專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術：
光刻裝置是將所需圖案應用于基底的靶部上的設備。光刻裝置可以用于例如集成 電路(IC)的制造。在這種情況下，如掩模這類的構圖部件，可用于產生對應于IC的一個單 獨層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的 靶部上(例如包括部分、一個或者多個管芯)。一般地，單一的基底將包含被依次曝光的相 鄰靶部的整個網格。已知的光刻裝置包括通常所說的晶片步進器，其通過將全部圖案一次 曝光在靶部上而輻射每一靶部，以及通常所說的掃描裝置，其通過在投影光束下沿給定的 方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃 描基底來輻射每一靶部?，F(xiàn)已提出，將光刻投影裝置中的基底浸入具有較高折射率的液體如水中，以便基 底和投影系統(tǒng)最后元件之間充滿液體。這使得更小的部件能夠成像，因為曝光輻射在液體 中具有更短的波長。(液體的這種作用也可以認為是增大了系統(tǒng)的有效NA(數(shù)值孔徑)和 提高了聚焦深度)也有人建議其它的浸液，包括其中懸浮著固體微粒(如石英)的水。然而，將基底或者基底和基底臺浸在液體槽中(例如參見美國專利US4509852，這 里全部引入作為參考)意味著在掃描曝光期間要將一大塊液體加速。這需要輔助的或者更 大功率的電動機，且液體中的擾動會產生不需要和不可預知的影響。對液體供給系統(tǒng)，所提出的解決方法之一是僅僅在基底的局部區(qū)域提供液體以及 在使用液體供給系統(tǒng)的投影系統(tǒng)最后元件和基底(基底的表面積通常比投影系統(tǒng)最后元 件的要大)之間提供液體。PCT專利申請出版物W099/49504中公開了一種采用這種設置的 方法，這里全部引入作為參考。如圖2和圖3所示，液體通過至少一個入口 IN提供給基底， 優(yōu)選沿著基底相對于最后元件移動的方向供給，并且在通過了投影系統(tǒng)下方后由至少一個 出口 OUT將其除去。就是說，當基底沿-X方向在元件下面掃描時，在該元件的+X —側供給 液體并在-X —側各其吸走。圖2用示意圖表示出該設置，其中液體通過入口 IN供給，并且 由元件另一側的、連接到低壓源的出口 OUT除去。圖2示出了液體是沿著基底相對于最后 元件的移動方向供給的，盡管這不是必須的?？梢栽谧詈笤車母鱾€方向上設置入口 和出口，且其數(shù)目不限，圖3示出了 一個例子，其中圍繞最后元件以規(guī)則圖案在任一邊設置 了四組入口和出口。

發(fā)明內容
浸液以及相關的液體供應系統(tǒng)構件的引入光刻裝置可能導致基底的聚焦精度的惡化和其它控制成像的關鍵參數(shù)的精確度的下降。因此，對于例如為改進光刻裝置的性能而克服這些或其它的問題而言是有優(yōu)勢 的。根據本發(fā)明的一方面，提供一種光刻裝置包括用于調節(jié)輻射光束的照射系統(tǒng)；用于支持構圖部件的支承結構，該構圖部件能將圖案賦予輻射光束的橫截面，從 而提供圖案化的輻射光束；用于支持基底的基底臺；用于將圖案化的輻射光束投射到基底的靶部上的投影系統(tǒng)；用于在投影系統(tǒng)和基底之間的空間內容納液體的液體供給系統(tǒng)構件；以及用于補償液體供給系統(tǒng)構件與基底臺之間的相互作用的液體供給系統(tǒng)構件補償
ο如果沒有補償，對于基底臺，液體供給系統(tǒng)構件的重量或其它由基底臺上的液 體供給系統(tǒng)構件傳遞的力可能導致與基底臺的位置相關的力和扭矩以及基底臺的不可 忽略的變形和/或傾斜。由連附于液體供給系統(tǒng)構件的導向構件產生的附加剛性作用 (parasitic stiffness effect)可能產生類似的影響。由這些干擾導致的基底的散焦可能 達到lOOOnm。除了產生位置相關的散焦作用以外，基底臺的這些干擾也可以導致機器與機 器的重疊誤差(尤其是浸漬和未浸漬的機器之間)。倘若液體供給系統(tǒng)構件的附加重量由 基底臺補償器所補償，液體供給系統(tǒng)構件所產生的變重力(shifting gravity force)作用 可能導致在控制基底臺位置的伺服系統(tǒng)中的相應干擾問題。液體供給系統(tǒng)構件補償器通過 補償液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間任何由重力或其它的力產生的作用，可以減輕上述的 部分或所有的問題。液體供給系統(tǒng)構件補償器可以包括用于補償基底的相對位置的焦距校正部件以 及根據補償數(shù)據的光刻裝置的最佳聚焦平面。該聚焦校正部件能對液體供給系統(tǒng)構件的重 量或其它因素的作用進行補償，并且對液體供給系統(tǒng)構件本身沒有實質性的影響。該補償 器能這樣實施，例如，使用通過內插矩陣或解析多項式函數(shù)來控制基底臺的相對位置的軟 件，每個數(shù)學構造代表可用于克服基底臺的相互作用所引起的干擾的補償值。該補償值一 般是垂直于投影系統(tǒng)的光軸方向的位置函數(shù)，且可以以笛卡兒坐標或極坐標來記錄。補償數(shù)據可以從基底臺幾何測量裝置的輸出中到處，該測量裝置用于判定當基底 臺被與液體供給系統(tǒng)構件的相互作用干擾時其表面高度分布圖，表面傾斜分布圖，或以上 兩者，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸方向上確定該表面高度分布圖，且相對 于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個或兩個正交軸確定該表面傾斜 分布圖。該方法可以提供任何引起干擾的準確特性。補償數(shù)據可以由基底臺的機械數(shù)學模型獲得，該模型可以預測作為位置相關的作 用力的函數(shù)的基底臺干擾。該方法可以使得補償值以最少的輔助測量方法和/或測量裝置 來執(zhí)行。補償數(shù)據可以由曝光聚焦測試圖案的分析來獲得，以顯示作為位置函數(shù)的聚焦誤 差的范圍。該方法無需輔助測量元件就可以提供準確的特性。曝光聚焦測試圖案可以在基準光刻裝置上成像，該基準光刻裝置受到基本上等于液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用的力的作用。由于液體供給系統(tǒng)構件與主光刻 裝置之間沒有干涉，該方法可以提供干擾的準確特性。該基準裝置可以專門測量該聚焦測 試圖案，因此對于這些測量方法而言，比主光刻裝置更簡單且更有效。在雙臺光刻裝置中，通過沒有前述的浸液和液體供給系統(tǒng)元件的基底圖案對系統(tǒng) 聚焦進行規(guī)范校正。在這種裝置中，不考慮在液體供給系統(tǒng)構件中執(zhí)行成像時可以導致散 焦效應產生的彎曲作用。 基底臺幾何測量裝置可以判定基底臺的表面高度分布圖，表面傾斜分布圖，或以 上兩者，以作為在基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面中相對于基底臺的液體 供給系統(tǒng)構件的位置函數(shù)。由于與液體供給系統(tǒng)構件的相互作用一般不僅僅是液體供給系 統(tǒng)構件的點距離的函數(shù)，該部件應考慮到基底臺上的點處的干擾。扭矩取決于相對于旋轉 軸的力的位置且基底臺上對壓力的局部響應可以改變。液體供給系統(tǒng)構件補償器可以包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，該裝置能對液體 供給系統(tǒng)構件供給力以至少部分地補償液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的互相作用。作為 對于允許扭曲和/或傾斜產生并補償它們的作用的一種可選擇方式，該部件可以首先避免 干擾產生。該方法具有消除可能是特殊機械的、必須反復且具有有限準確度的校正測量方 法的優(yōu)點。液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置可以構型成連接到支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架，該 框架能通過連接作用支撐至少部分由液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構 件的力的反作用力。盡管典型地比投影系統(tǒng)的最后元件距液體供給系統(tǒng)構件更遠，但直接 由保持投影系統(tǒng)的框架支撐液體供給系統(tǒng)構件的重量可以大大地減少投影系統(tǒng)元件定位 的任何干擾或變化的可能性。液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置可以構型成連接投影系統(tǒng)，該投影系統(tǒng)通過連接作用 能夠支撐至少部分由液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構件的力的反作用 力。這種裝置的優(yōu)點是投影系統(tǒng)與液體供給系統(tǒng)構件非常鄰近，且可足夠重而不太受液體 供給系統(tǒng)構件的附加重量或其它因素的影響。液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置可以用于連接基本上機械地獨立于投影系統(tǒng)的框架， 該獨立的框架通過連接作用支撐至少部分由液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作用于液體供給 系統(tǒng)構件的力的反作用力。這種裝置具有使投影系統(tǒng)元件定位的任何干擾或變化的可能性 減到最小的優(yōu)點。“基本上機械獨立于”可以理解為，例如，不直接機械接觸或不緊密地機械 接觸(即，任何機械連接僅通過例如若干中間連接，或被動或主動軸承來實現(xiàn))。例如，該獨 立框架可以是機器底座框架，用于通過軸承支撐光刻裝置的主要元件。該機器底座框架可 以足夠重且完全獨立于外界，從而確保來自外界的振動和其它干擾不會傳遞給液體供給系 統(tǒng)構件。以洛倫茲致動器(使用電磁力)為基準的連接尤其適合該實施例，因為其避免了 獨立框架和液體供給系統(tǒng)構件之間的直接接觸的需要，否則可能需要精確的對準以及昂貴 的制造公差才能實現(xiàn)。光刻裝置可以包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器，該控制器根據代表液體供 給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用量的數(shù)據，通過液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，將控制 力作用于液體供給系統(tǒng)構件。這種裝置可以提供用于補償液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間 產生的力的靈活且有效的方法?？梢匀菀椎氖蛊溥m合于不同的液體供給系統(tǒng)構件和基底臺的組合以及不同的環(huán)境條件。由于液體供給系統(tǒng)構件作用于基底臺的重量可能產生上面所討論的相互作用。然 而，由不是液體供給系統(tǒng)構件的元件產生的外力也可能產生一種作用。這些力可能是靜態(tài) 的，象液體供給系統(tǒng)構件的重量，或是動態(tài)的(隨時間改變)。隨時間改變的力的示例可以 是那些由雜散磁場產生的力。相互作用也可以是位置相關的，具有一定大小且根據液體供 給系統(tǒng)構件的位置分布在液體供給系統(tǒng)構件內。對于例如電磁中間力這是可能發(fā)生的，因 為液體供給系統(tǒng)構件相對于光刻裝置的其它元件的位置是改變的。光刻裝置可以包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器和液體供給系統(tǒng)構件位置 判定裝置，該液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器構型成，根據液體供給系統(tǒng)構件位置判定 裝置測量的液體供給系統(tǒng)構件的位置，通過液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，將控制力作用于 液體供給系統(tǒng)構件。這種設置可以提供一種處理由液體供給系統(tǒng)構件施加在液體供給系統(tǒng) 構件上的力的直接手段，例如一種作為液體供給系統(tǒng)構件的位置的已知函數(shù)的垂直導向構 件。換言之，相互作用可以是液體供給系統(tǒng)構件位置相關的，具有一定大小且根據液體供給 系統(tǒng)構件的位置分布在液體供給系統(tǒng)構件內。對于例如電磁中間力這是可能發(fā)生的，因為 液體供給系統(tǒng)構件相對于光刻裝置的有源元件的位置是改變的。液體供給系統(tǒng)構件位置判定裝置可以沿著基本上平行于投影系統(tǒng)的光軸的一個 軸，判定液體供給系統(tǒng)構件相對于投影系統(tǒng)、支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架、或基本上機械 地獨立于投影系統(tǒng)但支撐由液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構件的力的 反作用力的框架的位置。液體供給系統(tǒng)構件位置判定裝置可以判定液體供給系統(tǒng)構件在基本上垂直于投 影系統(tǒng)光軸方向的位置?？梢允┘涌刂屏σ匝a償由附于液體供給系統(tǒng)構件和支撐至少部分投影系統(tǒng)的框 架之間的液體供給系統(tǒng)構件導向構件所產生的力。光刻裝置可以包括用于判定液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用的量值 并將代表該量值的數(shù)據傳遞給液體供給系統(tǒng)懸掛裝置的基底臺力補償器。該基底臺力補 償器在基底臺上產生力以保持基底臺處于預期位置(該基底臺馬達也可以以類似方式操 作)。這些控制力是關于投影系統(tǒng)或支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架的的基底臺的位置的函 數(shù)?？梢栽O置一控制回路以確保其間隔保持基本上恒定。當液體供給系統(tǒng)構件加入到基底 臺時，保持基底臺與框架處于預期間隔的驅動力應該增加，從而補償液體供給系統(tǒng)構件和 基底臺之間的相互作用(例如由于液體供給系統(tǒng)構件的重量產生的)。盡管這些相互作用 由基底臺力補償器所補償，因為致動器在整個基底臺上操作，所以不會減少基底臺所引起 的干擾。然而，根據實施例，關于與液體供給系統(tǒng)構件相關的附加力的信息可以轉發(fā)給液 體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，其獨立地使用這些信息，通過作用與液體供給系統(tǒng)構件的重量 (或其它因素)的量值相等的相反力，來補償由液體供給系統(tǒng)構件產生的力。上面所討論的 關于避免對基底臺的干擾的優(yōu)點也可能達到，這種裝置也可以改善支撐至少部分投影系統(tǒng) 的低頻框架座架的穩(wěn)定性。沒有液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，該低頻框架座架可能承受投 影系統(tǒng)以及帶有和沒有液體供給系統(tǒng)構件的框架的質量。在將液體供給系統(tǒng)構件降至基底 期間，因為液體供給系統(tǒng)構件的重量突然消失，可能干擾低頻框架座架。當升高液體供給系 統(tǒng)構件時，相反的情況產生。由上述作用產生的干擾可以通過提供使系統(tǒng)回到平衡狀態(tài)的穩(wěn)定時間來處理。通過除去干擾因素和因此采用的穩(wěn)定時間，可能改善光刻裝置的產出量。使用與基底臺力補償器相關的控制回路在以下意義上具有可能的有用優(yōu)點，即由 液體供給系統(tǒng)元件懸掛裝置作用的補償力不需要預先確定且可以對應隨著時間變化的液 體供給系統(tǒng)構件的有效重量，在不同的位置，或者如果液體供給系統(tǒng)構件導向具有一些偏 移力或附加剛性。液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置可以通過至少一種選自以下列表的機理來操作使用 洛倫茲原理的電磁力、使用磁阻原理的電磁力、風箱以及機械彈簧。電磁力可以是例如無源 磁力。風箱可以通過流體即氣體或液體來操作。機械彈簧可以郵單性材料如金屬來制造。 在各種情況下，合適的阻尼元件可以包括在懸掛裝置中，從而達到預期的性能特性。能與阻 尼器結合提供補償力的裝置的一個示例是有一定容積的有氣體限制的風箱。液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置可以用于為了進行基底臺更換使液體供給系統(tǒng)構件 上升至離開基底臺。通常，一單獨的裝置用于執(zhí)行該操作。通過調節(jié)液體供給系統(tǒng)構件補 償器來執(zhí)行該功能，減少構成光刻裝置的元件的數(shù)量是可能的。液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置可以用于在系統(tǒng)故障時將液體供給系統(tǒng)構件定位至 離開基底臺的遠端安全位置。通過使用風箱或其它任何提升機構，基底臺更換的可能性改 善了液體供給系統(tǒng)構件。這些風箱可以設置成對于特定的系統(tǒng)故障模式提升液體供給系統(tǒng) 構件。對于其它故障模式，風箱本身可能是不合格的(例如當氣體增壓時驅動風箱失敗)。 使用液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作為如果系統(tǒng)故障具有可能減少系統(tǒng)元件的優(yōu)點時的安 全部件，而且能提供更全面的安全裝置，其可以用來提升液體供給系統(tǒng)構件至離開任何系 統(tǒng)故障。光刻裝置可以包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，其包括含有液壓介質的外殼；第一活塞，可滑動地接合在離液體供給系統(tǒng)構件最近的外殼的第一壁內，且連接 到液體供給系統(tǒng)構件；第二活塞，由預張力彈簧壓向第一活塞，且可滑動地接合在與第一壁相對的外殼 的第二壁內；以及用于控制外殼內壓力的壓力調節(jié)器，壓力在基本上平行于投影系統(tǒng)光軸的方向給 第一活塞直接朝液體供給系統(tǒng)構件作用了一個力，且在相反方向對第二活塞作用了一個 力，其中以正常操作模式，第一和第二活塞設置成彼此相互作用，壓力調節(jié)器設置成通過 改變外殼內的壓力來控制液體供給系統(tǒng)構件的垂直位置；外殼內的壓力低于下臨界壓力時，彈簧的預張力設置成控制第二活塞的運動，該 力迫使第一活塞和液體供給系統(tǒng)構件處于離開基底臺的安全位置；而外殼內的壓力高于上臨界壓力時，壓力介質力設置成控制并迫使離開第二活塞和 液體供給系統(tǒng)構件的第一活塞到離開基底臺的安全位置。該部件通過壓力調節(jié)器可以提供 用于調節(jié)液體供給系統(tǒng)構件的位置的可靠且可控制的方法，使得當壓力調節(jié)器供給的壓力 落在由上和下壓力臨界值限定的安全范圍之外時，將液體供給系統(tǒng)構件轉移到安全位置。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種器件制造方法包括在光刻裝置的投影系統(tǒng)和使用液體供給系統(tǒng)構件的基底臺之間的空間含有液體；補償液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用；且用投影系統(tǒng)將圖案化的輻射光束穿過液體投射到基底的靶部上。 根據本發(fā)明的另一方面，提供光刻裝置聚焦校正方法，包括在光刻裝置的投影系統(tǒng)和使用液體供給系統(tǒng)構件的光刻裝置的基底臺之間的空 間含有液體；判定當基底臺與液體供給系統(tǒng)構件之間相互作用導致干擾時，基底臺的表面高度 分布圖，表面傾斜分布圖，或以上兩者，在基本上平行于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸方向上 確定該表面高度分布圖，且相對于基本上垂直于投影系統(tǒng)的最后元件的光軸的平面的一個 或兩個正交軸確定該表面傾斜分布圖；以及確定補償光刻裝置的基底和最佳聚焦平面的相對位置的補償數(shù)據。根據本發(fā)明的更進一層，提供一種光刻裝置聚焦校正方法，包括使用光刻裝置的投影系統(tǒng)，將具有聚焦測試圖案的輻射光束穿過液體投射到基底 的靶部上；分析基底上所投射的聚焦測試圖案從而確定在多個位置的聚焦誤差；確定用于補償光刻裝置的基底和最佳聚焦平面的相對位置的補償數(shù)據。盡管在本文中以IC制造中的光刻裝置的使用為具體示例，但是應該明確理解這 里描述的光刻裝置可以具有其它應用。例如，它可用于制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器 的引導和檢測圖案、液晶顯示板(LCD)、薄膜磁頭等等。本領域的技術人員將理解，在這種可 替換的用途范圍中，這里的任何術語“晶片”或者“管芯”的使用應認為分別與更普通的術 語“基底”和“靶部”同義。這里所述的基底可以在曝光之前或之后進行處理，用例如軌跡 器(一種典型地將抗蝕劑層應用于基底上并顯影曝光后的抗蝕劑的工具)或計量或檢驗工 具。這里所公開的內容可以應用于這樣或其它的適合的基底處理工具。此外，基底可以處 理不止一次，例如為了形成多層IC，從而使得這里所用的術語基底也涉及已經含有多個處 理層的基底。這里使用的術語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)。這里使用的術語“構圖部件”應廣義地理解為能夠給輻射光束的截面賦予圖案從 而在基底靶部形成圖案的任何部件。應注意的是，賦予輻射光束的圖案可以不和基底靶部 所要的圖案完全一致。一般，賦予輻射光束的圖案與在靶部中形成的部件如集成電路這樣 的特殊功能層相對應。構圖部件可以是透射型或者反射型的。構圖部件的例子包括掩模、程控反射鏡陣 列和程控LCD面板。掩模在光刻領域是公知的，掩模類型包括如二進制型、交替相移型和衰 減相移型，以及各種混合掩模類型。程控反射鏡陣列的一個例子是采用小型反射鏡的矩陣 裝置，每個反射鏡可以單獨傾斜從而能夠反射不同方向入射的輻射光束；以這種方式將反 射光束圖案化。在每個構圖部件的例子中，支承結構可以是例如框架或者工作臺，它可以根 據需要固定或者可移動并確保構圖部件位于例如相對于投影系統(tǒng)所需的位置。可以認為這 里的術語“中間掩模版”或者“掩?！钡娜魏问褂门c更普通的術語“構圖部件”是同義的。這里使用的術語“投影系統(tǒng)”應廣義地理解為各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學系統(tǒng)、反射光學系統(tǒng)、以及反射折射光學系統(tǒng)，只要其適合于使用曝光輻射，或者別的因素 如使用浸液或者使用真空。這里使用的術語“鏡頭”應理解為與更普通的術語“投影系統(tǒng)” 同義。照射系統(tǒng)也可以包含光學元件的各種類型，包括用于引導、成形或控制輻射的投 影光束的折射、反射以及反射折射光學元件，且這些元件在下面也可以共同或單獨地稱作 “鏡頭”光刻裝置可以為具有兩個(雙臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模 臺)的類型。在這種“多臺式”器件中，可以并行使用輔助臺，或者在一個或者多個其它臺 用于曝光時可以在一個或者多個臺上進行準備步驟。


現(xiàn)在參照示意附圖通過示例來描述本發(fā)明的實施例，圖中對應于附圖標記表示相 應的部分，且其中圖1表示根據本發(fā)明的實施例的光刻裝置；圖2表示根據本發(fā)明的實施例的用于將液體供給到投影系統(tǒng)和基底之間的空間 的液體供給系統(tǒng)圖3表示根據本發(fā)明的實施例的，由圖2所示的液體供給系統(tǒng)的在投影系統(tǒng)的最 后元件附近的入口和出口裝置；圖4表示根據本發(fā)明的實施例的液體供給系統(tǒng)；圖5表示根據本發(fā)明的實施例的與基底臺幾何測量裝置、校正數(shù)據存儲裝置和聚 焦校正裝置相互作用的投影系統(tǒng)；圖6表示本發(fā)明的實施例，其中密封構件由懸掛裝置支撐，以機械方式既接觸投 影系統(tǒng)也接觸支撐投影系統(tǒng)的框架；圖7表示包括機械彈簧的密封構件懸掛裝置的實施例；圖8表示密封構件懸掛裝置的實施例，其中應用于密封構件的上升力是無源磁 力；圖9表示本發(fā)明的包括密封構件懸掛裝置控制器和密封構件懸掛裝置控制存儲 器的實施例；圖10表示根據本發(fā)明的實施例的設置成與基底臺補償器相關的控制回路相互作 用的密封構件補償器；圖11表示密封構件懸掛裝置，設置成能提升密封構件至離開基底臺，從而進行基 底臺更換或在系統(tǒng)故障時定位密封構件處于離開基底臺的遠端安全位置；以及圖12表示以作為作用于懸掛裝置的過壓力的函數(shù)的密封構件的致動位置表示的 顯示密封構件懸掛裝置的特性的曲線。
具體實施例方式圖1示意性描述了根據本發(fā)明的具體實施例的光刻裝置。該裝置包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，用于提供輻射投影光束PB (例如EUV輻射)；支承結構(例如，掩模臺)MT，用于支撐構圖部件(例如掩模)MA，并與用于將該構圖部件相對于物件PL精確定位的第一定位裝置PM連接；基底臺(例如，晶片臺)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與用于 將基底相對于物件PL精確定位的第二定位裝置P連接；和投影系統(tǒng)(例如折射投影鏡頭)PL，用于將通過構圖部件MA弓丨入投影光束PB的圖 案成像在基底W的靶部C (例如包括一個或多個管芯)上。
如這里指出的，該裝置屬于透射型(例如采用透射掩模)?？蛇x擇地，該裝置還可 以是反射型(例如使用上述的程控反射鏡陣列或LCD陣列。)照射器IL從輻射源SO接受輻射光束。該光源與該光刻裝置可以是單獨的構件，例 如當光源為受激準分子激光器時。在這種情況下，不認為該光源是構成光刻裝置的一部分， 且借助于包括例如適合的定向鏡和/或光束擴展器的光束傳送系統(tǒng)BD，輻射光束從光源SO 到達照射器IL。在其它情況下該光源可以是該裝置整體的一部分，例如當光源為汞燈時。 該光源SO和該照射器IL，以及如果需要的話，加上光束傳送系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。照射器IL可以包括用于調整輻射光束角強度分布的調整裝置AM。一般能夠調 整照射器光瞳平面的強度分布的至少外徑和/或內徑向范圍(通常分別稱為外和 σ-內)。此外，照射器IL 一般還包括其它各種元件，例如積分器IN和聚光器CO。這種照 射器提供一種經調整處理的在其橫截面具有預期的均勻性和強度分布的輻射光束，稱作投 影光束PB。投影光束PB入射到保持在載物臺MT上的構圖部件MA上。穿過掩模MA后，投影光 束PB再穿過鏡頭PL，由其將光束聚焦于基底W的靶部C。借助于第二定位部件PW和位置 傳感器IF (如電容傳感器、干涉儀設備和/或線性編碼器)，能夠很精確地移動基底臺WT， 例如在投影光束PB的路徑中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中以機械方式取 出掩模后或在掃描期間，可以使用第一定位部件PM和其它位置傳感器(圖1中未明確示 出)將掩模MA相對于投影光束PB的光路進行精確定位。一般地，借助于構成定位部件PM 和PW的一部分的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實現(xiàn)載物臺MT 和WT的移動。然而，在步進器中(與掃描器相對)，掩模臺MT只能與短行程致動裝置連接 或者固定。使用掩模對準標記Ml、M2和基底對準標記PI、P2，以對準掩模MA和基底W。所述的裝置可以按照以下的優(yōu)選模式來使用1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，整個被賦予到投影光束的 圖案一次性地(即單一靜態(tài)曝光)投影到靶部C上。然后將基底臺WT沿X和/或Y方向 移動，以使不同的靶部C曝光。在步進模式中，曝光區(qū)域的最大尺寸限制了在單一靜態(tài)曝光 中成像的靶部C的尺寸。2.在掃描模式中，將掩模臺MT和基底臺WT同步掃描，同時，將被賦予到投影光束 的圖案投影到靶部C上(即單一動態(tài)曝光)?；着_WT相對于掩模臺MT的速度和方向取 決于投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)特性和圖像反轉特性。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸 限制了單一動態(tài)曝光中的靶部的寬度(非掃描方向上)，而掃描動作的長度決定了靶部的 高度(掃描方向上)。3.在其他模式中，容納程控構圖部件的掩模臺MT基本保持不動，并且在將被賦予 投影光束的圖案投影到靶部C上時，移動或者掃描基底臺WT。在該模式下，通常采用脈沖輻 射源，并且在每次將基底臺WT移動之后或者在掃描期間相繼的輻射脈沖之間，將程控構圖部件按要求更新?？梢匀菀椎貙⑦@種操作模式應用于利用程控構圖部件的無掩模光刻中， 例如上面所述的程控反射鏡陣列中。也可以將上述模式組合和/或變化使用，或者使用完全不同的模式。其它已提出的濕浸式光刻方法有，提供帶有密封元件的液體供給系統(tǒng)，該密封元 件沿著位于投影系統(tǒng)最后元件和基底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸。盡管密封元件 相對于投影系統(tǒng)在Z方向(光軸方向)可以有一定的相對運動，但它在XY平面內基本上保 持不動。密封是在密封元件和基底表面之間形成的。在實施時，該密封是諸如氣密封這樣 的無觸點密封。在例如美國專利申請?zhí)朥S10/705，783中公開了這種系統(tǒng)，這里全部引入作 為參考。圖5表示根據本發(fā)明的實施例的包括聚焦校正裝置6和數(shù)據存儲裝置8的密封構 件補償器2。在所示裝置中，密封構件4包括在投影系統(tǒng)PL的最后元件和基底W和/或基 底臺WT之間的區(qū)域的浸液13。和密封構件4所傳遞的其它的力一樣，其重量如果不補償， 可以導致基底臺WT的變形和/或傾斜。在垂直于投影系統(tǒng)PL的最后元件的光軸的平面中， 來自密封構件4的力的分布是非均勻的。在圖5所示的與其它圖也有關的坐標系統(tǒng)中，該 平面對應于XY平面而投影系統(tǒng)PL的最后元件的光軸對應于Z-軸。例如，由密封構件4作 用于基底臺WT的重力的非均勻性由箭頭10和12表示，越大的箭頭表示越大的力。附于密 封構件4和支撐投影系統(tǒng)PL的最后元件的框架16之間的垂直導向構件15，也可以通過固 定點11傳遞力，如箭頭17所示。一般，基底臺WT所受的干擾由密封構件4所產生的力和 扭矩的復雜分布引起，且取決于密封構件4關于基底臺WT的相對位置。沒有補償?shù)脑挘?曝光基底臺WT上的基底W時這些力可能導致散焦作用。例如，在雙臺光刻裝置中，在投影 系統(tǒng)PL下定位基底臺WT且密封構件4和浸液14處于適當位置之前，在獨立的測量系統(tǒng)下 形成基底W的幾何圖案，因為形成基底圖案時密封構件4不處于適當位置，所以該幾何基底 圖案可能有誤差。由于來自密封構件4的力導致基底臺WT的變形可能不僅導致基底W的 散焦，而且可能影響機器與機器之間的疊加(尤其是浸漬和非浸漬之間)而且也可能影響 基底臺WT的定位準確度，該定位準確度是根據由基底臺WT的橫向反射側區(qū)域的反射光操 作干涉計而進行測量來調節(jié)的。根據一個實施例，例如在密封構件4的重量下扭曲等基底臺WT的干擾，能通過該 作用的校正來補償。當基底臺受密封構件4的影響而變形或傾斜時，基底臺幾何測量裝置 14用于判定基底臺WT的表面高度分布圖。該表面高度分布圖是沿著Z-軸測量的作為XY 平面位置的函數(shù)的表面位置，且對應于幾何基底圖案記錄在雙臺光刻裝置中的測量位置。 由基底臺幾何測量裝置14執(zhí)行的表面高度分布圖的測量應該對于密封構件4相對基底臺 WT的不同位置反復進行。類似地，可以確定基底臺WT的表面傾斜分布圖，該表面傾斜分布 圖包括作為XY平面的位置函數(shù)的表面Rx和/或Ry傾斜。測量結果存儲在數(shù)據存儲裝置8 中，其通過聚焦校正裝置6可存取。根據密封構件4相對基底臺WT的當前水平位置，聚焦 校正裝置6計算補償數(shù)據以傳輸至基底臺伺服系統(tǒng)9，而能調節(jié)基底臺WT的位置(例如，高 度和/或傾斜)從而補償變形產生的散焦作用。該聚焦校正裝置6有效地使基底W上的每 個點處于成像點的最佳聚焦平面。實際上，聚焦校正裝置6可以用在適當編程的計算機內 運行的軟件來執(zhí)行。基底臺WT的干擾可以建模為解析數(shù)學函數(shù)，Zcomp = Z (X，Y)，其中可以包括多項式函數(shù)或冪級數(shù)展開。例如，可以使用以下函數(shù)ζ = aX+bY+cY"2+··· +uX"2Y"2+vX"4+wY"4+f(X, Y)，其中f(X，Y)表示未包括在冪級數(shù)余項中的余數(shù)。繞X和Y 軸的傾斜通過求該冪級數(shù)的微分來計算。由于基底臺的相關元件(例如基底臺的支承結 構)的幾何結構，如果該作用不循環(huán)對稱，則會產生對于根據X和Y坐標的函數(shù)的優(yōu)先。這 樣的話幾何結構趨于三角形，而有利于澤爾尼克系數(shù)族。Zcomp中的系數(shù)和余項函數(shù)可以從 以下一個或多個條件中判定a)基底臺的機械數(shù)學模型，其作為密封構件的位置和相互作 用力的函數(shù)預測基底臺干擾(變形和/或傾斜)；b)從曝光聚焦測試圖案的測試得到的校 正結果，從中能判定曝光位置的聚焦誤差；c)在基準機器中以在實際光刻裝置中由密封構 件作用于基底臺的相同的力使用從b)中得到的測量結果來進行補償；或d)a)，b)和c)中 的一個或多個的組合。 如果在把基底放在基底臺之后基底和/或基底臺改變了溫度，基底臺也可能變 形。這可以使用在上述的補償函數(shù)的基礎上的前饋機構來處理，或者可供選擇地，使用具有 設置在基底臺內的一個或多個溫度傳感器的反饋機構來處理。作為考慮到基底臺WT的干擾而改變投影系統(tǒng)本身的特性的一種選擇，密封構件 補償器的進一步的實施例通過物理支撐密封構件4來操作，且因此防止基底臺WT最初的相 關扭曲。圖6表示根據本發(fā)明的這一方面的可能的實施例。箭頭24代表作用于密封構件4 的向下的力，其可能是由于本身重量產生的重力。由密封構件補償器作用的等量且相反的 支持力由箭頭22表示。為了提供這樣一種力，密封構件補償器必須與足夠堅固不會因為密 封構件4的附加力而產生變形缺點的元件連接(機械地或其它方式)。達到這樣一種方式 是通過將密封構件4連接到支撐投影系統(tǒng)PL的框架(該框架可以支撐各種測量部件，例如 聚焦傳感器和/或定位傳感器)。該合成力由箭頭18表示且通過虛線23自我耦合。在這 個實施例中，耦合方式23可以以支撐投影系統(tǒng)PL的框架16和獨立框架21的其中一個或 兩個來實行，其與基底臺WT或投影系統(tǒng)PL沒有直接或緊密的機械連接。該裝置具有將投 影系統(tǒng)PL的精密元件的干擾減到最小的優(yōu)點。然而，可選擇地，也可能設置一些與投影系 統(tǒng)PL的最后元件連接的形式。合成的向下的力由箭頭20表示。該裝置具有投影系統(tǒng)PL 與密封構件4鄰近的優(yōu)點，但必須注意不影響投影系統(tǒng)PL的光學特性。圖7和8表明密封構件4實際上如何由密封構件懸掛裝置26，28支撐以形成密封 構件補償器的一部分的更多細節(jié)。補償力能是例如軟機械預加載彈簧，軟性風箱和/或無 源磁力。圖7表示密封構件懸掛裝置26的一個實施例，其中補償力是普通機械型的，例如 彈簧。如果將風箱用作機械密封構件懸掛裝置26，該風箱的介質既可以為液體，也可以是氣 體。圖8表示密封構件懸掛裝置28的一個實施例，其中補償力通過電磁洛倫茲或磁阻致動 器29提供，其可以不用機械接觸就將力施加在密封構件4上。一般，阻尼力的某些形式可 能與密封構件的位移隨時間的變化率成比例，也可能用于避免密封構件的位移突變、密封 構件4的振蕩，或更普遍地，為了達到預期的相應特性。在圖7和8中，虛線27表明作用于 密封構件4的力的反作用力可以通過投影系統(tǒng)PL的一部分、支撐投影系統(tǒng)PL的框架或基 本上機械地獨立于投影系統(tǒng)PL和基底臺WT的框架或其任意組合來支撐。圖9表示本發(fā)明的一個實施例的包括密封構件懸掛裝置控制器31和密封構件懸 掛裝置控制器存儲器33。該密封構件懸掛裝置控制器31在這里用于控制通過密封構件懸 掛裝置26 (盡管它可能相當于密封構件懸掛裝置28或某些組合)作用于密封構件4的補償力的量值。為了判定補償力的有效量值，密封構件懸掛裝置控制器31可以使用各種源輸 入。一種可能性是通過密封構件懸掛裝置控制器31簡單地將補償值存儲在密封構件懸掛 控制器存儲器33中。該存儲補償值可以表示為例如密封構件4的重量、通過垂直導向構件 15作用的力和/或已知作用于密封構件4的一些其它力的大小。密封存儲懸掛裝置控制器31也可以接收來自定位傳感器35和或39的輸入，其用 于分別測量如箭頭37和41所分別示意性表示的密封構件4的垂直和平行位置。執(zhí)行時， 位置傳感器35和39連接到支撐投影系統(tǒng)PL的框架16，盡管它們中的一個或兩個可以連接 到光刻裝置的其它部分。使用存儲在密封構件懸掛裝置控制存儲器33中的數(shù)據，例如密封 構件4的垂直位置，可用于計算由垂直導向構件15施加的力的大小?？蛇x擇地或附加地， 作用在密封構件4上的力取決于其水平位置(即在X-Y平面的位置)，則從傳感器39 (包 括兩個或多個傳感器以判定X和Y坐標)的輸出用作密封構件懸掛裝置控制器31的輸入。 當然，也可以測量或使用密封構件的其它位置如傾斜。如之前所述，作用的補償方可以依據 存儲在密封構件懸掛裝置控制存儲器33中的描述關于作用在密封構件4上的力的位置的 數(shù)據來計算。該數(shù)據可以由計算或校正測量來得到。根據圖10表示的本發(fā)明的實施例，使用密封構件懸掛裝置26，28能得到作為由基 底補償器30的Z-致動器42提供的垂直力的函數(shù)來控制的準確補償值。在普通操作(即 非浸漬操作)中，基底臺WT的重量可以由構成基底臺補償器30的一部分的控制回路來補 償，其通過參照例如由傳感器36測量的框架16和基底臺WT之間的空間間隔，起控制基底 臺WT的垂直和/或傾斜位置(即Z，Rx和/或Ry)的作用。如果密封構件4被下降并支承 在基底臺WT上，抵消密封構件重量的額外的垂直力將由形成控制回路的一部分的基底臺 控制器32 (例如，PID低通控制器)產生。箭頭38表示與箭頭40表示的密封構件4的重 量相反的作用力。根據本實施例，額外的垂直力形成對于密封構件34(例如，PI低通控制器)的輸 入(即設定值)，形成驅動密封構件懸掛裝置26，28的密封構件補償器的一部分，其可以連 接密封構件4和支撐投影系統(tǒng)PL的最后元件的框架16 (或，可選擇地，連接密封構件4和 投影系統(tǒng)PL的最后元件本身)。密封構件控制器34產生能使密封構件4上升和/或傾斜 的垂直的力。基底臺致動器42將不再須產生對于密封構件4的補償力，因為其由密封構件 懸掛裝置26，28所提供。之前的實施例中，基底臺WT可以不再因密封構件4的重量，或其 它由密封構件4所產生的力而變形和/或傾斜。使用根據上述實施例的補償值得到1.0%的準確度是可行的。在散焦誤差為 400nm的情況中誤差減至大約4nm或更小，對于大多數(shù)用途而言這是可以接受的。在這些情 況下預期的基底臺變形和/或傾斜變得可以忽略，從而導致良好的機器與機器的疊加。進 一步的有點是，因為與密封構件4的有效重量的變化以及相對于基底工作臺WT的密封構件 4位置的變化相關的移動重力的作用不再出現(xiàn)，所以基底臺短行程致動系統(tǒng)中的相互串擾 變得非常小，該短行程致動系統(tǒng)決定著在X、Y和Z方向基底的定位并控制基底臺WT的傾 斜。這個結果是更加精確的基底臺定位。根據本發(fā)明的進一步實施例，密封構件懸掛裝置26，28可以設置成用以組合以下 功能，即支撐密封構件4以便避免基底臺WT的變形和/或傾斜，以及支撐密封構件4處于 安全位置(通常為升高的位置)以更換基底臺或其它元件，和/或對緊急情況的可靠反應，如(加壓氣體系統(tǒng)的)軟管斷開、供電故障或由基底臺WT自身引起的緊急情況。已知的，密 封構件懸掛系統(tǒng)26，28也可以簡單地設置成為了更換基底臺WT或其中的元件在安全(通 常是上升的)位置支撐密封構件4，和/或用于提供萬一發(fā)生上述系統(tǒng)故障時的安全裝置。該裝置在圖11中表明。這里，密封構件懸掛裝置26的實施例包括外殼46，其中以密封狀態(tài)插入小活塞48和大活塞49。壓力板50位于大活塞49的最上層表面。彈簧元 件52位于壓力板50和外殼46的最低內表面之間，用于在大活塞49上施加一個向上的力， 當外殼46的最低內表面和壓力板50之間的距離減小時其量值增加。提供壓力調節(jié)器44 以控制外殼46限定的空間內的壓力。通過壓力調節(jié)器44對外殼46中的壓力的控制提供 了一種控制密封構件4的垂直位置的手段，且結合上述實施例可以用于補償由密封構件4 產生的力并防止由基底臺WT所產生的變形和/或為了更換基底臺WT或其中的元件在安全 (通常是上升的)位置支撐密封構件4。然而，該裝置也可以實現(xiàn)提供萬一發(fā)生上述系統(tǒng)故 障時的安全裝置的功能，接下來參照圖12進行描述。圖12表示當由圖11所示的密封構件懸掛系統(tǒng)26支撐時密封構件4沿Z方向的 位置變化。在PO和Pl之間，彈簧構件52的預張力防止密封構件4離最大上升位置Zt的位 移。預張力控制活塞52的活動并迫使活塞48 (和密封構件4)處于安全位置。在P1，由外 殼46中的壓力施加的向下的力等于彈簧構件52的預張力。在Pl之后，彈簧構件52逐漸 被壓縮(為了繼續(xù)對抗密封構件4施加的力和外殼46內的壓力)且壓力板50和密封構件 4逐漸降低，而小活塞48保持與壓力板50接觸。在P2和P3之間的區(qū)域，彈簧構件52完全 壓縮且小活塞48與壓力板50接觸，密封構件4處于其最低位置。然而如果壓力P進一步 增加，小活塞48將被外殼46中的壓力推離壓力板50，密封構件4的垂直位置隨壓力迅速增 加直到它到達它的最大上升位置Zt (實際上，該轉移幾乎是垂直的)。為了成像該操作狀態(tài) 將處于嚴厲P2和P3之間。萬一系統(tǒng)故障導致外殼46內的壓力太低或太高，密封構件4將 被推至安全位置Zt。具有固定位置的液體供給系統(tǒng)的更進一步的濕浸式光刻方法如圖4所示。液體由 投影系統(tǒng)PL每一邊的兩個凹槽入口 IN提供，且由入口 IN徑向外側設置的若干離散的出口 OUT清除。入口 IN和出口 OUT能設置在中心有一個孔的板內，而投影光束通過該孔透射。 液體由投影系統(tǒng)PL的一邊的一個凹槽入口 IN提供且由投影系統(tǒng)PL的另一邊上的若干分 立的出口 OUT清除，導致一薄層的液體在投影系統(tǒng)PL和基底W之間流動。使用的入口 IN和 出口 OUT組合的選擇取決于基底W的移動方向(入口 IN和出口 OUT的另一種組合無效)。這里全部引入作為參考的歐洲專利申請No. 03257072. 3，闡述了雙臺濕浸式光刻 裝置的概念。這種裝置提供了兩個支撐基底的基底臺。由一個基底臺在第一位置進行沒有 浸液的水平測量，而由一個基底臺在第二位置進行具有浸液的曝光?；蛘?，該裝置僅有一個 在第一和第二位置移動的基底臺。盡管已經描述了本發(fā)明的涉及密封構件的實施例，但本發(fā)明的實施例也可以應用 于任何濕浸式光刻裝置和任何液體供給系統(tǒng)(包括其相關部分)，特別但不限于對上述的 其它任何液體供給系統(tǒng)和液體槽。盡管已經描述了本發(fā)明的具體實施例，但是應當明白本發(fā)明可以以上述內容之外 的其它形式實施。該描述不用于限制本發(fā)明。
權利要求
一種光刻裝置，包括用于支持構圖部件的支承結構，該構圖部件能將圖案賦予輻射光束的橫截面，從而提供圖案化的輻射光束；用于支持基底的基底臺；用于將圖案化的輻射光束投射到基底的靶部上的投影系統(tǒng)；用于在投影系統(tǒng)和基底之間的空間內容納液體的液體供給系統(tǒng)構件；以及用于補償液體供給系統(tǒng)構件與基底臺之間的相互作用造成的干擾的液體供給系統(tǒng)構件補償器，其中液體供給系統(tǒng)構件補償器包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，所述液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置能對液體供給系統(tǒng)構件供給力以至少部分地補償液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用。
2.根據權利要求1的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置構型成連接到支撐投 影系統(tǒng)的至少一部分的框架，該框架通過連接能支撐由液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作用于 液體供給系統(tǒng)構件的力的反作用力的至少一部分。
3.根據權利要求1的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置構型成連接到投影系 統(tǒng)，該投影系統(tǒng)通過連接能支撐由液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置作用于液體供給系統(tǒng)構件的 力的反作用力的至少一部分。
4.根據權利要求1的光刻裝置，進一步包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器，所述 液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器構型成根據表示液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相 互作用的量值的數(shù)據，通過液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，將控制力作用于液體供給系統(tǒng)構 件。
5.根據權利要求4的光刻裝置，其中所述液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器與配置用 于存儲所述數(shù)據的液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器存儲器通信連接。
6.根據權利要求1的光刻裝置，其中所述相互作用包括液體供給系統(tǒng)構件的重力。
7.根據權利要求1的光刻裝置，其中所述相互作用包括外力。
8.根據權利要求1的光刻裝置，其中所述相互作用包括與位置相關的外力。
9.根據權利要求1的光刻裝置，進一步包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器和液體 供給系統(tǒng)構件位置判定裝置，該液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置控制器根據由液體供給系統(tǒng)構 件位置判定裝置所測量的液體供給系統(tǒng)構件的位置，通過液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，將 控制力作用于液體供給系統(tǒng)構件。
10.根據權利要求9的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構件位置判定裝置沿著基本上平 行于投影系統(tǒng)的光軸的方向，判定液體供給系統(tǒng)構件相對于投影系統(tǒng)或用于支撐至少部分 投影系統(tǒng)的框架的位置。
11.根據權利要求9的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構件位置判定裝置在基本上垂直 于投影系統(tǒng)的光軸的方向上判定液體供給系統(tǒng)構件的位置。
12.根據權利要求9的光刻裝置，其中所述控制力被施加以補償連附于液體供給系統(tǒng) 構件和用于支撐至少部分投影系統(tǒng)的框架之間的液體供給系統(tǒng)構件導向構件所產生的力。
13.根據權利要求1的光刻裝置，進一步包括基底臺力補償器，所述基底臺力補償器配 置成判定液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用的量值并將代表該量值的數(shù)據傳遞 給液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置。
14.根據權利要求1的光刻裝置，其中液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置通過至少一種選自 以下所述的機理來操作利用洛倫茲原理的電磁力，利用磁阻原理的電磁力，風箱和機械彈ο
15.根據權利要求1的光刻裝置，其中所述液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置配置成支撐所 述液體供給系統(tǒng)構件。
16.一種光刻裝置，包括用于支持構圖部件的支承結構，該構圖部件能將圖案賦予輻射光束的橫截面，從而提 供圖案化的輻射光束；用于支持基底的基底臺；用于將圖案化的輻射光束投射到基底的靶部上的投影系統(tǒng)；用于在投影系統(tǒng)和基底之間的空間內容納液體的液體供給系統(tǒng)構件；以及用于補償液體供給系統(tǒng)構件與基底臺之間的相互作用造成的干擾的液體供給系統(tǒng)構 件補償器，所述液體供給系統(tǒng)構件補償器包括液體供給系統(tǒng)構件懸掛裝置，所述液體供給 系統(tǒng)構件懸掛裝置能夠基于所述液體供給系統(tǒng)構件的位置對液體供給系統(tǒng)構件供給力以 至少部分地補償液體供給系統(tǒng)構件和基底臺之間的相互作用。
17.根據權利要求16的光刻裝置，其中所述液體供給系統(tǒng)構件補償器包括第一傳感 器，所述第一傳感器配置用于測量所述液體供給系統(tǒng)構件沿著所述光刻裝置的光軸的位 置。
18.根據權利要求17的光刻裝置，其中所述液體供給系統(tǒng)構件補償器包括第二傳感 器，所述第二傳感器配置用于測量所述液體供給系統(tǒng)構件沿著基本上垂直于所述光刻裝置 的所述光軸的方向的位置。
19.根據權利要求18的光刻裝置，其中由所述第一和第二傳感器所測量的所述位置被 提供給控制器，用于判定作用于所述液體供給系統(tǒng)構件的所述力。
20.根據權利要求18的光刻裝置，其中所述第一和第二傳感器被安裝于所述投影系統(tǒng) 的框架。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻裝置和器件制造方法。所述光刻裝置包括構型成在光刻裝置的投影系統(tǒng)和基底之間的空間內容納液體的液體供給系統(tǒng)構件，以及設置成補償該液體供給系統(tǒng)構件與基底臺之間的相互作用的液體供給系統(tǒng)構件補償器。
文檔編號H01L21/027GK101881930SQ20101022459
公開日2010年11月10日 申請日期2005年5月20日 優(yōu)先權日2004年5月21日
發(fā)明者B·斯特里科克, C·A·霍根達姆, H·H·M·科西, J·J·S·M·梅坦斯, K·J·J·M·扎亞, M·庫佩魯斯 申請人:Asml荷蘭有限公司