專利名稱：半導體激光器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體激光器，該半導體激光器適合于用作例如記錄型DVD(數(shù)字多 用途盤)的光源。
背景技術：
通常，為了向諸如記錄型DVD的高密度光盤寫入數(shù)據(jù)，采用AlGaInP基半導體激 光器。用于此處的激光器除了高輸出外，還要求具有在高溫下的穩(wěn)定性以及低的縱橫比 (aspect ratio) (θ ν( θ 在 X 軸方向)/θΗ(θ 在 Y 軸方向))等。在這種半導體激光器中，為了實現(xiàn)低縱橫比，在光波導中傳播的光必須被加寬至 脊條側到一定程度。因此，通過將脊條側的覆層中接近有源層的部分以低折射率層替代，從 而采取措施將光的分布加寬至脊條側。然而，當光分布被加寬太大時，光被脊條上面的接觸 層和基板吸收。因此，采取另一種措施來降低光的內部損失加厚覆層以使接觸層和基板保 持遠離有源層。通過在有源層附近引入低折射率層，該部分的帶隙增加而載流子溢出減少， 從而獲得高溫下的穩(wěn)定性。例如，日本未審查專利申請公開第2005-333129號、第2005-19467號和第 2008-78340號等中描述了 AlGaInP基半導體激光器。例如，日本未審查專利申請公開第 2005-333129號、第2008-219051號和第2008-34886號等描述了用折射率低于覆層的低折 射率層替代覆層中靠近有源層的部分的技術。

發(fā)明內容
當加厚覆層來減少光的內部損失時，產(chǎn)生這樣的問題，導熱性下降，另外，制造過 程中的生長時間變長，并且生產(chǎn)率也下降。所希望的是提供實現(xiàn)減少光的內部損失而不加厚覆層的半導體激光器。根據(jù)本發(fā)明實施例的第一半導體激光器在半導體基板上具有半導體層。該半導體 層從半導體基板側依次具有下覆層、有源層、上覆層和接觸層，并且在上覆層和接觸層之間 具有折射率低于上覆層的折射率的第一低折射率層。該第一低折射率層可以與接觸層直接 接觸，或者與其間的半導體層接觸，該半導體層由與上覆層相同的材料制成且薄于上覆層。在根據(jù)本發(fā)明實施例的第一半導體激光器中，折射率低于上覆層的折射率的第一 低折射率層設置在上覆層和接觸層之間。利用該構造，通過第一低折射率層可以抑制光的 分布向覆層的延伸。根據(jù)本發(fā)明實施例的第二半導體激光器在半導體基板上具有半導體層。該半導體 層從半導體基板側依次具有下覆層、有源層、上覆層和接觸層，并且在下覆層和半導體基板 之間具有折射率低于下覆層的折射率的第二低折射率層。第二低折射率層可以直接與半導 體基板接觸，或者與其間的半導體層接觸，該半導體層由與下覆層相同的材料制成且薄于 下覆層。在根據(jù)本發(fā)明實施例的第二半導體激光器中，折射率低于下覆層的折射率的第二低折射率層設置在下覆層和半導體基板之間。利用該構造，通過第二低折射率層可以抑制 光的分布向半導體基板的延伸。在根據(jù)本發(fā)明實施例的第一半導體激光器中，通過第一低折射率層抑制光的分布 向接觸層的延伸。因此，可以減少接觸層中的光吸收。利用該構造，在沒有加厚上覆層的情 況下，可以減少光的內部損失。在根據(jù)本發(fā)明實施例的第二半導體激光器中，通過第二低折射率層抑制光的分布 向半導體基板的延伸，從而可以減少半導體基板中的光吸收。利用該構造，在沒有加厚下覆 層的情況下，可以減少光的內部損失。本發(fā)明的其它和進一步的目標、特征和優(yōu)點將通過下面的描述更加明顯易懂。


圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體激光器的截面圖。圖2的示意解了圖1半導體激光器的傳導帶排列。圖3的關系解了圖1的低折射率層的厚度和光損失之間的關系。圖4的關系解了圖1的第二 ρ型覆層的厚度和光損失之間的關系。圖5是作為圖1的半導體激光器修改的傳導帶排列示意圖。圖6是圖1的半導體激光器的另一個修改的截面圖。圖7的示意解了圖6的半導體激光器的傳導帶排列。圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體激光器的截面圖。圖9的示意解了圖8的半導體激光器的傳導帶排列。
具體實施例方式下面，將參考附圖詳細描述執(zhí)行本發(fā)明的實施方式。將以下面的順序給出描述。1.第一實施例(ρ側設置低折射率層的示例，圖1和2)修改(價帶的能量分布不同的示例，圖5)修改(η側也設置低折射率層的示例，圖6和7)2.第二實施例(η側設置低折射率層的示例，圖8和9)第一實施例圖1圖解了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的半導體激光器1的截面構造示例。圖2圖解 了圖1的半導體激光器1的導帶結構示例。該實施例的半導體激光器1例如為邊發(fā)射型半 導體激光器，例如能從端面(未示出)為諸如記錄型DVD的高密度光盤發(fā)射eoonm波段(例 如，650nm)的光。半導體激光器1例如在基板10上具有半導體層20?；?0對應于本發(fā) 明的“半導體基板”的具體示例。基板10例如為η型GaAs基板。η型雜質的示例為硅(Si)和硒(Se)。半導體層 20包含四元的III -V族化合物半導體，例如，AlGaInP基化合物半導體?！八脑北硎舅姆N元 素的混合晶體，并且III-V族化合物半導體表示表示包含III族元素和V族元素的化合物半導 體。AlGaInP基化合物半導體表示包含Al、Ga、In和P總共四種元素的化合物半導體。例如，通過在基板10上進行晶體生長而獲得半導體層20。半導體層20例如從基 板10側依次包括η型覆層21、η側引導層22、有源層23、ρ側引導層24、第一 ρ型覆層25、蝕刻停止層26、第二 ρ型覆層27、低折射率層28和接觸層29。低折射率層28可以直接與 接觸層29接觸，或者與其間的半導體層接觸，該半導體層由與第二 ρ型覆層27相同的材料 制成且比第二 P型覆層27薄。η型覆層21對應于本發(fā)明的“下覆層”的具體示例。第一 ρ型覆層25和第二 ρ型 覆層27對應于本發(fā)明的“上覆層”的具體示例。低折射率層28對應于本發(fā)明的“第一低折 射率層”的具體示例。第一 P型覆層25對應于本發(fā)明的“第一覆層”的具體示例。第二 ρ 型覆層27對應于本發(fā)明的“第二覆層”的具體示例。η型覆層21的禁帶寬度大于η側引導層22和有源層23的禁帶寬度，并且η型覆 層21的折射率小于η側引導層22和有源層23的折射率。η型覆層21的導帶的下端高于 η側引導層22和有源層23的導帶的下端。η型覆層21例如包含η型(AleGa1J,InwP(0 < e < 0. 7，0 < f < 1)。η型雜質的示例包括硅(Si)和硒(Se)。η側引導層22的禁帶寬度大于有源層23的禁帶寬度，并且η側引導層22的折射 率小于有源層23的折射率。η側引導層22的導帶的下端高于有源層23的導帶的下端。η 側引導層22例如包含未摻雜(AliGaH)kIni_kP(0 < i < e，0 < k < 1)。在該說明書中，“未摻雜”表示在制作作為目標的半導體層時沒有供應雜質材料。 因此，“未摻雜”表示這樣的概念其包括作為目標的半導體層中不包含雜質的情況以及略 微包含從另一個半導體層擴散來的雜質的情況。有源層23的禁帶寬度對應于所希望的發(fā)光波長(例如，600nm波段的波長)。有 源層23例如具有多量子阱結構，其中阱層和勢壘層分別由成分彼此不同的未摻雜AlGaInP 制作。有源層23中面對稍后描述的脊30的區(qū)域是發(fā)光區(qū)域(未示出)。發(fā)光區(qū)域的條寬 等于面對的脊30的底部，并且對應于電流注入?yún)^(qū)域，由脊30限定的電流向該區(qū)域流動。ρ側引導層24的禁帶寬度大于有源層23的禁帶寬度，并且P側引導層24的折射 率小于有源層23的折射率。ρ側引導層24的價帶的上端低于有源層23的價帶的上端。ρ 側引導層24例如包含未摻雜(AlmGa1J JrvnP(0 < m < ρ,0 < η < 1) (ρ表示第一 ρ型覆 層25的Al成分比)。第一 ρ型覆層25相對于第二 ρ型覆層27設置在有源層23側。第一覆層25的禁 帶寬度大于有源層23和ρ側引導層24的禁帶寬度。第一 ρ型覆層25的折射率小于有源 層23和ρ側引導層24的折射率，而大于第二 ρ型覆層27的折射率。第一 ρ型覆層25的 價帶的上端低于有源層23和ρ側引導層24的價帶的上端。在該實施例中，第一 ρ型覆層 25的禁帶寬度大于η型覆層21的禁帶寬度，并且第一 ρ型覆層25的折射率小于η型覆層 21的折射率。第一 P型覆層25例如包含ρ型(AlpGai_p) JrviP (0 < P < 0. 7，0 < q < 1)。 P型雜質的示例包括鎂(Mg)和鋅(Zn)。蝕刻停止層26由對于預定的蝕刻劑蝕刻率低于第二 ρ型覆層27的蝕刻率的材料 制作。蝕刻停止層26例如包含ρ型(AlrGa1J JrvsP(0 < r < m，0 < s < 1)。第二 ρ型覆層27相對于第一 ρ型覆層25設置在接觸層29側(低折射率層28 側)。第二覆層27的禁帶寬度大于有源層23和ρ側引導層24的禁帶寬度，而小于第一 ρ 型覆層25的禁帶寬度。第二 ρ型覆層27的折射率小于有源層23和ρ側引導層24的折射 率，而大于第一 ρ型覆層25的折射率。第二 ρ型覆層27的價帶的上端低于有源層23和ρ 側引導層24的價帶的上端，而高于第一 ρ型覆層25的價帶的上端。第二 ρ型覆層27例如包含 P 型(AltGa1-J JrvuP (0 <t<p，0<u<l)。低折射率層28設置在第二 ρ型覆層27和接觸層29之間。低折射率層28的禁帶 寬度大于有源層23和ρ側引導層24的禁帶寬度，并且大于第一 ρ型覆層25和第二 ρ型覆 層27的禁帶寬度。低折射率層28的折射率小于有源層23和ρ側引導層24的折射率，并 且小于第一 P型覆層25和第二 ρ型覆層27的折射率。低折射率層28的價帶的上端低于 有源層23和ρ側引導層24的價帶的上端，并且低于第一 ρ型覆層25和第二 ρ型覆層27 的價帶的上端。低折射率層28例如包含ρ型(AlcGa1J JrvdP(0. 7彡c彡1，0 < d < 1)。接觸層29設置為使得稍后描述的ρ側電極31和第二 ρ型覆層27 (低折射率層 28)彼此成為歐姆接觸。接觸層29例如包含ρ型GaAs。在該實施例中，在堆疊層平面中沿一個方向延伸的條形脊30形成在半導體層20 的上部中。如圖1所示，脊30例如包括第二 ρ型覆層27、低折射率層28和接觸層29。接觸 層29設置在脊30的最外層上。盡管圖1示出了僅為半導體層20設置一個脊30的情況， 但是可以設置兩個或多個脊30。在半導體層20中，形成從脊30的延伸方向夾著脊30的一對端面(未示出)。通 過這些端面，構造諧振器。該對端面例如通過解理形成，并且設置為以其間的預定間隔彼此 面對。此外，低反射膜(未示出)形成在該對端面中發(fā)光側的端面(前端面)上，并且高反 射膜(未示出)形成在該對端面中發(fā)光側的相反側的端面(后端面)上。ρ側電極31設置在脊30的頂面(接觸層29的頂面)上。ρ側電極31具有在脊 30的延伸方向上延伸的帶狀，并且電連接到接觸層29。ρ側電極31例如通過從基板10側 依次堆疊鈦(Ti)、鉬(Pt)和金(Au)而構造。η側電極32設置在基板10的后面。η側電極 32例如連續(xù)地形成在基板10的后面中包括面對脊30的區(qū)域的區(qū)域中。η側電極32例如 通過從基板10側依次堆疊金(Au)和鍺(Ge)的合金、鎳(Ni)以及金(Au)而構造，并且電 連接到基板10。接下來，將描述低折射率層28和第二 ρ型覆層27的厚度與光損失之間的關系。 圖3示出了低折射率層28的厚度與光損失之間的關系。圖4示出了第二 ρ型覆層27的厚 度與光損失之間的關系。圖3示出了當?shù)诙?ρ型覆層27的厚度設定為1. 0 μ m且低折射率 層28由AlInP或Ala7Gaa3InP制造時的結果。圖4示出了當?shù)驼凵渎蕦?8的厚度設定為 0. 2 μ m且低折射率層28由AlInP制造時的結果。此外，示出沒有設置低折射率層28的現(xiàn) 有結構的結果作為比較示例。由圖3可見，通過提供低折射率層28，獲得了光損失減少的效果。此外，還可見低 折射率層28的厚度優(yōu)選為0. 1 μ m以上、0. 5 μ m以下。當?shù)驼凵渎蕦?8的厚度變?yōu)樾∮?0. Iym時，通過設置低折射率層28所產(chǎn)生的效果(光損失減少效果)非常小，并且在實際 中沒有意義。另一方面，當?shù)驼凵渎蕦?8的厚度超過0. 5 μ m時，光損失減少效果幾乎與低 折射率層28的厚度為0. 5μπι的情況相同。因此，在此情況下，由低折射率層28的厚度增 加造成的諸如導熱性變壞和生產(chǎn)率下降的缺點變得明顯。將低折射率層28的厚度增加到 大于0. 5μπι沒有益處。由圖4可見，通過低折射率層28的光限制效果而沒有設定第二 ρ型覆層27的厚 度到通常厚度，可以將光損失抑制得充分低。因此，通過提供低折射率層28，而不加厚第二 P型覆層27，可以有效地將光損失抑制得很低。
現(xiàn)在，將描述制造該實施例的半導體激光器1的方法示例。首先，例如，通過采用MOCVD (金屬有機化學氣相沉積),AlGaInP基半導體層20外 延生長在基板10上。作為AlGaInP基化合物半導體的材料，例如，采用TMA (三甲基鋁)、 TMG(三甲基鎵)、TMIn (三甲基銦)或PH3 (三氫化磷)。具體地講，在基板10上，從基板10 側依次形成η型覆層21、η側引導層22、有源層23、ρ側引導層24、第一 ρ型覆層25、蝕刻 停止層26、第二 ρ型覆層27、低折射率層28和接觸層29。接下來，預定形狀的抗蝕劑圖案通過光刻形成在接觸層29上，以覆蓋要形成脊30 的條形區(qū)域。其后，例如，通過采用干法蝕刻，選擇性去除半導體層20。通過該操作，在半導 體層20的上部形成脊30。接下來，形成覆蓋脊30頂面以外區(qū)域的抗蝕劑圖案，然后，例如，通過真空沉積， 在整個表面上堆疊Ti/Pt/Au多層膜。其后，通過剝離法，抗蝕劑圖案與沉積在抗蝕劑圖案 上的Ti/Pt/Au多層膜一起去除。以這樣的方式，在脊30的頂面上形成ρ側電極31。其后， 根據(jù)需要執(zhí)行熱處理，并且進行歐姆接觸。隨后，例如，通過真空沉積在基板10的整個后面 上堆疊AuGe合金/Ni/Au多層膜(未示出)，形成η側電極32。接下來，例如，用刀具對晶片的端部進行劃痕，并且施加壓力以打開劃痕，由此形 成解理裂紋。隨后，通過氣相沉積或濺射，在發(fā)光側(前端面)的端面上形成約5%的低反 射涂膜(未示出)，并且在前端面相反側的端面(后端面)上形成約95%的高反射涂膜(未 示出)。接下來，沿脊30的條方向切割芯片。以這樣的方式，制造了該實施例的半導體激光 器Io接下來，將描述該實施例的半導體激光器1的操作和效果。在該實施例的半導體激光器1中，當在P側電極31和η側電極32之間施加預定 的電壓時，由脊30限定的電流注入到有源層23，并且通過電子-空穴復合而產(chǎn)生光。該光 由該對端面反射，以預定的波長發(fā)生激光振蕩，并且光作為激光束從前端面發(fā)射到外面。在該實施例中，折射率低于第二 ρ型覆層27的折射率的低折射率層28設置在第 二 P型覆層27和接觸層29之間。利用該構造，低折射率層28可以防止光分布延伸到接觸 層29。因為可以減少接觸層29的光吸收，而不加厚第二 ρ型覆層27，所以可以減少光的內 部損失。結果，可以提高光的取出效率，并且可以獲得高輸出。通常，四元材料具有高于三元材料的熱阻。因此，在以高功率驅動由四元材料制造 的半導體激光器的情況下，裝置溫度上升，并且可能造成諸如輸出下降的缺點。在該實施例 中，同樣在第二 P型覆層27包含ρ型(AltGai_t)uIni_uP(0 < t <p,0 <u< 1)的情況下， 可能造成由于熱阻導致的諸如輸出下降的缺點。然而，在該實施例中，低折射率層28設置 在第二 P型覆層27和接觸層29之間。利用該構造，例如，在低折射率層28的厚度設定為 0. Iym以上、0. 5 μ m以下的情況下，第二 ρ型覆層27和低折射率層28的總厚度可以制造 為小于沒有低折射率層28的現(xiàn)有結構中的第二 ρ型覆層27的厚度(參考圖3和4)。結 果，可以減少由于高熱阻造成的諸如輸出下降的缺點發(fā)生的可能性。在該實施例中，在低折 射率層28的厚度設定為0. 1 μ m以上、0. 5 μ m以下的情況下，可以使制造工藝中的晶體生長 時間短于沒有低折射率層28的現(xiàn)有結構的晶體生長時間。因此，還可以改善生產(chǎn)率。第一實施例的修改修改 1
盡管在前述實施例中第一 ρ型覆層25的折射率和第二 ρ型覆層27的折射率彼此 不同，但是它們可以彼此相等。此外，第一 P型覆層25的折射率和第二 P型覆層27的折射 率可以等于η型覆層21的折射率。修改2盡管在前述實施例中第一 ρ型覆層25的禁帶寬度和第二 ρ型覆層27的禁帶寬度 彼此不同，但是它們可以彼此相等。第一 P型覆層25的禁帶寬度和第二 P型覆層27的禁 帶寬度可以等于η型覆層21的禁帶寬度。修改3盡管在前述實施例中第一 ρ型覆層25的價帶的上端和第二 ρ型覆層27的價帶的 上端彼此不同，但是它們可以彼此相等。此外，如圖5所示，第一 ρ型覆層25的導帶的下端 和第二 P型覆層27的導帶的下端可以彼此相等。在該實施例中，第一 ρ型覆層25和第二 ρ型覆層27可以由相同的材料(相同的 成分比)制作。此外，第一 P型覆層25和第二 P型覆層27可以由與η型覆層21相同的材 料(相同的成分比)制造。修改 4在前述實施例或其修改中，例如，如圖6和7所示，半導體層20在基板10和η型 覆層21之間可以具有低折射率層33 (第二低折射率層)，低折射率層33的折射率低于η型 覆層21的折射率。低折射率層33可以與基板10直接接觸，或者與其間的半導體層接觸， 該半導體層由與η型覆層21相同的材料制造，且比η型覆層21薄。低折射率層33的禁帶寬度大于有源層23和η側引導層22的禁帶寬度，并且大于 η型覆層21的禁帶寬度。低折射率層33的折射率小于有源層23和η側引導層22的折射 率。低折射率層33的導帶的下端高于有源層23和η側引導層22的導帶的下端，并且還高 于η型覆層21的導帶的下端。低折射率層33包含例如η型(AlgGai_g) JrvhP (0. 7彡g彡1， 0 < h < 1)。利用該構造，通過低折射率層33可以防止光分布延伸到基板10。因此，可以減少 基板10的光吸收，從而可以減少光的內部損失而不加厚η型覆層21。在修改中，例如，當?shù)驼凵渎蕦?3的厚度設定為0. 1 μ m以上、0. 5 μ m以下時，可以 使η型覆層21和低折射率層33的總厚度小于沒有低折射率層33的現(xiàn)有結構中的η型覆 層21的厚度。結果，可以減少諸如由于高熱組引起的輸出下降的缺點發(fā)生的可能性。在該 修改中，在低折射率層33的厚度設定為0. Ιμπι以上、0. 5μπι以下的情況下，可以使制造工 藝中的晶體生長時間短于沒有低折射率層33的現(xiàn)有結構的晶體生長時間。因此，還可以改 善生產(chǎn)率。第二實施例圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導體激光器2的截面構造示例。圖9示出 了圖8的半導體激光器2的導帶結構示例。與第一實施例的半導體激光器1一樣，該實施 例的半導體激光器2例如為邊發(fā)射型半導體激光器，其能夠為諸如記錄型DVD的高密度光 盤從端面(未示出)發(fā)射600nm波段(例如，650nm)的光。半導體激光器2在基板10上具有例如半導體層20。半導體激光器2在第二 ρ型 覆層27和接觸層29之間沒有低折射率層28，而在基板10和η型覆層21之間具有低折射率層33 (第二低折射率層)，其折射率低于η型覆層21的折射率。關于上述點，半導體激光 器2與第一實施例的半導體激光器1不同。低折射率層33的禁帶寬度大于有源層23和η側引導層22的禁帶寬度，并且大于 η型覆層21的禁帶寬度。低折射率層33的折射率小于有源層23和η側引導層22的折射 率。低折射率層33的導帶的下端高于有源層23和η側引導層22的導帶的下端，并且還高 于η型覆層21的導帶的下端。低折射率層33例如包含η型(AlgGai_g) JrvhP (0. 7≤g≤1， 0 < h < 1)。低折射率層33可以與基板10直接接觸，或者與其間的半導體層接觸，該半導體層 由與η型覆層21相同的材料制造，并且比η型覆層21薄。利用該構造，通過低折射率層33可以防止光分布延伸到基板10。因此，可以減少 基板10的光吸收，從而在沒有加厚η型覆層21的情況下可以減少光的內部損失。在該實施例中，例如，當?shù)驼凵渎蕦?3的厚度設定為0. 1 μ m以上、0. 5 μ m以下時， 可以使η型覆層21和低折射率層33的總厚度小于沒有低折射率層33的現(xiàn)有結構中η型 覆層21的厚度。結果，可以減少諸如由于高熱阻引起的輸出下降的缺點發(fā)生的可能性。在 該實施例中，在低折射率層33的厚度為0. Ιμπι以上、0. 5μπι以下的情況下，可以使制造工 藝中的晶體生長時間短于沒有低折射率層33的現(xiàn)有結構的晶體生長時間。因此，還可以改 善生產(chǎn)率。盡管本發(fā)明已經(jīng)在上面通過實施例進行了描述，但是本發(fā)明不限于前述實施例， 而是可以進行各種修改。例如，在該實施例中，已經(jīng)描述了為半導體激光器1設置一個脊30的情況。顯然， 本發(fā)明還可應用于設置多個脊30的情況。盡管本發(fā)明在前述實施例中采用AlGaInP基化合物半導體激光器作為示例進行 了描述，但是本發(fā)明也可應用于其它的高功率化合物半導體激光器。本發(fā)明包含2009年5月27日提交日本專利局的日本優(yōu)先權專利申請 JP2009-127838中公開的相關主題，將其全部內容通過引用結合于此。本領域的技術人員應當理解的是，在權利要求或其等同方案的范圍內，根據(jù)設計 需要和其他因素，可以進行各種修改、結合、部分結合和替換。
權利要求
一種半導體激光器，包括半導體基板上的半導體層，其中該半導體層從該半導體基板側依次具有下覆層、有源層、上覆層和接觸層，并且該半導體層在該上覆層和該接觸層之間具有第一低折射率層，該第一低折射率層的折射率低于該上覆層的折射率。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器，其中該半導體層包含(AlxGa1JyIrvyP,其中 0 彡 χ 彡 1,0 < y < 1。
3.根據(jù)權利要求2所述的半導體激光器，其中該上覆層包含(AlaGa1JbIrvbP,其中0<a < 0. 7,0 < b < 1，并且該第一低折射率層包含(AlcGai_c)dIni_dP，其中0. 7 ^ c ^ 1,0 < d < I0
4.根據(jù)權利要求3所述的半導體激光器，其中該第一低折射率層的厚度為0.1 μ m以 上、0. 5μ 以下。
5.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器，其中該上覆層在該有源層側具有第一覆層， 并且該上覆層在該第一低折射率層側具有第二覆層，并且該第一覆層的折射率大于該第二覆層的折射率。
6.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器，其中該下覆層的折射率和該上覆層的折射率 彼此相等。
7.根據(jù)權利要求1所述的半導體激光器，其中該半導體層在該下覆層和該半導體基板 之間具有第二低折射率層，該第二低折射率層的折射率低于該下覆層的折射率。
8.根據(jù)權利要求7所述的半導體激光器，其中該下覆層包含(AleGa1JfIrvfP,其中0<e < 0. 7,0 < f < 1，并且該第二低折射率層包含(AlgGai_g) hIni_hP，其中0.7彡g彡l，0<h<l。
9.根據(jù)權利要求7所述的半導體激光器，其中該第二低折射率層的厚度為0.1 μ m以 上、0. 5μ 以下。
10.一種半導體激光器，包括半導體基板上的半導體層，其中該半導體層從該半導體基板側依次具有下覆層、有源層、上覆層和接觸層，并且該 半導體層在該下覆層和該半導體基板之間具有第二低折射率層，該第二低折射率層的折射 率低于該下覆層的折射率。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體激光器。該半導體激光器可以實現(xiàn)減少光的內部損失而不使覆層變厚。該半導體激光器包括半導體基板上的半導體層。該半導體層從半導體基板側依次具有下覆層、有源層、上覆層和接觸層，并且在上覆層和接觸層之間具有折射率低于上覆層的折射率的第一低折射率層。
文檔編號H01S5/343GK101902016SQ20101018350
公開日2010年12月1日 申請日期2010年5月20日 優(yōu)先權日2009年5月27日
發(fā)明者小杉朋之 申請人:索尼公司