專利名稱：等離子體處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過電磁波激勵氣體而對被處理體進行等離子體處理的等離子體處
理裝置。
背景技術(shù)：
在使用電磁波生成的等離子體中，微波等離子體是將微波經(jīng)由電介質(zhì)板導(dǎo)入減壓狀態(tài)的處理室內(nèi)而產(chǎn)生的(例如參照引用文獻1)。在微波等離子體處理裝置中，在等離子體的電子密度高于截止密度η。時，微波不能進入等離子體內(nèi)，而在電介質(zhì)板與等離子體之間傳播。傳播中，微波的一部分作為漸逝波而被等離子體吸收，用于等離子體的維持。這樣，在電介質(zhì)板與等離子體之間傳播的微波，例如被稱為電介質(zhì)表面波。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1 日本專利文獻特開2006-310794號公報。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明的概要發(fā)明所要解決的問題在將低頻的電磁波供給等離子體處理裝置時，不僅產(chǎn)生在電介質(zhì)板與等離子體之間傳播的電介質(zhì)表面波，而且產(chǎn)生在處理容器內(nèi)表面的金屬面與等離子體之間傳播的表面波(以下稱為金屬表面波(導(dǎo)體表面波))。若使等離子體的電子密度低于截止密度η。的 2倍，則金屬表面波無法傳播。由于截止密度η。與電磁波的頻率的平方成比例，因此若頻率低、電子密度不高，則金屬表面波無法傳播。而且，金屬表面波具有頻率越低越難以衰減的特征。在一般使用于等離子體的生成的Μ50ΜΗΖ的頻率中，若截止密度η。的值為 7. 5 X IO10Cm-3,電子密度不是1. 5 X IO11CnT3以上，則金屬表面波不進行傳播。例如，在表面附近的電子密度為IXlO11Cnr3左右的低密度等離子體中，金屬表面波完全不傳播。即使電子密度更高時，由于衰減較大，因此金屬表面波的傳播幾乎沒有問題的情況居多。另一方面， 例如在915MHz的頻率中，即使表面附近的電子密度為IXlO11Cnr3左右的低密度等離子體中，金屬表面波在處理室的內(nèi)表面也較長地傳播。因而，在利用低頻率的電磁波執(zhí)行等離子體處理時，不僅需要電介質(zhì)表面波，而且需要設(shè)計用于控制金屬表面波的傳播的裝置。例如，在金屬電極表面與位于金屬電極附近的相似形狀的金屬罩表面所形成的金屬表面波的駐波的分布不同，并且若分別在分布上存在較大的偏差，則在處理容器的頂面的電場能量的分布上產(chǎn)生偏差。另外，在金屬電極與金屬罩之間存在階差或槽時，產(chǎn)生在其附近氣體難以流動而容易停留的狀態(tài)，生成不穩(wěn)定的等離子體。而且，也考慮以下情況在將電介質(zhì)板或金屬電極通過螺釘固定于處理容器的頂面時，在微波的傳遞路徑上產(chǎn)生無法控制的間隙，來自等離子體側(cè)的微波的反射變大而微波能量的供給效率變差。這些由于對等離子體的均勻性及穩(wěn)定性給予影響，因此要求通過使金屬電極及其周邊的形狀、尺寸、配置位置及其周邊的設(shè)計最適當(dāng)化，來穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。因此，本發(fā)明提供一種為了控制表面波的傳播而使金屬電極及其周邊的構(gòu)成適當(dāng)化的等離子體處理裝置。用于解決問題的手段為了解決所述問題，根據(jù)本發(fā)明的觀點，提供一種等離子體處理裝置，包括處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理；電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；以及菱形的金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出。所述金屬電極與所述電介質(zhì)板作為劃分所述處理容器的頂面的假想?yún)^(qū)域而被由與所述金屬電極的兩條對角線分別平行的各兩條直線劃定，將包括所述金屬電極與所述電介質(zhì)板的最小矩形區(qū)域作為單元區(qū)域，按照使所述單元區(qū)域長邊的長度與短邊的長度之比為1. 2以下的方式來確定所述金屬電極及所述電介質(zhì)板的形狀。由此，從電磁波源輸出的電磁波，從與處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置的菱形的金屬電極的周緣透射電介質(zhì)板向處理容器內(nèi)放射。金屬電極與電介質(zhì)板作為劃分所述處理容器的頂面的假想?yún)^(qū)域而被由與所述金屬電極的兩條對角線分別平行的各兩條直線劃定，將包含所述金屬電極與所述電介質(zhì)板的最小矩形區(qū)域作為單元區(qū)域(參照圖2)，按照使所述單元區(qū)域的長邊長度相對于短邊長度之比為1.2以下的方式來確定該金屬電極及電介質(zhì)板的形狀。為了生成均勻的等離子體，優(yōu)選在金屬電極表面與金屬罩表面所形成的金屬表面波的駐波的分布相同，并且在各自的分布上沒有大的偏差。在單元為正方形時，在金屬電極表面與金屬罩表面形成相同圖案的駐波。這是因為從金屬電極與金屬罩的周圍的對應(yīng)的位置分別供給相同相位、相同強度的金屬表面波。另一方面，在單元為長方形時，在金屬電極表面與金屬罩表面形成不同的圖案的駐波。這是由于從金屬電極與金屬罩的周圍的對應(yīng)的位置供給的金屬表面波的相位、強度不一致。這樣，若在金屬電極表面與金屬罩表面所形成的金屬表面波的駐波對稱性較差，則難以控制均勻性，難以激勵均勻的等離子體。為了生成耐用的均勻的等離子體，期望金屬電極表面與金屬罩表面的對應(yīng)的位置中的金屬表面波的電場強度比的平均值為1.5以下，更優(yōu)選的是1. 1以下。圖4表示與單元的縱橫比對應(yīng)的位置中的金屬表面波的電場強度比的關(guān)系。這是通過電磁場仿真而計算出的結(jié)果。由此，為了使電場強度比為1. 5以下，只要使單元的縱橫比為1.2以下即可。由此，能夠使金屬電極表面與金屬罩表面所形成的金屬表面波的駐波的分布相同或者近似，并且，能夠維持在各自的分布上沒有偏差的狀態(tài)。其結(jié)果，能夠生成均勻的等離子體。為了使電場強度比為1. 1以下，更優(yōu)選使單元的縱橫比為1. 1以下。由此，能夠進一步使金屬電極與金屬罩的金屬表面波的駐波分布相同或者近似，并且能夠減小各自的分布偏差，生成更加均勻的等離子體。
為了解決所述問題，根據(jù)本發(fā)明的其他觀點，提供一種等離子體處理裝置，包括 處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理；電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出；以及金屬罩，形狀與所述金屬電極相同或者相似，被設(shè)置在所述處理容器的頂面的沒有設(shè)置所述電介質(zhì)板的部分。在所述金屬電極與所述金屬罩之間的槽設(shè)置有填充用電介質(zhì)。由此，從電磁波源輸出的電磁波與處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并從金屬電極的周緣透射電介質(zhì)板向處理容器內(nèi)放射。在沒有設(shè)置電介質(zhì)板的處理容器的頂面，設(shè)置形狀與金屬電極相同或者相似的金屬罩，在金屬電極與金屬罩之間設(shè)置有填充用電介質(zhì)。在金屬電極與金屬罩之間的槽(間隙)中，氣體難以流動而容易停留。例如，在等離子體清洗的工序中，間隙的內(nèi)部難以進入清洗氣體，難以除去附著在間隙內(nèi)面的膜。另外，在槽部分，由于被壁包圍三個方向，因此等離子體的電子密度容易下降，難以維持穩(wěn)定的密度的確定的等離子體。由于從在金屬電極與金屬罩之間露出的電介質(zhì)板供給金屬表面波，因此若在該部分沒有被維持穩(wěn)定的密度的確定的等離子體，則等離子體全體變得不穩(wěn)定且不均勻。與此相對，在本發(fā)明中，通過用電介質(zhì)填埋金屬電極與金屬罩之間的槽，從而能夠解決決這些問題。為了解決所述問題，根據(jù)本發(fā)明的其他觀點，提供一種等離子體處理裝置，包括 處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理；電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出；以及凸部，形狀與所述金屬電極相同或者相似，被設(shè)置在所述處理容器的頂面的沒有設(shè)置所述電介質(zhì)板的部分。在所述金屬電極與所述凸部之間的槽設(shè)置有填充用電介質(zhì)。由此，通過用電介質(zhì)填埋金屬電極與凸部之間，從而消除氣體難以流動而容易停留的空間，從而能夠穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。也可以在所述金屬電極的周圍設(shè)置側(cè)罩，所述填充用電介質(zhì)被設(shè)置在所述金屬電極與所述側(cè)罩之間的槽。所述填充用電介質(zhì)也可以被配置為埋沒在所述金屬電極和所述凸部之間的槽中、 或使所述槽平坦化、或者從所述槽突出的任何一個狀態(tài)。所述填充用電介質(zhì)可以以包圍所述金屬電極的外周的方式被配置，并具有從所述槽突出的部分。所述填充用電介質(zhì)可以在所述金屬電極的各邊的至少中央附近從所述槽突出。在所述填充用電介質(zhì)的突出部分中，所述金屬電極的各邊的中央附近的突出可以大于所述金屬電極的頂點附近的突出。所述填充用電介質(zhì)的突出部分可以相對于所述金屬電極的中心被形成為點對稱。所述填充用電介質(zhì)可以由與所述電介質(zhì)板相同的材質(zhì)形成。為了解決所述問題，根據(jù)本發(fā)明的其他觀點，一種等離子體處理裝置，包括處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理；電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；以及金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出。所述金屬電極通過多個第一螺栓及與所述多個第一螺栓不同的多個第二螺栓被固定在所述處理容器內(nèi)的頂面，所述多個第一螺栓在相對于所述金屬電極的中心彼此點對稱的位置固定所述金屬電極，所述多個第二螺栓被配置在相對于所述金屬電極的中心彼此點對稱的位置，并且，在與所述多個第一螺栓的位置不同的位置固定所述金屬電極。由此，從電磁波源輸出的電磁波與處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并從金屬電極的周緣透射電介質(zhì)板向處理容器內(nèi)放射。金屬電極通過多個第一螺栓及與第一螺栓不同種類的多個第二螺栓被固定在處理容器內(nèi)的頂面。在固定時，金屬電極在隔著電介質(zhì)的狀態(tài)下，在距金屬電極中心的距離相等且等間隔的位置通過多個第一螺栓被固定在處理容器上，并且，在距所述金屬電極中心的距離相等且與四根第一螺栓的位置不同的位置通過多個第二螺栓固定在處理容器。這樣，金屬電極通過相對于金屬電極的中心點對稱地設(shè)置的兩種螺栓在沒有電的及機械的偏差的狀態(tài)下被固定。由此，由于在作為微波的傳遞路徑的電介質(zhì)上不產(chǎn)生間隙、 微波波長與傳播速度沒有變化，因此相對于設(shè)計值而實際的阻抗的變化沒有差異，能夠降低來自等離子體側(cè)的微波的反射，提高微波的能量供給效率。特別地，能夠根據(jù)螺栓直徑或位置而降低金屬電極的電場強度分布的偏差，穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。另外，能夠通過多個螺栓將等離子體側(cè)的熱向蓋體300側(cè)釋放。所述多個第一螺栓的直徑可以小于所述多個第二螺栓的直徑。所述多個第一螺栓可以為四根，并可以位于所述金屬電極的對角線上。所述多個第二螺栓可以為四根，并可以位于比所述四根第一螺栓靠所述金屬電極的中心側(cè)。在所述金屬電極為正方形的情況下，所述四根第二螺栓可以分別設(shè)置于在被設(shè)置成所述等間隔的四根第一螺栓中距鄰接的兩個第一螺栓等間隔的位置。所述電介質(zhì)板可以在所述金屬電極的外周大致帶狀地向所述處理容器內(nèi)的頂面露出。所述電介質(zhì)板及所述金屬電極在所述電介質(zhì)板被所述金屬電極與所述處理容器的頂面夾持的狀態(tài)下分別被設(shè)置多個，并以相鄰的各金屬電極的頂點彼此最接近的方式規(guī)律地被配置在所述頂面上。發(fā)明的效果如以上說明那樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠使金屬電極及其周邊的構(gòu)成適當(dāng)化來控制表面波的傳播。


圖1是第一實施方式涉及的微波等離子體處理裝置的縱剖面圖(圖2的2-0-0’_2 剖面圖)；圖2是圖1的1-1剖面圖；圖3A是表示金屬電極及金屬罩的表面所形成的金屬表面波的駐波圖形的仿真結(jié)
8果；圖;3B是表示金屬電極及金屬罩的表面所形成的金屬表面波的駐波圖形的仿真結(jié)果；圖4是表示與單元的縱橫比對應(yīng)的位置的金屬表面波的電場強度比的關(guān)系的圖；圖5是用于說明在金屬電極與金屬罩之間沒有填充用電介質(zhì)時的電場強度分布的圖；圖6A是用于說明在金屬電極與金屬罩之間具有填充用電介質(zhì)時的電場強度分布的圖；圖6B是用于說明在金屬電極與金屬罩之間具有填充用電介質(zhì)時的電場強度分布的圖；圖6C是用于說明在金屬電極與金屬罩之間具有填充用電介質(zhì)時的電場強度分布的圖；圖7是表示設(shè)置于頂面的金屬電極及周邊的圖；圖8是圖7的仰視圖；圖9是圖8的3-3剖面圖。
具體實施例方式以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。而且，在以下的說明及附圖中， 對于具有相同構(gòu)成及功能的構(gòu)成要件，通過標(biāo)注相同符號來省略重復(fù)說明。(等離子體處理裝置的構(gòu)成)首先，關(guān)于本發(fā)明一實施方式的微波等離子體處理裝置(MSEP 金屬表面波激勵等離子體)的構(gòu)成，參照圖1進行說明。圖1是示意性地示出本裝置的縱剖面圖。圖1表示圖2的2-0-0’-2剖面。圖2是微波等離子體處理裝置10的頂面，示出圖1的1-1剖面。(微波等離子體處理裝置的概略)如圖1所示，微波等離子體處理裝置10具有用于對玻璃基板(下面稱為“基板G”) 進行等離子體處理的處理容器100。處理容器100包括容器主體200和蓋體300。容器主體 200具有其上部被開口的有底立方體形狀，該開口被蓋體300封閉。蓋體300包括上部蓋體 300a和下部蓋體300b。在容器主體200與下部蓋體300b的接觸面設(shè)置有0形圈205，由此容器主體200和下部蓋體300b被密閉，劃定處理室。在上部蓋體300a和下部蓋體300b 的接觸面也設(shè)置有0形圈210和0形圈215，由此上部蓋體300a和下部蓋體300b被密閉。 容器主體200和蓋體300例如由鋁合金等金屬構(gòu)成，被電接地。在處理容器100的內(nèi)部，設(shè)置有用于載置基板G的基座105(載臺)?；?05例如由氮化鋁形成?；?05被支承體110支承，在其周圍設(shè)置有用于將處理室的氣體的流動控制為優(yōu)選的狀態(tài)的擋板115。另外，在處理容器100的底部設(shè)置有氣體排出管120，使用被設(shè)置在處理容器100的外部的真空泵(未圖示)排出處理容器100內(nèi)的氣體。由圖1、圖2可知，在處理容器100的頂面規(guī)則地配置有金屬電極310及金屬罩 320。八個金屬電極310以相鄰的各金屬電極310的頂點彼此最接近的方式規(guī)則地配置于處理容器內(nèi)的頂面。三個金屬罩320分別被設(shè)置在沒有設(shè)置金屬電極310的部分，以金屬罩320的頂點最接近相鄰的金屬電極310的頂點的方式規(guī)則地配置在處理容器內(nèi)的頂面。在八個金屬電極310的外周，設(shè)置有覆蓋金屬電極310和金屬罩320的側(cè)罩350。金屬電極310在電介質(zhì)板305的等離子體側(cè)的面(下表面)與電介質(zhì)板305鄰接設(shè)置，是從周緣使電介質(zhì)板305的一部向處理容器100的內(nèi)部露出的菱形的平板。這里，所謂菱形是四邊長度彼此相等的四邊形，也包括正方形。電介質(zhì)板305是比金屬電極310大一圈、在金屬電極310的頂點附近倒角了的八角形的平板。電介質(zhì)板305在被處理容器內(nèi)的頂面與金屬電極310夾持的狀態(tài)下與頂面鄰接設(shè)置，在金屬電極310的外周大致帶狀地在處理容器內(nèi)的頂面露出。電介質(zhì)板305將從微波源900輸出的微波從所述帶狀部分向處理容器內(nèi)放射。電介質(zhì)板305和金屬電極310相對于基板G或處理容器100在大概傾斜45°的位置以等間距配置八片。間距被確定為一個電介質(zhì)板305的對角線的長度為相鄰的電介質(zhì)板305的中心間距離的0. 9倍以上。由此，電介質(zhì)板305的被稍微切削了的角部彼此鄰接地被配置。金屬罩320被設(shè)置在處理容器100的頂面中、沒有設(shè)置電介質(zhì)板305的部分，為與金屬電極310相同或相似的形狀。金屬電極310與金屬罩320相比，金屬罩320比金屬電極310厚電介質(zhì)板305的厚度的量。金屬電極310與金屬罩320之間的槽，通過填充用電介質(zhì)315填充。根據(jù)該形狀，在頂面的高度大致相等的同時，電介質(zhì)板305露出的部分的凹部被填埋，金屬電極310及其周邊為大致相同的圖案的重復(fù)。電介質(zhì)板305由鋁形成，金屬電極310、金屬罩320及側(cè)罩350通過鋁合金形成。 另外，在本實施方式中，八片電介質(zhì)板305及金屬電極310配置為兩列四段，但并不限于此， 也可以增加或減少電介質(zhì)板305及金屬電極310的片數(shù)。參照圖2可知，電介質(zhì)板305和金屬電極310通過第一螺栓380和第二螺栓390 固定在蓋體300。金屬罩320和側(cè)罩350也同樣通過第一螺栓380及第二螺栓390固定在蓋體300。在上部蓋體300a與下部蓋體300b之間設(shè)置有主氣體流路330。主氣體流路330 將氣體向多個設(shè)置在第一螺栓380內(nèi)的第一氣體流路32 分流。在第一氣體流路32 的入口，嵌入有縮窄流路的細管335。細管335由陶瓷或金屬構(gòu)成。在金屬電極310與電介質(zhì)板305之間設(shè)置有第二氣體流路310al。在金屬罩320與蓋體300之間及側(cè)罩350與蓋體300之間也設(shè)置有第二氣體流路320al、320a2。第一螺栓380及第二螺栓390的前端面為了不打亂等離子體的分布，而與金屬電極310、金屬罩320及側(cè)罩350的下表面成為相同平面，。在金屬電極310被開口的第一氣體放出孔34 、在金屬罩320及側(cè)罩350被開口的第二氣體放出孔34恥1、34恥2以均等的間距向下方開口。另外，第一螺栓380及第二螺栓 390也可以與金屬電極310、金屬罩320及側(cè)罩350成為一體。從氣體供給源905輸出的氣體，從主氣體流路330通過第一氣體流路32 (分支氣體流路)，并通過金屬電極310內(nèi)的第二氣體流路310al及金屬罩320和側(cè)罩350內(nèi)的第二氣體流路320al、320a2從第一氣體放出孔34 及第二氣體放出孔34恥1、345132供給到處理室內(nèi)。在第一同軸管610的外周附近的下部蓋體300b與電介質(zhì)板305的接觸面設(shè)置有0形圈220，以避免第一同軸管610內(nèi)的大氣進入處理容器100的內(nèi)部。這樣，通過在頂部的金屬面形成氣體噴淋板，從而抑制現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生的由等離子體中的離子引起的電介質(zhì)板表面的蝕刻及向處理容器內(nèi)壁堆積反應(yīng)生成物，實現(xiàn)降低污染或微粒。另外，由于與電介質(zhì)不同，金屬容易加工，因此能夠大幅降低成本。
在挖入蓋體300形成的第一同軸管的外部導(dǎo)體610b中插入有內(nèi)部導(dǎo)體610a。同樣，在挖入蓋體300形成的第二 第四同軸管的外部導(dǎo)體620b 640b中插入第二 第四同軸管的內(nèi)部導(dǎo)體620a 640a，其上部被蓋體罩660覆蓋。各同軸管的內(nèi)部導(dǎo)體由熱傳導(dǎo)好的銅形成。微波從微波源900供給，從第四同軸管(內(nèi)外導(dǎo)體640a、640b)經(jīng)由第三同軸管 (內(nèi)外導(dǎo)體630a、630b)傳送到第一同軸管(內(nèi)外導(dǎo)體610a、610b)及第二同軸管(內(nèi)外導(dǎo)體620a、620b)。電介質(zhì)板305的表面除了從第一同軸管610向電介質(zhì)板305入射微波的部分與從電介質(zhì)板305放射微波的部分由金屬膜30 覆蓋。由此，即使由于在電介質(zhì)板305 和與其鄰接的部件之間產(chǎn)生空隙，也能夠使微波的傳播不被打亂，能夠穩(wěn)定地將微波導(dǎo)入到處理容器內(nèi)。從電介質(zhì)板305放射的微波為表面波而等分電力，同時在金屬電極310、金屬罩 320及側(cè)罩350的表面?zhèn)鞑?。下面將在處理容器?nèi)表面的金屬面與等離子體之間傳播的表面波稱為金屬表面波(Metal Surface Wave)。由此，在頂面全體上金屬表面波進行傳播，在本實施方式涉及的微波等離子體處理裝置10的頂面下方，穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。在側(cè)罩350上，以包圍八片電介質(zhì)板305的全體的方式形成有八角形的槽340，抑制在頂面?zhèn)鞑サ慕饘俦砻娌◤牟?40向外側(cè)傳播。也可以將多個槽340平行地形成多重。 取代槽340也可以設(shè)置凸部。槽340或凸部為傳播障礙部的一例。下面將以一片金屬電極310為中心、在頂點具有鄰接的金屬罩320的中心點的區(qū)域稱為單元區(qū)域Cel (參照圖2)。在頂面中，以單元區(qū)域Cel為一個單位而相同圖案的構(gòu)成有規(guī)律地被配置八個單元。冷媒供給源910與蓋體內(nèi)部的冷媒配管910a連接，從冷媒供給源910供給的冷媒在蓋體內(nèi)部的冷媒配管910a內(nèi)循環(huán)并再次返回到冷媒供給源910，由此使處理容器100 保持在期望的溫度。在第四同軸管的內(nèi)部導(dǎo)體640a的內(nèi)部，沿其長度方向貫穿冷媒配管 910b。通過向該流路通入冷媒，從而抑止內(nèi)部導(dǎo)體640a的加熱。優(yōu)選在電介質(zhì)板305與蓋體300之間、或電介質(zhì)板305與金屬電極310之間沒有間隙。這是因為，若具有未被控制的間隙，則沿電介質(zhì)板305傳播的微波的波長變得不穩(wěn)定，對等離子體的均勻性或從同軸管觀察的負載阻抗給予影響。另外，若具有較大的間隙 (0. 2mm以上)，則在間隙內(nèi)也有放電的可能性。因此，在鎖緊螺母435時，電介質(zhì)板305與下部蓋體300b之間、及電介質(zhì)板305與金屬電極310之間貼緊。在鎖緊螺母435時，若以過量的轉(zhuǎn)矩鎖緊，則有可能在電介質(zhì)板305上施加應(yīng)力而裂開。另外，在鎖緊螺母435時即使不裂開，在產(chǎn)生等離子體而各部分溫度上升時，有施加應(yīng)力而裂開的危險性。因此，為了能夠通過第一螺栓380始終以適度的力(比壓潰0形圈 220而使電介質(zhì)板305與下部蓋體300b貼緊的力稍微大的力)吊起金屬電極310，在螺母 435與下部蓋體300b之間插入具有最適當(dāng)?shù)膹椈闪Φ姆浪蓧|圈430b。在鎖緊螺母435時， 防松墊圈430b到成為平面為止而不鎖死，使變形量為一定。在螺母435與防松墊圈430b之間設(shè)置有墊圈430a，但可有可無。而且，在防松墊圈430b與下部蓋體300b之間設(shè)置有墊圈430c。通常，在第一螺栓380與蓋體300之間具有間隙，主氣體流路330內(nèi)的氣體通過該間隙而流入第一氣體流路310a。若該未被控制的氣體流量較多，則存在從第一氣體放出孔34 放出的氣體變得不均勻的問題。因此，在使墊圈430c與第一螺栓380之間的間隙縮小的同時，加厚墊圈430c的厚度，抑制通過第一螺栓380外側(cè)而流入的氣體的流量。接著，對以下問題進行更詳細的說明在如以上說明的微波等離子體處理裝置10 中，為了控制金屬表面波的傳播而將金屬電極310及其周邊的構(gòu)成適當(dāng)化。其第一是使單元區(qū)域Cel的縱橫比適當(dāng)化的問題。第二是在金屬電極310與金屬罩320等之間的槽埋入填充用電介質(zhì)315的問題。第三是將固定金屬電極310的螺栓的種類或形狀、固定位置等適當(dāng)化的問題?！磫卧目v橫比〉首先，關(guān)于使單元區(qū)域Cel的縱橫比適當(dāng)化的問題進行說明。如圖2所示，單元區(qū)域Cel為劃分處理容器100的頂面的假想?yún)^(qū)域，由與金屬電極310的兩條對角線Dl、D2分別平行的各兩條直線劃定，稱為包括金屬電極310與電介質(zhì)板305的最小矩形區(qū)域。為了生成均勻的等離子體，優(yōu)選在金屬電極表面與金屬罩表面形成的金屬表面波的駐波的分布相同，并且，各自在分布上不存在較大的偏差。因此，按照使單元區(qū)域Cel長邊長度與短邊長度之比為1. 2以下的方式來確定金屬電極310及電介質(zhì)板305的形狀。在單元為正方形的情況下，在金屬電極表面與金屬罩表面形成相同圖案的駐波。 這是因為從金屬電極與金屬罩的周圍的對應(yīng)的位置分別供給同一相位、同一強度的金屬表面波。圖3A、圖;3B是表示在金屬電極310的表面及金屬罩320的表面形成的金屬表面波的駐波圖案的仿真結(jié)果。白色的部分為電場強的部分，黑色的部分為電場弱的部分。僅表示出金屬電極310的右上1/4部分、和金屬罩320的左下1/4部分、及它們之間的電介質(zhì)板 305部分。在金屬電極表面，在圖3A的A1、B1、C1的位置存在駐波的波腹。另一方面，在與它們對應(yīng)的金屬罩表面的位置、A2、B2、C2能看見與金屬電極表面上相同強度的駐波的波腹。另一方面，在單元為長方形時，如圖:3B所示，在金屬電極表面與金屬罩表面形成不同圖案的駐波。這是因為使從金屬電極310與金屬罩320的周圍的對應(yīng)的位置供給的金屬表面波的相位、強度不一致。在金屬電極表面的駐波的波腹位置Al、Bi、Cl與和它們對應(yīng)的金屬罩表面的駐波的波腹位置A2、B2、C2中，可知A2的電場比Al弱，B2的電場比Bl強，C2的電場比Cl弱。這樣，若在金屬電極表面與金屬罩表面形成的金屬表面波的駐波的對稱性差，則難以控制均勻性，難以激勵均勻的等離子體。為了生成耐用的均勻的等離子體，優(yōu)選在金屬電極表面與金屬罩表面的對應(yīng)的位置的金屬表面波的電場強度比平均值為1.5以下，更優(yōu)選為1. 1以下。圖4表示與單元的縱橫比對應(yīng)的位置中的金屬表面波的電場強度比的關(guān)系。這是通過電磁場仿真而計算出的結(jié)果?？v軸為將以下所得的比相對于A、B、C平均化的結(jié)果，所述比為對在Al (A2)、B1 (B2)、以及Cl (C2)的各個位置將金屬電極310與金屬罩320中電場強度的極大值較大的值用較小的值除所得的比。在單元為正方形時(縱橫比為1時)，單元的一邊的長度為214mm。在縱橫比為1以外時，保持單元面積一定而改變縱橫比。在單元為正方形時(縱橫比為1時)，由于對應(yīng)的位置中的金屬表面波的電場強度無論哪里都相等，因此電場強度比為1?？芍魡卧目v橫比變大則電場強度比增加。根據(jù)圖4的結(jié)果可知，為了使電場強度比為1. 5以下只要使單元的縱橫比設(shè)為1. 2以下即可。由此，能夠使在金屬電極表面與金屬罩表面形成的金屬表面波的駐波的分布相同或者近似。其結(jié)果，并且因在各自的分布未產(chǎn)生大的偏差，而能夠生成均勻的等離子體。而且，可知為了使電場強度比為1. 1以下只要使單元的縱橫比為1. 1以下即可。由此，能夠使在金屬電極表面與金屬罩表面形成的金屬表面波的駐波的分布更加相同或者近似。其結(jié)果，并且因在各自的分布未產(chǎn)生大的偏差，而能夠生成均勻的等離子體。<填充用電介質(zhì)的埋入>接著，關(guān)于在金屬電極310與金屬罩320之間埋入填充用電介質(zhì)315的問題進行說明。在圖5的“a”所示的金屬電極310與金屬罩320之間的槽部分Gap中，氣體難以流動而容易停留。例如在等離子體清洗的工序中，存在清洗氣體難以進入間隙內(nèi)部，附著在間隙內(nèi)表面的膜難以除去的問題。另外，在槽狀的間隙部分中，由于被壁包圍三個方向，因此等離子體的電子密度容易下降，難以維持穩(wěn)定密度的確定的等離子體。由于從金屬電極310與金屬罩320或側(cè)罩 350之間的電介質(zhì)板305供給金屬表面波，因此若沒有被維持在該部分穩(wěn)定密度的確定的等離子體，則存在等離子體全體因不穩(wěn)定而變得不均勻的問題。而且，透射電介質(zhì)板305的微波雖然被分向金屬電極表面與金屬罩表面進行傳播，但在圖5的“b”所示的槽部分Gap中，存在以下問題由于施加于護罩區(qū)域S的電場E 的強度容易產(chǎn)生偏差，在金屬電極310的表面?zhèn)鞑サ慕饘俦砻娌∕Sl與在金屬罩320或側(cè)罩350的表面?zhèn)鞑サ慕饘俦砻娌∕S2的能量分配產(chǎn)生偏差。與此相對，如圖1所示，在本實施方式的微波等離子體處理裝置10中，向槽部分 Gap埋入填充用電介質(zhì)315。由此，槽變沒有，金屬電極310與金屬罩320或側(cè)罩350之間變得平坦。由此，清洗氣體難以進入的空間沒有了，提高了清洗的效率，維護變得容易。另外， 產(chǎn)生不穩(wěn)定的密度的不確定的等離子體的空間消失，能夠防止放電異常而穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。而且，如圖6A所示，由于微波經(jīng)由填充用電介質(zhì)315而被供給高微波處理容器內(nèi)，因此從填充用電介質(zhì)315施加于金屬電極側(cè)的護罩區(qū)域S及金屬罩(或者側(cè)罩)側(cè)的護罩區(qū)域的電場E的強度難以產(chǎn)生偏差，對在金屬電極310的表面?zhèn)鞑サ慕饘俦砻娌∕Sl 與在金屬罩320(或者側(cè)罩350)的表面?zhèn)鞑サ慕饘俦砻娌∕S2等分配能量。其結(jié)果是，穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。在圖6A中，填充用電介質(zhì)315被配設(shè)為使金屬電極310與側(cè)罩350(或者金屬罩 320)之間的槽平坦化?？墒?，填充用電介質(zhì)315也可以如圖6B所示那樣從所述槽突出。另外，也可以如圖6C所示那樣沒入到所述槽中。無論任何情況，都能夠防止氣體在金屬電極周圍停留，為了穩(wěn)定地維持均勻的等離子體而發(fā)揮功能。此外，在圖6C中，在處理容器(蓋體300)的頂面的未設(shè)置電介質(zhì)板305的部分設(shè)置與金屬電極310相同或者相似形狀的凸部300c，在該凸部300c與金屬電極310之間設(shè)置填充用電介質(zhì)315。此外，電介質(zhì)板305 與填充用電介質(zhì)315也可以成為一體。圖7示出一個金屬電極310及其周邊。金屬電極310的端部被倒角，設(shè)置有傾斜。 填充用電介質(zhì)315是以包圍金屬電極310外周的方式配設(shè)于從金屬電極310的周緣露出的電介質(zhì)板305的下表面(等離子體側(cè)的面)的框狀部件。填充用電介質(zhì)315的外周為與電介質(zhì)板305相同的八角形。在填充用電介質(zhì)315的金屬電極310的各邊的中央附近形成有
1突出部分315a。填充用電介質(zhì)315在金屬電極310的頂點附近也稍微地突出(突出部分 315b) 0金屬電極310的中央附近的突出部分31 比金屬電極310的頂點附近的突出部分 315b向等離子體側(cè)突出。另外，填充用電介質(zhì)315的突出相對于金屬電極310的中心被形成為點對稱。由此，金屬電極周圍的電場強度分布消除了偏差，能夠生成均勻的等離子體。<金屬電極的固定螺栓>最后，關(guān)于使固定金屬電極310的螺栓的種類或形狀、固定位置等適當(dāng)化的問題進行說明。圖8示出被包含在一個單元區(qū)域Cel的金屬電極310。圖9為圖8的3-3剖面。圖9所示的電介質(zhì)板305及金屬電極310被設(shè)置在阻斷真空與大氣的部分。因此，在0形圈220的內(nèi)側(cè)在電介質(zhì)板305及金屬電極310上從大氣側(cè)向真空側(cè)施加較大的壓力。而且，由于0形圈220的彈性力，在電介質(zhì)板305及金屬電極310上施加下側(cè)的較大的力。因而，在電介質(zhì)板305與蓋體300之間容易產(chǎn)生間隙。若使單元的尺寸變大，則每個裝置的單元數(shù)減少而能夠降低成本。然而，若使單元的尺寸變大，則存在以下問題由于電介質(zhì)板305的附近而容易產(chǎn)生間隙，并且來自等離子體的輸入熱量增加而金屬電極310過熱。微波不能透射導(dǎo)體。因此，微波在第一同軸管610中傳播后，透射電介質(zhì)板305，進而透射填充用電介質(zhì)315而導(dǎo)入處理室內(nèi)。在設(shè)計時，考慮沒有間隙的狀態(tài)的微波的傳遞效率來預(yù)先確定微波的傳遞路徑的設(shè)計值?？墒牵瑢嶋H上產(chǎn)生了微小的間隙。在這種情況下，在流程中，由于因間隙而微波的波長與傳播速度發(fā)生變化，因此相對于設(shè)計值在實際的阻抗的變化上產(chǎn)生差異，來自等離子體側(cè)的微波的反射變大而微波的能量供給效率變差。 另外，若來自等離子體側(cè)的微波的反射變大，則在圖9的第一同軸管610的內(nèi)部微波的駐波比(駐波的峰值比)變大，存在在同軸管內(nèi)產(chǎn)生放電而第一同軸管610的內(nèi)部被加熱之類的產(chǎn)生異常放電的情況。因此，在本實施方式的金屬電極310中，使金屬電極310及電介質(zhì)板305牢牢地貼緊而固定在蓋體300。S卩，如圖8及圖9所示，金屬電極310通過四根第一螺栓380及與第一螺栓380不同的四根第二螺栓390而牢牢地固定在蓋體300內(nèi)部的頂面。四根第一螺栓 380及四根第二螺栓390相對于金屬電極310的中心在軸對稱的位置固定金屬電極310。四根第一螺栓380位于金屬電極310的對角線D1、D2上。四根第二螺栓390在距金屬電極310的中心的距離相等、并且在與四根第一螺栓 380的位置不同的位置固定金屬電極310。四根第二螺栓390位于比四根第一螺栓380靠金屬電極310的中心側(cè)。四根第一螺栓380的直徑小于四根第二螺栓390的直徑。四根第一螺栓380及四根第二螺栓390相對于金屬電極的中心具有對稱性。這樣，通過除了第一螺栓380外還設(shè)置第二螺栓390，并且使第一螺栓380及第二螺栓390的位置及直徑最適當(dāng)，從而能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)整金屬表面波的分布而生成更均勻的等離子體。而且，能夠適當(dāng)?shù)卣{(diào)整阻抗而對來自等離子體側(cè)的微波的反射更小地抑制。在金屬電極310為正方形時，四根第二螺栓390分別設(shè)置在處于被設(shè)置成等間隔的四根第一螺栓380中距鄰接的第一螺栓380等距離的位置。具體而言，如圖8所示，四根第二螺栓390設(shè)置在連接金屬電極310的中心與單元區(qū)域Cel的頂點的直線B1、B2上。四根第一螺栓380及四根第二螺栓390相對于金屬電極的中心為點對稱。四根第二螺栓390既可以如圖1的四根第一螺栓380那樣在與金屬電極310的等離子體面相同的面內(nèi)從金屬電極310露出，也可以如圖9那樣在未露出到金屬電極310的等離子體面的狀態(tài)下將電介質(zhì)板305及金屬電極310保持在頂面。此外，第一螺栓380及第二螺栓390的根數(shù)不需要是四根。由此，通過不在微波的傳播路徑上設(shè)置間隙或槽等，從而能夠減小來自等離子體側(cè)的微波的反射，能夠提高微波的能量的供給效率。其結(jié)果，電子密度較高，能夠穩(wěn)定地生成均勻的等離子體。另外，通過第一螺栓380及第二螺栓390，能夠使等離子體側(cè)熱釋放至蓋體300側(cè)。另外，在本實施方式中，由于使第一及第二螺栓的直徑和配置位置適當(dāng)化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)金屬電極310的電場的均勻性。以上，雖然參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行了說明，但本發(fā)明當(dāng)然不限定于該例。對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在權(quán)利要求書所記載的范疇內(nèi)，能夠想到各種變形例或修正例是顯而易見的，對于這些也當(dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。例如，金屬電極310也可以為菱形以外的多邊形。另外，在以上說明的各實施方式中，雖然例舉了輸出915MHz的微波的微波源900， 但也可以是輸出896MHz、922MHz、2. 45GHz等的微波的微波源。另外，微波源是產(chǎn)生用于激勵等離子體的電磁波的電磁波源的一例，只要是輸出IOOMHz以上的電磁波的電磁波源即可，也包含磁控管或高頻率電源。微波等離子體處理裝置能夠執(zhí)行成膜處理、擴散處理、蝕刻處理、灰化處理、等離子體摻雜處理等、通過等離子體細微加工被處理體的各種流程。例如，本發(fā)明的等離子體處理裝置也可以處理大面積的玻璃基板、圓形的硅晶片或角型的SOI (Silicon On Insulator，絕緣硅)基板。
權(quán)利要求
1.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理； 電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；以及菱形的金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出，所述金屬電極與所述電介質(zhì)板作為劃分所述處理容器的頂面的假想?yún)^(qū)域而被由與所述金屬電極的兩條對角線分別平行的各兩條直線劃定，將包括所述金屬電極與所述電介質(zhì)板的最小矩形區(qū)域作為單元區(qū)域，按照使所述單元區(qū)域長邊的長度與短邊的長度之比為 1. 2以下的方式來確定所述金屬電極及所述電介質(zhì)板的形狀。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，按照使所述單元區(qū)域長邊的長度與短邊的長度之比為1.2以下的方式來確定所述金屬電極及所述電介質(zhì)板的形狀。
3.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理； 電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出；以及金屬罩，形狀與所述金屬電極相同或者相似，被設(shè)置在所述處理容器的頂面的沒有設(shè)置所述電介質(zhì)板的部分，在所述金屬電極與所述金屬罩之間的槽設(shè)置有填充用電介質(zhì)。
4.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理； 電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出；以及凸部，形狀與所述金屬電極相同或者相似，被設(shè)置在所述處理容器的頂面的沒有設(shè)置所述電介質(zhì)板的部分，在所述金屬電極與所述凸部之間的槽設(shè)置有填充用電介質(zhì)。
5.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 在所述金屬電極的周圍設(shè)置側(cè)罩，所述填充用電介質(zhì)被設(shè)置在所述金屬電極與所述側(cè)罩之間的槽。
6.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述填充用電介質(zhì)被配置為埋沒在所述槽中、或使所述槽平坦化、或者從所述槽突出的任何一個狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求6所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述填充用電介質(zhì)以包圍所述金屬電極的外周的方式被配置，并具有從所述槽突出的部分。
8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述填充用電介質(zhì)在所述金屬電極的各邊的至少中央附近從所述槽突出。
9.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述填充用電介質(zhì)的突出部分中，所述金屬電極的各邊的中央附近的突出大于所述金屬電極的頂點附近的突出。
10.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述填充用電介質(zhì)的突出部分相對于所述金屬電極的中心被形成為點對稱。
11.如權(quán)利要求3所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述填充用電介質(zhì)由與所述電介質(zhì)板相同的材質(zhì)形成。
12.—種等離子體處理裝置，其特征在于，包括處理容器，在內(nèi)部使氣體激勵來對被處理體進行等離子體處理； 電磁波源，被設(shè)置在所述處理容器的外部并輸出電磁波；電介質(zhì)板，與所述處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置，并將從所述電磁波源輸出的電磁波向所述處理容器內(nèi)放射；以及金屬電極，在所述電介質(zhì)板的等離子體側(cè)的面與所述電介質(zhì)板鄰接設(shè)置，并從周緣使所述電介質(zhì)板的一部分向所述處理容器的內(nèi)部露出，所述金屬電極通過多個第一螺栓及與所述多個第一螺栓不同的多個第二螺栓被固定在所述處理容器內(nèi)的頂面，所述多個第一螺栓在相對于所述金屬電極的中心彼此點對稱的位置固定所述金屬電極，所述多個第二螺栓被配置在相對于所述金屬電極的中心彼此點對稱的位置，并且，在與所述多個第一螺栓的位置不同的位置固定所述金屬電極。
13.如權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述多個第一螺栓的直徑小于所述多個第二螺栓的直徑。
14.如權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于， 所述多個第一螺栓為四根，并位于所述金屬電極的對角線上。
15.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述多個第二螺栓為四根，并位于比所述四根第一螺栓靠所述金屬電極的中心側(cè)。
16.如權(quán)利要求12所述的等離子體處理裝置，其特征在于，在所述金屬電極為正方形的情況下，所述四根第二螺栓分別設(shè)置于在被設(shè)置成所述等間隔的四根第一螺栓中距鄰接的兩個第一螺栓等間隔的位置。
17.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)板在所述金屬電極的外周大致帶狀地向所述處理容器內(nèi)的頂面露出。
18.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于，所述電介質(zhì)板及所述金屬電極在所述電介質(zhì)板被所述金屬電極與所述處理容器的頂面夾持的狀態(tài)下分別被設(shè)置多個，并以相鄰的各金屬電極的頂點彼此最接近的方式規(guī)律地被配置在所述頂面上。
全文摘要
微波等離子體處理裝置(10)具有處理容器(100)；輸出微波的微波源(900)；與處理容器內(nèi)的頂面鄰接設(shè)置并將從微波源(900)輸出的微波向處理容器內(nèi)放射的電介質(zhì)板(305)；以及在電介質(zhì)板(305)的等離子體側(cè)的面與電介質(zhì)板(305)鄰接設(shè)置，并從周緣使電介質(zhì)板(305)的一部分向處理容器內(nèi)露出的菱形的金屬電極(310)。金屬電極(310)與電介質(zhì)板(305)作為劃分處理容器(100)的頂面的假想?yún)^(qū)域而被由與金屬電極(310)的兩條對角線(D1，D2)分別平行的各兩條直線劃定，將包括金屬電極(310)與電介質(zhì)板(305)的最小矩形區(qū)域作為單元區(qū)域Cel，單元區(qū)域Cel的長邊長度與短邊長度之比為1.2以下。
文檔編號H01L21/3065GK102246604SQ200980149650
公開日2011年11月16日 申請日期2009年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月9日
發(fā)明者平山昌樹 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社, 國立大學(xué)法人東北大學(xué)