專利名稱：一種自偏振電光調(diào)q晶體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于激光技術(shù)，具體涉及一種自偏振電光調(diào)Q晶體。
背景技術(shù)：
電光調(diào)Q方法是產(chǎn)生窄脈沖寬度、高峰值功率激光的關(guān)鍵技術(shù)。利用晶體的電光 效應(yīng)，通過激光諧振腔內(nèi)光電場偏振方向的變化，實現(xiàn)激光振蕩Q值的調(diào)節(jié)。無論激光增益
介質(zhì)是各向同性材料，還是各向異性材料，為保證實現(xiàn)好的Q開關(guān)效果，在激光諧振腔內(nèi)都
要分別放置起偏元件與電光晶體。目前普遍使用布儒斯特鏡片作為腔內(nèi)光電場的起偏、檢 偏器件。 在實際應(yīng)用中，布儒斯特鏡片的鍍制的介質(zhì)膜主要是為了提高腔內(nèi)光電場平行分 量的偏振度，并無明顯地增透效果，因此導(dǎo)致腔內(nèi)出現(xiàn)較大的插入損耗，并且該膜層易受到 光破壞，即限制了電光調(diào)Q激光峰值功率的提高。其次，該鏡片作為一個獨立的元件，光學(xué) 起偏方向必須與電光晶體的感應(yīng)主軸有滿足調(diào)Q要求的方位關(guān)系，在激光器的調(diào)試過程
中，要在高電壓條件下，轉(zhuǎn)動晶體鏡片相對方位角，操作危險、復(fù)雜，光學(xué)機械穩(wěn)定性差，另 外，為了在腔內(nèi)固定安裝和調(diào)節(jié)該鏡片，鏡座調(diào)節(jié)架占據(jù)了較大的空間位置，增加了激光諧
振腔長，不利于壓縮電光調(diào)Q的激光脈沖寬度。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述電光調(diào)Q晶體必須和布儒斯特鏡結(jié)合使用的不 足之處，提供一種新型的自偏振電光調(diào)Q晶體，該晶體具有起偏和電光調(diào)Q兩種功能。 為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是 本實用新型提供的自偏振電光調(diào)Q晶體，包括第一、第二通光面，其中第一通光面 垂直于晶體的光軸方向，其特征在于第二通光面為切割面，該切割面鍍有增透膜層，第二 通光面與第一通光面的夾角等于a或90° _0，其中，0=90° -arctg(n)，n為晶體的折射率。 本實用新型將電光晶體按照一定的角度進行切割，切割平面與晶體的某些面夾角 a滿足晶體布儒斯特角的余角的條件，保證橫向半波電壓可有效關(guān)斷腔內(nèi)光路，此時電光 晶體也起到檢偏鏡的作用。通光面和切割出的平面鍍有相應(yīng)激光波長的增透膜。本實用新 型適用于橫向電光調(diào)Q晶體，如BB0、RTP、LN等。在實際應(yīng)用中可以起到將電光調(diào)Q晶體和 布儒斯特鏡合二為一的作用。具體而言，本實用新型具有以下優(yōu)點 (1)用于橫向電光效應(yīng)的電光調(diào)Q晶體； (2)設(shè)計加工的電光晶體，可以同時起到起偏、檢偏、調(diào)制的作用，能獲得好的電光 調(diào)Q效果。
(3)電光晶體運用于激光諧振腔內(nèi)，可以不使用傳統(tǒng)的布儒斯特鏡，使得諧振腔減 少一個非增益性的光學(xué)元件，降低腔內(nèi)插入損耗，有利于提高激光調(diào)Q脈沖的能量。
(4)對于各向同性的激光增益介質(zhì)，無需轉(zhuǎn)動電光晶體，操作安全、方便調(diào)試。[0012] (5)可縮短激光諧振腔的空間長度，能有效地壓縮Q脈沖寬度，有助于提高激光Q
脈沖的峰值功率。
圖1是傳統(tǒng)的電光調(diào)Q晶體結(jié)構(gòu)圖。 圖2是本實用新型的實施例結(jié)構(gòu)示意圖。 圖3是本實用新型的另一實施例結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式如圖1所示，傳統(tǒng)的電光調(diào)Q晶體為長方體，Z軸方向為晶體光軸方向，平行于XY 平面方向的ABCD平面和EFGH平面為通光面，與XY平面方向垂直的平面為鍍制電極的平 面，一般沿X軸方向或者Y軸方向施加高壓。對于不同方向施加高壓的晶體，其切割方式各 有不同，兩種實施例結(jié)構(gòu)如圖2和圖3所示。 如圖2所示，電光晶體的通光面為平行于XY平面的ABCD面和EFGH面，電極鍍制 在平行于XZ平面的ABEF面和CDGH面，沿Y軸方向加電壓。本實用新型是沿一定角度切割 晶體，形成IJKL平面(即第二通光面)。平面IJKL與平面EFGH(第一通光面)的夾角為 90° -a ，其中a滿足布儒斯特角余角的條件，即晶體的折射率為n， a =90° -arctg(n)。 切割出的IJKL平面和通光面平面(如EFGH平面)鍍有相應(yīng)激光波長的增透膜層，EFIJ平 面和GHKL平面鍍有電極，沿Y軸方向加高壓。 如圖3所示，電光晶體的通光面為平行于XY平面的ABCD面和EFGH面，電極鍍制 在平行于YZ平面的ACEG面和BDFH面，沿X軸方向加電壓。本實用新型是沿一定角度切割 晶體，形成IJKL平面(即第二通光面)。平面IJKL與通光面EFGH平面(即第一通光面) 的夾角a滿足布儒斯特角余角的條件，即晶體的折射率為n， a =90° -arctg(n)。切割 出的IJKL平面和通光面平面(如EFGH平面)鍍有相應(yīng)激光波長的增透膜層，EGIK平面和 FH幾平面鍍有電極，沿X軸方向加高壓。 以上所述為本實用新型的較佳實施例而已，但本實用新型不應(yīng)該局限于該實施例 和附圖所公開的內(nèi)容。所以凡是不脫離本實用新型所公開的精神下完成的等效或修改，都 落入本實用新型保護的范圍。
權(quán)利要求一種自偏振電光調(diào)Q晶體，包括第一、第二通光面，其中第一通光面垂直于晶體的光軸方向，其特征在于第二通光面為切割面，該切割面鍍有增透膜層，第二通光面與第一通光面的夾角等于α或90°-α，其中，α＝90°-arctg(n)，n為晶體的折射率。
專利摘要本實用新型公開了一種自偏振電光調(diào)Q晶體，包括第一、第二通光面，其中第一通光面垂直于晶體的光軸方向，其特征在于第二通光面為切割而成，且與第一通光面的夾角等于α或90°-α，其中，α＝90°-arctg(n)，n為晶體的折射率。本實用新型將電光晶體按照一定的角度進行切割，切割平面與晶體的某些面夾角α滿足晶體布儒斯特角的余角的條件，保證橫向半波電壓可有效關(guān)斷腔內(nèi)光路，此時電光晶體也起到檢偏鏡的作用。通光面和切割出的平面鍍有相應(yīng)激光波長的增透膜。本實用新型適用于橫向電光調(diào)Q晶體，如BBO、RTP、LN等。在實際應(yīng)用中可以起到將電光調(diào)Q晶體和布儒斯特鏡合二為一的作用。
文檔編號H01S3/115GK201523152SQ20092022952
公開日2010年7月7日 申請日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者朱廣志, 朱曉, 朱長虹, 郭飛, 齊麗君 申請人:華中科技大學(xué)