專利名稱：用于太陽(yáng)能電池表面rie制絨的硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池表面制絨技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于太陽(yáng)能電池表 面RIE制絨的硅片。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池制造工藝流程中，表面絨面的處理是非常重要的一步，它直接決定 了太陽(yáng)能電池對(duì)太陽(yáng)光的吸收，好的絨面不僅能夠讓電池吸收更多的太陽(yáng)光，也可以降 低太陽(yáng)能組件封裝時(shí)的衰減，因此好的制絨技術(shù)會(huì)對(duì)電池效率的提升起到重大作用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種用于太陽(yáng)能電池表面RIE制絨的 硅片，通過對(duì)硅片進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕可以獲得更加規(guī)則的絨面結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種用于太陽(yáng)能電池表面 RIE制絨的硅片，包括硅基材，在硅基材的表面具有一層光刻膠，在光刻膠上具有通過光 刻的方法形成的密布的制絨窗口。制絨窗口為圓形，直徑lum。本實(shí)用新型光刻掩膜技術(shù)有別與其他光刻掩膜技術(shù)的關(guān)鍵是，直接使用光刻膠 作為掩膜層而不需要另外制備掩膜層，簡(jiǎn)化了工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型的有益效果是通過對(duì)硅片進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕可以獲得更加規(guī)則的 絨面結(jié)構(gòu)，制作出低反射率的太陽(yáng)能電池，提高發(fā)電效率。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；

圖1是光刻膠的光刻版圖；圖2是光刻膠覆蓋在硅基材上的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是光刻膠光刻后成為RIE制絨掩膜的結(jié)構(gòu)示意圖；其中1.硅基材2.光刻膠，3.制絨窗口。
具體實(shí)施方式
如圖3所示，一種用于太陽(yáng)能電池表面RIE制絨的硅片，包括硅基材1，在硅基 材1的表面具有一層光刻膠2，在光刻膠2上具有通過光刻的方法形成的密布的制絨窗口 3。制絨窗口 3為圓形，直徑lum。光刻膠2作為RIE制絨的掩膜層。如圖1、2和3所示，在硅基材1上先涂一層光刻膠2，再采用光刻技術(shù)把光刻版 圖刻在光刻膠2上，最后進(jìn)行RIE制絨，對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕。RIE制絨即反應(yīng)離子刻蝕制絨，工藝 過程如下硅片去損傷層，光刻掩膜，RIE 制絨。完成制絨的硅片進(jìn)行擴(kuò)散，邊緣刻蝕，去PSG，PECVD,絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)，測(cè)試等步驟最終成為成品。去損傷層工藝為傳統(tǒng)工藝，可以采用酸去損傷層或堿去損傷層。光刻掩膜為半導(dǎo)體光刻技術(shù)在硅片表面形成有規(guī)則的圖形，為各向同性RIE制 絨準(zhǔn)備掩膜層。RIE制絨是形成絨面的重要步驟，采用SF6和02或CL2進(jìn)行各向同性的刻蝕，在掩膜層的基礎(chǔ)上可以刻蝕出具有規(guī)則形狀的絨面結(jié)構(gòu)。后續(xù)，擴(kuò)散，邊緣刻蝕，PECVD，絲網(wǎng)印刷，燒結(jié)，測(cè)試等工藝為太陽(yáng)能電池
生產(chǎn)正常工藝。所述的硅片為P型或N型等任何可以作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的硅片，電阻率為 0.2-30 Ω cm。通過光刻掩膜和RIE腐蝕工藝，可以制作出低反射率的表面限光結(jié)構(gòu)；由于先 期損傷層的去除可以在進(jìn)行RIE制絨時(shí)，盡可能少的腐蝕硅片，隨著現(xiàn)在切片技術(shù)的發(fā) 展，硅片切片越來越薄，這種低腐蝕深度，高質(zhì)量的絨面可以降低碎片，提高產(chǎn)品成品 率；由于RIE制絨的絨面結(jié)構(gòu)小，采用此工藝制作的電池片在組件封裝時(shí)與EVA的結(jié)合 更加緊密；通過以上三點(diǎn)的作用，光刻RIE制絨不僅有利于電池效率的提升，尤其是多 晶電池的發(fā)展，還有利于降低組件的封裝損失。
權(quán)利要求1.一種用于太陽(yáng)能電池表面RIE制絨的硅片，包括硅基材(1)，其特征是在所述的 硅基材(1)的表面具有一層光刻膠(2)，在光刻膠(2)上具有通過光刻的方法形成的密布 的制絨窗口(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于太陽(yáng)能電池表面RIE制絨的硅片，其特征是所述的制 絨窗口(3)為圓形，直徑lum。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池表面制絨技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于太陽(yáng)能電池表面RIE制絨的硅片，包括硅基材，在硅基材的表面具有一層光刻膠，在光刻膠上具有通過光刻的方法形成的密布的制絨窗口。通過對(duì)該硅片進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕可以獲得更加規(guī)則的絨面結(jié)構(gòu)，制作出低反射率的太陽(yáng)能電池，提高發(fā)電效率。
文檔編號(hào)H01L31/0352GK201796900SQ20102054840
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月29日
發(fā)明者陳亮 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司