專利名稱：AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于微電子技術領域，涉及半導體器件，具體的說是一種采用透明物質ZnO 作柵和源漏自對準技術的短溝道AIGaN/GaN高電子遷移率晶體管的結構及實現(xiàn)方法，主要 用于作為高速器件和高頻器件。
背景技術：
與其他半導體材料的參數(shù)比較，GaN材料具有明顯的優(yōu)點，其禁帶寬度最寬，飽和 電子速度也優(yōu)于其他半導體材料，并具有很大的擊穿場強和較高的熱導率。電荷載流子速 度場特性是器件工作的基礎，高飽和速度導致大電流和高頻率，高的擊穿場強對器件大功 率應用至關重要，同時，由于GaN基材料與生俱來的極化特性，AIGaN/GaN異質結本身就存 在高濃度二維電子氣溝道，所以GaN材料是制造高溫高頻及大功率器件的優(yōu)選材料。在GaN 材料適合制作的功率器件中，AIGaN/GaN高電子遷移率晶體管是最具代表性的典型器件。自 1993年人們制作出第一支HEMT樣管至今，高電子遷移率晶體管已得到了很大的發(fā)展。2001 年 Vinayak Tilak 等人制造的 SiC 襯底 AIGaN/GaN HEMT 獲得了 10. 7ff/mmilOGHz 和 6. 6W/ mmi20GHz 白勺貞$罾貞。Moon J S, Micovic M, Janke P, Hashimoto P, et al, "GaN/AlGaN HEMTs operating at20GHz with continuous-wave power density > 6ff/mm", Electron. Lett,2001,37 (8) :528 禾口 Kumar V，Lu ff,Khan F A,et al. "High performance 0. 25y m. gate-lengthAlGaN/GaN HEMTs on sapphire with transconductance of over 400mS/mm”，Electronics Letters, 2002, 38 (5) :252。后來人們研制出功率密度達到 11. 7W/ mmilOGHz的SiC襯底AIGaN/GaN HEMT器件。在HEMT發(fā)展過程中，人們發(fā)現(xiàn)AIGaN/GaN HEMT 特性的進一步提高緊密依賴于材料特性的改善和器件溝長及寄生電阻的減小。為了減小源漏寄生電阻，Ching-Hui Chen et al.對i_GaN源漏區(qū)域進行了 n+_GaN 的再生長，從而降低了源漏區(qū)域及歐姆接觸電阻接觸。參見文獻Chen C H, Keller S， Parish G, et al, ‘‘High-transconductance self-aligned AIGaN/GaNmodulation-doped field-effect transistors with regrown ohmic contacts，，， AppliedPhysics Letters, 1998,73(21) :31470另一個減小寄生電阻的有效途徑為減小溝道長度，同時溝道長度的減小對提高 HEMT器件的頻率特性有著非常重要的意義。溝道長度越小，器件速度越快，相應頻率越高。 短溝道器件在快速的數(shù)字電路以及高頻大功率電路中都得到了廣泛的應用，因此，人們希 望能進一步減小AIGaN/GaN高電子遷移率晶體管的溝道長度。在目前的工藝流程中，大部 分采用傳統(tǒng)的套刻技術來研制短溝道的AIGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件。雖然工藝 技術上較為成熟，但由于存在套刻精度低，柵長尺度低，很難在納米尺度下應用并進一步提 升器件的高頻特性。Lee J. at al.采用T型柵對源漏進行了自對準金屬淀積，從而得到 0. 25pm柵長的AIGaN/GaN高電子遷移率晶體管。該器件表現(xiàn)出較好的關斷特性，通過測量 得到跨導Gm為146mS/mm，器件截止頻率fT為38. 8GHz，最大振蕩頻率fmax為130GHz。與截 止頻率&為15GHz，最大振蕩頻率f-為35GHz的非自對準工藝器件相比，自對準工藝使器
3件頻率特性得到大幅提高。參見文獻Lee J, Liu D，Kim H，et al. "Self-aligned AlGaN/ GaN high electron mobility transistors，，，Electronics Letters, 2004,40 (19)。然而，這種再生長的方法在器件的生成過程中引入了多個附加工藝步驟，將器件 的生長工藝復雜化，且在原生長與再生長材料界面易形成缺陷。因此，可以采用源漏注入摻 雜雜質的方法來代替再生長摻雜材料。而對于T型柵的源漏自對準方法采用的先柵后源漏 的制作順序，是以750°C的高溫應力來改善肖特基柵特性為基礎的。然而，其很多研究者發(fā) 現(xiàn)，歐姆接觸的高溫退火會嚴重影響肖特基柵特性，甚至會使柵金屬最終形成歐姆接觸，從 而造成器件工藝的完全實效。采用ZnO來作為柵電極的高電子遷移率晶體管，可以解決歐姆接觸高溫退火與肖 特基柵特性退化相矛盾這個問題。同時，又能采用自對準源漏注入的制作方法，對源漏區(qū)域 注入高劑量的Si，形成n型AlGaN，由于源漏區(qū)域的重摻雜，可以適當降低退火溫度，而同樣 形成高質量的歐姆接觸。較低的退火溫度不會影響肖特基柵的質量，從而使肖特基柵系統(tǒng) 具有更大的調節(jié)空間。此時重摻雜的源漏區(qū)域和源漏電極可以看作一個導電整體，從而得 到的實際溝長與柵電極長度基本相等，提高了器件的頻率特性，改善了器件的抗輻照特性。

發(fā)明內容
本發(fā)明目的在于克服上述已有技術的缺點，提出一種AlGaN/GaN高電子遷移率晶 體管及其制作方法，以減小溝道長度，提高器件頻率特性，改善器件的抗輻照特性，使器件 更易進行缺陷分析。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管包括GaN緩沖層、本征 GaN層、20nm的Ala 3Ga0.7N層、2nm的GaN冒層和源、漏、柵電極，其中柵電極采用透明的ZnO， 該ZnO柵電極的下面蒸發(fā)有M金屬粘合層，兩側有SiN保護層。所述的ZnO柵電極中摻雜有A1203。所述的ZnO柵電極的長度與源、漏電極之間的距離相等。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管制作方法，包括如下 步驟(1)在藍寶石基片上，利用M0CVD工藝，依次生長低溫GaN層、本征GaN層、 Al0.3GaQ.7N 層和 GaN 層;(2)在生長的GaN材料表面依次涂剝離膠和光刻膠，并光刻出柵區(qū)域；(3)在柵極區(qū)域采用電子束蒸發(fā)Ni，形成10-30nm厚的Ni金屬層；(4)在Ni金屬層上濺射出100-300nm厚的ZnO層，之后對其進行剝離，形成透明的 ZnO柵條；(5)在含有ZnO柵條的基片表面上，采用PECVD的工藝淀積SiN鈍化層；(6)采用RIE刻蝕工藝干法刻蝕ZnO柵條兩側外的SiN鈍化層，形成ZnO柵條兩側 的隔離側墻；(7)以具有側墻的ZnO柵電極為基準，采用自對準方法，對GaN和AlQ.3Ga(1.7N層進 行Si注入，形成摻雜的源漏電極圖形區(qū)域；(8)采用電子束蒸發(fā)工藝，在摻雜的源漏電極圖形區(qū)蒸發(fā)歐姆接觸金屬Ti/Al/ Ni/Au，并進行500°C退火，形成源漏電極。
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本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有如下優(yōu)點(1)本發(fā)明的器件由于采用了透明的ZnO作為柵電極，因而能夠有效的減少溝道 的長度，提高了器件的頻率特性，改善了器件的抗輻照特性。(2)本發(fā)明的器件由于對ZnO柵電極進行A1摻雜，進一步提高了 ZnO柵電極的導電率。(3)本發(fā)明由于采用ZnO作為柵電極，因此能夠對源漏區(qū)域實現(xiàn)自對準，有效實現(xiàn) 工藝控制的精度，使器件溝道長度與柵長基本相等，提高器件的可靠性。


圖1是本發(fā)明器件的剖面結構示意圖；圖2是本發(fā)明器件的制作工藝流程示意圖；圖3是本發(fā)明器件的柵電極制作工藝流程圖；圖4是本發(fā)明器件的源漏電極制作工藝流程圖。參照圖1，本發(fā)明器件的最下層為藍寶石襯底，藍寶石襯底上為GaN緩沖層、本征 GaN層、20nm的Al0.3Ga0.7N層和2nm的GaN冒層，本征GaN層和Al0.3Ga0.7N層間形成二維電 子氣。GaN冒層上蒸發(fā)有金屬Ni層，Ni金屬層上濺射有A1摻雜的透明ZnO柵電極，柵電極 的兩側有SiN保護層，該兩側SiN的外側分別蒸發(fā)形成源漏電極。該ZnO柵電極的長度與 源、漏電極之間的距離相等。參照圖2，本發(fā)明器件的制作給出以下三種實施例。實施例1，本發(fā)明器件的制作，包括如下步驟步驟1.外延材料生長。參照圖1和圖2，本步驟的具體實現(xiàn)如下(101)在藍寶石襯底基片上，利用M0CVD工藝，生長GaN緩沖層；(102)在GaN緩沖層上，生長本征GaN層；(103)在本征GaN層上，生長20nm厚的△1(1.#3(1.小層；(104)在 Ala3GaQ.7N 層上，生長 2nm 厚的 GaN 冒層。步驟2.柵電極制作。參照圖1和圖3，本步驟的具體實現(xiàn)如下(201)在生長的GaN材料表面光刻出柵電極圖形。為了更好地剝離金屬，首先在樣 片上甩黏附劑，轉速為8000轉/min，時間為30s，在溫度為160°C的高溫烘箱中烘20min ；然 后再在該樣片上甩正膠，轉速為5000轉/min，最后在溫度為80°C的高溫烘箱中烘lOmin，光 刻獲得柵電極圖形；(202)采用DQ-500等離子體去膠機去除柵電極圖形區(qū)未顯影干凈的光刻膠薄層， 以提高剝離的成品率；再利用VPC-1000電子束蒸發(fā)設備淀積30nm的Ni金屬層；采用磁控 濺射的方法將靶材為摻有4%的A1203的ZnO粉末進行ZnO柵電極的淀積。在壓強為3Pa， 襯底溫度為270°C，濺射功率為80W的條件下，預濺射ZnO電極15分鐘，以清潔靶材表面和 使系統(tǒng)穩(wěn)定，再在99. 9999%的高純氬氣氣氛中進行濺射，形成lOOnm的ZnO柵電極層；(203)將樣片放入到丙酮中浸泡40min以上后進行超聲處理，去除了非柵區(qū)域的 金屬層，然后用氮氣吹干；
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(204)采用PECVD設備對器件進行表面SiN鈍化；首先，將樣片放入丙酮超聲2min，其后在乙醇中超聲lmin，再在超純水中沖洗 lmin，而后用氮氣吹干；接著，采用DQ-500等離子體去膠機對樣片進行底膜處理，氧氣流量為3L/min，射 頻功率為150W，輝光時間為10秒，再用稀鹽酸對樣片表面進行處理，最后用超純水沖洗，用 氮氣吹干；最后，將樣品放入到PECVD的腔體中，通入含量為2%的SiH4氣體200sCCm，氨氣 3sccm，氦氣200sccm，在壓強為600mT，溫度為250°C的條件下，淀積厚度為200nm的氮化硅 鈍化層；(205)采用RIE干法刻蝕，刻蝕SiN鈍化層，刻蝕時采用的電極功率為50W，壓強為 5mT，采用CF4/02 = 10 1的氣體比例進行刻蝕，形成ZnO柵條及兩側的隔離側墻保護層， 以達到對ZnO柵電極的側墻保護，完成柵電極的制作。步驟3.源漏電極制作。參照圖1和圖4，本步驟的具體實現(xiàn)如下(301)以具有隔離側墻的ZnO柵電極為基準，采用自對準方法，對本征GaN和 Al0.3Ga0.7N層進行Si+注入，基板溫度為40°C，注入劑量為1 X 1015/cm2,注入的離子能量為 50keV ；(302)采用電子束蒸發(fā)源漏歐姆電極首先，在樣片上甩黏附劑，甩膠臺的轉速為8000轉/min，時間為30s，將其放入溫 度為160°C的高溫烘箱中烘20min;之后再在該樣片上甩正膠，甩膠臺的轉速為5000轉/ min，放入溫度為80°C的高溫烘箱中烘lOmin，光刻獲得源漏電極圖形；接著，采用DQ-500等離子體去膠機去除圖形區(qū)未顯影干凈的光刻膠薄層，在源漏 電極圖形上采用VPC-1100電子束蒸發(fā)設備蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au作為源漏電極；最后，將蒸發(fā)完源漏金屬的樣片放入丙酮中浸泡20min以上后進行超聲處理，然 后用氮氣吹干，之后再將該樣片放入到快速退火爐中，在空氣氣氛下，溫度為500°C的條件 下進行l(wèi)Omin的高溫退火，形成源漏歐姆接觸，得到與柵電極長度相等的源漏溝道，完成器 件制作。實施例2，本發(fā)明器件的制作，包括如下步驟步驟1.外延材料生長。參照圖1和圖2，本步驟的具體實現(xiàn)如下(101)在藍寶石襯底基片上，利用M0CVD工藝，生長GaN緩沖層；(102)在GaN緩沖層上，生長本征GaN層；(103)在本征GaN層上，生長20nm厚的△1(1.#3(1.小層；(104)在 Ala3GaQ.7N 層上，生長 2nm 厚的 GaN 冒層。步驟2.制作柵電極。參照圖1和圖3，本步驟的具體實現(xiàn)如下(201)在生長的GaN材料表面光刻出柵電極圖形。為了更好地剝離金屬，首先在樣 片上甩黏附劑，轉速為8000轉/min，時間為30s，在溫度為160°C的高溫烘箱中烘20min ；然 后再在該樣片上甩正膠，轉速為5000轉/min，最后在溫度為80°C的高溫烘箱中烘lOmin，光
6刻獲得柵電極圖形；(202)采用DQ-500等離子體去膠機去除柵電極圖形區(qū)未顯影干凈的光刻膠薄層， 以提高剝離的成品率；再利用VPC-1000電子束蒸發(fā)設備淀積20nm的Ni金屬層；采用磁控 濺射的方法將靶材為摻有4 %的A1203的ZnO粉末進行ZnO柵電極的淀積。在壓強為1. 5Pa, 襯底溫度為240°C，濺射功率為50W的條件下，預濺射ZnO電極15分鐘，以清潔靶材表面和 使系統(tǒng)穩(wěn)定；再在99. 9999%的高純氬氣氣氛中進行濺射，形成200nm的ZnO柵電極層；(203)將樣片放入到丙酮中浸泡40min以上后進行超聲處理，去除了非柵區(qū)域的 金屬層，然后用氮氣吹干；(204)采用PECVD設備對器件進行表面SiN鈍化；首先，將樣片放入丙酮超聲2min，其后在乙醇中超聲lmin，再在超純水中沖洗 lmin，而后用氮氣吹干；接著，采用DQ-500等離子體去膠機對樣片進行底膜處理，氧氣流量為3L/min，射 頻功率為150W，輝光時間為10秒，再用稀鹽酸對樣片表面進行處理，最后用超純水沖洗，用 氮氣吹干；最后，將樣品放入到PECVD的腔體中，通入含量為2%的SiH4氣體200sCCm，氨氣 3sccm，氦氣200sccm，在壓強為600mT，溫度為250°C的條件下，淀積厚度為200nm的氮化硅 鈍化層；(205)采用RIE干法刻蝕，刻蝕SiN鈍化層，刻蝕時采用的電極功率為50W，壓強為 5mT，采用CF4/02 = 10 1的氣體比例進行刻蝕，形成ZnO柵條及兩側的隔離側墻保護層， 以達到對ZnO柵電極的側墻保護，完成柵電極的制作。步驟3.源漏電極制作。參照圖1和圖4，本步驟的具體實現(xiàn)如下(301)以具有隔離側墻的ZnO柵電極為基準，采用自對準方法，對本征GaN和 AlQ.3GaQ.7N層進行Si+注入，基板溫度為40°C，注入劑量為5X1015/cm2，注入的離子能量為 50keV ；(302)采用電子束蒸發(fā)源漏歐姆電極；首先，在樣片上甩黏附劑，甩膠臺的轉速為8000轉/min，時間為30s，將其放入溫 度為160°C的高溫烘箱中烘20min;之后再在該樣片上甩正膠，甩膠臺的轉速為5000轉/ min，放入溫度為80°C的高溫烘箱中烘lOmin，光刻獲得源漏電極圖形；接著，采用DQ-500等離子體去膠機去除圖形區(qū)未顯影干凈的光刻膠薄層，在源漏 電極圖形上采用VPC-1100電子束蒸發(fā)設備蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au作為源漏電極；最后，將蒸發(fā)完源漏金屬的樣片放入丙酮中浸泡20min以上后進行超聲處理，然 后用氮氣吹干，之后再將該樣片放入到快速退火爐中，在空氣氣氛下，溫度為500°C的條件 下進行l(wèi)Omin的高溫退火，形成源漏歐姆接觸，得到與柵電極長度相等的源漏溝道，完成器 件制作。實施例3，本發(fā)明器件的制作，包括如下步驟步驟1.外延材料生長。參照圖1和圖2，本步驟的具體實現(xiàn)如下(101)在藍寶石襯底基片上，利用M0CVD工藝，生長GaN緩沖層；
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(102)在GaN緩沖層上，生長本征GaN層；(103)在本征GaN層上，生長20nm厚的△1(1.#3(1.小層；(104)在 Ala3GaQ.7N 層上，生長 2nm 厚的 GaN 冒層。步驟2.柵電極制作。參照圖1和圖3，本步驟的具體實現(xiàn)如下(201)在生長的GaN材料表面光刻出柵電極圖形。為了更好地剝離金屬，首先在樣 片上甩黏附劑，轉速為8000轉/min，時間為30s，在溫度為160°C的高溫烘箱中烘20min ；然 后再在該樣片上甩正膠，轉速為5000轉/min，最后在溫度為80°C的高溫烘箱中烘lOmin，光 刻獲得柵電極圖形；(202)采用DQ-500等離子體去膠機去除柵電極圖形區(qū)未顯影干凈的光刻膠薄層， 以提高剝離的成品率；再利用VPC-1000電子束蒸發(fā)設備淀積lOnm的Ni金屬層；采用磁控 濺射的方法將靶材為摻有4%的A1203的ZnO粉末進行ZnO柵電極的淀積。在壓強為lPa， 襯底溫度為220°C，濺射功率為30W的條件下，預濺射ZnO電極15分鐘，以清潔靶材表面和 使系統(tǒng)穩(wěn)定，再在99. 9999%的高純氬氣氣氛中進行濺射，形成400nm的ZnO柵電極層；(203)將樣片放入到丙酮中浸泡40min以上后進行超聲處理，去除了非柵區(qū)域的 金屬層，然后用氮氣吹干；(204)采用PECVD設備對器件進行表面SiN鈍化；首先，將樣片放入丙酮超聲2min，其后在乙醇中超聲lmin，再在超純水中沖洗 lmin，而后用氮氣吹干；接著，采用DQ-500等離子體去膠機對樣片進行底膜處理，氧氣流量為3L/min，射 頻功率為150W，輝光時間為10秒，再用稀鹽酸對樣片表面進行處理，最后用超純水沖洗，用 氮氣吹干；最后，將樣品放入到PECVD的腔體中，通入含量為2%的SiH4氣體200sCCm，氨氣 3sccm，氦氣200sccm，在壓強為600mT，溫度為250°C的條件下，淀積厚度為200nm的氮化硅 鈍化層；(205)采用RIE干法刻蝕，刻蝕SiN鈍化層，刻蝕時采用的電極功率為50W，壓強為 5mT，采用CF4/02 = 10 1的氣體比例進行刻蝕，形成ZnO柵條及兩側的隔離側墻保護層， 以達到對ZnO柵電極的側墻保護，完成柵電極的制作。步驟3.源漏電極制作。參照圖1和圖4，本步驟的具體實現(xiàn)如下(301)以具有隔離側墻的ZnO柵電極為基準，采用自對準方法，對本征GaN和 Ala3GaQ.7N層進行Si+注入，基板溫度為40°C，注入劑量為9X 1015/cm2，注入的離子能量為 50keV ；(302)采用電子束蒸發(fā)源漏歐姆電極；首先，在樣片上甩黏附劑，甩膠臺的轉速為8000轉/min，時間為30s，將其放入溫 度為160°C的高溫烘箱中烘20min;之后再在該樣片上甩正膠，甩膠臺的轉速為5000轉/ min，放入溫度為80°C的高溫烘箱中烘lOmin，光刻獲得源漏電極圖形；接著，采用DQ-500等離子體去膠機去除圖形區(qū)未顯影干凈的光刻膠薄層，在源漏 電極圖形上采用VPC-1100電子束蒸發(fā)設備蒸發(fā)Ti/Al/Ni/Au作為源漏電極；
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最后，將蒸發(fā)完源漏金屬的樣片放入丙酮中浸泡20min以上后進行超聲處理，然 后用氮氣吹干，之后再將該樣片放入到快速退火爐中，在空氣氣氛下，溫度為500°C的條件 下進行l(wèi)Omin的高溫退火，形成源漏歐姆接觸，得到與柵電極長度相等的源漏溝道，完成器 件制作。
權利要求
一種AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管，包括GaN緩沖層、本征GaN層、Al0.3Ga0.7N層、GaN冒層和源、漏、柵電極，其特征在于柵電極采用透明的ZnO，該ZnO柵電極的下面蒸發(fā)有Ni金屬粘合層，兩側有SiN保護層。
2.根據(jù)權利要求1所述的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管，其特征在于ZnO柵電極中 摻雜有ai2O3。
3.根據(jù)權利要求1所述的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管，其特征在于ZnO柵電極的 長度與源、漏電極之間的距離相等。
4.一種AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管的制作方法，包括如下步驟(1)在藍寶石基片上，利用MOCVD工藝，依次生長GaN緩沖層、本征GaN層、Altl.3Ga0.7N層 和GaN冒層；(2)在生長的GaN冒層表面依次涂剝離膠和光刻膠，并光刻出柵區(qū)域；(3)在柵極區(qū)域采用電子束蒸發(fā)Ni，形成10-30nm厚的Ni金屬層；(4)在Ni金屬層上濺射出100-400nm厚的ZnO層，之后對其進行剝離，形成透明的ZnO 柵條；(5)在含有ZnO柵條的基片表面上，采用PECVD的工藝淀積SiN鈍化層；(6)采用RIE刻蝕工藝干法刻蝕ZnO柵條兩側外的SiN鈍化層，形成ZnO柵條兩側的隔 離側墻保護層；(7)以具有側墻的ZnO柵電極為基準，采用自對準方法，對GaN冒層和Ala3GaQ.7N層進 行劑量為l-9X1015/cm2的Si+注入，形成摻雜的源漏電極圖形區(qū)域；(8)采用電子束蒸發(fā)工藝，在摻雜的源漏電極圖形區(qū)蒸發(fā)歐姆接觸金屬Ti/Al/Ni/Au， 并進行500°C退火，形成源漏電極。
5.根據(jù)權利要求4所述的AlGaN/GaN絕緣柵電子遷移率晶體管制作方法，其中步驟 (4)所述的在Ni金屬層上，濺射一層摻4%的Al2O3的ZnO薄膜，是采用磁控濺射的方法將 靶材為摻有2% Al2O3的的ZnO粉末，在壓強為l_3Pa，襯底溫度為220-270°C，濺射功率為 30-80W的條件下，預濺射Zn015分鐘，以清潔靶材表面和使系統(tǒng)穩(wěn)定；再在99. 9999%的高 純氬氣氣氛中進行濺射，形成100-400nm厚的ZnO柵電極層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管及其制作方法，它涉及到微電子技術領域，主要解決器件工作頻率低和抗輻照性能差的問題。該器件按生長順序依次包括GaN緩沖層、本征GaN層、Al0.3Ga0.7N層、GaN冒層和源、漏、柵電極，其中柵電極采用透明的ZnO，該ZnO柵電極的下面蒸發(fā)有Ni金屬粘合層，兩側有SiN保護層。該ZnO柵電極中摻雜有Al2O3，且ZnO柵電極的長度與源、漏電極之間的距離相等。本發(fā)明器件的制作過程依次是先進行外延材料生長；再制作ZnO柵電極，最后利用自對準的方法在ZnO柵電極的兩側制作源漏電極。本發(fā)明具有頻率特性高和抗輻照特性好的優(yōu)點，可作為高頻和高速電路中的電子元件。
文檔編號H01L21/335GK101853880SQ20101012073
公開日2010年10月6日 申請日期2010年3月9日 優(yōu)先權日2010年3月9日
發(fā)明者曹艷榮, 楊凌, 王沖, 郝躍, 馬曉華, 高海霞 申請人:西安電子科技大學