5個(gè)，這 是因?yàn)閷?duì)于半導(dǎo)體芯片制備來(lái)說(shuō)，該數(shù)量的插片及支撐板已經(jīng)能夠達(dá)到要求，然而應(yīng)該認(rèn) 識(shí)到，本實(shí)用新型并不以此數(shù)量為限。在本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為電子束掃描儀或OCD測(cè) 量?jī)x，然而應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本實(shí)用新型并不以此為限，只要是在真空環(huán)境下對(duì)晶片進(jìn)行測(cè)量并 且不與晶片表面直接接觸的測(cè)量機(jī)臺(tái)均可滿足要求。綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種晶片傳送支撐裝置，用于將晶片從晶片盒中取 出，并傳遞至晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)上，該裝置包括機(jī)械手及支撐裝置，所述機(jī)械手將晶片從晶片盒 中取出，并傳遞，包括機(jī)械手臂以及設(shè)置在所述機(jī)械手臂上的多個(gè)上下排列的插片，所述機(jī) 械手臂控制所述多個(gè)插片在其上內(nèi)外伸縮；所述支撐裝置設(shè)置于所述測(cè)量機(jī)臺(tái)上，接收所 述機(jī)械手傳遞的晶片，包括底座以及設(shè)置在所述底座上的與所述插片相匹配的多個(gè)支撐 板；由于本實(shí)用新型提供的晶片傳送支撐裝置包括多個(gè)插片以及與所述插片相匹配的多個(gè) 支撐板，因而FEOL和BEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片分別使用不同的插片與支 撐板，從而防止了晶片之間的交叉污染。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新 型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其 等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶片傳送支撐裝置，用于將晶片從晶片盒中取出，并傳遞至晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)上，其 特征在于，包括機(jī)械手，將晶片從晶片盒中取出，并傳遞，包括機(jī)械手臂以及設(shè)置在所述機(jī)械手臂上的 多個(gè)上下排列的插片，所述機(jī)械手臂控制所述多個(gè)插片在其上內(nèi)外伸縮；支撐裝置，設(shè)置于所述測(cè)量機(jī)臺(tái)上，接收所述機(jī)械手傳遞的晶片，包括底座以及設(shè)置在 所述底座上的與所述插片相匹配的多個(gè)支撐板。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送支撐裝置，其特征在于，所述插片的數(shù)量與所述支撐 板的數(shù)量相等。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片傳送支撐裝置，其特征在于，所述插片的數(shù)量為2 5個(gè)。
4.如權(quán)利要求2所述的晶片傳送支撐裝置，其特征在于，所述支撐板的數(shù)量為2 5個(gè)。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送支撐裝置，其特征在于，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為電子束 掃描儀。
6.如權(quán)利要求1所述的晶片傳送支撐裝置，其特征在于，所述晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)為光學(xué)關(guān) 鍵尺度測(cè)量?jī)x。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種晶片傳送支撐裝置，用于將晶片從晶片盒中取出，并傳遞至晶片測(cè)量機(jī)臺(tái)上，該裝置包括機(jī)械手及支撐裝置，所述機(jī)械手將晶片從晶片盒中取出，并傳遞，包括機(jī)械手臂以及設(shè)置在所述機(jī)械手臂上的多個(gè)上下排列的插片，所述機(jī)械手臂控制所述多個(gè)插片在其上內(nèi)外伸縮；所述支撐裝置設(shè)置于所述測(cè)量機(jī)臺(tái)上，接收所述機(jī)械手傳遞的晶片，包括底座以及設(shè)置在所述底座上的與所述插片相匹配的多個(gè)支撐板；由于本實(shí)用新型提供的晶片傳送支撐裝置包括多個(gè)插片以及與所述插片相匹配的多個(gè)支撐板，因而FEOL和BEOL各流程以及硅化物制備流程中的晶片分別使用不同的插片與支撐板，從而防止了晶片之間的交叉污染。
文檔編號(hào)H01L21/683GK201877412SQ20102064434
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月6日
發(fā)明者趙敬民, 陳楓 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司