專利名稱：氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種集成電路制作方法，具體涉及一種淺槽隔離的制作方法。
背景技術：
常規(guī)的雙極性晶體管采用高摻雜的集電區(qū)埋層，以降低集電區(qū)電阻，采用高濃度 高能量N型注入，連接集電區(qū)埋層，形成集電極引出端(collector pick-up)。現(xiàn)有一種經(jīng)濟的雙極性晶體管的埋層制作方法，器件中沒有集電區(qū)埋層和集電區(qū) 外延層，取而代之的是制作新型埋層O3Seudo Buried Layer)和摻雜集電區(qū)；先將淺槽隔離 刻開，然后在淺槽隔離底部高劑量、低能量地注入磷離子，通過磷的橫向擴散，交匯于有源 區(qū)，形成新型埋層。圖1是傳統(tǒng)的STI結構示意圖；在淺槽刻蝕后，溝槽氧化膜淀積前，傳統(tǒng)的STI結 構由隔離氧化層102，溝槽襯墊氧化層101及氮化層103組成。有一種應用于這種經(jīng)濟的雙 極性晶體管的新型埋層制作的自對準注入方法，該方法用氧化膜204/氮化膜205/氧化膜 206代替常規(guī)的氧化膜/氮化膜結構作為淺槽隔離(STI)的硬掩模層(Hard Mask)。且淺 槽隔離刻蝕后淀積膜層，并刻蝕形成STI內(nèi)側墻，用來阻擋埋層注入時對有源區(qū)207和淺槽 側壁208的摻雜。但是，在刻蝕厚度較厚的硬掩模層的蓋帽氧化層206和側墻氧化層201時，由于側 墻氧化層201相對較薄，硬掩模層的下層氧化層204會被濕法過量底切，導致有源區(qū)生成不 好

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方 法，它可以保護氧化膜不被過量底切刻蝕，保護有源區(qū)。為了解決以上技術問題，本發(fā)明提供了一種氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作 方法；包括以下步驟步驟一、淀積掩膜層氧化硅、氮化硅、氧化硅；步驟二、打開淺槽區(qū)域， 并刻蝕淺槽；步驟三、熱氧化淺槽襯墊氧化膜，然后淀積氮化層，淀積氧化層；步驟四、形成 淺槽內(nèi)側墻，包括氧化層、氮化層、淺槽襯墊氧化膜，向P型襯底注入雜質(zhì)子形成埋層；步驟 五、去除硬掩膜層中的氧化硅和側墻氧化膜，穿透氧化硅和氮化硅注入雜質(zhì)，形成集電區(qū)； 步驟六、去除側墻氮化膜。本發(fā)明的有益效果在于利用氧化層/氮化層/氧化層ONO形成的STI側墻保護， 在濕法去除氧化層后，不產(chǎn)生氮化膜下的氧化膜的刻蝕底切，保護有源區(qū)。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細說明。圖1是傳統(tǒng)的STI結構示意圖；圖2是本發(fā)明所述的方法得到的氧化膜/氮化膜/氧化膜(ONO)STI結構；
圖3(a)是本發(fā)明所述方法步驟一中硬掩膜層氧化硅/氮化硅/氧化硅STI淺槽 刻蝕后生長溝槽襯墊氧化膜的示意圖；圖3(b)是本發(fā)明所述方法步驟二中生長STI側墻氮化膜的示意圖；圖3(c)是本發(fā)明所述方法步驟三中生長STI側墻外層氧化膜的示意圖；圖3(d)是本發(fā)明所述方法步驟四中干法刻蝕形成STI ONO側墻保護的示意圖；圖3(e)是本發(fā)明所述方法步驟五中濕法去除蓋帽氧化層及側墻氧化層的示意 圖；圖3(f)是本發(fā)明所述方法步驟六中濕法去除側墻氮化膜的示意圖；圖4是本發(fā)明所述方法的流程圖。
具體實施例方式本發(fā)明所述方法的具體步驟包括1、淀積淺槽STI刻蝕所需的硬掩膜層(hard mask)氧化硅204/氮化硅205/氧化 硅206?？偟暮穸扔陕駥与x子注入能量決定，以注入不穿透硬掩模層為準，2、利用有源區(qū)光刻，打開淺槽區(qū)域，并刻蝕淺槽。3、熱氧化淺槽襯墊氧化膜203，然后淀積氮化層202，然后淀積氧化層201。4、干法刻蝕形成淺槽內(nèi)側墻，包括氧化層201、氮化層202、淺槽襯墊氧化膜203， 向P型襯底注入雜質(zhì)子形成埋層。5、濕法去除硬掩膜層中的206和側墻氧化膜201，穿透204和205注入雜質(zhì)，形成 集電區(qū)209，這時，氧化層204由氮化膜202保護。6、去除側墻氮化膜202。本發(fā)明所述利用氧化膜203/氮化膜202/氧化膜201的結構，用于形成淺槽隔離 (STI)的側墻方法。從里到外，三層膜的厚度范圍分別為100A 300Α/5(Γ150/10(Γ700Α。淺 槽隔離刻蝕后生長氧化膜，然后淀積氮化膜202和氧化膜201，并刻蝕形成STI內(nèi)側墻。本 發(fā)明應用氧化膜和氮化膜不同的濕法刻蝕速率，保護STI硬掩膜層氧化膜204不被過量底 切刻蝕的方法。本發(fā)明提出一種應用于這種經(jīng)濟的掩埋層埋層制作的STI側墻的制作工藝，該工 藝的主要特征有應用氧化膜/氮化膜/氧化膜的ONO側墻結構，阻擋雜質(zhì)注入。淺槽隔離 刻蝕后生長氧化膜，然后淀積氮化膜和氧化膜，并刻蝕形成STI ONO結構內(nèi)側墻。應用氧化 膜和氮化膜不同的濕法刻蝕速率，保護氧化膜不被過量底切刻蝕。本發(fā)明并不限于上文討論的實施方式。以上對具體實施方式
的描述旨在于為了描 述和說明本發(fā)明涉及的技術方案?；诒景l(fā)明啟示的顯而易見的變換或替代也應當被認為 落入本發(fā)明的保護范圍。以上的具體實施方式
用來揭示本發(fā)明的最佳實施方法，以使得本 領域的普通技術人員能夠應用本發(fā)明的多種實施方式以及多種替代方式來達到本發(fā)明的 目的。
權利要求
1.一種氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方法；其特征在于，包括以下步驟 步驟一、淀積掩膜層氧化硅004)、氮化硅005)、氧化硅Q06)；步驟二、打開淺槽區(qū)域，并刻蝕淺槽；步驟三、熱氧化淺槽襯墊氧化膜003)，然后淀積氮化層002)，淀積氧化層O01)； 步驟四、形成淺槽內(nèi)側墻，包括氧化層001)、氮化層002)、淺槽襯墊氧化膜003)，向 P型襯底注入雜質(zhì)子形成埋層；步驟五、去除硬掩膜層中的氧化硅(206)和側墻氧化膜001)，穿透氧化硅(204)和氮 化硅(20 注入雜質(zhì)，形成集電區(qū)O09)； 步驟六、去除側墻氮化膜002)。
2.如權利要求1所述的氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方法；其特征在于，所述 步驟二中利用有源區(qū)光刻打開淺槽區(qū)域，并刻蝕淺槽。
3.如權利要求1所述的氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方法；其特征在于，所述 步驟四中利用干法刻蝕形成淺槽內(nèi)側墻。
4.如權利要求1所述的氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方法；其特征在于，所述 步驟四中利用濕法刻蝕去除硬掩膜層中的氧化硅(206)和側墻氧化膜001)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氧化層/氮化層/氧化層側墻的制作方法；包括以下步驟步驟一、淀積掩膜層氧化硅、氮化硅、氧化硅；步驟二、打開淺槽區(qū)域，并刻蝕淺槽；步驟三、熱氧化淺槽襯墊氧化膜，然后淀積氮化層，淀積氧化層；步驟四、形成淺槽內(nèi)側墻，包括氧化層、氮化層、淺槽襯墊氧化膜，向P型襯底注入雜質(zhì)子形成埋層；步驟五、去除硬掩膜層中的氧化硅和側墻氧化膜，穿透氧化硅和氮化硅注入雜質(zhì)，形成集電區(qū)；步驟六、去除側墻氮化膜。本發(fā)明利用氧化層/氮化層/氧化層ONO形成的STI側墻保護，在濕法去除氧化層后，不產(chǎn)生氮化膜下的氧化膜的刻蝕底切，保護有源區(qū)。
文檔編號H01L21/331GK102129993SQ20101002729
公開日2011年7月20日 申請日期2010年1月18日 優(yōu)先權日2010年1月18日
發(fā)明者張海芳, 徐炯 , 楊華, 陳帆 申請人:上海華虹Nec電子有限公司