專利名稱：多段式硫化鎘薄膜沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種硫化鎘薄膜的沉積方法，特別是涉及一種多段式析出不同尺寸顆 粒的硫化鎘薄膜的沉積方法。
背景技術(shù)：
隨著地球暖化的日益嚴(yán)重，綠色能源的開發(fā)逐漸受到重視。而太陽能的利用已經(jīng) 達(dá)到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的規(guī)模，其主要材料有硅和銅銦鎵硒(copperindium gallium selenide，簡 稱CIGS)/銅銦鎵硒硫兩種，其中，第一代太陽能模塊主要是利用單晶硅和多晶硅的技術(shù)， 其光電轉(zhuǎn)換效率高且量產(chǎn)技術(shù)成熟，但因為材料成本高，使得后續(xù)的量產(chǎn)受到限制。因此， 以非晶硅薄膜、銅銦鎵硒薄膜和碲化鎘薄膜為主的第二代薄膜太陽能模塊，在近幾年已逐 漸發(fā)展并成熟，其中又以銅銦鎵硒/硫(CIGS)太陽能電池特別受到重視，因其高轉(zhuǎn)換效率 及其可撓式特性受到產(chǎn)業(yè)的青睞。在銅銦鎵硒或銅銦鎵硒(硫)太陽能電池的結(jié)構(gòu)中，銅銦鎵硒(硫)光吸收層上 會鍍上一層50至IOOnm的硫化鎘薄膜，其可做為N層或緩沖層的作用，而傳統(tǒng)的鍍硫化鎘 膜方法包括有化學(xué)水浴沉積法、微波加熱化學(xué)水浴沉積法、真空蒸鍍法、濺鍍法、化學(xué)氣相 沉積法及噴霧熱解法等等。然而，硫化鎘薄膜的厚度控制對于太陽能電池的效率有非常大 的影響，例如，當(dāng)硫化鎘薄膜太厚時，造成電阻過大，會導(dǎo)致太陽能電池效率的下降，因此， 在傳統(tǒng)制程上會僅在銅銦鎵硒/硫太陽能光吸收層上形成單層的硫化鎘薄膜。但是，從硫化鎘薄膜與銅銦鎵硒(硫)太陽能光吸收層之間的結(jié)構(gòu)觀之，單層的硫 化鎘薄膜不容易均勻覆蓋于銅銦鎵硒(硫)太陽能光吸收層的表面，換言之，制程中所析出 的硫化鎘顆粒之間會形成有空隙，或者所析出的硫化鎘顆粒無法填入空間較小的區(qū)域中， 故造成硫化鎘薄膜對銅銦鎵硒(硫)太陽能光吸收層的覆蓋性不佳的缺點。由此可見，上述現(xiàn)有的硫化鎘薄膜沉積方法在方法與使用上，顯然仍存在有不便 與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求 解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般方法又沒有適切的方法能 夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的多段式硫 化鎘薄膜沉積方法，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，提供一種硫化鎘薄膜的沉積方法，其是利用分段式的概 念，將不同沉積顆粒的析出物漸次的沉積于一基板的太陽能光吸收層上，故可解決傳統(tǒng)單 層的硫化鎘薄膜所造成覆蓋性不佳的問題，且本發(fā)明所制作的多層狀硫化鎘薄膜在厚度上 仍屬于單層結(jié)構(gòu)的厚度范圍，故不會造成電阻值的升高。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種硫化鎘薄膜的沉積方法，其可制作多層狀硫化 鎘薄膜，該硫化鎘薄膜的多層狀結(jié)構(gòu)可具有控制鎘離子擴散至銅銦鎵硒(硫)太陽能光吸 收層中的效果。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種多段式硫化鎘薄膜沉積方法，至少包含以下步驟步驟一將一含有光吸收層的 基板置于一具有硫離子及第一鎘離子含量的化學(xué)浴中，以在該基板的光吸收層上沉積一第 一硫化鎘膜；以及步驟二 再將上述基板置于一具有硫離子及第二鎘離子含量的另一化學(xué) 浴中，以在該第一硫化鎘膜上沉積一第二硫化鎘膜，其中該第一鎘離子含量大于該第二鎘 離子含量，以使該第二硫化鎘膜中的鎘離子濃度與第一硫化鎘膜的鎘離子濃度的差異在 0. 003M 以上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其中在步驟一中，利用含硫化合物及含鎘化 合物備置該化學(xué)浴，并將該化學(xué)浴調(diào)整為堿性。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其中所述的利用濃度20至30%的氨水調(diào)整 該化學(xué)浴的PH值介于8至11。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其更進(jìn)一步于該化學(xué)浴中添加緩沖劑及復(fù)合 齊U，且加熱該化學(xué)浴的溫度介于60至90°C。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其中在步驟一中，該第一鎘離子含量介于 0. 005至0. 05摩爾/升。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其中所述的在步驟二中，利用含硫化合物及 含鎘化合物備置該另一化學(xué)浴，并將該另一化學(xué)浴調(diào)整為堿性，且該第二鎘離子含量介于 0. 0001 至 0. 005 摩爾 / 升。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其中利用濃度20至30%的氨水將另一該化 學(xué)浴的PH值介于8至11。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其更進(jìn)一步在該另一化學(xué)浴中添加緩沖劑及 復(fù)合劑，且加熱該另一化學(xué)浴的溫度介于60至90°C。前述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其中所述的含硫化合物為硫脲(Thiourea)、 硫化乙酰胺(Thioacetamide)或硫酸鈉(Sodiumsulfide)；該含鎘化合物為氯化鎘 (Cadmium Chloride)、硫酸鎘(Cadmium Sulfate)、硝酸鎘(Cadmium Nitrate)、醋酸鎘 (Cadmium Acetate)或碘化鎘(CadmiumIodide)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種應(yīng)用如權(quán)利要求1所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法所制成的多層狀的硫化鎘薄膜。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上可知，為達(dá)到上述目 的，本發(fā)明提供了一種多段式硫化鎘薄膜沉積方法，包含以下步驟步驟一將一含有光吸 收層的基板置于一具有硫離子及第一鎘離子含量的化學(xué)浴中，以在該基板的光吸收層上成 型一第一硫化鎘膜；以及步驟二 再將上述基板置于一具有硫離子及第二鎘離子含量的另 一化學(xué)浴中，以在該第一硫化鎘膜上成型一第二硫化鎘膜，其中該第一鎘離子含量大于該 第二鎘離子含量，以使該第二硫化鎘膜中的鎘離子濃度與第一硫化鎘膜的鎘離子濃度的差 異在0. 003M以上。在一具體實施例中，可先備制一高鎘離子濃度的化學(xué)浴，例如鎘離子含量介于 0. 005至0. 05摩爾/升，以在光吸收層上形成由顆粒較大的硫化鎘所構(gòu)成的第一硫化鎘層；接著，備制一低鎘離子濃度的化學(xué)浴，例如鎘離子含量介于0. 0001至0. 005摩爾/升，以析出顆粒較小的硫化鎘，故可利用顆粒較小的第二硫化鎘(較后析出的顆粒)覆蓋于顆粒較 大的第一硫化鎘(較先析出的顆粒)的空隙中，以達(dá)到提高硫化鎘薄膜的覆蓋性/披覆性 的效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明多段式硫化鎘薄膜沉積方法至少具有下列優(yōu)點及有益 效果本發(fā)明利用上述多段式硫化鎘薄膜沉積方法，可將后沉積的小顆粒硫化鎘填入先前 析出的大顆粒硫化鎘膜中的空隙，使本發(fā)明不需增加整體膜層的厚度，就可以提高硫化鎘 薄膜的覆蓋性，藉以提高太陽能電池的特性。綜上所述，本發(fā)明是利用分段式的概念，將不同沉積顆粒的析出物漸次的沉積于 一基板的太陽能光吸收層上，故可解決傳統(tǒng)單層的硫化鎘薄膜所造成覆蓋性不佳的問題， 且本發(fā)明所制作的多層狀硫化鎘薄膜在厚度上仍屬于單層結(jié)構(gòu)的厚度范圍，故不會造成電 阻值的升高。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進(jìn)步、實用 的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1為本發(fā)明的流程方塊圖。圖2為太陽能電池結(jié)構(gòu)的示意圖。1 太陽能電池結(jié)構(gòu)10 基板20:第一導(dǎo)電層30:太陽能光吸收層40 緩沖層50 絕緣層60 第二導(dǎo)電層SlOl S103 步驟
具體實施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的多段式硫化鎘薄膜沉積方法其具體實施方式
、方 法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實 施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目 的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說 明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。本發(fā)明提出一種多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其是提供一種利用不同鎘離子濃度 的化學(xué)浴，以形成兩層或兩層以上具有不同鎘離子濃度的多層狀硫化鎘薄膜，而因上述不 同鎘離子濃度的化學(xué)浴可沉積出不同尺寸的硫化鎘顆粒，故本發(fā)明的沉積方法可制作出覆 蓋性較佳的硫化鎘薄膜，故在應(yīng)用上可提高太陽能電池的效率。本發(fā)明的具體實施例先以由IB族、IIIA族及VIA族所制作的光吸收層的漿料涂 布于一基板上，形成一含有光吸收層的基板，該吸收層可為銅銦鎵硒(簡稱CIGS)或銅銦鎵硒(硫)(簡稱CIGSS)吸收層，但不以上述為限，接著將上述基板置入本發(fā)明所提出的化學(xué) 浴中，以在該太陽能光吸收層形成一種多層狀硫化鎘薄膜，進(jìn)而提高硫化鎘薄膜覆蓋于該 光吸收層上的覆蓋效果。
請參閱圖1所示，首先，在步驟SlOl中，將該含有光吸收層的基板置于一具有硫 離子及第一鎘離子含量的化學(xué)浴中，以在該基板的光吸收層上沉積一第一硫化鎘膜。在 此步驟中，主要是利用硫離子、鎘離子在適當(dāng)?shù)奶砑觿┘胺磻?yīng)條件下沉積形成第一硫化 鎘膜；在本具體實施例中，硫離子可由含硫化合物溶解于水中而提供，含硫化合物可為硫 脲(Thiourea)、硫化乙酰胺(Thioacetamide)或硫酸鈉(Sodium sulfide)，但不以上述 為限；而鎘離子則可由含鎘化合物溶解于水中而提供，含鎘化合物可為氯化鎘(Cadmium Chloride)、硫酸鎘(Cadmium Sulfate)、硝酸鎘(CadmiumNitrate)、醋酸鎘(Cadmium Acetate)或碘化鎘(Cadmium Iodide)，但不以上述為限。再者，在第一階段的沉積步驟 中，為了使該光吸收層上先大面積地沉積形成上述第一硫化鎘膜，因此，在此步驟中先使用 高濃度的鎘離子含量的化學(xué)浴，在本具體實施例中，調(diào)整化學(xué)浴中的第一鎘離子含量介于 0. 005至0. 05摩爾/升(mol/L)，且利用濃度20至30%的氨水將該化學(xué)浴的pH值調(diào)整為 堿性，例如介于8至11，但不以此為限。另一方面，步驟SlOl的第一階段的沉積步驟中，該化學(xué)浴中更添加緩沖劑及 復(fù)合劑(complexing agent)，舉例來說，緩沖劑可為氯化銨、醋酸銨、硝酸銨、硫酸銨 等；而復(fù)合劑可為氨水、三己配筌氨(NTA)，氰化鉀(Potassium cyanide)、三乙醇胺 (Triethanolamine, TEA)、乙 二胺(Ethylenediamine)、二胺四乙酸(EDTA)、檸檬酸鈉 (sodium citrate)等等。藉此，將該含有光吸收層的基板置于上述化學(xué)浴中，同時將化學(xué)浴 加熱至60至90°C，并配合攪拌，在經(jīng)過一定的反應(yīng)沉積時間之后(例如1至20分鐘)，該 第一硫化鎘膜即可沉積于該基板的光吸收層上。接著，步驟S103是再進(jìn)一步將上述基板置于一具有硫離子及第二鎘離子含量的 另一化學(xué)浴中，以在該第一硫化鎘膜上成型一第二硫化鎘膜，由于此步驟中的化學(xué)浴具有 較步驟SlOl中的化學(xué)浴為低的鎘離子含量，亦即第一鎘離子含量大于第二鎘離子含量，故 使第二硫化鎘膜中的鎘離子濃度低于第一硫化鎘膜的濃度；且第二硫化鎘膜中的硫化鎘顆 粒尺寸較小，故可填補第一硫化鎘膜中較大的硫化鎘顆粒所無法覆蓋的區(qū)域，例如顆粒之 間的空隙，因此，本發(fā)明即可藉由不同濃度、不同沉積顆粒尺寸的多層狀的硫化鎘薄膜，提 高硫化鎘薄膜對于光吸收層的覆蓋性。同在步驟SlOl所添加的含硫化合物、含鎘化合物，在本步驟中的化學(xué)浴的硫離子 與鎘離子可分別由硫脲、硫化乙酰胺或硫酸鈉，及氯化鎘、硫酸鎘、硝酸鎘、醋酸鎘或碘化鎘 溶解于溶劑中所形成，但不以上述為限。而此第二階段的沉積步驟的化學(xué)浴的第二鎘離子 含量介于0. 0001至0. 005摩爾/升(mol/L)之間。同樣地，步驟S103的化學(xué)浴亦添加有緩沖劑、復(fù)合劑等，且亦利用濃度20至30% 的氨水將步驟S103的化學(xué)浴的pH值調(diào)整為堿性，例如介于8至11，詳細(xì)實施態(tài)樣可參閱步 驟SlOl中的說明。當(dāng)然，在步驟S103中，亦可針對相關(guān)的參數(shù)進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，例如將基 板置于第二化學(xué)浴的時間加以縮短或降低步驟S103的化學(xué)浴的溫度，進(jìn)而沉積出尺寸符 合填入第一硫化鎘膜中的硫化鎘顆粒間的空隙位置。藉由將步驟SlOl之后的基板置入步驟S103所調(diào)配的化學(xué)浴，經(jīng)過一段的反應(yīng)時間之后，即會形成第二硫化鎘膜于第一硫化鎘膜上。而經(jīng)過本發(fā)明的具體實驗之后，該第二 硫化鎘膜中的鎘離子濃度與第一硫化鎘膜的鎘離子濃度的差異最佳地在0. 003M以上，使 得第二硫化鎘膜的硫化鎘顆粒可填補于第一硫化鎘膜的孔隙中，以提高硫化鎘薄膜的整體
覆蓋能力。值得注意的是，上述具體實施例中，是利用兩階段的不同鎘離子含量的化學(xué)浴沉 積本發(fā)明的多層狀硫化鎘薄膜，但本發(fā)明的態(tài)樣更可延伸說明兩階段以上的化學(xué)沉積方 法，而使相鄰的硫化鎘膜中的鎘離子濃度的差異在0. 003M以上，以達(dá)成層間的硫化鎘顆粒 具有尺寸差異性，進(jìn)而提高硫化鎘薄膜的覆蓋性。另一方面，化學(xué)浴中的鎘離子的總含量為硫化鎘薄膜中鎘含量的10至500倍；化 學(xué)浴中的硫離子的總含量為硫化鎘薄膜中硫含量的5至100倍，故可根據(jù)所應(yīng)用的硫化鎘 薄膜中鎘或硫的含量計算化學(xué)浴中的各種離子及添加物的濃度。
本發(fā)明更提出一種以上述的沉積方法所制作的多層狀硫化鎘薄膜及其太陽能電 池結(jié)構(gòu)1，如圖2所示，太陽能電池結(jié)構(gòu)1包括基板10、第一導(dǎo)電層20、太陽能光吸收層30、 緩沖層40、絕緣層50以及第二導(dǎo)電層60，其中基板10可為玻璃板、鋁板、不繡鋼板或塑膠 板，第一導(dǎo)電層20可包括金屬鉬，其是用以作為背面電極；太陽能光吸收層30則可由上述 制造方法所制作的漿料涂布、噴涂于第一導(dǎo)電層20上而形成含有適當(dāng)比例的IB、IIIA及 VIA族元素的膜層，其是用以作為ρ型薄膜，為主要的光線吸收層；緩沖層40即可為本發(fā)明 的多層狀硫化鎘薄膜，其是用以作為η型薄膜，且該多層狀硫化鎘薄膜是至少由硫化鎘顆 粒尺寸較大的第一硫化鎘膜及硫化鎘顆粒尺寸較小的第二硫化鎘膜所構(gòu)成，其可有效地覆 蓋于太陽能光吸收層30上；絕緣層50包括氧化鋅(ZnO)，用以提供保護；第二導(dǎo)電層60包 含氧化鋅鋁(Ζη0:Α1)，用以連接正面電極。因此，利用上述漿料涂布、噴涂于第一導(dǎo)電層20 上而形成含有適當(dāng)比例的IB、IIIA及VIA族元素的膜層具有高致密度，故可提高太陽能電 池的效率。綜上所述，本發(fā)明具有下列諸項優(yōu)點1、本發(fā)明是提供一種硫化鎘薄膜的沉積方法，該方法為一種多段式的方法，先沉 積顆粒尺寸較大的第一硫化鎘膜，以先大面積地覆蓋于光吸收層；接著，再沉積顆粒尺寸較 小的第二硫化鎘膜，以填補第一硫化鎘膜的硫化鎘顆粒之間的空隙及其他覆蓋性不佳的區(qū) 域，因此，藉由第一硫化鎘膜與第二硫化鎘膜的接續(xù)式沉積，可使得本發(fā)明的多層狀硫化鎘 薄膜有效地覆蓋于太陽能光吸收層之上，進(jìn)而提高太陽能電池的工作效率。2、由于本發(fā)明的硫化鎘薄膜具有多層狀的結(jié)構(gòu)特性，故硫化鎘薄膜中的鎘離子不 易擴散至銅銦鎵硒(硫)太陽能光吸收層，以保持銅銦鎵硒(硫)太陽能光吸收層組成的 比例。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾 為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對 以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于至少包含以下步驟步驟一將一含有光吸收層的基板置于一具有硫離子及第一鎘離子含量的化學(xué)浴中，以在該基板的光吸收層上沉積一第一硫化鎘膜；以及步驟二再將上述基板置于一具有硫離子及第二鎘離子含量的另一化學(xué)浴中，以在該第一硫化鎘膜上沉積一第二硫化鎘膜，其中該第一鎘離子含量大于該第二鎘離子含量，以使該第二硫化鎘膜中的鎘離子濃度與第一硫化鎘膜的鎘離子濃度的差異在0.003M以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中在步驟一中， 利用含硫化合物及含鎘化合物備置該化學(xué)浴，并將該化學(xué)浴調(diào)整為堿性。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中所述的利用濃 度20至30%的氨水調(diào)整該化學(xué)浴的pH值介于8至11。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其更進(jìn)一步于該化 學(xué)浴中添加緩沖劑及復(fù)合劑，且加熱該化學(xué)浴的溫度介于60至90°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中在步驟一中， 該第一鎘離子含量介于0. 005至0. 05摩爾/升。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中所述的在步驟 二中，利用含硫化合物及含鎘化合物備置該另一化學(xué)浴，并將該另一化學(xué)浴調(diào)整為堿性，且 該第二鎘離子含量介于0. 0001至0. 005摩爾/升。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中利用濃度20至 30%的氨水將另一該化學(xué)浴的pH值介于8至11。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其更進(jìn)一步在該另 一化學(xué)浴中添加緩沖劑及復(fù)合劑，且加熱該另一化學(xué)浴的溫度介于60至90°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或6所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法，其特征在于其中所述的含 硫化合物為硫脲、硫化乙酰胺或硫酸鈉；該含鎘化合物為氯化鎘、硫酸鎘硝酸鎘、醋酸鎘或 碘化鎘。
10.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1所述的多段式硫化鎘薄膜沉積方法所制成的多層狀的硫化鎘薄膜。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種多段式硫化鎘薄膜沉積方法沉積包含步驟將一含有太陽能光吸收層的基板置于一具有硫離子及第一鎘離子含量的化學(xué)浴中，以在該基板的太陽能光吸收層上成型一第一硫化鎘膜；再將上述基板置于一具有硫離子及第二鎘離子含量的另一化學(xué)浴中，以在該第一硫化鎘膜上成型一第二硫化鎘膜，其中該第一鎘離子含量大于該第二鎘離子含量，使第二硫化鎘膜中的鎘離子濃度與第一硫化鎘膜的鎘離子濃度的差異在0.003M以上。
文檔編號H01L31/18GK101840960SQ20101011148
公開日2010年9月22日 申請日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月11日
發(fā)明者楊益郎, 林群福, 陳文仁 申請人:昆山正富機械工業(yè)有限公司