專利名稱：高功率可調(diào)電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
發(fā)明的實施例通常涉及一種用于通信系統(tǒng)的可調(diào)電容器。
背景技術(shù)：
隨著更有效的通信系統(tǒng)已被開發(fā)，許多具有不同工作頻率和調(diào)制方法的通信標準已被采用。由于各種標準蘊涵多種獨立信號路徑的并聯(lián)組合，因此多標準增加了電路的尺寸和成本。如果可重構(gòu)電路設(shè)計是可能的，則并聯(lián)電路的成本和尺寸可借助于那些電路而減小。因此，近來，自適應(yīng)射頻(RF)電路的設(shè)計已得到充分地研究。RF電路可被代表性地分類為接收器和發(fā)送器兩個部件。在兩者中，雖然發(fā)送器路徑還未被實現(xiàn)，但是接收器路徑已被成功可調(diào)諧性實現(xiàn)。由于大信號操作需要可調(diào)的電容器或電感器，且所述可調(diào)的電容器或電感器應(yīng)該保持它們的性能達到高功率，因此發(fā)送器路徑尤其是功率放大器的實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性。如果這些用于高功率應(yīng)用的可調(diào)組件是可用的，則可顯著提高發(fā)送器尤其是功率放大器的性能。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的實施例可提供一種高功率可調(diào)電容器，所述高功率可調(diào)電容器可包括一系列電容器和與電容器中的內(nèi)部一個并聯(lián)的至少一個開關(guān)晶體管。在通態(tài)情況下，由可調(diào)電容器提供的電容值可通過不與所述至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的剩余電容器的串聯(lián)組合來限定。另一方面，在閉態(tài)情況下，與至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的一個或多個電容器可提供中間電容，其中，所述中間電容是至少一個開關(guān)晶體管的寄生電容和與至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的一個或多個電容器的并聯(lián)組合。因此，由可調(diào)電容器在閉態(tài)提供的電容值可以是中間電容和不與至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的剩余電容器的串聯(lián)組合。因此，可調(diào)電容器的閉態(tài)電容值可通過中間電容調(diào)整。將被理解的是，在開關(guān)晶體管的每個節(jié)點/端點的大電阻器可被用于確保DC偏置和保證電壓擺幅。合適的DC偏置點可使圍繞截止開關(guān)晶體管的允許的電壓擺幅最大化，以避免不想要的操作。通過使用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)明的實施例可增加可調(diào)電容器的功率性能。根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，功率性能還可通過堆疊多個開關(guān)晶體管來增加。根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，存在可調(diào)電容器裝置。所述可調(diào)電容器裝置可包括第一電容器、第二電容器、第三電容器和至少一個開關(guān)晶體管，其中，所述第一電容器、第二電容器和第三電容器串聯(lián)，第二電容器被放置在第一電容器和第三電容器之間；所述至少一個開關(guān)晶體管與第二電容器并聯(lián)。根據(jù)發(fā)明的另一示例性實施例，存在另一可調(diào)電容器裝置。所述可調(diào)電容器裝置可包括第一電容器、至少一個第二電容器、第三電容器和用于至少在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的裝置，其中，所述第一電容器、至少一個第二電容器和第三電容器串聯(lián)，所述至少一個第二電容器被放置在第一電容器和第三電容器之間；所述用于至少在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的裝置用于至少在可調(diào)電容器裝置的第一總電容值或第二總電容值之間
4切換，所述用于至少在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的裝置與至少一個第二電容器并聯(lián)。


由于已以通常形式描述了本發(fā)明，因此現(xiàn)將描述附圖，所述附圖不必按比例繪制， 其中圖1是根據(jù)發(fā)明的實施例的可調(diào)電容器的示意電路圖。圖2示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的圖1的示例性可調(diào)電容器的通態(tài)情況的示例性電路圖。圖3示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的圖1的示例性可調(diào)電容器的閉態(tài)情況的示例性電路圖。圖4示出根據(jù)發(fā)明的實施例的示出用于高功率操作的堆疊的開關(guān)晶體管的替代電路。圖5示出根據(jù)發(fā)明的實施例的在圖4中示出的示例性可調(diào)電容器的通態(tài)電路圖。圖6示出根據(jù)發(fā)明的實施例的在圖4中示出的示例性可調(diào)電容器的閉態(tài)電路圖。
具體實施例方式以下，將參照附圖更為詳細地描述發(fā)明的實施例，其中，只是示出了部分實施例， 而非示出了所有的發(fā)明的實施例。實際上，這些發(fā)明可以以許多不同形式被實施，并不應(yīng)該被理解為受這里闡述的實施例的限制；相反地，這些實施例被提供，以致本公開將滿足可適用的法律要求。相同的參考標號始終表示相同的組件。發(fā)明的實施例可提供高功率可調(diào)電容器，所述可調(diào)電容器可包括一系列電容器和與電容器中的內(nèi)部一個并聯(lián)的至少一個開關(guān)晶體管。在通態(tài)情況下，由可調(diào)電容器提供的電容值可通過不與至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的剩余電容器的串聯(lián)組合來限定。另一方面， 在閉態(tài)情況下，與所述至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的一個或多個電容器可提供中間電容，其中，所述中間電容是至少一個開關(guān)晶體管的寄生電容和與至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的一個或多個電容器的并聯(lián)組合。因此，由可調(diào)電容器在閉態(tài)中提供的電容值可以是中間電容和不與至少一個開關(guān)晶體管并聯(lián)的剩余電容器的串聯(lián)組合。通態(tài)的可調(diào)電容器的品質(zhì)因素可至少部分基于所述至少一個開關(guān)晶體管的尺寸。將被理解的是，大電阻器可被利用在至少一個開關(guān)晶體管的每個節(jié)點/端點，以確保DC偏置和保證電壓擺幅。另外，功率性能還可通過堆疊多個開關(guān)晶體管來增加。在發(fā)明的示例性實施例中，合適的DC偏置點可使圍繞截止開關(guān)晶體管的允許的電壓擺幅最大化，以避免不必要的操作。通過使用這種結(jié)構(gòu)，發(fā)明的實施例可增加可調(diào)電容器的功率性能。在發(fā)明的示例性實施例中，這里描述的可調(diào)電容器可被用來諸如功率放大器的高功率應(yīng)用。因此，根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，這里描述的可調(diào)電容器可提供或能夠進行RF電路的一個或多個多頻帶、多模式操作。圖1示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的可調(diào)電容器的示例性電路圖。如圖1所示， 所述可調(diào)電容器裝置可包括串聯(lián)的第一電容器(Cl) 102、第二電容器(C2) 104和第三電容器(0)106。將被理解的是，根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，可存在多于這3個電容器102、104 和106。例如，第二電容器(以)104可實際上包括兩個或更多個的單獨的電容器，其中，所述單獨的電容器可彼此串聯(lián)或并聯(lián)，并且具有與示出的第二電容器104的電容相同的電容。在圖1中，第一電容器(Cl) 102的第一端可為可調(diào)電容器提供第一連接端口。第一電容器 (Cl) 102的第二端可連接到第二電容器(C2) 104的第一端。第二電容器(C2) 104的第二端可連接到第三電容器(O) 106的第一端。第三電容器(O) 106的第二端可為可調(diào)電容器提供第二連接端口。仍參照圖1，可調(diào)電容器還可包括具有多個端的至少一個開關(guān)晶體管107。所述開關(guān)晶體管107可以是場效應(yīng)晶體管(FET)或另一類型的晶體管。當所述開關(guān)晶體管107 是FET時，開關(guān)晶體管107可包括柵極端、漏極端、源極端以及體端。柵極端可通過偏置電阻器112連接到DC偏置源Ve。漏極端可通過偏置電阻器108連接到DC偏置源VD。源極端可通過偏置電阻器114連接到DC偏置源Vs。體端可通過偏置電阻器110連接到DC偏置源 VB。將被理解的是，根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，電阻器108、110、112、114的各自電阻可相對地大，以確保DC偏置和保證電壓擺幅。在圖1中，將被理解的是，開關(guān)晶體管107的漏極端可連接到第一電容器(Cl) 102 和第二電容器(C2) 104之間的第一節(jié)點。另一方面，開關(guān)晶體管107的源極可連接到第二電容器(C2) 104和第三電容器(C3) 106之間的第二節(jié)點。根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，第一電容器102、第二電容器104和第三電容器106可被集成在半導(dǎo)體基底上。同樣地，根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，開關(guān)晶體管107可也集成在半導(dǎo)體基底上。根據(jù)發(fā)明的實施例，可調(diào)電容器可使用標準的0. 18um工藝來制作，但是在不脫離發(fā)明的實施例的情況下，其他工藝可被利用。將被理解的是，可調(diào)電容器的第一連接端口和第二連接端口可允許可調(diào)電容器既被串聯(lián)和并聯(lián)使用，又在不同的信號路徑中使用。根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，這種用法的自由度可使可調(diào)電容器用在電路的各種位置。例如，示例性可調(diào)電容器可被用在單端功率放大器的匹配網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)或并聯(lián)電容器中。另外，可調(diào)電容器還可用于變壓器應(yīng)用的失諧電容器。在發(fā)明的示例性實施例中，第一連接端口可接收輸入(例如Vin)，第二連接端口可接地。圖2示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的圖1的示例性可調(diào)電容器的通態(tài)情況的示例性電路圖。在通態(tài)情況期間，通過在DC偏置源VD、Vb和Vs被設(shè)置為地(GND)的同時將DC 偏置源\設(shè)置為電源電壓VDD，開關(guān)晶體管107可導(dǎo)通。將被理解的是，偏置電阻器108、 110、112和114的電阻Rsw可被設(shè)置為大值，以避免經(jīng)過各自的電阻器的信號損耗。如圖2所示，當開關(guān)晶體管107導(dǎo)通時，開關(guān)晶體管107可提供通態(tài)電阻(Rqn) 202。 因此，當可調(diào)電容器處于通態(tài)情況時，可調(diào)電容器的總電容值(CJ和品質(zhì)因素(Qon)如下所
示:Cm和= rJ _。將被理解的是，通態(tài)電阻(RJ 202可被設(shè)置為小于特
定值，以確保最小的期望的通態(tài)品質(zhì)因素(QJ值。由于通態(tài)電阻(RJ 202可與開關(guān)晶體管 107的寬度成反比，因此開關(guān)晶體管107可具有寬度最小的尺寸，以確保最小的期望的通態(tài)品質(zhì)因素(QJ值。在發(fā)明的示例性實施例中，當開關(guān)晶體管107導(dǎo)通時，橫跨開關(guān)晶體管 107的電壓擺幅可非常小，從而通態(tài)操作未對可調(diào)電容器的功率處理能力產(chǎn)生影響。圖3示出根據(jù)發(fā)明的示例性實施例的圖1的示例性可調(diào)電容器的閉態(tài)情況的示例性電路圖。在閉態(tài)情況期間，通過在DC偏置源VD、VS被設(shè)置為電源電壓VDD的同時將DC 偏置源Vb和Ve設(shè)置為地(GND)，開關(guān)晶體管107可截止。將被理解的是，偏置電阻器108、110、112和114的電阻Rsw可被設(shè)置為大的值，以避免經(jīng)過各自的電阻器的信號損耗。如圖3所示，當開關(guān)晶體管截止時，開關(guān)晶體管107可提供多個寄生電容302、304、 306和308。特別是，晶體管107可提供柵極到漏極寄生電容(Cgd) 302、柵極到源極寄生電容(Cgs) 304、體到漏極寄生電容(Cbd) 306和體到源極寄生電容(Cbs) 308。如圖3所示，寄生電容302、304(在柵極路徑)可并聯(lián)于寄生電容306、308(在體路徑)。經(jīng)過柵極路徑(Cpm
g)和體路徑(cpar b)的各自的寄生電容可被定義為= sdJ和Cpm- h = ^bd.，。
因此，開關(guān)晶體管107在閉態(tài)情況下的等效電容可以是柵極路徑寄生電容(Cp g)和體路徑寄生電容(Cpmb)的串聯(lián)組合。因此，可調(diào)電容器在閉態(tài)的總電容(Ctw)可被認為是第一電容器(Cl) 102、第三電容器(C3) 106和第二電容器C丨這3個電容器的串聯(lián)，其中，C〗是第二電容器(C2) 104和開關(guān)晶體管的寄生電容(Cp g+Cp b)的并聯(lián)組合，由C) =C2 +。,,. + C/w,. g
提供。因此，可調(diào)電容器在閉態(tài)的總電容(Qw)可如下導(dǎo)出:c0FF。根據(jù)發(fā)明
的示例性實施例，由于在有截止開關(guān)107的信號路徑中可能沒有很多的電阻組件，因此閉態(tài)可調(diào)電容器的品質(zhì)因素與通態(tài)可調(diào)電容器相比可更高。將被理解的是，當開關(guān)晶體管107 是截止時，用于非線性操作的電勢具有當大的電壓擺幅被施加到開關(guān)晶體管107時發(fā)生的電勢。因此，當所施加的信號變得較大時，對保持開關(guān)晶體管107的閉態(tài)會是重要的。為了保持閉態(tài)，所施加的信號可均勻分布于開關(guān)晶體管107的端點，以允許開關(guān)晶體管107在不導(dǎo)通的情況下接收電壓擺幅達到其極限。將被理解的是，均勻分布可通過使用如上面提到的大的電阻和合適的偏置來獲得。另外，將被理解的是，開關(guān)晶體管107的源極端不是在于固定的電勢(例如地)。因此，在可調(diào)晶體管的閉態(tài)情況期間，響應(yīng)于在輸入端(例如第一連接端口)的大的電壓擺幅，由開關(guān)晶體管107的源極端歷經(jīng)的電壓可增加，從而降低開關(guān)晶體管107將無意導(dǎo)通的可能性。圖4示出根據(jù)發(fā)明的實施例的用于高功率操作的堆疊開關(guān)晶體管的替代電路。更具體地，圖1的開關(guān)晶體管107可被替代為堆疊結(jié)構(gòu)的多個開關(guān)晶體管40加-11。如圖4所示，堆疊結(jié)構(gòu)可通過將開關(guān)晶體管40 的漏極端連接到在第一電容器(Cl) 102和第二電容器(以)104之間的第一節(jié)點來獲得。開關(guān)晶體管40 的源極端可連接到開關(guān)晶體管402b 的漏極端?？梢砸栽礃O到漏極的堆疊結(jié)構(gòu)將晶體管402b的源極連接到另外的開關(guān)晶體管， 直到到達最后的開關(guān)晶體管402η。開關(guān)晶體管402η的源極連接到在第二電容器(C2) 104 和第三電容器(C3) 106之間的第二節(jié)點。各個堆疊的開關(guān)晶體管40 -!!的各自的柵極端、 漏極端、源極端和體端中的每個可通過各自的偏置電阻器連接到各自的DC偏置源Ve、VD、Vs 和VB。將被理解的是，當施加到可調(diào)電容器的信號對于任何單個的開關(guān)晶體管而言太大時， 堆疊晶體管40 -!!可被利用。實際上，如果施加的信號對于單個開關(guān)晶體管太大，則可能無法實現(xiàn)期望的電容值，并且高功率輸入信號可導(dǎo)致不必要的信號失真。因此，根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，可通過堆疊開關(guān)晶體管來增加可調(diào)電容器的功率性能。圖5示出根據(jù)發(fā)明的實施例的在圖4中示出的示例性可調(diào)電容器的通態(tài)電路圖。 在通態(tài)期間，堆疊晶體管40 -!!的各自的端可如關(guān)于圖2的類似描述來進行偏置。將被理解的是，除了如何定義總的通態(tài)電阻(Ron),可調(diào)電容器的通態(tài)電容值(Cw)和品質(zhì)因素 (Qon)與圖2的情況相同。在這種情況下，總的通態(tài)電阻(Rw)是與每個開關(guān)晶體管40 -!!的相應(yīng)的各個通態(tài)電阻50 -!!的Rqn i……Rqn n的所有的總和。對于與圖1中相同的Q值， 每個開關(guān)晶體管40 -!!的寬度應(yīng)與堆疊開關(guān)40 -!!的數(shù)量成正比增加，以減小總的串聯(lián)電阻。圖6示出根據(jù)發(fā)明的實施例的在圖4中示出的示例性可調(diào)電容器的閉態(tài)電路圖。 在閉態(tài)期間，堆疊晶體管40 -!!的各自的端可如關(guān)于圖3的類似描述來進行偏置。在圖6 中，除了如何確定堆疊晶體管40 -!!的寄生電容，可調(diào)電容器在閉態(tài)的總的電容(Cqff)可與在圖3中描述的類似。特別是，如上面對單個開關(guān)晶體管描述的類似，每個開關(guān)晶體管 402a-n的寄生電容可由柵極路徑寄生電容Cpm g(例如，6(^b+604b)和體路徑寄生電容Cpm b(例如，606b+6(M3)的總和來提供。所有開關(guān)晶體管40 -!!的總的寄生電容(Cpm total)可基于每個開關(guān)晶體管40 -!!的寄生電容的串聯(lián)組合來確定。因此，可調(diào)電容器在閉態(tài)的總
電容(Cqff)可如下導(dǎo)出:C(肝’其中，廣^r 與圖3比較，由于施加
L1 -HC2 +L3L 2 _ L 2 十 L/w/.— total。
的信號可均勻分布于堆疊的晶體管40加-11，因此，堆疊的開關(guān)晶體管40 -!!的使用可使得可調(diào)電容器操作達到較高的功率信號。將被理解的是，這里所述的可調(diào)電容器可使用標準的0. 18um工藝來制作，但是在不脫離發(fā)明的實施例的情況下，其他工藝可被利用。因此，這里所述的第一電容器、第二電容器和第三電容器可連同一個或多個開關(guān)晶體管一起被集成在半導(dǎo)體基底上。還將理解的是，在發(fā)明的示例性實施例中，用于切換的其它裝置可被用來代替使用FET實現(xiàn)的開關(guān)晶體管。實際上，這些用于切換的替代裝置可在電阻和/或電容方面僅具有不同的通態(tài)和閉態(tài)特性。以這種方式，第一總電容可在通態(tài)被獲得，這與第二總電容在閉態(tài)被獲得不同?？杀挥脕泶媸褂肍ET實現(xiàn)的開關(guān)晶體管的用于切換的示例裝置包括使用雙極結(jié)型晶體管(BJT)實現(xiàn)的開關(guān)晶體管和基于納米技術(shù)的開關(guān)。在不脫離發(fā)明的示例性實施例的情況下，用于切換的裝置可進行許多改變。盡管已參照特定實施例描述了發(fā)明，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解在不脫離本發(fā)明范圍的情況下，可進行各種改變和進行替代等同物。另外，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可進行許多修正，以使特定情況或材料適應(yīng)于本發(fā)明的教導(dǎo)。因此，這意味著本發(fā)明不受所公開的特定實施例的限制，而是本發(fā)明將包括落入權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有實施例。
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權(quán)利要求
1.一種可調(diào)電容器裝置，所述可調(diào)電容器裝置包括第一電容器；第二電容器；第三電容器，其中，所述第一電容器、第二電容器和第三電容器串聯(lián)，其中，第二電容器被放置在第一電容器和第三電容器之間；以及至少一個開關(guān)晶體管，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管與第二電容器并聯(lián)。
2.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管的各個端通過各自的電阻器連接到各自的DC偏置源。
3.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管包括堆疊在一起的多個開關(guān)晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述多個開關(guān)晶體管至少包括具有各自源極端和漏極端的第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管，其中，第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管通過將第一開關(guān)晶體管的源極端連接到第二開關(guān)晶體管的漏極端來進行堆疊。
5.如權(quán)利要求3所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述多個開關(guān)晶體管的各自的端通過各自的電阻器連接到各自的DC偏置源。
6.如權(quán)利要求3所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述多個開關(guān)晶體管被堆疊，以增加可調(diào)電容器裝置的功率處理能力。
7.如權(quán)利要求6所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述多個開關(guān)晶體管被堆疊，以至少減小第二電容器的電壓壓力。
8.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述第一電容器包括第一端和第二端， 所述第三電容器包括第三端和第四端，其中，第一電容器的第一端提供第一連接端口，第一電容器的第二端連接到第二電容器，第三電容器的第三端連接到第二電容器，第三電容器的第四端提供第二連接端口。
9.如權(quán)利要求8所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述第一連接端口接收施加的輸入信號，并且，所述第二連接端口接地。
10.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述第一電容器、第二電容器和第三電容器被集成在半導(dǎo)體基底上。
11.如權(quán)利要求9所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管還被集成在半導(dǎo)體基底上。
12.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管包括一個或多個柵極端、一個或多個漏極端、一個或多個源極端和一個或多個體端；其中，在通態(tài)期間，所述一個或多個柵極端通過各自的偏置電阻器連接到DC電源電壓 VDD，所述一個或多個漏極端、所述一個或多個源極端和所述一個或多個體端接地；以及其中，在閉態(tài)期間，所述一個或多個漏極端和所述一個或多個漏極端通過各自的偏置電阻器連接到DC電源電壓VDD，所述一個或多個柵極端和所述一個或多個體端連接到地。
13.如權(quán)利要求12所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管包括至少一個場效應(yīng)晶體管(FET)。
14.如權(quán)利要求1所述的可調(diào)電容器裝置，其中，在通態(tài)期間，所述可調(diào)電容器裝置提供只由第一電容器和第三電容器的串聯(lián)組合所定義的第一總電容，以及其中，在閉態(tài)期間，所述可調(diào)電容器提供由第一電容器、第三電容器和等效電容的串聯(lián)組合所定義的第二總電容，其中，所述等效電容是第二電容器和所述至少一個開關(guān)晶體管的寄生電容的并聯(lián)組合。
15.如權(quán)利要求14所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述至少一個開關(guān)晶體管的寄生電容包括至少一個柵極路徑寄生電容和至少一個體路徑寄生電容的組合。
16.一種可調(diào)電容器裝置，所述可調(diào)電容器裝置包括第一電容器；至少一個第二電容器；第三電容器，其中，所述第一電容器、至少一個第二電容器和第三電容器串聯(lián)，其中，所述至少一個第二電容器被放置在第一電容器和第三電容器之間；以及用于至少在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的裝置，以至少在可調(diào)電容器裝置的第一總電容值或第二總電容值之間切換，其中，所述用于至少在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的裝置與所述至少一個第二電容器并聯(lián)。
17.如權(quán)利要求16所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述第一電容器包括第一端和第二端，所述第三電容器包括第三端和第四端，其中，第一電容器的第一端提供第一連接端口， 第一電容器的第二端連接到第二電容器，第三電容器的第三端連接到第二電容器，第三電容器的第四端提供第二連接端口。
18.如權(quán)利要求16所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述第一連接端口接收施加的輸入信號，并且，所述第二連接端口接地。
19.如權(quán)利要求16所述的可調(diào)電容器裝置，其中，所述第一電容器、至少一個第二電容器和第三電容器是集成的電容器。
20.如權(quán)利要求19所述的可調(diào)電容器裝置，其中，用于至少在第一狀態(tài)和第二狀態(tài)之間切換的裝置與集成的電容器一起被集成。
全文摘要
根據(jù)發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明提供一種高功率可調(diào)電容器?？烧{(diào)電容器裝置可包括第一電容器、第二電容器、第三電容器以及至少一個開關(guān)晶體管，其中，所述第一電容器、第二電容器和第三電容器串聯(lián)，第二電容器被放置在第一電容器和第三電容器之間；所述至少一個開關(guān)晶體管與第二電容器并聯(lián)。
文檔編號H01G5/38GK102208286SQ20101057434
公開日2011年10月5日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者喬伊·拉斯卡爾, 安敏植, 尹永昌, 李彰浩, 金炯旭 申請人:三星電機株式會社, 佐治亞科技研究公司