專利名稱：帶有可升降擋板的多層腔體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行業(yè)晶片濕法處理領(lǐng)域，具體為一種帶有可升降擋板的多層 腔體裝置。
背景技術(shù)：
目前，多層腔體濕法處理時承片臺需要升降，而在承片臺處于低位時，排風主 要排走了腔體上部的氣體，對于低位的晶片上方的氣流影響不大，此時在晶片上方容易 形成湍流，可能引起液滴的反濺，污染晶片。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述的種種不足，本發(fā)明的目的在于提供一種帶有可升降擋板的多層 腔體裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中晶片上方會形成湍流等問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種帶有可升降擋板的多層腔體裝置，在每層腔體外側(cè)的排風口處設(shè)有可單獨 控制升降的環(huán)形擋風板。所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，該裝置設(shè)有腔體上層、腔體中層、腔 體底層，腔體上層、腔體中層、腔體底層上下設(shè)置，形成層疊式結(jié)構(gòu)的多層腔體。所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，與每層腔體的環(huán)形擋風板相應(yīng)設(shè)置有 伸縮氣缸，環(huán)形擋風板與伸縮氣缸的伸出端連接。通過伸縮氣缸的動作自由關(guān)閉或開啟 排風口。所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，多層腔體為中空結(jié)構(gòu)，多層腔體的中 空部分為供承片臺升降的通道，承片臺底部設(shè)置于電機的輸出端，承片臺頂部設(shè)置晶 片，晶片上方與用于噴灑化學液的化學液臂相對應(yīng)。本發(fā)明的優(yōu)點及有益效果是1、本發(fā)明通過在濕法處理所用的多層腔體結(jié)構(gòu)的排風口處增加了環(huán)形檔風板， 從而可以有效的分別控制每層腔體的氣體進出，有利于在腔體內(nèi)部調(diào)整出更穩(wěn)定流暢的 氣流。
2、本發(fā)明采用氣缸控制環(huán)形檔風板的升降，具有反應(yīng)迅速、安裝方便、價格低 廉等特點。3、本發(fā)明能實現(xiàn)環(huán)形檔風板兩種位置的自動轉(zhuǎn)換，并且采用氣動的方法實現(xiàn)， 具有方便、快速和清潔等特點。4、本發(fā)明用以控制濕法處理時腔體內(nèi)部的氣流形態(tài)和速度，以達到控制液滴飛 濺方向的目的。根據(jù)承片臺的位置自動調(diào)整每個環(huán)形擋風板的升降，每層的環(huán)形擋風板 可以獨立動作，從而可以自由控制排氣口開合，使承片臺在每個位置時晶片上方都有流 暢的氣流通過，不會形成湍流。


圖1是本發(fā)明的剖面示意圖。圖2是本 發(fā)明的俯視示意圖。其中，1、腔體底層；2、排風管；3、氣流方向；4、伸縮氣缸；5、環(huán)形擋風 板；6、化學液；7、腔體上層；8、腔體中層；9、晶片；10、承片臺；11、排風口； 12、電機；13、化學液臂。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作詳細描述。如圖1-2所示，本發(fā)明帶有可升降擋板的多層腔體裝置主要包括腔體底層1、 排風管2、氣流方向3、伸縮氣缸4、環(huán)形擋風板5、化學液6、腔體上層7、腔體中層8、 晶片9、承片臺10、排風口 11、電機12、化學液臂13等，具體結(jié)構(gòu)如下腔體上層7、腔體中層8、腔體底層1上下設(shè)置，形成層疊式結(jié)構(gòu)的多層腔體， 腔體中層8可以為至少一層，可根據(jù)工藝需要自由增減層數(shù)。在每層腔體外側(cè)的排風口 11處設(shè)有環(huán)形擋風板5、伸縮氣缸4，伸縮氣缸4的伸出端與環(huán)形擋風板5連接，伸縮氣 缸4可帶動環(huán)形擋風板5升降，可以通過伸縮氣缸4的動作自由關(guān)閉或開啟排風口 11。多層腔體為中空結(jié)構(gòu)，多層腔體的中空部分為供承片臺10升降的通道，承片臺 10底部設(shè)置于電機12的輸出端，承片臺10頂部用于設(shè)置晶片9，晶片9上方與用于噴灑 化學液6的化學液臂13相對應(yīng)。當晶片9處于某一工作位(某層腔體)時，此層腔體的排風口打開，其他層腔體 的排風口關(guān)閉，使氣流集中在這一層通過多層腔體外側(cè)的排風管2排出，減少了湍流的 產(chǎn)生，可有效防止化學液飛濺污染晶片。每層腔體獨立設(shè)置環(huán)形擋風板5和伸縮氣缸4，每層腔體的環(huán)形擋風板5均可由 伸縮氣缸4單獨控制升降，互相間不受干擾。環(huán)形擋風板5處于高位時可完全遮擋住排 氣口 11，環(huán)形擋風板5位于低位時可完全露出排氣口 11。本發(fā)明的工作過程如下多層腔體主要由腔體底層1、腔體中層8、腔體上層7構(gòu)成，承片臺10可帶動晶 片9在腔體內(nèi)部升降，停在不同的工藝層完成不同的工藝處理。當承片臺10停在某一層 的位置上時，化學液臂13伸出，在晶片上噴灑某種化學液6。同時，其他層腔體處的環(huán) 形擋風板5升起，擋柱排風口 11，使上部進入的氣流只能從本層的排風口氣流方向3通 過，最終經(jīng)排風管2吸走。這樣，就增大了晶片上方的氣流速度，將飛濺的化學液隨氣 流方向帶走。減少對晶片表面的污染。該多層腔體全部采用PTFE材質(zhì)制作，可以在需要強酸強堿對晶片處理的場合使 用，故使用范圍非常廣泛。
權(quán)利要求
1.一種帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于在每層腔體外側(cè)的排風口處 設(shè)有可單獨控制升降的環(huán)形擋風板。
2.按照權(quán)利要求1所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于該裝置設(shè) 有腔體上層、腔體中層、腔體底層，腔體上層、腔體中層、腔體底層上下設(shè)置，形成層 疊式結(jié)構(gòu)的多層腔體。
3.按照權(quán)利要求1所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于與每層腔 體的環(huán)形擋風板相應(yīng)設(shè)置有伸縮氣缸，環(huán)形擋風板與伸縮氣缸的伸出端連接。通過伸縮 氣缸的動作自由關(guān)閉或開啟排風口。
4.按照權(quán)利要求1所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于多層腔體 為中空結(jié)構(gòu)，多層腔體的中空部分為供承片臺升降的通道，承片臺底部設(shè)置于電機的輸 出端，承片臺頂部設(shè)置晶片，晶片上方與用于噴灑化學液的化學液臂相對應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體行業(yè)晶片濕法處理領(lǐng)域，具體為一種帶有可升降擋風板的多層腔體裝置，用以更好的控制處理晶片的腔體內(nèi)部氣流形態(tài)。該裝置設(shè)有若干環(huán)形擋風片、伸縮氣缸、若干層腔體等。腔體為層疊式結(jié)構(gòu)，可根據(jù)工藝需要自由增減層數(shù)。每層腔體排風口處配有一環(huán)形擋風板，可以通過伸縮氣缸的動作自由關(guān)閉或打開排風口。當晶片處于某一工作位時，此層腔體的排風口打開，其他層腔體的排風口關(guān)閉，使氣流集中在這一層通過，減少了湍流的產(chǎn)生，可有效防止化學液飛濺污染晶片。本發(fā)明通過在濕法處理所用的多層腔體結(jié)構(gòu)的排風口處增加了環(huán)形檔風板，從而可以有效的分別控制每層腔體的氣體進出，有利于在腔體內(nèi)部調(diào)整出更穩(wěn)定流暢的氣流。
文檔編號H01L21/02GK102024682SQ20101028459
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者谷德君 申請人:沈陽芯源微電子設(shè)備有限公司