專利名稱：具有支承襯底和多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的光電子模塊及其制造方法
具有支承襯底和多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的光電子模塊
及其制造方法本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)10 2008 049 188. 8的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引
用結(jié)合于此。本發(fā)明涉及一種具有支承襯底和多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的光電子模塊。此外，本發(fā)明還涉及一種用于制造光電子模塊的方法。在傳統(tǒng)的光電子模塊中，主要將線接合和焊接或者借助導(dǎo)電粘合劑的芯片安裝用作芯片與支承體之間的電接觸技術(shù)。以該方式形成例如用于照明模塊的LED陣列。在小型化的過程中希望模塊的尺寸(譬如模塊高度和/或模塊的基本面)越來越小。用于LED的小型化的構(gòu)造技術(shù)和連接技術(shù)例如在公開文獻(xiàn)DE 10 353 679A1中公開。在此情況下，器件具有支承體，該支承體帶有設(shè)置在其上的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片被以平面方式接觸。具有以平面方式接觸的半導(dǎo)體芯片的模塊有利地具有小的器件高度，由此可以優(yōu)選地實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片的光出射面與所設(shè)置的光學(xué)部件之間的最小距離。然而，模塊的基本面并不能通過以平面方式接觸而容易地減小，因?yàn)樵O(shè)置在支承體上的用于電接觸半導(dǎo)體芯片的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)必須電絕緣地集成到模塊中。尤其是在模塊具有多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的情況下，希望光電子部件在支承襯底上的緊湊布置。本發(fā)明基于以下任務(wù)提供一種光電子模塊，其尤其具有小的結(jié)構(gòu)高度并且同時(shí)具有多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的緊湊布置。該任務(wù)通過具有權(quán)利要求1的特征的光電子模塊及其具有權(quán)利要求11的特征的制造方法來解決。模塊及其制造方法的有利實(shí)施形式和優(yōu)選改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。根據(jù)本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種光電子模塊，其具有支承襯底和多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件。支承襯底具有結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線用于電接觸發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件分別具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層、第一接觸面和第二接觸面，其中第一接觸面相應(yīng)設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的背離支承襯底的側(cè)上。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件設(shè)置有電絕緣層，該電絕緣層相應(yīng)地在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面的區(qū)域中具有凹處。 在電絕緣層上局部地設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一個(gè)至少將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面與另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的另外的第一接觸面或者與支承襯底的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。也就是說，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的電接觸并不通過與支承襯底間隔地引導(dǎo)的纜線來實(shí)現(xiàn)，而是通過至少部分在電絕緣層上引導(dǎo)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。通過該電接觸方式有利地得到了模塊的特別小的結(jié)構(gòu)高度。此外，可以通過導(dǎo)電結(jié)構(gòu)提供緊湊的模塊，該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件彼此導(dǎo)電連接或者與支承襯底的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。于是，模塊的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件可以以節(jié)省位置的方式和方法設(shè)置在支承襯底上。于是，模塊的基本面有利地減小。
此外，將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置到發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件附近是可能的。通過對(duì)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的這種接觸方式得到了模塊的特別小的結(jié)構(gòu)高度，通過該方式尤其能夠有利地實(shí)現(xiàn)例如將光學(xué)元件設(shè)置到發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件附近。光學(xué)元件例如可以理解為透鏡。尤其是，光學(xué)元件理解為其有針對(duì)性地影響由半導(dǎo)體器件發(fā)射的輻射，尤其改變發(fā)射特性。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件優(yōu)選地是半導(dǎo)體芯片、特別優(yōu)選地是發(fā)光二極管(LED)。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件分別具有有源層。有源層分別具有pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)(SQW，single quantum well)或者多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW，multi quantum well), 用于產(chǎn)生輻射。在此情況下，術(shù)語(yǔ)量子阱結(jié)構(gòu)并未顯現(xiàn)出關(guān)于量子化的維度的意義。因此， 量子阱結(jié)構(gòu)尤其包括量子槽、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的任意組合。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件優(yōu)選地分別基于氮化物化合物半導(dǎo)體、磷化物化合物半導(dǎo)體或者砷化物化合物半導(dǎo)體?！盎诘锘衔锇雽?dǎo)體、磷化物化合物半導(dǎo)體或者砷化物化合物半導(dǎo)體”在本上下文中表示有源的外延層序列或者其中的至少一層包括具有組分 LxGiiyAl^P、InxGayAl!_x_yN 或者 InfayAl^As 的 III/V 半導(dǎo)體材料，其中 0 彡 χ 彡 1， 0彡y彡1且x+y彡1。在一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件分別實(shí)施為薄膜半導(dǎo)體器件。 在本申請(qǐng)的范圍中，視作薄膜半導(dǎo)體器件的是如下半導(dǎo)體器件，在其制造期間將生長(zhǎng)襯底剝離，在該生長(zhǎng)襯底上例如外延地生長(zhǎng)有包括薄膜半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體本體的半導(dǎo)體層序列。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件分別與支承襯底連接，該支承襯底與用于半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體層序列的生長(zhǎng)襯底不同。支承襯底有利地并不受制于生長(zhǎng)襯底必須滿足的、如在晶體結(jié)構(gòu)方面的相對(duì)高的要求。因此，與生長(zhǎng)襯底的材料選擇相比，有更多種材料可用于支承襯底的材料選擇。電絕緣層優(yōu)選地對(duì)于由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的有源層所發(fā)射的輻射至少部分是透射輻射的。于是，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射可以通過電絕緣層耦合輸出，而在此沒有遭受顯著的光學(xué)損耗。由此，可以有利地減小有源層所發(fā)射的輻射在電絕緣層中的吸收，使得模塊的效率有利地提高。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的由有源層所發(fā)射的輻射在電絕緣層中的吸收優(yōu)選地小于40%、特別優(yōu)選地小于20%。電絕緣層優(yōu)選地為膜、漆或者聚合物層。在一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，電絕緣層包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件。合適的轉(zhuǎn)換元件譬如YAG:Ce粉末例如在W098/12757中予以描述，其在該方面的內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件相應(yīng)優(yōu)選地發(fā)射具有波長(zhǎng)λ ^的初級(jí)輻射。在電絕緣層中的轉(zhuǎn)換元件優(yōu)選至少部分地吸收波長(zhǎng)λ ^的輻射并且發(fā)射在其他的波長(zhǎng)范圍中的次級(jí)輻射。由此，模塊發(fā)射混合輻射，該混合輻射包含發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的初級(jí)輻射和轉(zhuǎn)換元件的次級(jí)輻射。通過有針對(duì)性地選擇轉(zhuǎn)換元件可以改變由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射的色度坐標(biāo)。由此可以有利地實(shí)現(xiàn)由模塊發(fā)射的輻射的所希望的色度坐標(biāo)。在下文中，色度坐標(biāo)理解為描述模塊所發(fā)射的光在CIE色彩空間中的顏色的數(shù)值?？商孢x地，電絕緣層可以包含多于一個(gè)的轉(zhuǎn)換元件。由此得到了模塊所發(fā)射的輻射的混合輻射，其包含初級(jí)輻射以及多個(gè)轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)次級(jí)輻射。通過使用多于一個(gè)的轉(zhuǎn)換元件可以有利地進(jìn)行色度坐標(biāo)的精確顏色選擇，由此得到了模塊所發(fā)射的輻射的所希望的色度坐標(biāo)。要說明的是，并非一定需要的是發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件相應(yīng)地發(fā)射在相同的波長(zhǎng)范圍中的初級(jí)輻射。更確切地說，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件可以構(gòu)建為使得其至少部分地發(fā)射在不同波長(zhǎng)范圍中的輻射。于是，通過半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射的疊加可以產(chǎn)生由模塊發(fā)射的混合輻射，其優(yōu)選地位于CIE色彩空間中的白色顏色范圍中。在一個(gè)優(yōu)選的擴(kuò)展方案中，至少在各個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件之間設(shè)置有平面化層。通過平面化層可以有利地實(shí)現(xiàn)模塊的背離支承襯底的平坦表面。優(yōu)選地，電絕緣層設(shè)置在該平坦表面上。特別優(yōu)選地，平面化層電絕緣。在模塊的一個(gè)擴(kuò)展方案中，平面化層包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件。特別優(yōu)選地，轉(zhuǎn)換元件吸收由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件中的至少一個(gè)所發(fā)射的輻射并且將該輻射轉(zhuǎn)換為其他波長(zhǎng)范圍中的輻射，使得產(chǎn)生模塊所發(fā)射的輻射的混合輻射。由于轉(zhuǎn)換元件直接集成在電絕緣層中和/或在平面化層中，所以有利地不需要另外的光學(xué)層。光學(xué)層尤其是如下層，其有針對(duì)性地改變和/或修改由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射的色度坐標(biāo)。由于轉(zhuǎn)換元件集成在電絕緣層和/或平面化層中并且發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件優(yōu)選被平面化層和/或電絕緣層直接圍繞，所以有利地實(shí)現(xiàn)了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件附近的轉(zhuǎn)換。由此能夠有利地實(shí)現(xiàn)緊湊的模塊。因此，電絕緣層在該情況下承擔(dān)光轉(zhuǎn)換層的功能、用于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的支承體層的功能以及用于發(fā)射輻射的器件的保護(hù)層的功能。在模塊的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件共同被設(shè)置在支承襯底上的框架圍繞。該框架優(yōu)選地包含陶瓷或者塑料。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件借助框架與圍繞的介質(zhì)在空間上隔開。此外，框架有利地保護(hù)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件免受例如環(huán)境影響，譬如沖擊或者濕氣滲入。在模塊的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，支承襯底是柔性襯底。因此，并不一定必需剛性地構(gòu)建支承襯底。尤其是，支承襯底可以構(gòu)建為膜。在模塊的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，支承襯底的在其上設(shè)置有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的表面并非平面的。因此，支承襯底例如可以具有拱形結(jié)構(gòu)。只要發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件可以安裝在支承襯底的表面之一上，則支承襯底的表面尤其也可以具有其他造型。在模塊的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以通過各向異性的層形成，其設(shè)置在電絕緣層上并且相應(yīng)地至少在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面的區(qū)域中具有導(dǎo)電區(qū)域。因此，各向異性的膜部分地具有導(dǎo)電的區(qū)域。導(dǎo)電能力例如可以通過局部施加的壓力或者輻照來形成。通過各向異性的膜的導(dǎo)電的區(qū)域相應(yīng)地保證了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的電連接。
各向異性的膜優(yōu)選至少部分對(duì)半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射是透射輻射的。尤其是， 各向異性的膜特別優(yōu)選地在其中沒有導(dǎo)電能力地構(gòu)建的區(qū)域中至少部分對(duì)半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射是透射輻射的?？商孢x地，各向異性的膜可以局部地被去除。尤其是在該情況下，各向異性的膜優(yōu)選相應(yīng)地在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的輻射出射側(cè)的區(qū)域中被去除。在模塊的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，電絕緣層通過結(jié)構(gòu)化的電路板來形成并且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助于從電路板中伸出的導(dǎo)電接片來形成。接片優(yōu)選相應(yīng)地從電路板的印制導(dǎo)線的接觸部位引向發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面。在此，接片相應(yīng)優(yōu)選地成形為使得其從電路板離開朝著半導(dǎo)體器件彎曲。電路板優(yōu)選具有凹處，特別優(yōu)選的是，凹處相應(yīng)地設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面之上。接片優(yōu)選為金屬接片。電路板優(yōu)選地具有印制導(dǎo)線。相應(yīng)優(yōu)選的是，電路板的印制導(dǎo)線彼此電絕緣地設(shè)置。電絕緣特別優(yōu)選地通過凹處來實(shí)現(xiàn)，凹處實(shí)現(xiàn)電路板的印制導(dǎo)線之間的間隔。在模塊的該擴(kuò)展方案中，多個(gè)電路板也可以相疊地設(shè)置，使得構(gòu)建多層布置。由此，模塊的多個(gè)布線平面有利地是可能的，由此，有利地實(shí)現(xiàn)在模塊中更高的電路集成。在模塊的另一優(yōu)選擴(kuò)展方案中，電絕緣層相應(yīng)地局部在相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的側(cè)面上圍繞相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件來引導(dǎo)。在此，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面相應(yīng)地在電絕緣層上引導(dǎo)，使得發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的背離支承襯底的表面相應(yīng)地沒有第一接觸面。通過第一接觸層的這種引導(dǎo)保證了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的均勻供電。此外能夠?qū)崿F(xiàn)的是將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的外部電端子設(shè)置在第一接觸層的任意區(qū)域上。優(yōu)選的是，在半導(dǎo)體器件的側(cè)面上的電絕緣層引導(dǎo)經(jīng)過半導(dǎo)體器件的有源層。通過這樣引導(dǎo)的半導(dǎo)體器件的第一接觸面能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的電連接或者半導(dǎo)體器件彼此間的復(fù)雜布線。由此，有利地實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件在支承襯底上的節(jié)省位置的布置。根據(jù)本發(fā)明的用于制造光電子模塊的方法尤其包括以下步驟a)將多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件設(shè)置在支承襯底上，其中支承襯底具有結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線用于電接觸發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件相應(yīng)地具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層、第一接觸面和第二接觸面，其中第一接觸面相應(yīng)地設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的背離支承襯底的側(cè)上，b)將電絕緣層施加到發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件上，其中電絕緣層相應(yīng)地在相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面的區(qū)域中具有凹處，以及c)將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)施加到電絕緣層的部分區(qū)域上，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之一至少將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面與另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的另外的第一接觸面導(dǎo)電連接或者與支承襯底的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。該方法的有利擴(kuò)展方案與該模塊的有利擴(kuò)展方案類似地得到，并且反之亦然。借助通過平面的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)來電接觸半導(dǎo)體器件有利地使模塊的高度最小化。同時(shí)，模塊的基本面與傳統(tǒng)模塊相比有利地減小。使用如下電絕緣層有利地導(dǎo)致模塊的構(gòu)造工藝的簡(jiǎn)化，在該電絕緣層上引導(dǎo)用于電接觸半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。有利的是，半導(dǎo)體器件的布線、半導(dǎo)體器件的封裝以及必要時(shí)光轉(zhuǎn)換相應(yīng)借助涂覆工藝來進(jìn)行，該光轉(zhuǎn)換優(yōu)選通過集成在電絕緣層中的轉(zhuǎn)換元件來實(shí)現(xiàn)。在該方法的一個(gè)有利擴(kuò)展方案中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助印刷方法來施加。優(yōu)選地，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助絲網(wǎng)印刷方法、模版印刷方法或者移印方法施加到電絕緣層上?？商孢x地，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助于氣相淀積來施加。在此可能的是，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助物理氣相淀積(PVD工藝)或者化學(xué)氣相淀積(CVD 工藝)來施加。特別優(yōu)選地，部分地施加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的選擇性施加優(yōu)選地借助印刷、噴射或者借助于PVD/CVD結(jié)合掩膜技術(shù)(尤其模版)來進(jìn)行。用于施加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的另一可能性在于將印制導(dǎo)線直接印刷到電絕緣層上。在另一優(yōu)選擴(kuò)展方案中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助于各向異性的層來形成，其設(shè)置在電絕緣層上并且其相應(yīng)地至少在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面的區(qū)域中導(dǎo)電地構(gòu)建。各向異性的層的導(dǎo)電區(qū)域的構(gòu)建優(yōu)選借助印刷方法、溫度方法或者輻照例如借助 UV激光來進(jìn)行?？商孢x地，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以集成在層壓到電絕緣膜上的膜中。在該情況下，層壓的膜包含導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如金屬化部。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)優(yōu)選已經(jīng)設(shè)置在膜中，使得發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的電接觸能夠以所設(shè)計(jì)的方式和方法來實(shí)現(xiàn)。為此，特別優(yōu)選的是，應(yīng)用自動(dòng)接觸方法(TAB 方法卷帶自動(dòng)接合)。在該方法的一個(gè)優(yōu)選擴(kuò)展方案中，在施加電絕緣層之前將平面化層至少引入到發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件之間的間隙中。以該方式將模塊平面化，使得模塊的背離支承襯底的表面平坦地構(gòu)建。在該方法的另一優(yōu)選擴(kuò)展方案中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)相應(yīng)地構(gòu)建為導(dǎo)電接片，其中接片相應(yīng)地借助沖制-楔入處理與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面導(dǎo)電連接。該光電子模塊及其制造方法的其他特征、優(yōu)點(diǎn)、優(yōu)選擴(kuò)展方案和適宜性從下文中結(jié)合

圖1至9所闡述的實(shí)施例中得到。其中圖1示出了在制造方法的中間步驟中的模塊的第一實(shí)施例的示意性橫截面，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的另一實(shí)施例的示意性橫截面，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的一個(gè)實(shí)施例的示意性橫截面，圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的另一實(shí)施例的示意性剖面，圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的另一實(shí)施例的示意性剖面，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的另一實(shí)施例的示意性橫截面，圖7A示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的另一實(shí)施例的示意性剖面，圖7B示出了圖7A中的實(shí)施例的剖面的示意性俯視圖，以及圖7C示出了根據(jù)本發(fā)明的模塊的另一實(shí)施例的示意性俯視圖。相同的或者作用相同的組成部分相應(yīng)地設(shè)置有相同的附圖標(biāo)記。所示的組成部分以及這些組成部分彼此間的大小關(guān)系不應(yīng)視為合乎比例的。在圖1中示出了光電子模塊，其具有支承襯底1以及多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2分別具有用于產(chǎn)生電磁輻射的有源層、第一接觸面21和第二接觸面22。第一接觸面21設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的背離支承襯底1的表面上。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2優(yōu)選構(gòu)建為半導(dǎo)體芯片，特別優(yōu)選的是分別構(gòu)建為發(fā)光二極管(LED)。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的有源層分別具有pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)或者多量子阱結(jié)構(gòu)，用于產(chǎn)生輻射。優(yōu)選的是，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2分別基于氮化物化合物半導(dǎo)體、磷化物化合物半導(dǎo)體或者砷化物化合物半導(dǎo)體。支承襯底1具有結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線，用于電接觸發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。尤其是，在支承襯底1的印制導(dǎo)線上優(yōu)選地分別設(shè)置發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。這表示第二接觸面22分別與支承襯底1的印制導(dǎo)線以機(jī)械方式并且以電學(xué)方式接觸。優(yōu)選地，在其上分別設(shè)置有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的印制導(dǎo)線彼此電絕緣。因此，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2彼此電絕緣地設(shè)置在支承襯底1的印制導(dǎo)線上。優(yōu)選地，在各個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2之間設(shè)置有平面化層3。通過平面化層3 可以有利地產(chǎn)生模塊的背離支承襯底1的平坦表面。優(yōu)選的是平面化層3電絕緣，特別優(yōu)選地的是平面化層3包含介電材料。平面化層3優(yōu)選地基于硅樹脂。平面化層3尤其是包含硅樹脂。附加地或者可替選地，平面化層3可以包含其他的聚合物或者無(wú)機(jī)材料。平面化層3的高度可以超過發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的高度。尤其是，平面化層3 可以超過發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的高度引導(dǎo)，使得平面化層至少部分地延伸超過發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的背離支承襯底1的表面。由此尤其保證了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的改進(jìn)的電絕緣。在該情況下，平面化層3優(yōu)選地由對(duì)于發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射至少部分地透射輻射的材料構(gòu)成。此外，平面化層3還可以包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件6。優(yōu)選的是，轉(zhuǎn)換元件6吸收由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2中的至少一個(gè)所發(fā)射的輻射并且將該輻射轉(zhuǎn)換為其他波長(zhǎng)范圍的輻射，使得產(chǎn)生模塊所發(fā)射的輻射的混合輻射。通過有針對(duì)性地選擇轉(zhuǎn)換元件6可以改變由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射的色度坐標(biāo)。由此可以有利地實(shí)現(xiàn)模塊所發(fā)射的輻射的所希望的色度坐標(biāo)。特別優(yōu)選地， 模塊發(fā)射在白色色度坐標(biāo)范圍中的輻射。優(yōu)選地，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2共同被設(shè)置在支承襯底1上的框架7圍繞。優(yōu)選地，框架7包含陶瓷或者塑料。在圖1的實(shí)施例中，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2 和平面化層3借助框架7在空間上與周圍環(huán)境隔開?？蚣?有利地保護(hù)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2免受例如環(huán)境影響，譬如沖擊。在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2上以及在平面化層3上優(yōu)選地至少部分地設(shè)置有電絕緣層4。電絕緣層4分別在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的區(qū)域中具有凹處。優(yōu)選地，電絕緣層4至少部分對(duì)于發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的由有源層所發(fā)射的輻射是透射輻射的。于是，由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射可以通過電絕緣層4 耦合輸出，而在此不遭受顯著的光學(xué)損耗。由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射從模塊出來的輻射耦合輸出在圖1至7 的實(shí)施例中優(yōu)選地在模塊的背離支承襯底1的側(cè)上進(jìn)行。
電絕緣層4優(yōu)選地是膜、漆或者聚合物層。與平面化層3 —樣，電絕緣層4可以包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件(未示出)。在電絕緣層中的轉(zhuǎn)換元件優(yōu)選地吸收由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射中的至少部分輻射并且發(fā)射在其他的波長(zhǎng)范圍中的次級(jí)輻射。由此，該模塊發(fā)射混合輻射，其既包含發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的初級(jí)輻射又包含轉(zhuǎn)換元件的次級(jí)輻射。由于轉(zhuǎn)換元件直接集成在電絕緣層4中和/或在平面化層3中，所以有利地不需要另外的附加光學(xué)層。光學(xué)層例如是如下層，其有針對(duì)性地改變和/或修改半導(dǎo)體器件所發(fā)射的輻射的色度坐標(biāo)。于是，半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射在半導(dǎo)體器件2附近的轉(zhuǎn)換有利地進(jìn)行。能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的模塊。電絕緣層4局部具有凹處。優(yōu)選地，相應(yīng)地在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的區(qū)域中在電絕緣層4中構(gòu)建凹處。電絕緣層4優(yōu)選地單件式地構(gòu)建。在模塊的背離支承襯底1的表面上，在電絕緣層4上局部地設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(未示出)。在圖1的實(shí)施例中示出了在施加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前的模塊。因此，在實(shí)施例1中的模塊示出了在制造過程中的模塊。在圖1的實(shí)施例中，模版5設(shè)置在模塊的背離支承襯底1的側(cè)上。模版5在施加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的制造步驟中得到應(yīng)用。模版5用于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)化。尤其，模版5優(yōu)選地在電絕緣層4的凹處的區(qū)域中具有凹處。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)優(yōu)選地借助于印刷方法施加到電絕緣層4上或者施加到模版5上。于是，可以借助于印刷方法、尤其絲網(wǎng)印刷方法或者移印方法施加優(yōu)選單層的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、尤其金屬化層，用于發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的布線。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)化優(yōu)選通過模版5構(gòu)建為使得發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2借助導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以所設(shè)計(jì)的方式和方法彼此導(dǎo)電連接或者與支承體的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。因此，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)至少將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面與另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的另外的第一接觸面或者與支承襯底1的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接(未示出)。在施加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之后將模版5去除。S卩，模版5僅僅暫時(shí)地在制造過程中設(shè)置在模塊上。在圖2的實(shí)施例中示出了具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8的完成的模塊的實(shí)施例。與圖1中所示的實(shí)施例不同，圖2的模塊不具有設(shè)置在支承襯底1上并且圍繞發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2和平面化層3的框架。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2優(yōu)選地借助焊劑或者導(dǎo)電粘合劑固定在支承襯底1的結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線上。如在圖1的實(shí)施例中，電絕緣層4施加在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2和平面化層3 上。電絕緣層4在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的區(qū)域中具有凹處。這些凹處優(yōu)選借助激光方法或者平板印刷方法來制造。與圖1的實(shí)施例相反，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8例如借助噴印方法施加到電絕緣層4上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8的施加優(yōu)選借助噴嘴9進(jìn)行。噴嘴9將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、優(yōu)選為單層金屬軌寫到模塊的背離支承襯底1的側(cè)上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8尤其施加在電絕緣層4上，使得實(shí)現(xiàn)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2彼此間的電接觸或者發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2與支承襯底1的印制導(dǎo)線的電接觸。 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8尤其分別位于發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的區(qū)域中。于是，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2可以獨(dú)立地接地。可替選地，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2可以彼此導(dǎo)電連接。圖3的實(shí)施例與圖2的實(shí)施例的不同在于支承襯底1是柔性襯底。尤其是，支承襯底1的在其上設(shè)置有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的表面并非平面的。支承襯底1例如可以具有拱形結(jié)構(gòu)。只要發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的安裝是可能的，則支承襯底1的表面尤其也可以具有其他的造型。尤其是在圖3的實(shí)施例中的模塊可以以可旋轉(zhuǎn)的方式支承。由此有利地例如簡(jiǎn)化了模塊的制造。在借助噴嘴寫入導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的方法步驟中，模塊例如可以根據(jù)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的所希望的結(jié)構(gòu)化運(yùn)動(dòng)、譬如旋轉(zhuǎn)。在圖4的實(shí)施例中示出了光電子模塊的剖面。尤其是，僅僅示出了模塊的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。模塊的另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件出于清楚性的原因未示出。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2優(yōu)選借助粘附性層粘合在支承襯底1上或者借助焊劑焊接在支承襯底1上。如在圖4中所示，優(yōu)選地在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2上以及在支承襯底1上設(shè)置有電絕緣層4。電絕緣層4例如是層壓的膜或者是包括玻璃的層。電絕緣層4在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的區(qū)域中具有凹處。電絕緣層4優(yōu)選為介電層。優(yōu)選地在模塊的制造過程中借助氣相淀積將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、特別優(yōu)選為金屬層整面地沉積到電絕緣層4上(未示出)。優(yōu)選地，整面的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)借助物理氣相淀積或者化學(xué)氣相淀積來沉積。隨后，整面地構(gòu)建的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)例如借助于光刻和刻蝕根據(jù)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的所希望的布線來結(jié)構(gòu)化。尤其是，整面的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)優(yōu)選地結(jié)構(gòu)化為使得發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件彼此導(dǎo)電連接或者發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2與支承襯底1的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。優(yōu)選地，為了簡(jiǎn)化并且改進(jìn)過程控制(ProzessfUhrung)，在沉積導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前將電絕緣層、尤其介電層平面化，例如借助SOG方法來平面化。在圖5的實(shí)施例中示出了另一光電子模塊的剖面。在該情況下也出于簡(jiǎn)單性原因僅僅示出了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。與在圖4中示出的實(shí)施例不同，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8通過各向異性的層8a、8b形成。各向異性的層8a、8b優(yōu)選地為各向異性的膜，各向異性的膜優(yōu)選地被層壓。各向異性的層優(yōu)選地具有兩個(gè)部分區(qū)域8a、8b。部分區(qū)域中的一個(gè)部分區(qū)域8a優(yōu)選地導(dǎo)電地構(gòu)建。而另一部分區(qū)域8b電絕緣。在各向異性的層的區(qū)域8a中的導(dǎo)電能力的構(gòu)建優(yōu)選地通過輻照或者局部施加的壓力來實(shí)現(xiàn)。由此，有利地保證發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2在第一接觸面21的區(qū)域中的電連接。各向異性的層8a、8b優(yōu)選地在第二部分區(qū)域8b中對(duì)于由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件 2所發(fā)射的輻射至少部分地是透射輻射的?？商孢x地，可以在層壓之后將各向異性的層8a、 8b在第二部分區(qū)域8b中選擇性地去除。在該情況下，各向異性的層8a、8b不必是透射輻射的。在圖6中示出的光電子模塊的實(shí)施例具有多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2，其借助焊劑或者粘附性層10固定在支承襯底1上。優(yōu)選地，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第二接觸面22與設(shè)置在支承襯底1上的印制導(dǎo)線電接觸。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的印制導(dǎo)線優(yōu)選彼此電絕緣地設(shè)置。與在上面的實(shí)施例中示出的模塊相反，在圖6的實(shí)施例中電絕緣層4通過結(jié)構(gòu)化的電路板形成，并且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)8通過從電路板中伸出的導(dǎo)電接片例如金屬接片形成。電路板尤其具有如下電絕緣材料，其帶有包含在其中的導(dǎo)電印制導(dǎo)線。特別優(yōu)選地，電路板的電絕緣材料對(duì)于由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射至少部分是透射輻射的。此外，電路板的電絕緣材料還可以包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件，以轉(zhuǎn)換由發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射。包含在電路板的電絕緣材料中的印制導(dǎo)線優(yōu)選至少部分地與金屬接片8導(dǎo)電連接。此外，金屬接片8分別優(yōu)選與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21導(dǎo)電連接。為此，電路板4相應(yīng)地在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的區(qū)域中具有凹處。分別通過接片8以及通過電路板4的印制導(dǎo)線電接觸發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。 在此，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2可以彼此導(dǎo)電連接或者分別與支承襯底1的印制導(dǎo)線導(dǎo)電連接。接片8優(yōu)選地成形為使得其從電路板的接觸部位朝著發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2彎
曲ο在該實(shí)施例中，多個(gè)電路板也可以相疊地設(shè)置，使得在模塊中構(gòu)建多層布置以及因此構(gòu)建多層布線平面(未示出)。金屬接片8例如可以分別借助于沖制-楔入處理與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21以電學(xué)方式和以機(jī)械方式連接。在圖7A和7B中分別示出了光電子模塊的示意性剖面。圖7A示出了該模塊的剖面的橫截面。為此。圖7B示出了圖7A的剖面的俯視圖。在圖7A中示出了發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。光電子模塊優(yōu)選地由多個(gè)例如在圖 7A中所示的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2組成，其中發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2優(yōu)選設(shè)置在支承襯底1上。與圖1至6的實(shí)施例不同，圖7A中的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2具有在電絕緣層4 上引導(dǎo)的第一接觸面21。為此，電絕緣層4相應(yīng)地局部在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的側(cè)面上圍繞相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2來引導(dǎo)。優(yōu)選地，在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的側(cè)面上的電絕緣層4引導(dǎo)經(jīng)過半導(dǎo)體器件2的有源層加。優(yōu)選地，第一接觸面21同樣在半導(dǎo)體器件2的側(cè)面上引導(dǎo)。尤其是，第一接觸面 21在電絕緣層4上引導(dǎo)。在此，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的背離支承襯底的表面優(yōu)選沒有第一接觸面21。通過第一接觸層21沿著半導(dǎo)體器件2的側(cè)面的引導(dǎo)可以保證發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的均勻的供電。優(yōu)選地，電輸送部12連接到第一接觸層21的區(qū)域上。通過第一接觸層21沿著半導(dǎo)體器件2的側(cè)面的引導(dǎo)可以在第一接觸層21的任意區(qū)域上引導(dǎo)用于半導(dǎo)體器件2的電學(xué)布線的電輸送部12。于是，模塊的半導(dǎo)體器件可以通過輸送部12彼此電連接。可替選地，半導(dǎo)體器件可以彼此分離地被電連接。在圖7B中示出了圖7A中的半導(dǎo)體器件的接觸引導(dǎo)(KontaktfUhrung)的俯視圖。 在此，第一接觸層21設(shè)置在半導(dǎo)體器件2的輻射耦合輸出面?zhèn)?。?yōu)選地，第一接觸層21框架狀地構(gòu)建。尤其是，第一接觸層21形成封閉的軌。在第一接觸層21上局部地設(shè)置有電輸送部12，其用于連接半導(dǎo)體器件2。優(yōu)選地，在圖7a、7b的實(shí)施例中在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2上設(shè)置有電流分配層 13。尤其，電流分配層13對(duì)于由半導(dǎo)體器件2所發(fā)射的輻射至少部分是透射輻射的。電流分配層13例如是ITO (氧化銦錫)層或者&ι0(氧化鋅)層。第一接觸層21優(yōu)選地是金屬化部。半導(dǎo)體器件2的輻射耦合輸出面優(yōu)選地沒有金屬化部。優(yōu)選地，金屬化部圍繞半導(dǎo)體器件2引導(dǎo)，由此保證與例如通過傳統(tǒng)使用的接合墊的情況相比更均勻的供電。在圖7C中示出了具有多個(gè)圖7A中的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2的模塊的俯視圖。 在該情況下，該模塊具有四個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件2。然而，半導(dǎo)體器件2的替選的數(shù)量是可能的，其與模塊的相應(yīng)的應(yīng)用領(lǐng)域和使用目的有關(guān)。通過側(cè)向設(shè)置的對(duì)半導(dǎo)體器件2的第一接觸面21的電引導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件 2的復(fù)雜布線。由此，有利地實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體器件2在支承襯底1上的節(jié)省位置的布置。尤其存在如下可能性，其中半導(dǎo)體器件2單獨(dú)地安裝到支承襯底1上并且彼此分離地導(dǎo)電連接。在該情況下，支承襯底1在用于半導(dǎo)體器件2的安裝側(cè)上分別具有彼此電絕緣的印制導(dǎo)線，在其上分別以機(jī)械地方式并且以電學(xué)方式連接有半導(dǎo)體器件。可替選地，半導(dǎo)體器件2可以彼此電連接。在此優(yōu)選地，支承襯底1本身導(dǎo)電地構(gòu)建，使得半導(dǎo)體器件2位于共同的電勢(shì)上?？商孢x地，在支承襯底1上可以設(shè)置有印制導(dǎo)線， 半導(dǎo)體器件2共同地設(shè)置在印制導(dǎo)線上。半導(dǎo)體器件2的電輸送部12優(yōu)選地引向另外的電連接端(未示出)。本發(fā)明并不通過借助實(shí)施例的描述而局限于此，而是可以包括任意新特征以及特征的任意組合，這尤其包含權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使這些特征或者這些組合本身未在權(quán)利要求或者實(shí)施例中予以明確說明。
權(quán)利要求
1.一種光電子模塊，其具有支承襯底(1)和多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件O)，其中 -支承襯底(1)具有結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線，用于電接觸發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件0)， -發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 分別具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層( )、第一接觸面(21)和第二接觸面(22)，其中第一接觸面相應(yīng)設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的背離支承襯底(1)的側(cè)上，-發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 設(shè)置有電絕緣層G)，所述電絕緣層相應(yīng)在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面的區(qū)域中具有凹處， -在電絕緣層(4)上局部地設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)，以及-導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的一個(gè)至少將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面與另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 的另外的第一接觸面或者與支承襯底(1)的印制導(dǎo)線導(dǎo)電地連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中至少在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 之間設(shè)置有平面化層⑶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的模塊，其中平面化層C3)包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的模塊，其中電絕緣層(4)包含至少一個(gè)轉(zhuǎn)換元件(6)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的模塊，其中發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 共同被設(shè)置在支承襯底⑴上的框架(7)圍繞。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的模塊，其中支承襯底(1)是柔性襯底。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的模塊，其中支承襯底(1)的在其上設(shè)置有發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的表面并非平面的。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的模塊，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)通過各向異性的層形成，該各向異性的層設(shè)置在電絕緣層(4)上并且該各向異性的層相應(yīng)地至少在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面的區(qū)域中具有導(dǎo)電區(qū)域(8a)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求1至7之一所述的模塊，其中電絕緣層(4)通過結(jié)構(gòu)化的電路板形成，并且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)借助從電路板中伸出的導(dǎo)電接片形成。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的模塊，其中電絕緣層(4)局部地在相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的側(cè)面上圍繞相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 來引導(dǎo)，并且發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面相應(yīng)在電絕緣層(4)上設(shè)置為使得發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的與支承襯底(1)背離的表面沒有第一接觸面01)。
11.一種用于制造光電子模塊的方法，其具有以下方法步驟 -在支承襯底(1)上設(shè)置多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件0)，其中支承襯底(1)具有結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線用于電接觸發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件，發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 分別具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層Oa)、第一接觸面和第二接觸面(22)，其中第一接觸面相應(yīng)設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 的背離支承襯底⑴的側(cè)上，-將電絕緣層(4)施加到發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件( 上，其中電絕緣層(4)相應(yīng)在相應(yīng)的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面(21)的區(qū)域中具有凹處Ga)，-將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)施加到電絕緣層(4)的部分區(qū)域上，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)中的一個(gè)至少將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面與另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的另外的第一接觸面或者與支承襯底(1)的印制導(dǎo)線導(dǎo)電地連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)借助印刷方法來施加。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)借助氣相淀積來施加。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)借助各向異性的層形成，該各向異性的層設(shè)置在電絕緣層(4)上并且該各向異性的層相應(yīng)地至少在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件 (2)的第一接觸面的區(qū)域中導(dǎo)電地構(gòu)建。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)分別構(gòu)建為導(dǎo)電接片，其中接片分別借助沖制-楔入處理與發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件的第一接觸面導(dǎo)電連接。
全文摘要
提出了一種光電子模塊，其具有支承襯底(1)和多個(gè)發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件(2)。支承襯底(1)具有結(jié)構(gòu)化的印制導(dǎo)線。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件(2)分別具有適于產(chǎn)生電磁輻射的有源層(2a)、第一接觸面(21)和第二接觸面(22)，其中第一接觸面(21)相應(yīng)設(shè)置在發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件(2)的背離支承襯底(1)的側(cè)上。發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件(2)設(shè)置有電絕緣層(4)，其相應(yīng)地在第一接觸面(21)的區(qū)域中具有凹處。在電絕緣層(4)上局部設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(8)中的一個(gè)至少將發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件(2)的第一接觸面(21)與另外的發(fā)射輻射的半導(dǎo)體器件(2)的另外的第一接觸面(21)或者與支承襯底(1)的印制導(dǎo)線導(dǎo)電地連接。此外提出了一種用于制造這種模塊的方法。
文檔編號(hào)H01L27/15GK102165588SQ200980138169
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2009年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日
發(fā)明者卡爾·魏德納, 奧利弗·武茨, 沃爾特·韋格萊特, 約爾格·埃里?！ぷ魻柛? 貝爾特·布勞內(nèi) 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司