專利名稱：帶平板狀線圈的模塊的制造方法及帶平板狀線圈的模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶平板狀線圈的模塊的制造方法及帶平板狀線圈的模塊。
背景技術(shù)：
例如，在專利文獻(xiàn)1中提出了一種電感器內(nèi)置式印刷基板?；趫D10對該電感器內(nèi)置式印刷基板進(jìn)行說明。如圖10所示，在印刷基板1上形成有規(guī)定形狀的貫通孔la。在貫通孔Ia的外側(cè)形成環(huán)狀的擴(kuò)孔部(coimterbore section) lb，環(huán)狀的絕緣壁Ic介于擴(kuò)孔部Ib與貫通孔Ia之間。在擴(kuò)孔部Ib上安裝線圈2。線圈2是由被絕緣膜覆蓋的繞組纏繞而形成的。再有，在印刷基板1上，從下面?zhèn)认鄬τ谪炌譏a而安裝帶平板的第一鐵芯部件3a，在印刷基板1的上表面上配置有與第一鐵芯部件3a對置的平板狀的第二鐵芯部件北。第一鐵芯部件3a的平板部與印刷基板1粘接，第二鐵芯部件北與第一鐵芯部件3a及印刷基板1粘接，第一、第二鐵芯部件3a、!3b —體化為鐵芯3。專利文獻(xiàn)1 日本特開平7183079號公報然而，在圖10所示的現(xiàn)有的電感器內(nèi)置式印刷基板的情況下，為了安裝線圈2而在印刷基板1上設(shè)置擴(kuò)孔部lb，因此需要花費(fèi)相應(yīng)的時間和工夫，電感器內(nèi)置式印刷基板1 的制造成本升高。再有，在印刷基板1的貫通孔Ia內(nèi)安裝貫通該孔的第一鐵芯部件3a，并在該第一鐵芯部件3a上接合第二鐵芯部件3b，因此最終導(dǎo)致鐵芯3變得較厚，在要求低厚度化的狀況下并不是優(yōu)選的。進(jìn)而，因為通過繞組來形成線圈2，所以無法對應(yīng)于大電流。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題完成的，其目的在于提供一種既可以降低制造成本又可以對應(yīng)于大電流的帶平板狀線圈的模塊的制造方法及帶平板狀線圈的模塊。本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的制造方法，其特征在于，具有在內(nèi)置芯片型電子部件的第一樹脂層上設(shè)置呈磁性或非磁性的第二樹脂層的工序；在上述第二樹脂層上設(shè)置平板狀線圈的工序；和按照覆蓋上述平板狀線圈的方式設(shè)置呈磁性或非磁性的第三樹脂層的工序。再有，優(yōu)選在上述第二樹脂層上設(shè)置平板狀線圈的同時，在該平板狀線圈的芯部分設(shè)置磁芯。還有，優(yōu)選在未固化狀態(tài)的上述第二樹脂層上設(shè)置上述平板狀線圈及上述磁芯， 使上述第二樹脂層固化之后按照覆蓋上述平板狀線圈及上述磁芯的方式設(shè)置未固化狀態(tài)的上述第三樹脂層，將上述磁芯作為隔離物對上述第三樹脂層的表面進(jìn)行平坦化。另外，本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于，包括內(nèi)置芯片型電子部件的第一樹脂層；配置于上述第一樹脂層上且呈磁性或非磁性的第二樹脂層；配置于上述第二樹脂層上的平板狀線圈；和覆蓋上述平板狀線圈且呈磁性或非磁性的第三樹脂層。其中，優(yōu)選在上述平板狀線圈的芯部分具有磁芯。此外，優(yōu)選上述磁芯的表面露出到上述第三樹脂層的表面。
此外，優(yōu)選上述第二樹脂層由含有磁性填充劑的磁性樹脂層形成。再有，優(yōu)選上述第三樹脂層為非磁性樹脂層，上述平板狀線圈起到天線的作用。還有，上述平板狀線圈可以構(gòu)成為非接觸式電力傳輸裝置的電力傳輸用線圈，且該帶平板狀線圈的模塊構(gòu)成為包含上述電力傳輸用線圈和送電電路的非接觸式電力傳輸模塊、或構(gòu)成為包含上述電力傳輸用線圈和受電電路的非接觸式電力傳輸模塊。另外，在本發(fā)明中，上述第三樹脂層可以形成為磁性樹脂層，且上述平板狀線圈起到電感器的作用。此外，上述平板狀線圈也可以用作包含電感器及電容器的濾波電路中的電感器。根據(jù)本發(fā)明，可以提供既能降低制造成本又能應(yīng)對大電流的帶平板狀線圈的模塊的制造方法及帶平板狀線圈的模塊。


圖1 (a)是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的一個實施方式的剖視圖，(b)是表示采用了帶平板狀線圈的模塊的非接觸式電力傳輸裝置的一例的框圖。圖2(a) (f)是表示圖1所示的帶平板狀線圈的模塊的制造方法的一個實施方式的工序圖。圖3是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的另一實施方式的剖視圖。圖4是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的其他實施方式的剖視圖。圖5是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的其他實施方式的剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的其他實施方式的剖視圖。圖7是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的其他實施方式的剖視圖。圖8(a)是表示本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的其他實施方式的剖視圖，(b)是表示(a)所示的帶平板狀線圈的模塊構(gòu)成為DC-DC轉(zhuǎn)換器的例子的框圖。圖9是表示在本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊中采用的其他平板狀線圈的俯視圖。圖10是表示現(xiàn)有的內(nèi)置線圈的印刷基板的主要部分的剖視圖。圖中10、10A、10B、10C、10D、10E、10F-帶平板狀線圈的模塊；11-芯片型電子部件；12-第一樹脂層；13-第二樹脂層；14-平板狀線圈；14A-磁芯；15-第三樹脂層。
具體實施例方式以下，基于圖1 圖9，對本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的制造方法及帶平板狀線圈的模塊進(jìn)行說明。首先，基于圖1對第一實施方式的帶平板狀線圈的模塊進(jìn)行說明之后，基于圖 2(a) (f)對圖1所示的帶平板狀線圈的模塊的制造方法進(jìn)行說明。進(jìn)而，基于圖3 圖 9，對第二 第八實施方式的帶平板狀線圈的模塊進(jìn)行說明。(第一實施方式)例如如圖1(a)所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊10包括內(nèi)置芯片型電子部件11的第一樹脂層12 ；含有配置在第一樹脂層12上的磁性填充劑(filler)的第二樹脂層13 ；配置在第二樹脂層13上的螺旋狀的平板狀線圈14 ；覆蓋平板狀線圈14且呈非磁性的第三樹脂層15，例如圖1(b)所示，構(gòu)成非接觸式電力傳輸模塊100。
再有，如圖1(a)所示，在平板狀線圈14的螺旋的中心部分(芯部分)配置磁芯 14A，磁芯14A形成得比平板狀線圈14的厚度厚。而且，在平板狀線圈14被埋設(shè)在第三樹脂層15內(nèi)，并且磁芯14A的上表面從第二樹脂層13的上表面露出。這樣，通過在平板狀線圈14的芯部分配置磁芯14A，從而可以提高平板狀線圈14的L值。如圖1 (a)所示，芯片型電子部件11例如由芯片型電容器、芯片型電感器等芯片型被動電子部件IlA及芯片型集成電路部件等芯片型能動電子部件IlB構(gòu)成。在圖1中，作為芯片型被動電子部件IlA而示出芯片型層疊電容器或芯片型電感器，作為芯片型能動電子部件IlB而示出芯片型集成電路部件(以下根據(jù)需要成為“IC芯片”)。芯片型電子部件 11并未限于圖1 (a)所示的種類或個數(shù)，可以根據(jù)帶平板狀線圈的模塊10的用途，僅選擇適當(dāng)個數(shù)的芯片型被動電子部件IlA及芯片型能動電子部件IlB來進(jìn)行設(shè)計。在本實施方式中，第一樹脂層12形成為以規(guī)定比例混合了氧化鋁或二氧化硅等非磁性填充劑和熱固化性樹脂且呈非磁性的復(fù)合樹脂層。通過利用復(fù)合樹脂層來形成第一樹脂層12，從而可以提高熱傳導(dǎo)性，可以有效地釋放來自芯片型電子部件11的熱量。其中， 第一樹脂層12也可以是由熱固化性樹脂單獨(dú)形成的樹脂層。再有，如圖1(a)所示，在第一樹脂層12的下表面配置有分別安裝了芯片型被動電子部件IlA及芯片型能動電子部件IlB的端子電極16A、16B。這些端子電極16A、16B從第一樹脂層12的下表面露出，在將帶平板狀線圈的模塊10與母板等基板連接之際，使用這些端子電極16A、16B。第二樹脂層13例如形成為以規(guī)定比例混合了鐵氧體等磁性填充劑與熱固化性樹脂且呈磁性的復(fù)合樹脂層。通過使第二樹脂層13呈現(xiàn)磁性，從而可以防止或抑制由平板狀線圈14產(chǎn)生的磁通量流向第一樹脂層12側(cè)。優(yōu)選利用與第一樹脂層12的熱固化性樹脂相同或同種的樹脂來形成第二樹脂層13，通過采取這種方式，從而可以提高第二樹脂層13 與第一樹脂層12的接合力，可以防止兩者間的脫離。該效果對于后述的第三樹脂層15來說也同樣。再有，因為利用復(fù)合樹脂層來形成了第二樹脂層13，所以與第一樹脂層12同樣， 可以有效地釋放來自芯片型電子部件11的熱量。優(yōu)選平板狀線圈14例如由銅等金屬板或金屬線形成。通過利用這種金屬板或金屬線來形成平板狀線圈14，可以減小電阻并使大電流流過。優(yōu)選利用鐵氧體等磁性體塊來形成配置于平板狀線圈14的芯部分的磁芯14A。通過利用磁性體塊來形成磁芯14，可以提高磁導(dǎo)率或飽和磁通量密度，可以提高平板狀線圈14的L值及Q值。在本實施方式中，與第一樹脂層12同樣，第三樹脂層15由以規(guī)定比例混合了非磁性填充劑和熱固化性樹脂且呈非磁性的復(fù)合樹脂形成。雖然第三樹脂層15覆蓋平板狀線圈14的整體，但如上所述，僅磁芯14A的上表面露出在第三樹脂層15的上表面上。優(yōu)選第三樹脂層15也利用與第一、第二樹脂層12、13相同或同種的熱固化性樹脂來形成。其中， 第三樹脂層15也可以是由熱固化性樹脂單獨(dú)形成的樹脂層。再有，如圖1 (a)所示，在第三樹脂層15中，在相當(dāng)于平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部的部分中分別形成有通孔導(dǎo)體17A、17B。這些通孔導(dǎo)體17A、17B電連接平板狀線圈14 和形成于第三樹脂層15的上表面的迂回布線(routing wiring) 18。這樣構(gòu)成的帶平板狀線圈的模塊10例如構(gòu)成為非接觸式電力傳輸用模塊。非接觸式電力傳輸用模塊包括由平板狀線圈14及磁芯14A構(gòu)成的電力傳輸線圈；和由多個芯片型電子部件11構(gòu)成的非接觸式送電電路或非接觸式受電電路，經(jīng)由平板狀線圈14提供或者接受規(guī)定電力。本實施方式的帶平板狀線圈的模塊10可以適用于圖1(b)所示的非接觸式電力傳輸裝置100。如圖1所示，該非接觸式電力傳輸裝置100包括將交流電壓變換為直流電壓的AC/DC轉(zhuǎn)換器101 ；基于從AC/DC轉(zhuǎn)換器101輸出的直流電流生成交流電壓的送電電路 102 ；從送電電路102流過交流電壓而生成磁通量的初級線圈103 ；基于來自初級線圈103 的磁通量而被感應(yīng)出交流電壓的次級線圈104 ；和對次級線圈104的交流電壓進(jìn)行整流后輸出直流電壓的受電電路105，該非接觸式電力傳輸裝置100構(gòu)成為通過從受電電路105輸出的直流電壓對二次電池106進(jìn)行充電。在本實施方式的帶平板狀線圈的模塊10中，內(nèi)置于第一樹脂層12中的芯片型電子部件11構(gòu)成為非接觸式送電電路或非接觸式受電電路，平板狀線圈14構(gòu)成為初級線圈 13或次級線圈104。而且，通過使初級線圈13與次級線圈14隔著規(guī)定的距離對置，從而可以以非接觸的方式從初級線圈13向次級線圈14傳輸規(guī)定的交流電力。接著，基于圖2對本實施方式的帶平板狀線圈的模塊10的制造方法進(jìn)行說明。首先，制作圖2(a)所示的內(nèi)置芯片型電子部件11的第一樹脂層12。例如，準(zhǔn)備不銹鋼制的平板(plate)，在該平板的上表面例如粘貼銅箔等金屬箔，通過光刻技術(shù)形成具有規(guī)定圖案的端子電極16A、16B。接著，例如將芯片型電容器IlA及IC芯片IlB分別安裝到端子電極 16A、16B之后，將含有非磁性填充劑的半固化狀態(tài)的復(fù)合樹脂片熱壓接到芯片型電子部件 11上，如圖2(a)所示，獲得內(nèi)置芯片型電子部件11的未固化狀態(tài)的第一樹脂層112。接下來，如圖2(b)所示，在未固化狀態(tài)的第一樹脂層112的上表面熱壓接含有磁性填充劑的未固化狀態(tài)的復(fù)合樹脂片，在未固化狀態(tài)的第一樹脂層112上層疊未固化狀態(tài)的第二樹脂層113。然后，如圖2(c)所示，將例如通過金屬板的彎曲加工形成的平板狀線圈14配置到未固化狀態(tài)的第二樹脂層113的規(guī)定位置，并且將具有比平板狀線圈14更厚的厚度的磁芯 14A配置到平板狀線圈14的芯部分之后，使未固化狀態(tài)的第一、第二樹脂層112、113熱固化。平板狀線圈14例如比通過蝕刻技術(shù)對金屬箔進(jìn)行了圖案化的線圈或通過導(dǎo)電性膏體的印刷形成的線圈還厚，由此可以減小電阻，可以應(yīng)對大電流。進(jìn)而，如圖2(d)所示，將含有非磁性填充劑的半固化狀態(tài)的復(fù)合樹脂片熱壓接到第二樹脂層13的上表面。此時，若利用壓力機(jī)使復(fù)合樹脂片的上表面平坦化，則磁芯14A起到作為隔離物的作用，可以將平板狀線圈14埋設(shè)到復(fù)合樹脂片內(nèi)，并且可以使磁芯14A的上表面從復(fù)合樹脂片的上表面露出，從而可以獲得具有均勻厚度的未固化狀態(tài)的第三樹脂層 115。接著，在使未固化狀態(tài)的第三樹脂層115熱固化而獲得第三樹脂層15之后，如圖 2(e)所示，向相當(dāng)于平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部的部位照射激光，以形成通孔H。而且，在第三樹脂層15的上表面實施電鍍處理，在通孔H內(nèi)嵌入導(dǎo)電性金屬，以形成通孔導(dǎo)體17A、17B，并且在第三樹脂層15的上表面形成導(dǎo)電性金屬膜，進(jìn)而如圖2(f)所示，通過采用光刻技術(shù)對導(dǎo)電性金屬膜進(jìn)行圖案化，從而形成迂回布線18。由此，平板狀線圈14經(jīng)由通孔導(dǎo)體17A、17B而與迂回布線18連接，可以獲得本實施方式的帶平板狀線圈的模塊10。
如以上所說明的那樣，根據(jù)本實施方式的帶平板狀線圈的模塊的制造方法，因為具有在內(nèi)置芯片型電子部件11的第一樹脂層12上設(shè)置含有磁性填充劑的第二樹脂層13 的工序；在第二樹脂層13上設(shè)置平板狀線圈14的工序；以及按照覆蓋平板狀線圈14的方式設(shè)置呈非磁性的第三樹脂層15的工序，所以不會像現(xiàn)有技術(shù)那樣在基板上設(shè)置用于設(shè)計線圈的貫通孔或擴(kuò)孔部等，可以簡單且低成本地制造本實施方式的帶平板狀線圈的模塊 10。再有，根據(jù)本實施方式，因為設(shè)為在第二樹脂層13上設(shè)置平板狀線圈14的同時在平板狀線圈14的芯部分設(shè)置磁芯14A，所以可以簡化設(shè)置平板狀線圈14與磁芯14A的工序，從而提高線圈的安裝操作效率。進(jìn)而，因為在未固化狀態(tài)的第二樹脂層113上設(shè)置平板狀線圈14及磁芯14A，在使未固化狀態(tài)的第二樹脂層113固化之后，按照覆蓋平板狀線圈14及磁芯14A的方式設(shè)置未固化狀態(tài)的第三樹脂層115，并將磁芯14A作為隔離物而對第三樹脂層的表面進(jìn)行平坦化，所以無需為了對第三樹脂層15進(jìn)行平坦化而采用固有的隔離物，可以獲得被調(diào)整為恒定膜厚的第三樹脂層15。還有，因為利用本實施方式的制造方法制造出的帶平板狀線圈的模塊10具有內(nèi)置芯片型電子部件11的第一樹脂層12 ；配置于第一樹脂層12上且含有磁性填充劑的第二樹脂層13 ；配置于第二樹脂層13上的平板狀線圈14 ；和覆蓋平板狀線圈14且呈非磁性的第三樹脂層15，所以可以以簡單的結(jié)構(gòu)來應(yīng)對大電流，而且促進(jìn)模塊的低厚度化。另外，第三樹脂層15是非磁性樹脂層，平板狀線圈14起到天線圖案的作用，由此可以用于電磁波的收發(fā)。再有，因為平板狀線圈14是非接觸式電力傳輸裝置100的電力傳輸用線圈103、104，并且構(gòu)成為包含電力傳輸用線圈103與送電電路102或受電電路105的非接觸式電力傳輸模塊，所以可以在短時間內(nèi)傳輸電力，例如，可以在短時間內(nèi)對二次電池 106進(jìn)行充電。此外，因為在內(nèi)置芯片型電子部件11的第一樹脂層12與埋設(shè)了平板狀線圈 14的第三樹脂層15之間存在呈磁性的第二樹脂層13，所以可以防止或抑制平板狀線圈14 對芯片型電子部件11的磁性影響。還有，根據(jù)本實施方式，因為在平板狀線圈14的芯部分具有磁芯14A，所以可以獲得L值及Q值優(yōu)越的帶平板狀線圈的模塊10。(第二實施方式)例如，如圖3所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA除了使通孔導(dǎo)體17A、 17B的形態(tài)不同以外，均構(gòu)成為與第一實施方式的帶平板狀線圈的模塊10相同。因此，在本實施方式中，對于與第一實施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠仲x予相同的標(biāo)記來進(jìn)行說明。在本實施方式中，通孔導(dǎo)體17A、17B貫通第一、第二樹脂層12、13，并與平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部的下表面連接。因此，連接通孔導(dǎo)體17A、17B的迂回布線形成在安裝帶平板狀線圈的模塊IOA的母板等基板(未圖示)側(cè)。該迂回布線也可以設(shè)置在第一樹脂層12的下表面。在將迂回布線設(shè)置在第一樹脂層12的下表面的情況下，可以與安裝芯片型電子部件11的端子電極16A、16B —起設(shè)置。在制造本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA的情況下，直到設(shè)置通孔導(dǎo)體17A、 17B為止的工序都與第一實施方式的制造帶平板狀線圈的模塊10時同樣地進(jìn)行。在設(shè)置通孔導(dǎo)體17A、17B的情況下，在使第一、第二、第三樹脂層12、13、15熱固化之后，向相當(dāng)于平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部的部分，從第一樹脂層12的下表面?zhèn)日丈浼す?，形成貫通第一、第二樹脂?2、13并抵達(dá)平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部各自的下表面的通孔，在這些通孔內(nèi)分別填充導(dǎo)電性膏體，并使其固化后形成通孔導(dǎo)體17A、17B。由此，可以獲得本實施方式的帶平板狀線圈的模塊10A。在本實施方式中，也可以期待與第一實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA同樣的作用效果。(第三實施方式)例如，如圖4所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOB除了在第一、第二樹脂層12、13的界面設(shè)置屏蔽層19并使第二通孔導(dǎo)體17C作為接地用導(dǎo)體與該屏蔽層19電連接以外，基本上與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊10A(參照圖3)同樣地構(gòu)成。其中， 在本實施方式中，對于與第二實施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠忠操x予相同的標(biāo)記進(jìn)行說明。在作為屏蔽層19而設(shè)置電鍍膜或金屬箔的情況下，在第二樹脂層13的整個上表面設(shè)置了電鍍膜或金屬箔之后，通過光刻技術(shù)進(jìn)行圖案化，從而可以設(shè)置通孔導(dǎo)體17A、17B 所貫通的孔。再有，在作為屏蔽層19而設(shè)置導(dǎo)電膜的情況下，以規(guī)定的圖案對導(dǎo)電性膏體進(jìn)行印刷，從而可以設(shè)置通孔導(dǎo)體17A、17B所貫通的孔。再有，可以與通孔導(dǎo)體17A、17B同樣地設(shè)置第二通孔導(dǎo)體17C。因為利用電鍍膜、金屬箔或?qū)щ娔?，在第一樹脂?2與第二樹脂層13的界面處設(shè)置屏蔽層19，所以可以防止第一樹脂層12內(nèi)的芯片型電子部件11與第三樹脂層15內(nèi)的平板狀線圈14之間的電磁干擾。因此，如上所述，在本實施方式中，除了可以利用屏蔽層19來防止芯片型電子部件11與平板狀線圈14之間的電磁干擾之外，可以期待與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA同樣的作用效果。(第四實施方式)在本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOC的情況下，例如如圖5所示，除了比起第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOB在上下方向上反方向配置了內(nèi)置芯片型電子部件 11的第一樹脂層12這一點(diǎn)以外，基本上與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA(參照圖3)同樣地構(gòu)成。其中，在本實施方式中，對于與第二實施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠忠操x予相同的標(biāo)記進(jìn)行說明。再有，向IC芯片IlB的方向延伸設(shè)置安裝了芯片型電容器IlA的其中一個端子電極16A。在該端子電極16A的延伸部連接著抵達(dá)第一樹脂層12的下表面的第二通孔導(dǎo)體 17D。還有，在第一樹脂層12的下表面形成有以規(guī)定圖案形成的連接用端子16C。經(jīng)由連接用端子16C，將本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOC安裝在母板等基板上。在其他方面， 本實施方式的帶平板狀線圈的模塊也與第二實施方式同樣地構(gòu)成。根據(jù)本實施方式，因為芯片型電子部件11的端子電極16A、16B配置于帶平板狀線圈的模塊IOC的內(nèi)部，所以除了不會受到芯片型電子部件11的配置位置的制約，并可以提高連接用端子16C的布局的自由度以外，還可以期待與第二實施方式同樣的作用效果。(第五實施方式)例如如圖6所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOD除了通孔導(dǎo)體17A、17B 的形態(tài)不同以外，與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊10A(參照圖3)同樣地構(gòu)成，并被核心基板(例如陶瓷多層基板)20支撐。因此，在本實施方式中，對于與第二實施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠忠操x予相同的標(biāo)記進(jìn)行說明。在陶瓷多層基板20中內(nèi)置了各種布線、電容器、電感器等被動電子部件(未圖示)。而且，通過在該陶瓷多層基板20上裝載帶平板狀線圈的模塊10D，從而可以獲得高功能且小型的模塊M。再有，在陶瓷多層基板20的下表面以規(guī)定的圖案形成連接用端子20A， 經(jīng)由連接用端子20A而將模塊M安裝在母板等基板上。如上所述，因為本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOD具有上下方向與第二實施方式的模塊IOA相反的通孔導(dǎo)體17A、17B，所以其制造方法與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA的制造方法有若干不同。S卩，在制造模塊M的情況下，首先在陶瓷多層基板20的上表面，以圖2所示的要領(lǐng)依次設(shè)置內(nèi)置芯片型電子部件11的第一樹脂層12和第二樹脂層13。然后，在第二樹脂層13的上表面，向相當(dāng)于平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部的部位分別照射激光，以形成通孔。這樣，因為從第二樹脂層13的上表面?zhèn)日丈浼す?，所以通孔的上下方向與第二實施方式的情況相反。向這些通孔填充導(dǎo)電性膏體，使其固化而形成通孔導(dǎo)體17A、17B之后，在第二樹脂層13的上表面設(shè)置平板狀線圈14及磁芯14A。此時，使平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部與各個通孔導(dǎo)體17A、17B合并。接著，通過設(shè)置覆蓋平板狀線圈14的第三樹脂層 15，從而可以得到模塊M。根據(jù)本實施方式，因為將帶平板狀線圈的模塊IOD搭載在內(nèi)置電容器或電感器等被動電子部件的陶瓷多層基板20上來構(gòu)成模塊M，所以可以使模塊M高功能化且小型化。(第六實施方式)例如如圖7所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOE除了以下方面以外，即 在第三樹脂層15的上表面設(shè)置用于將平板狀線圈14與母板等基板連接的迂回布線18，且設(shè)置成使第二通孔導(dǎo)體17E、17F從該迂回布線18向母板等基板垂下，其他方面基本上與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊10A(參照圖3)同樣地構(gòu)成。因此，在本實施方式中，對于與第二實施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠忠操x予相同的標(biāo)記進(jìn)行說明。S卩，與圖1所示的情況相同，平板狀線圈14的內(nèi)端部及外端部分別經(jīng)由通孔導(dǎo)體 17A、17B與以規(guī)定圖案形成于第三樹脂層15的上表面的迂回布線18連接。該迂回布線18 在平板狀線圈14的外方連接著貫通第三、第二、第一樹脂層15、13、12的第三通孔導(dǎo)體17E、 17F。其中，第二通孔導(dǎo)體17C與第三實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOC同樣，作為接地用導(dǎo)體而形成在屏蔽層19上，該屏蔽層19形成于第一樹脂層12與第二樹脂層13的界面處。在設(shè)置第三通孔導(dǎo)體17E、17F的情況下，可以設(shè)置貫通第一、第二、第三樹脂層 12、13、15的通孔，以至于可以增大激光的輸出，可在短時間內(nèi)形成小徑的通孔。相對于此， 若存在如第二通孔導(dǎo)體17C那樣的對象膜，即如屏蔽層19那樣無法對激光的抵達(dá)目標(biāo)造成傷害的對象膜，則因為必須減小激光的輸出，所以通孔的直徑尺寸增大，并且通孔的形成需要較多時間。根據(jù)本實施方式，可以經(jīng)由第三通孔導(dǎo)體17E、17F將平板狀線圈14的迂回布線18 接引到母板等基板側(cè)。(第七實施方式)
例如圖8 (a)所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOF除了利用含有磁性填充劑的樹脂層來形成第二樹脂層13這一點(diǎn)以外，構(gòu)成為具有與第二實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOA實質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。因此，對于與第二實施方式相同或相當(dāng)?shù)牟糠忠操x予相同的標(biāo)記進(jìn)行說明。在第二實施方式中平板狀線圈14構(gòu)成為天線，相對于此，在本實施方式中，平板狀線圈14構(gòu)成為電感器。而且，如圖8(b)所示，本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOF構(gòu)成為DC-DC轉(zhuǎn)換器。圖8(b)所示的DC-DC轉(zhuǎn)換器200構(gòu)成為包括輸入側(cè)的電容器201、輸出側(cè)的電容器202、電感器203及作為控制電路的IC芯片204。而且，在DC-DC轉(zhuǎn)換器200中，輸入直流輸入電壓Vin，通過IC芯片204內(nèi)的場效應(yīng)晶體管(以下稱為“開關(guān)元件”)進(jìn)行開關(guān)動作。若將開關(guān)元件維持導(dǎo)通的時間設(shè)為Tm， 將截止的時間設(shè)為Ttw,則輸出電壓Vott可以表示為Vott = Ton/ (Ton+Toff) XVin,輸出電壓Vqut 由輸入電壓Vin開始降壓。在輸入電壓Vin變動的情況下，若調(diào)整Tw與Ttw的比率，則可以輸出穩(wěn)定的輸出電壓VOTT。輸入側(cè)電容器201用于輸入電壓Vin過度時的穩(wěn)定化或防止電壓尖峰。輸出側(cè)具備用于輸出直流電壓的濾波電路。該濾波電路是將進(jìn)行電流能量的積蓄與釋放的電感器203和進(jìn)行電壓能量的積蓄與釋放的輸出側(cè)電容器202進(jìn)行組合而構(gòu)成的。內(nèi)置于本實施方式的帶平板狀線圈的模塊IOF的第一樹脂層12中的芯片型電子部件11可以構(gòu)成為輸入側(cè)電容器201、輸出側(cè)電容器202及IC芯片204。而且平板狀線圈 14可以構(gòu)成為電感器203。在此，因為平板狀線圈14埋設(shè)在上下的呈磁性的第二、第三樹脂層13、15內(nèi)，所以可以密封由平板狀線圈14生成的磁通量，可以增大作為電感器的L值及Q值。根據(jù)本實施方式，因為作為構(gòu)成DC-DC轉(zhuǎn)換器200的輸出用電感器而具有L值及 Q值高的平面狀線圈14，所以可以構(gòu)成轉(zhuǎn)換效率高的DC-DC轉(zhuǎn)換器200。另外，例如圖9所示，上述各實施方式中采用的平板狀線圈14可以形成蚊香狀的形態(tài)。還有，本發(fā)明并未限于上述各實施方式，可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)貙Ω鳂?gòu)成要素進(jìn)行設(shè)計變更。(工業(yè)上的可利用性) 本發(fā)明優(yōu)選利用于非接觸式電力傳輸裝置或DC-DC轉(zhuǎn)化器等內(nèi)置線圈的電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種帶平板狀線圈的模塊的制造方法，其特征在于，包括在內(nèi)置芯片型電子部件的第一樹脂層上設(shè)置呈磁性或非磁性的第二樹脂層的工序； 在所述第二樹脂層上設(shè)置平板狀線圈的工序；和按照覆蓋所述平板狀線圈的方式設(shè)置呈磁性或非磁性的第三樹脂層的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶平板狀線圈的模塊的制造方法，其特征在于， 在所述第二樹脂層上設(shè)置平板狀線圈的同時，在該平板狀線圈的芯部分設(shè)置磁芯。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的帶平板狀線圈的模塊的制造方法，其特征在于，在未固化狀態(tài)的所述第二樹脂層上設(shè)置所述平板狀線圈及所述磁芯，使所述第二樹脂層固化之后按照覆蓋所述平板狀線圈及所述磁芯的方式設(shè)置未固化狀態(tài)的所述第三樹脂層，將所述磁芯作為隔離物并對所述第三樹脂層的表面進(jìn)行平坦化。
4.一種帶平板狀線圈的模塊，其特征在于，包括 內(nèi)置芯片型電子部件的第一樹脂層；配置于所述第一樹脂層上且呈磁性或非磁性的第二樹脂層；配置于所述第二樹脂層上的平板狀線圈；和覆蓋所述平板狀線圈且呈磁性或非磁性的第三樹脂層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于， 在所述平板狀線圈的芯部分具有磁芯。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于， 所述磁芯的表面露出到所述第三樹脂層的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求4 6中任一項所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于， 所述第二樹脂層是含有磁性填充劑的磁性樹脂層。
8.根據(jù)權(quán)利要求4 7中任一項所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于， 所述第三樹脂層是非磁性樹脂層，所述平板狀線圈起到天線的作用。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于，所述平板狀線圈構(gòu)成為非接觸式電力傳輸裝置的電力傳輸用線圈，且該帶平板狀線圈的模塊構(gòu)成為包含所述電力傳輸用線圈和送電電路的非接觸式電力傳輸模塊、或構(gòu)成為包含所述電力傳輸用線圈和受電電路的非接觸式電力傳輸模塊。
10.根據(jù)權(quán)利要求4 7中任一項所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于， 所述第三樹脂層形成為磁性樹脂層，且所述平板狀線圈起到電感器的作用。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的帶平板狀線圈的模塊，其特征在于， 所述平板狀線圈用作包含電感器及電容器的濾波電路中的電感器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種帶平板狀線圈的模塊的制造方法及帶平板狀線圈的模塊。其中，本發(fā)明的帶平板狀線圈的模塊的制造方法具有在內(nèi)置有芯片型電子部件(11)的第一樹脂層(12)上設(shè)置含有磁性填充劑的第二樹脂層(13)的工序；在第二樹脂層(13)上設(shè)置平板狀線圈(14)的工序；和按照覆蓋平板狀線圈(14)的方式設(shè)置呈非磁性的第三樹脂層(15)的工序。由此，既可以降低制造成本又可以應(yīng)對大電流。
文檔編號H01F41/04GK102308349SQ200980156108
公開日2012年1月4日 申請日期2009年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月7日
發(fā)明者畑瀨稔 申請人:株式會社村田制作所