專利名稱：光半導(dǎo)體封裝材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體封裝材料。更具體地說，本發(fā)明涉及用于封裝發(fā)光元件例如 發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器的封裝件(package)，并涉及在點(diǎn)亮該發(fā)光元件時抑制封裝樹 脂溫度上升的片狀光半導(dǎo)體封裝材料、包含片狀成形體的光半導(dǎo)體封裝套件(kit)以及通 過用所述封裝材料或片材封裝得到的光半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
通常，使用藍(lán)色LED發(fā)白光的方法包括使用含有磷光體的樹脂涂布LED芯片的方 法、將含有磷光體的樹脂罐封至帽狀LED裝置中的方法、還有對含有磷光體的片狀樹脂層 進(jìn)行層壓接著進(jìn)行封裝的方法。
例如，專利文獻(xiàn)1公開了一種發(fā)光裝置，其中將半透明樹脂圍繞LED芯片封裝并固 化，然后使用含有熒光材料的樹脂將固化的半透明樹脂封裝。在這樣的裝置中，熒光材料在 LED芯片發(fā)光強(qiáng)度強(qiáng)的上表面方向中幾乎可以均勻分布，從而使其變得能夠阻止該發(fā)光元 件的發(fā)光顏色的顏色不均勻性并改進(jìn)歸因于熒光物質(zhì)的波長轉(zhuǎn)換效率。另外，降低了昂貴 的熒光材料的使用，這使得能夠?qū)崿F(xiàn)低成本的發(fā)光元件。
專利文獻(xiàn)1 JP-A-2000-156528發(fā)明內(nèi)容
然而，在具有如專利文獻(xiàn)1中所述這種結(jié)構(gòu)的光半導(dǎo)體裝置中，發(fā)射的光被原樣 照射到直接位于LED芯片上的熒光材料上，從而存在以下問題在波長轉(zhuǎn)換時，通過損失能 量極大地提高了含有熒光材料的樹脂部分(含磷光體的樹脂)的溫度，從而導(dǎo)致樹脂容易 劣化。
本發(fā)明的目的是提供一種片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包括用于涂布LED芯片的封 裝樹脂層(半透明樹脂層)和含有磷光體的樹脂層(含磷光體的樹脂層)，其中所述片狀光 半導(dǎo)體封裝材料在LED照明時能夠抑制封裝樹脂的溫度上升；還提供包括各樹脂層的片狀 成形體的光半導(dǎo)體封裝用套件，以及提供通過用所述封裝材料或片材進(jìn)行封裝得到的光半 導(dǎo)體。
本發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)行了深入的研究以解決上述問題。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在包括半透明樹脂 的第一樹脂層和含磷光體樹脂的第二樹脂層的片狀封裝材料中，通過將無機(jī)粒子分散在第 一樹脂層中能夠抑制第二樹脂層的溫度上升，從而導(dǎo)致本發(fā)明的完成。
S卩，本發(fā)明涉及以下(1)到(11)項(xiàng)。
(1) 一種片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包含
含有無機(jī)粒子的第一樹脂層；和
含有磷光體并直接或間接疊置于第一樹脂層上的第二樹脂層。
(2)根據(jù)⑴的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第一樹脂層的構(gòu)成樹脂包含硅樹脂。
(3)根據(jù)(1)或( 的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中無機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇的至少一種。
(4)根據(jù)(1)至C3)任一項(xiàng)的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第二樹脂層的構(gòu)成樹脂 包含硅樹脂。
(5) 一種光半導(dǎo)體封裝用套件，其包含
包括含無機(jī)粒子的第一樹脂層的片狀成形體；和
包括含磷光體的第二樹脂層的片狀成形體。
(6)根據(jù)(5)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一樹脂層的構(gòu)成樹脂包含硅樹脂。
(7)根據(jù)(5)或(6)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫 酸鋇的至少一種。
(8)根據(jù)( 至(7)任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二樹脂層的構(gòu)成樹脂包 含硅樹脂。
(9) 一種光半導(dǎo)體裝置，其通過包含如下的方法制造
將根據(jù)(1)至(4)任一項(xiàng)的片狀光半導(dǎo)體封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元 件的基材上面或上方，使得第一樹脂層面向所述光半導(dǎo)體元件；和
將所述片狀光半導(dǎo)體封裝材料壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
(10) 一種通過用根據(jù)( 至(8)任一項(xiàng)的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝得到的光半導(dǎo) 體裝置，其中所述光半導(dǎo)體裝置通過包含如下的方法制造
將包含第一樹脂層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上面或 上方；
將包含第二樹脂層的片狀成形體疊置于包含第一樹脂層的片狀成形體上面或上 方；和
將所述片狀成形體壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
(11) 一種光半導(dǎo)體裝置，其包含
其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材；
含有無機(jī)粒子的第一樹脂層；和
含有磷光體的第二樹脂層，
其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一樹脂層和所述第二樹脂層按此順序封裝。
本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料是包括半透明樹脂的第一樹脂層和含磷光體樹 脂的第二樹脂層的封裝材料，并且其顯示出在LED照明時能夠抑制第二樹脂層溫度上升的 優(yōu)異效果。此外，通過將包括第一樹脂層和直接或間接疊置于其上的第二樹脂層的片狀成 形體疊置于光半導(dǎo)體裝置上并將所述成形體壓制成形，能夠容易地將所述成形體用于整體 封裝。


圖1是例示性地示出用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料封裝LED芯片的圖，其中 左邊示出了封裝之前的狀態(tài)；且右邊示出了封裝好的LED芯片。
圖2是例示性地示出用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝LED芯片的圖，其中左 邊示出了封裝之前的狀態(tài)；且右邊示出了封裝好的LED芯片。
標(biāo)號說明
1 第一樹脂層
2 無機(jī)粒子
3 含磷光體的第二樹脂層
4 第三封裝材料
5.模具
6 基材
7 =LED 芯片具體實(shí)施方式
本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料(也稱作“本發(fā)明的片材”)是其中第一樹脂層 和第二樹脂層已經(jīng)直接或間接疊置的材料，并且所述第一樹脂層包含無機(jī)粒子且所述第二 樹脂層包含磷光體。通過如下方法利用這種片狀封裝材料來封裝光半導(dǎo)體裝置例如，將 所述片狀封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上，使得第一樹脂層面向LED芯 片(光半導(dǎo)體元件)，并將所述封裝材料壓制成形。由此，從LED發(fā)出的光穿過第一樹脂層， 其波長被第二樹脂層中的磷光體轉(zhuǎn)換，然后就此發(fā)射。由此，得到了具有高亮度的發(fā)射光。 然而，穿過第一樹脂層的發(fā)射光就此到達(dá)磷光體，并在那里轉(zhuǎn)換其波長。于是，在波長轉(zhuǎn)換 時磷光體損失的能量被第二樹脂層吸收，從而導(dǎo)致第二樹脂層的溫度上升。因此，在本發(fā)明 中，通過向第一樹脂層中引入無機(jī)粒子，由所述無機(jī)粒子的光散射效果能夠分散到達(dá)第二 樹脂層的光，從而使由于磷光體引起的生熱密度(每單位體積樹脂層的生熱量)降低。結(jié) 果認(rèn)為，整體上能夠抑制生熱。順便提及，在本說明書中，術(shù)語“其中已經(jīng)直接疊置了所述層 的片材”是指通過將第二樹脂層直接疊置于第一樹脂層上而形成的片材，而術(shù)語“其中已經(jīng) 間接疊置了所述層的片材”是指以常規(guī)方法將第二樹脂層通過任何需要的層例如已知的樹 脂層如環(huán)氧樹脂層疊置于第一樹脂層上方而形成的片材。
本發(fā)明的第一樹脂層包含無機(jī)粒子。
無機(jī)粒子不受特別限制，只要它們能夠散射可見光即可。然而，所述無機(jī)粒子優(yōu)選 包括選自二氧化硅和硫酸鋇的至少一種，更特別是含有二氧化硅的粒子，原因在于通過封 裝處理亮度沒有降低。
無機(jī)粒子的平均粒度可以是任意值，只要其能夠散射可見光并等于或小于第一樹 脂層的厚度即可。其優(yōu)選為0.1至200 μ m，更優(yōu)選為0.3至40 μ m。另外，從抑制由封裝處 理造成的溫度降低[ml]的觀點(diǎn)來看，還更加優(yōu)選為5至40 μ m。順便提及，在本說明書中， 可通過在后述的實(shí)施例中所述的方法來測定無機(jī)粒子的平均粒度。
無機(jī)粒子的形狀可以是任何形狀，只要其能夠散射可見光即可，以球狀和破碎狀 為例。但是，從抑制LED亮度降低的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選球狀。
從可均勻分散在第一樹脂層中和抑制第二樹脂層溫度上升的觀點(diǎn)來看，第一樹脂 層中無機(jī)粒子的含量優(yōu)選為0. 1至70重量％。另外，從抑制LED亮度降低的觀點(diǎn)來看，更 優(yōu)選為0. 1至55重量％。
第一樹脂層的構(gòu)成樹脂不受特別限制，只要其是已常規(guī)用于光半導(dǎo)體封裝的樹脂 即可。其例子包括半透明樹脂如硅樹脂、環(huán)氧樹脂、苯乙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹 脂、聚氨酯樹脂和聚烯烴樹脂。這些樹脂可以單獨(dú)使用或作為其兩種以上的組合使用。尤其是，從耐久性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選硅樹脂。
本發(fā)明的第二樹脂層包含磷光體。
所述磷光體不受特別限制，且其例子包括用于光半導(dǎo)體裝置的已知磷光體。具體 來說，例舉黃色磷光體(α -sialon)、YAG、TAG等作為具有將藍(lán)色轉(zhuǎn)換成黃色的功能的合適 市售磷光體。
因?yàn)轭伾旌系某潭雀鶕?jù)磷光體的種類和第二樹脂層的厚度而變化，所以沒有徹 底確定磷光體的含量。
第二樹脂層的構(gòu)成樹脂不受特別限制，只要其是已常規(guī)用于光半導(dǎo)體封裝的樹脂 即可。作為第二樹脂層的構(gòu)成樹脂所例舉的樹脂，與作為第一封裝材料的構(gòu)成樹脂所例舉 的類似。這些樹脂可以單獨(dú)使用或作為其兩種以上的組合使用。尤其是，從耐久性的觀點(diǎn) 來看，優(yōu)選硅樹脂。
除了上述無機(jī)粒子、磷光體和構(gòu)成樹脂之外，可以將添加劑例如固化劑、固化促進(jìn) 劑、防老劑、改性劑、表面活性劑、染料、顏料、變色抑制劑和UV吸收劑作為原材料引入第一 樹脂層和第二樹脂層中。
本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料能夠通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來制備，只 要所述第一樹脂層和第二樹脂層具有上述組成即可。
例如，能夠通過以下方法來形成各樹脂層向各樹脂層的構(gòu)成樹脂或向所述樹脂 的有機(jī)溶劑溶液中，在第一樹脂層的情況下添加無機(jī)粒子，或在第二樹脂層的情況下添加 磷光體，然后攪拌混合以制備用于形成樹脂層的溶液；通過使用涂布器等將溶液涂布到例 如表面經(jīng)剝離處理過的剝離片材(例如聚乙烯基材)上至適當(dāng)?shù)暮穸?，并通過在可除去溶 劑的溫度下加熱來對其進(jìn)行干燥。加熱溫度不能徹底確定，因?yàn)槠潆S樹脂或溶劑的種類而 變化。但是，其優(yōu)選為80至150°C，更優(yōu)選為90至150°C。順便提及，可以將通過層壓多個 片材并通過在20至10(TC下對其進(jìn)行熱壓來壓制它們從而使它們一體化而得到的片材用 作一個樹脂層。
以與上述相同的方式對得到的第一樹脂層和第二樹脂層進(jìn)行壓力接合。從而能夠 得到片狀光半導(dǎo)體封裝材料。
或者，可以使用下述方法其中用與上述相同的方式形成第一樹脂層或者第二樹 脂層，其后用涂布器等以合適的厚度直接向該樹脂層涂布用于形成另一個樹脂層的溶液， 然后加熱和干燥，從而形成本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料。
由此，得到了包括第一樹脂層和疊置于其上的第二樹脂層的片狀光半導(dǎo)體封裝材 料。順便提及，包括夾在第一樹脂層和第二樹脂層之間的任何所需樹脂層的片狀光半導(dǎo)體 封裝材料可以通過以與上述相同的方式預(yù)先形成這種樹脂層，將該樹脂層設(shè)置在第一樹脂 層和第二樹脂層之間并對所述層進(jìn)行壓力接合而得到?；蛘?，可以使用下述方法在第一樹 脂層或者第二樹脂層上形成這種樹脂層，然后在該樹脂層上形成剩余的樹脂層。
從對光半導(dǎo)體元件的封裝性能的觀點(diǎn)來看，第一樹脂層的厚度優(yōu)選為100至 1000 μ m,更優(yōu)選為300至800 μ m。從磷光體濃度和涂布性能的觀點(diǎn)來看，第二樹脂層的厚 度優(yōu)選為20至300 μ m,更優(yōu)選為30至200 μ m。已成一體的本發(fā)明片狀光半導(dǎo)體封裝材料 的厚度優(yōu)選為120至1300 μ m,更優(yōu)選為330至1000 μ m。
本發(fā)明還提供了光半導(dǎo)體封裝用套件，其包括包含第一樹脂層(也稱作第一片材)的片狀成形體和包含第二樹脂層(也稱為第二片材)的片狀成形體，并且其中第一樹 脂層和第二樹脂層尚未被疊置。
第一片材不受特別限制，只要其是本發(fā)明的片材中包括的包含第一樹脂層的片狀 成形體即可。能夠以與本發(fā)明的片材中包括的各樹脂層相同的方式來制造第一片材。同樣 也適用于包括第二樹脂層的片狀成形體。
除了第一片材和第二片材之外，本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件還可以包括另一個 包含任何需要的樹脂層的片狀成形體。能夠以與第一片材和第二片材相同的方式來制造這 個任選的片狀成形體。
此外，本發(fā)明還提供了通過用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料或用本發(fā)明的光半 導(dǎo)體封裝用套件封裝得到的光半導(dǎo)體裝置。其例子包括通過包含如下步驟的方法制造的光 半導(dǎo)體裝置將本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上 面或上方，使得第一樹脂層面向所述光半導(dǎo)體元件，和將所述封裝材料壓制成形，從而封裝 所述光半導(dǎo)體元件；以及通過包括如下步驟的方法用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝制 造的光半導(dǎo)體裝置將包含第一樹脂層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基 材上面或上方，將包含第二樹脂層的片狀成形體疊置于包含第一樹脂層的片狀成形體上面 或上方；和將所述片狀成形體壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置不受特別限制，只要已經(jīng)使用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝 材料或使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件來制造該裝置即可。所述光半導(dǎo)體裝置能夠通過 本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來制造。
例如，在使用本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料的情況下，將該封裝材料放置在其 上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上，使得第一樹脂層面向所述光半導(dǎo)體元件。然后將所述封 裝材料壓制成形，從而獲得光半導(dǎo)體裝置。
另外，例如，在使用本發(fā)明的光半導(dǎo)體封裝用套件的情況中，通過將包含第一樹脂 層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上，再疊置包含第二樹脂層的片狀 成形體，然后將所述片狀成形體整體進(jìn)行壓制成形來得到光半導(dǎo)體裝置。
從與基材粘著的觀點(diǎn)來看，可以在將本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料或本發(fā)明套 件的第一片材疊置于其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上之前，涂布包含半透明樹脂的液態(tài) 封裝材料(也稱作第三封裝材料)用于罐封，從提高亮度的觀點(diǎn)來看，只要將第二樹脂層放 置得比第一樹脂層更遠(yuǎn)離LED芯片即可。雖然構(gòu)成第三封裝材料的樹脂不受特別限制，但 是優(yōu)選該樹脂應(yīng)該與第一樹脂層的構(gòu)成樹脂相同。
可通過本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的方法來進(jìn)行壓制成形。例如，通過將模具放在封裝 材料上，然后優(yōu)選在100至160°C下對封裝材料加熱1至10分鐘，同時向其施加優(yōu)選0. 1至 0. 5MPa、更優(yōu)選0. 1至0. 的壓力，能夠完成壓制成形。在壓制成形之后，使所得結(jié)構(gòu)靜 置，直至即使在室溫下形狀也變得不變化。然后除去模具，并可對封裝材料進(jìn)行后固化。可 通過例如使用優(yōu)選具有100至150°C溫度的干燥器，靜置優(yōu)選15分鐘至6小時來進(jìn)行所述 后固化。
本發(fā)明的光半導(dǎo)體裝置包含本發(fā)明的片狀光半導(dǎo)體封裝材料或本發(fā)明的光半導(dǎo) 體封裝用套件。因此，即使在裝備有高強(qiáng)度LED元件例如藍(lán)色元件、綠色LED元件等的光 半導(dǎo)體裝置中，也抑制了封裝材料的溫度上升，從而抑制其劣化，同時取得高發(fā)光亮度的狀態(tài)。因此能夠合適地進(jìn)行使用。
實(shí)施例
下面將參考實(shí)施例、比較例和參考例來說明本發(fā)明。然而，不將本發(fā)明解釋為限于 這些例子。
[無機(jī)粒子的平均粒度]
在本說明書中，無機(jī)粒子的平均粒度是指初始粒子的平均粒度且是指通過動態(tài)光 散射法對無機(jī)粒子的粒子分散溶液進(jìn)行測定并計(jì)算得到的50%體積累積粒徑(D5tl)。
實(shí)施例1
<第一樹脂層>
向9. 95g硅彈性體(ELASTOSIL LR-7665，由瓦克旭化成有機(jī)硅株式會社制造)中， 加入0. 05g的二氧化硅(FB-7SDC，由電氣化學(xué)工業(yè)株式會社制造，平均粒度5. 8 μ m，球狀) (無機(jī)粒子含量0. 5重量％ )。通過手動攪拌來使二氧化硅均勻分散，從而獲得液態(tài)的含 二氧化硅樹脂。
<第二樹脂層>
向8. 4g硅彈性體(LR-7665)中，加入1. 6g的YAG (磷光體含量16重量％ )，并通 過手動攪拌來使YAG均勻分散，從而獲得液態(tài)的含磷光體樹脂。
〈光半導(dǎo)體封裝用片〉
用涂布器將含磷光體樹脂以100 μ m的厚度涂布到聚碳酸酯膜上，并在90°C下干 燥4分30秒以獲得含磷光體的樹脂片。同樣以500 μ m的厚度將含二氧化硅的樹脂涂布到 所得含磷光體的樹脂片上，并在125°C下干燥9分鐘，從而獲得光半導(dǎo)體封裝用片。
<光半導(dǎo)體封裝>
將適中量的硅彈性體(LR-7665)放置在安裝了光半導(dǎo)體元件(波長區(qū)域450nm) 的平面基材上，并將光半導(dǎo)體封裝用片放在其上，使得第一樹脂層面向基材。將直徑為8mm 且高度為500 μ m的模具放置在其上，并在0. IMPa和160°C的條件下使用真空壓制裝置 (V-130，由日合摩頓株式會社(Nichigo-Morton Co.，Ltd.)制造)壓制5分鐘，從而獲得了 光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例2
除了將第一樹脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?9. 5g和0. 5g(無機(jī)粒子含量，5重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例3
除了將第一樹脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?7. Og和3. Og(無機(jī)粒子含量，30重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例4
除了將第一樹脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?5. Og和5. Og(無機(jī)粒子含量，50重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例5
除了將第一樹脂層中硅彈性體(LR-7660和二氧化硅(FB-7SDC)的量分別變?yōu)?3. Og和7. Og(無機(jī)粒子含量，70重量％ )之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例6
除了將第一樹脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?FB-40S，由電氣化學(xué)工業(yè)株 式會社制造，平均粒度39.8μπι;球狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例7
除了將第一樹脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?SFP-20M，由電氣化學(xué)工業(yè)株 式會社制造，平均粒度0. 3 μ m ；球狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例8
除了將第一樹脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?CryStalite5X，由龍森株式 會社制造，平均粒度1. 5μ m ；破碎狀)之外，以與實(shí)施例3中相同的方式來得到光半導(dǎo)體直ο
實(shí)施例9
除了將第一樹脂層中無機(jī)粒子的種類變?yōu)榱蛩徜^(W-6，由竹原化學(xué)工業(yè)株式會社 制造；平均粒度5. Oym ；破碎狀)之外，以與實(shí)施例2中相同的方式來得到光半導(dǎo)體裝置。
實(shí)施例10
除了將第一樹脂層中二氧化硅的種類變?yōu)槎趸?FB-40Q之外，以與實(shí)施例4 中相同的方式來得到光半導(dǎo)體裝置。
比較例1
除了不向第一樹脂層中加入無機(jī)粒子之外，以與實(shí)施例1中相同的方式來得到光 半導(dǎo)體裝置。
參考例1
除了將第一樹脂層中無機(jī)粒子的種類變?yōu)檠趸X(AS-50)之外，以與實(shí)施例2中 相同的方式來得到光半導(dǎo)體裝置。
根據(jù)以下試驗(yàn)例1和2對得到的光半導(dǎo)體裝置的性能進(jìn)行評價。將其結(jié)果示于表 1中。
試驗(yàn)例1 (第二樹脂層的溫度)
將適中量的熱輻射有機(jī)硅(SCH-30，由寸> “Y卜株式會社(Sunhayato Corp.) 制造，熱導(dǎo)率0.96W/mK)滴在散熱片(材料銅)上，并將光半導(dǎo)體裝置固定于其上。將電 流值以IOOmA/秒的速度增加直至從開始發(fā)光起達(dá)10秒，并且在達(dá)到500mA之后的3分鐘 后，對第二樹脂層的最高溫度進(jìn)行測定。順便提及，通過使用溫度記錄儀(CPA1000，由Chino Corp.制造)并從光半導(dǎo)體裝置的上方關(guān)注發(fā)光來進(jìn)行溫度測定。另外，優(yōu)選較低的樹脂溫 度。
試驗(yàn)例2 (亮度)
使每個光半導(dǎo)體裝置在50mA下發(fā)光，并根據(jù)半球面亮度測定來對那時的發(fā)光亮 度進(jìn)行測定。順便提及，將積分球用于亮度測定，并通過使用多個測光系統(tǒng)(MCPD-3000，由
權(quán)利要求
1.一種片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包含 含有無機(jī)粒子的第一樹脂層；和含有磷光體并直接或間接疊置于第一樹脂層上的第二樹脂層。
2.權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第一樹脂層的構(gòu)成樹脂包含硅樹脂。
3.權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中無機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇的 至少一種。
4.權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其中第二樹脂層的構(gòu)成樹脂包含硅樹脂。
5.—種光半導(dǎo)體封裝用套件，其包含包括含無機(jī)粒子的第一樹脂層的片狀成形體；和 包括含磷光體的第二樹脂層的片狀成形體。
6.權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第一樹脂層的構(gòu)成樹脂包含硅樹脂。
7.權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中無機(jī)粒子包含選自二氧化硅和硫酸鋇的至 少一種。
8.權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件，其中第二樹脂層的構(gòu)成樹脂包含硅樹脂。
9.一種光半導(dǎo)體裝置，其通過包含如下的方法制造將權(quán)利要求1的片狀光半導(dǎo)體封裝材料放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上面 或上方，使得第一樹脂層面向所述光半導(dǎo)體元件；和將所述片狀光半導(dǎo)體封裝材料壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
10.一種通過用權(quán)利要求5的光半導(dǎo)體封裝用套件封裝得到的光半導(dǎo)體裝置，其中所 述光半導(dǎo)體裝置通過包含如下的方法制造將包含第一樹脂層的片狀成形體放置在其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材上面或上方；將包含第二樹脂層的片狀成形體疊置于包含第一樹脂層的片狀成形體上面或上方；和 將所述片狀成形體壓制成形，從而封裝所述光半導(dǎo)體元件。
11.一種光半導(dǎo)體裝置，其包含 其上安裝有光半導(dǎo)體元件的基材； 含有無機(jī)粒子的第一樹脂層；和 含有磷光體的第二樹脂層，其中所述光半導(dǎo)體元件利用所述第一樹脂層和第二樹脂層按此順序封裝。
全文摘要
本發(fā)明涉及光半導(dǎo)體封裝材料。具體地，本發(fā)明涉及片狀光半導(dǎo)體封裝材料，其包括含有無機(jī)粒子的第一樹脂層，和含有磷光體并直接或間接疊置于第一樹脂層上的第二樹脂層；并涉及光半導(dǎo)體封裝用套件，其包含包括含無機(jī)粒子的第一樹脂層的片狀成形體，和包括含磷光體的第二樹脂層的片狀成形體。
文檔編號H01L33/52GK102034917SQ201010508368
公開日2011年4月27日 申請日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者松田廣和, 藤岡和也, 赤澤光治 申請人:日東電工株式會社