專利名稱：氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法及使用該襯底的氧化物超導(dǎo)線材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及膜形成用定向襯底的制造方法及超導(dǎo)線材，更詳細(xì)地說，涉及氧化物超導(dǎo)線材用的膜形成用定向襯底的制造方法及在通過該制造方法制造的膜形成用定向襯底上形成有超導(dǎo)膜的超導(dǎo)線材。
背景技術(shù)：
為了獲得優(yōu)良的高溫超導(dǎo)線材，需要在襯底上形成定向性高的超導(dǎo)膜。因此，目前，在氧化物超導(dǎo)線材、特別是Y類氧化物超導(dǎo)線材的制造中，公知的是如專利文獻(xiàn)1 3及非專利文獻(xiàn)1中記載的那樣，在雙軸結(jié)晶定向的金屬襯底上，采用濺射法等使氧化鈰(CeO2)、穩(wěn)定性氧化鋯(YSZ)、氧化釔(Y2O3)等氧化物層作為中間層外延生長而層疊，然后在其上通過激光磨蝕法等使Y123薄膜等氧化物超導(dǎo)體層外延生長而層疊，進(jìn)一步在超導(dǎo)體層上作為保護(hù)膜層疊有Ag層或者Cu層的方法(RABITS法)。還已知，為了利用上述RABITS法得到優(yōu)良的超導(dǎo)線材，重要的是上述金屬襯底高度地雙軸定向。另外，該超導(dǎo)體的應(yīng)用為電纜、線圈、磁鐵等交流設(shè)備用途，由于需要以帶狀進(jìn)行長條化，因此以卷軸至卷軸的方式制造，另外，因?yàn)橹虚g層及超導(dǎo)體層的成膜在600°C以上的高溫下進(jìn)行等，需要上述金屬襯底為高強(qiáng)度、在長度方向各特性是均等的等。此外，在將超導(dǎo)線材用于交流電纜用途的情況和在高磁場下使用的情況下，如果線材是磁性體，則在交流下電流損失變大，因此，存在超導(dǎo)特性惡化的問題。因此上述金屬襯底需要為弱磁性，優(yōu)選為非磁性。作為使上述金屬襯底高度地雙軸定向的方法，已知一般以90%以上的壓下率進(jìn)行冷軋，在給予材料整體較大的均勻變形后，經(jīng)熱處理使之再結(jié)晶而得到，特別是Ni及Cu、或者它們的合金顯示高度的雙軸結(jié)晶定向。特別是因Ni與Cu相比，強(qiáng)度高、與中間層的親合好等理由，從開發(fā)初期時(shí)就被廣泛使用，但也遺留有如下問題點(diǎn)經(jīng)結(jié)晶定向的材料強(qiáng)度以屈服應(yīng)力表示低至30MPa，另夕卜，純Ni的雙軸定向性以作為其指標(biāo)的X射線衍射的極點(diǎn)圖上的Φ掃描峰(α =45° ) 的半值寬度(Δ Φ)表示，為10°左右。于是，為了改善純Ni層的雙軸結(jié)晶定向性，提出將表面高溫氧化而形成NiO的方法(S0E法)，雖然雙軸結(jié)晶定向度的提高得以改善，但也遺留有△ Φ為8°左右、或在 1000°C以上的高溫下花費(fèi)比較長時(shí)間的熱處理、工序增加、導(dǎo)致成本上升、不經(jīng)濟(jì)這樣的問題點(diǎn)。另外，作為金屬襯底，提出了考慮強(qiáng)度及雙軸結(jié)晶定向性而開發(fā)的、添加了 3% 9%的W的Ni-W合金。該Ni-W合金顯示了比純Ni高的雙軸結(jié)晶定向性，Δ φ顯示為7° 以下。Ni-W合金與純Ni相比，就強(qiáng)度而言，雖然屈服應(yīng)力改善為195MPa，但不能說在中間層成膜時(shí)的高溫下通過卷軸至卷軸的方式輸送時(shí)的處理中所需要的強(qiáng)度已經(jīng)足夠，不容易處理。另外，為了確保強(qiáng)度，不能使金屬襯底的厚度薄于100 μ m，存在不能減低成本等問
題。
而且，Ni及Ni-W合金為鐵磁性體，將這些材料用作金屬襯底時(shí)，從確保強(qiáng)度這一點(diǎn)出發(fā)還存在不能將厚度減薄的問題，在交流用途中電流損失變大，即使層疊了結(jié)晶定向性優(yōu)良的超導(dǎo)體層，也不能得到足夠的超導(dǎo)特性。并且，上述Ni-W合金不是一般的普及材料，難以得到，加工性也不好，難以制造寬幅襯底，生產(chǎn)性本身不好，價(jià)格高。另外，作為金屬襯底，除M合金以外，作為解決了確保強(qiáng)度的問題的原料，提出了通過冷拔或冷軋法將金屬芯層和Ni合金層粘合在一起的金屬包層材料(專利文獻(xiàn)4、5、6)寸。專利文獻(xiàn)1 特許第3601830號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 特許第3587956號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 :W02004/088677小冊子專利文獻(xiàn)4 特開2006-286212號公報(bào)專利文獻(xiàn)5 特開2007-200831號公報(bào)專利文獻(xiàn)6 特開2001-110255號公報(bào)非專利文獻(xiàn)1 :D. P. Norton 等，Sceience vol. 274 (1996) 755為了利用冷軋法將不同種類金屬彼此附著良好地進(jìn)行層疊，作為預(yù)處理使不同種類金屬彼此進(jìn)行擴(kuò)散接合(擴(kuò)散熱處理)，其后施行冷軋。擴(kuò)散熱處理后，為了使Ni層高度地結(jié)晶定向需要90%以上的加工率，但在將不同種類金屬彼此接合后直接進(jìn)行強(qiáng)軋制時(shí)， 由于兩材料的機(jī)械特性不同，在材料間伸長方面產(chǎn)生差異而發(fā)生大的彎曲。因此，很容易預(yù)想到，在制造長條帶材時(shí)，難以進(jìn)行材料的處理。另外，上述的金屬包層材料中，接合材料彼此在接合界面相互限制，由于是一邊引起不均勻的變形，一邊被軋制，因此，在厚度方向上不能導(dǎo)入均勻的變形。另外，接合界面的粗糙度也較粗糙，因此，結(jié)晶定向的M層的厚度也變得不均勻，接合之后的熱處理中，難以穩(wěn)定制造在長度方向具有均勻且高度的結(jié)晶定向的襯底。例如，在專利文獻(xiàn)6中，不能使與表面成平行的Ni (200)面的結(jié)晶定向率(將X射線衍射的θ /2 θ測定中的(200)面的衍射峰強(qiáng)度率設(shè)定為Ι(2ω)/ Σ I(hkl) X 100 (% ))為 99%以上的高結(jié)晶定向。另外，即使將超導(dǎo)體層進(jìn)行層疊，臨界電流密度僅為105A/cm2左右，得不到IO6A/ cm2左右的較高的值。由于上述原因，現(xiàn)狀是，不能希望專利文獻(xiàn)4、5及6等中提出的長條包層金屬襯底中的超導(dǎo)特性的提高在此以上。除Ni以外，作為結(jié)晶定向性優(yōu)良的其它材料，可以列舉Cu及Cu合金。與Ni相同，Cu具有為面心立方晶金屬，且為非磁性，另外，再結(jié)晶溫度也為200°C左右，能夠在低溫下使結(jié)晶定向等特長，但由于是低強(qiáng)度材料，至今未被積極地使用。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題如上述說明的那樣，RABITS法中所使用的雙軸定向金屬襯底主要以Ni-W合金為主流，但存在具有磁性、強(qiáng)度還不夠，以屈服應(yīng)力計(jì)為200MPa左右、價(jià)格高、加工性不好等問題。另外，通過冷拔或冷軋法制成的不同種類金屬和Ni或者Ni合金的金屬包層材料雖然實(shí)現(xiàn)了高強(qiáng)度化，但與M-W合金相比，具有在雙軸結(jié)晶定向性上較差、沒有實(shí)現(xiàn)在長度方向的均勻的高性能等問題。本發(fā)明為了全部解決上述的問題，目的在于提供一種氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其可以簡單且廉價(jià)地制造具有與利用所述Ni-W合金得到的高度的雙軸結(jié)晶定向同等或者比其好的表面，為高強(qiáng)度并且為長條帶材的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底。另外，本發(fā)明的其它目的在于，提供使用該金屬疊層襯底的氧化物超導(dǎo)線材。用于解決課題的手段(1)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，將非磁性的金屬板和由以高的壓下率冷軋而成的Cu、或者Cu合金構(gòu)成的金屬箔通過表面活性化接合進(jìn)行層疊，層疊之后，通過熱處理使所述金屬箔雙軸結(jié)晶定向后，賦予所述金屬箔側(cè)表面 Ni或者Ni合金的外延生長膜。(2)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，所述(1) 的非磁性金屬板的厚度為0. 05mm以上0. 2mm以下。(3)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，所述(1) 的Cu或者Cu合金使用以90%以上的壓下率冷軋而成的厚度為7 μ m以上50 μ m以下的Cu 或者Cu合金。(4)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，在所述 (1)的Cu合金箔中，Ag、Sn、Zn、&、0、N總計(jì)含有0.01%以上以下。(5)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，在150°C 以上1000°C以下實(shí)施所述(1)的層疊后的熱處理。(6)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，所述(1) 的Ni合金的膜的厚度為0. 5 μ m以上10 μ m以下。(7)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，在所述 (1)的熱處理之前進(jìn)行拋光處理，使金屬箔側(cè)表面的表面粗糙度以Ra表示達(dá)到Inm以上 40nm以下。(8)本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材，其特征在于，是使用通過所述⑴ (7)中的任一制造方法制造的金屬疊層襯底的氧化物超導(dǎo)線材。發(fā)明效果現(xiàn)狀是氧化物超導(dǎo)線材大多以4mm IOmm的寬度制造，現(xiàn)有的結(jié)晶定向金屬板的 Ni合金或通過冷軋法制造的金屬包層材料等加工性也不好，不能制作寬幅的結(jié)晶定向性穩(wěn)定的長條卷材，而通過本發(fā)明的制造方法，可以制造為寬幅的長條卷材、高強(qiáng)度、且在長度方向上具有穩(wěn)定的高結(jié)晶定向的氧化物超導(dǎo)線材用襯底，通過切割加工，一次可以制造數(shù)十個(gè)超導(dǎo)線材用襯底的長條卷材，在制造成本方面有利。另外，因?yàn)椴捎迷诔叵碌谋砻婊钚曰雍戏?，可以將事先分別厚度精度良好地制造的市售的非磁性的金屬板、用于獲得金屬結(jié)晶定向面的高壓下軋制Cu箔或者高壓下軋制Cu合金箔，以低的壓下率精度良好地進(jìn)行層疊，可以作為寬幅且為長條卷材而制造厚度精度良好的金屬疊層板。
具體實(shí)施方式


圖1是表示用本發(fā)明的制造方法得到的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底5A的結(jié)構(gòu)的概略剖面圖。如圖1所示，用本發(fā)明的制造方法得到的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底5A，由作為金屬襯底的非磁性金屬板Tl、層疊于非磁性金屬板Tl上的金屬箔T2、賦予金屬箔T2 上的外延生長膜T3構(gòu)成。在金屬箔T2上形成外延生長膜T3的Ni膜的理由是，Ni膜比Cu(金屬箔T2)抗氧化性更好，如果在Cu上沒有Ni層，在形成CeO2等中間層時(shí)等，可能形成Cu的氧化膜，如果那樣的話，有可能破壞金屬箔T2的定向性。另外，非磁性金屬板Tl優(yōu)選將其厚度設(shè)定為0.05mm以上0.2mm以下。設(shè)定為 0. 05mm以上的理由是為了確保非磁性金屬板Tl的強(qiáng)度，設(shè)定為0. 2mm以下的理由是為了確保加工超導(dǎo)材料時(shí)的加工性。金屬箔T2優(yōu)選由以90%以上的壓下率冷軋的厚度為7 μ m以上50 μ m以下的Cu 或者Cu合金(本說明書中，有時(shí)將兩者一并稱為Cu合金)構(gòu)成。如果壓下率不足90%，在之后進(jìn)行的熱處理中，Cu可能不進(jìn)行定向，使厚度為7 μ m以上的理由是為了確保金屬箔T2 的強(qiáng)度，使厚度為50 μ m以下的理由是為了確保對使用金屬箔T2的超導(dǎo)材料進(jìn)行加工時(shí)的加工性。外延生長膜T 3優(yōu)選厚度為0. 5 μ m以上10 μ m以下的Ni或者Ni合金(本說明書中，有時(shí)將兩者一并稱為Ni合金)。使厚度為0. 5 μ m以上的理由是為了防止Cu的擴(kuò)散而需要，使厚度為IOym以下的理由是因?yàn)槿绻麨槠湟陨蠒r(shí)，有可能破壞外延生長的定向。氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底5A通過如下形成。將非磁性金屬板Tl和金屬箔 T2通過常溫表面活性化接合進(jìn)行層疊，層疊之后，通過150°C以上1000°C以下的熱處理使金屬箔T2雙軸結(jié)晶定向之后，在金屬箔T2側(cè)表面形成外延生長膜T3。本發(fā)明中，所謂非磁性是指在77K以上不是鐵磁性體，即居里點(diǎn)及奈耳點(diǎn)存在于 77K以下，在77K以上的溫度為順磁性體或反鐵磁性體的狀態(tài)。作為本發(fā)明中使用的非磁性的金屬板，因?yàn)閵W氏體類不銹鋼具有作為強(qiáng)度優(yōu)異的強(qiáng)化材料的功能，優(yōu)選采用。一般地，奧氏體類不銹鋼在常溫下為非磁性的狀態(tài)，也就是金屬組織為100%奧氏體(Y)相，但作為鐵磁性體的馬氏體(α ’)相變態(tài)點(diǎn)(Ms點(diǎn))位于77K以上時(shí)，在液氮溫度下有可能顯現(xiàn)作為鐵磁性體的α ’相。因此，作為在液氮溫度(77Κ)下使用的氧化物超導(dǎo)線材，優(yōu)選使用將Ms點(diǎn)設(shè)計(jì)在 77Κ以下的材料。另外，將上述氧化物超導(dǎo)線材捻在一起制作電纜時(shí)，將氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底5A進(jìn)行切割加工。此時(shí)，亞穩(wěn)定的Y相的不銹鋼中，加工部可能轉(zhuǎn)變?yōu)棣痢唷?這方面考慮，理想的是使用的Y類不銹鋼鋼板為具有將Ms點(diǎn)設(shè)計(jì)為遠(yuǎn)低于77Κ 的穩(wěn)定的Y相，且通常普及的、可以比較廉價(jià)地得到的SUS316及SUS316L等的板材。對于厚度而言，20 μ m以上的板材在市場上有售，但如果考慮氧化物超導(dǎo)線材的薄片化及強(qiáng)度， 優(yōu)選50 μ m以上100 μ m以下的。本發(fā)明中使用的金屬箔由于是在其表面上通過外延生長層疊中間層、再在其上通過外延生長層疊超導(dǎo)體層，因此，需要在成為所述疊層襯底的狀態(tài)下具有高度的結(jié)晶定向性。由于結(jié)晶定向性是通過表面活性化接合后的熱處理進(jìn)行控制，因此，接合前及接合后都必須以90%以上的壓下率將板整個(gè)面進(jìn)行均勻地強(qiáng)化加工。這樣的高壓下軋制Cu合金箔是為了在撓性安裝襯底用途中具有高彎曲性而開發(fā)并普及的，在最近數(shù)年間已變得容易得到。例如，日礦7 r -J r ^義(株)制造的高壓下軋制Cu箔(HA箔(商品名))及日立電線(株)制造的高壓下軋制Cu箔(HX箔(商品名))寸。本發(fā)明中，由于所述的市售品的高壓下軋制Cu合金箔結(jié)晶定向性優(yōu)異，因而優(yōu)選使用。雖然厚度薄的較經(jīng)濟(jì)，但優(yōu)選目前可得到的7μπι以上35μπι以下的Cu合金箔。更優(yōu)選12 μ m 18 μ m的Cu合金箔。所述Cu合金箔，只要是在熱處理中容易定向?yàn)?200)面結(jié)晶定向率為99%以上的元素，無論怎樣的添加元素都可以，但設(shè)定為微量添加Ag、Sn、Zn、Zr、0、N,總計(jì)含有以下。將添加元素總計(jì)設(shè)定在以下的理由是因?yàn)殡m然添加元素和Cu形成固溶體，但當(dāng)總計(jì)超過時(shí)，固溶體以外的氧化物等雜質(zhì)就會(huì)增加，可能給定向造成影響。因此，優(yōu)選總計(jì)在0. 以下。上述說明的奧氏體類不銹鋼鋼板和以90%以上壓下率冷軋的Cu合金箔，通過表
面活性化接合法被粘合在一起。作為上述表面活性化接合法例如可以舉出圖5所示的真空表面活性化接合裝置 Dl0如圖5所示，準(zhǔn)備作為寬150mm 600mm的長條卷材的非磁性的金屬板Ll及Cu 合金箔L2，分別設(shè)置在表面活性化接合裝置Dl的卷繞部Si，S2上。由卷繞部S1，S2運(yùn)送的非磁性的金屬板Ll及Cu合金箔L2，連續(xù)運(yùn)送至表面活性化處理工序，在此將接合的兩個(gè)面預(yù)先進(jìn)行活性化處理后，再以0. 1 5%的壓下率下進(jìn)行冷壓接。在10 IX 10_2Pa的極低壓惰性氣體氣氛中，將具有接合面的非磁性的金屬板Ll 和Cu合金箔L2分別作為地線接地一方的電極A(S3)，在與被絕緣支持的另一電極B(S4)之間施加1 50MHz的交流電使其產(chǎn)生輝光放電，且在因輝光放電而產(chǎn)生的等離子中所露出的電極的面積為電極B的面積的1/3以下的情況下進(jìn)行濺射蝕刻處理，由此來進(jìn)行表面活性化處理工序。作為惰性氣體可以使用氬、氖、氙、氪等，或包含它們的至少一種的混合氣體。在濺射蝕刻處理中，通過用惰性氣體對非磁性的金屬板Ll及Cu合金箔L2的接合面進(jìn)行濺射，除去表面吸附層及表面氧化膜，使接合的面活性化。在該濺射蝕刻處理中，電極A (S 3)采取冷卻輥的形式，防止了各運(yùn)送材料的溫度上升。 然后，連續(xù)運(yùn)送至壓接軋制工序(S5)，將已活性化的面彼此進(jìn)行壓接。當(dāng)壓接下的氣氛中存在O2等時(shí)，在運(yùn)送中被活性化處理過的面會(huì)再次氧化而給粘著帶來影響。因此， 理想的是在lX10_3Pa以下的高真空下進(jìn)行。而且，壓下率越低厚度精度越好，所以優(yōu)選在2%以下。通過上述壓接工序而粘著的疊層體被運(yùn)送至卷繞工序(S6)，在此被卷繞。接著，用表面活性化接合法粘合后，為使高壓下軋制Cu合金箔高度結(jié)晶定向，實(shí)施熱處理。為使再結(jié)晶徹底地完成，熱處理的溫度有必要在150°C以上的溫度。在連續(xù)退火爐中進(jìn)行時(shí)，均熱時(shí)間可以為10秒左右。由于熱處理溫度過高時(shí)，容易引起Cu箔或軋制Cu合金箔二次再結(jié)晶，結(jié)晶定向性變差，所以在150°C以上1000°C以下進(jìn)行。另外，考慮到在中間層成膜和超導(dǎo)體層成膜工序中，襯底可能被放入600°C 900°C的高溫氣氛中，優(yōu)選在600°C 900°C下進(jìn)行熱處理?！阏J(rèn)為，在氧化物超導(dǎo)線材用的結(jié)晶定向金屬襯底中，結(jié)晶粒小的在特性上是優(yōu)選的，但已確認(rèn)經(jīng)上述熱處理再結(jié)晶的軋制Cu合金箔中，即使是經(jīng)過1000°C的熱處理溫度，平均粒徑為80 μ m左右，也具有良好的特性。像這樣操作進(jìn)行熱處理后，制成高強(qiáng)度且高度地結(jié)晶定向的非磁性的金屬板和Cu 合金箔的金屬疊層襯底。例如，像下面一樣操作，得到非磁性的金屬板和Cu合金箔的金屬疊層襯底。將高壓下軋制Cu箔和100 μ m厚的SUS 316L板用常溫表面活性化接合法接合后， 在各種溫度下進(jìn)行熱處理來制造。分別將200mm寬、18 μ m厚的高壓下軋制Cu箔和100 μ m厚的SUS316L板用常溫表面活性化接合法接合后，在200°C 1000°C下熱處理5分鐘時(shí)的下述測量結(jié)果集中示于表 1中。(1)結(jié)晶定向率Cu(200)面與Cu箔表面成平行的比例(2)顯示(200)面平行于縱向<001>的指標(biāo)值在此，所謂的結(jié)晶定向率，表示通過X射線衍射測量的θ /2 θ衍射峰的(200)面強(qiáng)度率，指標(biāo)值表示作為雙軸定向性指標(biāo)的△ φ )(在通過X射線衍射形成的Ni (111) 極點(diǎn)圖中得到的Φ掃描峰值(α = 35°的4個(gè)峰的半值寬度的平均值))。另外，作為比較例，同時(shí)表示出在130°C及1050°C下進(jìn)行熱處理時(shí)的峰強(qiáng)度率。而且，為了比較，將代替Cu箔，以30 μ m厚的高壓下軋制Ni箔用上述常溫活性化接合法接合后，在1000°c下進(jìn)行1小時(shí)熱處理時(shí)的峰強(qiáng)度率也示于表1中。由表1可知在高壓下軋制Cu箔中，熱處理溫度為130°C X5分鐘時(shí)，結(jié)晶定向率為93%，雖說還不是很充分，但在200°C 1000°C的范圍內(nèi)保持5分鐘的情況下，(200)面結(jié)晶定向率可達(dá)99%以上。另外，超過1000°C時(shí)，(200)面的單軸定向性因二次再結(jié)晶而破壞，強(qiáng)度率下降至 70%。
另外，在Ni的情況下，再結(jié)晶的溫度在700°C左右，即使是在認(rèn)為最合適的1000°C 下的熱處理中，強(qiáng)度率也僅為98%，達(dá)不到99%，且Δ φ為15.4°。另外，可以確認(rèn)的是，表示結(jié)晶定向度即雙軸定向性的△ Φ在任何實(shí)施例中都在 6°以下。該值是在200mm的寬度方向測量板的兩端附近和中央共三點(diǎn)后得到的平均值，其值幾乎沒有看到差別。[表 1]
權(quán)利要求
1.一種氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其中，將非磁性的金屬板和由以高的壓下率冷軋而成的Cu或者Cu合金構(gòu)成的金屬箔通過表面活性化接合進(jìn)行層疊，層疊后，通過熱處理使所述金屬箔進(jìn)行雙軸結(jié)晶定向后，賦予所述金屬箔側(cè)表面Ni或者Ni合金的外延生長膜。
2.權(quán)利要求1所述的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，非磁性的金屬板的厚度為0. 05mm以上0. 2mm以下。
3.權(quán)利要求1所述的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，Cu或者Cu合金使用以90%以上的壓下率冷軋而成的厚度為7 μ m以上50 μ m以下的Cu或者Cuα全口巫ο
4.權(quán)利要求1所述的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，Cu合金箔中，Ag、Sn、Zn、Zr、O、N總計(jì)含有0. 01 %以上1 %以下。
5.權(quán)利要求1所述的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，在 150°C以上1000°C以下實(shí)施層疊后的熱處理。
6.權(quán)利要求1所述的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，Ni合金的膜的厚度為0. 5 μ m以上10 μ m以下。
7.權(quán)利要求1所述的氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底的制造方法，其特征在于，熱處理之前，進(jìn)行拋光處理，使金屬箔側(cè)表面的表面粗糙度以Ra表示達(dá)到Inm以上40nm以下。
8.一種氧化物超導(dǎo)線材，其特征在于，使用通過權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)的制造方法制造的金屬疊層襯底。
全文摘要
本發(fā)明的課題在于廉價(jià)地提供一種氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底，其為高強(qiáng)度且在長度方向具有穩(wěn)定的高度雙軸定向。作為其解決手段，將厚度為0.2mm以下的非磁性的金屬板T1、和由以90％的壓下率冷軋而成的厚度為50μm以下的Cu合金構(gòu)成的金屬箔T2，通過常溫表面活性化接合進(jìn)行層疊，層疊之后，通過150℃以上1000℃以下的熱處理使所述金屬箔進(jìn)行結(jié)晶定向之后，在所述金屬箔上層疊厚度為10μm以下的Ni或Ni合金的外延生長膜T3，制造氧化物超導(dǎo)線材用金屬疊層襯底。
文檔編號H01B12/06GK102209995SQ20098014478
公開日2011年10月5日 申請日期2009年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月12日
發(fā)明者岡山浩直, 加藤武志, 小西昌也, 金子彰 申請人:東洋鋼鈑株式會(huì)社, 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社