專利名稱：基于oled的植物生長(zhǎng)光源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種基于OLED(Organic Light Emitting Device)的植物生長(zhǎng)光 源及其制作方法，其主要發(fā)出適合綠色植物葉綠素吸收的光(光譜為400 480nm的藍(lán)紫 光區(qū)和600 680nm的紅橙光區(qū))。
背景技術(shù)：
目前，用于植物生長(zhǎng)照明的光源主要有太陽(yáng)光、白熾燈、熒光燈、LED等。 可達(dá)到地面的太陽(yáng)光能量90X集中在290 3000nm之間，其中波長(zhǎng)300nm以下的 部分光線極易使作物產(chǎn)生病害。在冬季，有些地方的光照時(shí)間不夠。室內(nèi)自然光照不足以 維持植物生長(zhǎng)，故需設(shè)置人工光照來(lái)補(bǔ)充(參見(jiàn)圖1，圖2)。 常用的有白熾燈和熒光燈。二者的優(yōu)缺點(diǎn)如下前者燈的外形很多，可設(shè)計(jì)成光強(qiáng) 的聚光燈。優(yōu)點(diǎn)是光源集中，緊湊，安裝價(jià)格低；體積小，種類多，紅光多。缺點(diǎn)是能量功效 低，光強(qiáng)常不能滿足開(kāi)花植物的要求；溫度高，壽命短；光線分布不均勻等。故應(yīng)宜與天然 光或具藍(lán)光的熒光燈混用，并要考慮與植物間的距離不要太近，以免灼傷。熒光燈是最好的 人工光照。優(yōu)點(diǎn)是能量功效大，比白熾燈放出的熱量少，壽命長(zhǎng)；光線分布均勻，光色多，藍(lán) 光較高，有利于植物生長(zhǎng)。缺點(diǎn)是安裝成本較高；光強(qiáng)不能聚在一起，燈管中間部分光效比 兩端高。此外，還有水銀燈常用于高屋頂?shù)纳虡I(yè)環(huán)境，但成本很高。 近年來(lái)，LED燈也適用在植物照明上?，F(xiàn)有的白光LED，最普遍的是使用藍(lán)色核 心，激發(fā)黃色熒光粉，由此復(fù)合產(chǎn)生視覺(jué)上的白光效果。能量分布上，在445nm的藍(lán)色區(qū)和 550nm的黃綠色區(qū)存在兩個(gè)峰值。而植物所需的610 720nm的紅光，則非常缺乏。 有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Device,OLED)由于具有高亮度、響 應(yīng)快、低功耗、效率高及制作簡(jiǎn)單等特性，可用于照明領(lǐng)域，其發(fā)光原理為在兩個(gè)電極之間 沉積非常薄的有機(jī)材料，對(duì)該有機(jī)發(fā)光材料通以直流電使其發(fā)光。為了改善光照條件，提高 光能利用率，強(qiáng)化植物的光合作用，本發(fā)明提供一種基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，其主要發(fā) 出適合綠色植物葉綠素吸收的光(光譜為400 480nm的藍(lán)紫光區(qū)和600 680的紅橙光 區(qū))，減少其他植物葉綠素不吸收波段的光。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，其主要 發(fā)出適合綠色植物葉綠素吸收的光(光譜為400 480nm的藍(lán)紫光區(qū)和600 680nm的紅 橙光區(qū))。 本設(shè)計(jì)人為了達(dá)成上述目的而進(jìn)行專心研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過(guò)以特定厚度將由特 定的有機(jī)化合物構(gòu)成的有機(jī)薄膜層設(shè)置于有機(jī)電致發(fā)光元件的陽(yáng)極與陰極之間，并且采用 一些特殊的器件結(jié)構(gòu)，可以解決上述課題，從而完成了本發(fā)明。 基于上述研究，本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案一種基于OLED的植物生長(zhǎng)光源， 包括基板，其特征在于在基板一側(cè)配置的陽(yáng)極、陰極和配置于這些電極層間的發(fā)光層。在陽(yáng)極和發(fā)光層之間可設(shè)置空穴注入層和/或空穴傳輸層，在陰極和發(fā)光層之間可設(shè)置電子 注入層和/或電子傳輸層，發(fā)光層的材料能使光譜為400 480nm的藍(lán)紫光區(qū)和600 680 的紅橙光區(qū)。 同現(xiàn)有的植物生長(zhǎng)光源相比，基于OLED的植物生長(zhǎng)光源具有以下優(yōu)點(diǎn)基于OLED 的植物生長(zhǎng)光源不是點(diǎn)光源，而是分布式(散布式)平面固體光源，它重量輕、超薄、明亮、 少陰影；能耗低、工作電壓低(3-5V)，使用與維護(hù)安全；能效高、壽命長(zhǎng)，沒(méi)有燈絲斷裂而耐 用；環(huán)保，無(wú)污染，不發(fā)熱，僅有少量紫外與紅外輻射，能提高植物產(chǎn)量。

圖1 :葉綠素的吸收光譜和植物的吸收光譜； 圖2 :其它光源的發(fā)射光譜； 圖3 :本發(fā)明的第一、第二實(shí)例的制備方法； 圖4 :本發(fā)明的第三實(shí)例的制備方法。
具體實(shí)施方式下面，參照附圖說(shuō)明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)例如下 參見(jiàn)圖3，圖4，本基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，包括基板l，其特征是在基板1的
一側(cè)配置陽(yáng)極2、陰極6以及它們之間的發(fā)光層4，在陽(yáng)極2和發(fā)光層4之間配置空穴注入
層和/或空穴傳輸層3，在陰極6和發(fā)光層4之間配置電子注入層和/或電子傳輸層5，發(fā)
光層的材料能使光譜為400 480nm的藍(lán)紫光區(qū)和600 680nm的紅橙光區(qū)。 各層材料及其制作如下詳述 基板1 :用于支撐有機(jī)EL元件，為板狀部件。 基板1優(yōu)選具有平面平滑型的材料。 基板1位于發(fā)光側(cè)，相對(duì)于植物生長(zhǎng)光源發(fā)出的光為透明體。 基板1應(yīng)具有上述性能，可以使用公知的基板，如玻璃基板、硅基板或石英基板， 也可以使用在金屬基板或支撐體上形成金屬箔的基板，還可以使用有多支基板組合而成的 復(fù)合片材的基板。 陽(yáng)極2 :是向本發(fā)明的有機(jī)EL元件中注入空穴的電極。因此，形成陽(yáng)極2的材料 只要使陽(yáng)極2具有該性質(zhì)的材料即可，通常選擇金屬、合金、導(dǎo)電化合物等公知的材料。 形成陽(yáng)極2的材料例如有氧化銦錫(ITO) 、 IZO、氧化錫、氧化鋅、氮化鈦、鋅鋁氧 化物等金屬氧化物或金屬氮化物；金、銀、銅、鋁、鉬、鎳、鉆、鉛、鉻、鉬、鎢等金屬；這些金屬
的合金或碘化銅的合金等；聚苯胺、聚苯撐乙烯、聚吡咯、聚噻吩、聚苯硫醚等導(dǎo)電性高分子等。 陽(yáng)極2可以只有一種上述材料形成，也可以將多種混合形成。還可以是含有相同 組成或不同組成的多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。 陽(yáng)極2可以使用上述材料，通過(guò)濺射法、離子電鍍法、真空蒸鍍法、旋涂法、電子束 蒸鍍法等公知的薄膜形成法，在基板1上形成。 可以將陽(yáng)極2的表面用UV臭氧洗滌，或用等離子體洗滌。為抑制有機(jī)EL元件的 短路或缺陷的發(fā)生，可以通過(guò)使粒徑微小化的方法或成膜后研磨的方法，將表面粗糙度的均方值控制在20nm以下。 空穴注入層和/或空穴傳輸層3 :層3可以是空穴注入層，也可以是空穴傳輸層， 還可以既有空穴注入層，也有空穴傳輸層，當(dāng)兩層都有時(shí)，空穴注入層應(yīng)在陽(yáng)極和空穴傳輸 層之間。 空穴注入層可以設(shè)置在陽(yáng)極2和后述的空穴傳輸層或發(fā)光層4之間?？昭ㄗ⑷雽?是將陽(yáng)極2注入的空穴傳輸?shù)娇昭▊鬏攲踊虬l(fā)光層4的層。因此，形成空穴注入層的材料 只要是使空穴注入層具有該性質(zhì)的材料即可。 可用于空穴注入層的材料例如有酞菁等衍生物、聚硫酮衍生物、聚苯撐乙烯衍生
物、星放射型胺衍生物、聚苯胺衍生物等，其中優(yōu)選銅酞菁、無(wú)金屬酞菁等。 空穴注入層可以如下制備使用濺射法、離子電鍍法、真空蒸鍍法、旋涂法、電子束
蒸鍍法等公知的成膜方法，將這些材料在陽(yáng)極2上成膜。 空穴傳輸層可以設(shè)置在陽(yáng)極2或空穴注入層與后述發(fā)光層4之間，空穴傳輸層是 將由陽(yáng)極2或空穴注入層注入的空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層4的層。因此，形成空穴傳輸層的材料 只要是使空穴傳輸層具有該性質(zhì)的材料即可。 可用于空穴傳輸層的材料是下面材料中的一種三胺衍生物、四胺衍生物、聯(lián)苯胺 衍生物、三芳基胺衍生物、芳撐二胺衍生物、苯二胺衍生物、對(duì)苯二胺衍生物、間苯二胺衍生 物、l，l-雙(4-二芳基氨基苯基)環(huán)己烷衍生物、4，4' -二 (二芳基氨基)聯(lián)苯衍生物、雙 口一 (二芳基氨基)苯基}甲烷衍生物、4，4"-二 (二芳基氨基)三聯(lián)苯衍生物、4，4'-二 (二芳基氨基)二苯醚衍生物、4，4'-二 (二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、雙[4-(二芳基 氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]-二 (三氟甲基)甲烷衍生
物等，其中優(yōu)選芳基-二 (4-二芳基氨基苯基)胺衍生物、三苯胺的二聚體、三聚體、四聚體等。 空穴傳輸層可以使用濺射法、離子電鍍法、真空蒸鍍法、旋涂法、電子束蒸鍍法等 公知的成膜方法，將這些材料在陽(yáng)極2或空穴注入層上成膜。 發(fā)光層4 :上述陽(yáng)極2、空穴注入層和/或空穴傳輸層3上設(shè)置發(fā)光層4，所述的發(fā) 光層有藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光層。 藍(lán)色發(fā)光層藍(lán)色發(fā)光層設(shè)置于陽(yáng)極2、空穴注入層和/或空穴傳輸層3與后述電 子傳輸層和/或電子注入層5之間。由陽(yáng)極2和陰極6分別注入的空穴和電子復(fù)合，形成 受激態(tài)，其恢復(fù)至基態(tài)時(shí)發(fā)出藍(lán)色光。可用于藍(lán)色發(fā)光層的材料可以從具有藍(lán)色發(fā)光功能 的公知的材料等中選擇使用。 藍(lán)色發(fā)光層的材料是下面發(fā)光材料中的一種二芳香基蒽、二苯乙烯芳香族、芘 的衍生物、二苯乙烯基亞芳基衍生物、咔唑衍生物、蒽衍生物、三芳基胺衍生物、雙(2-甲 基-8-羚基喹啉)(4-苯代苯酚)合鋁等羥基喹啉系金屬絡(luò)合物、4，4'-雙(2，2-二芳基乙 烯基)聯(lián)苯衍生物等發(fā)光波峰在430nm 450nm的藍(lán)光主體材料，以及在主體材料中摻雜 有深藍(lán)光發(fā)光客體材料的摻雜物?？腕w材料為下面材料中的一種8-羥基喹啉硼化鋰、聯(lián) 奈衍生物(如4"，4，" -N，N-diphenylamine-4，4， -diphenyl-l， 1， -bin即hthyl) 、二苯乙烯 基胺衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯 基亞芳基衍生物、二乙烯基亞芳基衍生物、三苯乙烯基亞芳基衍生物、三芳基乙烯衍生物、 四芳基丁二烯衍生物等。主體材料和客體材料的重量配比為1% 3%。[0037] 藍(lán)色發(fā)光層可以如下制作使用濺射法、離子電鍍法、真空共蒸鍍法、旋涂法、電子 束共蒸鍍法等公知的成膜方法，將這些材料在陽(yáng)極2、空穴注入層和/或空穴傳輸層3上成 膜。 紅色發(fā)光層紅色發(fā)光層設(shè)置于陽(yáng)極2、空穴注入層和/或空穴傳輸層3與后述電 子傳輸層和/或電子注入層5之間。由陽(yáng)極2和陰極6分別注入的空穴和電子復(fù)合，形成 受激態(tài)，其恢復(fù)至基態(tài)時(shí)發(fā)出紅色光?？捎糜诩t色發(fā)光層的材料可以從具有紅色發(fā)光功能 的公知的材料等中選擇使用。 紅色發(fā)光層的材料是下面發(fā)光材料中的一種羅丹明類染料摻雜物、咔啉類 及其稀有金屬配合物、多環(huán)芳香族碳?xì)浠衔?、銥金屬錯(cuò)合物(Iridium quinoxaline complexes)、三胺衍生物、四胺衍生物、聯(lián)苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撐二胺衍生物、 苯二胺衍生物、對(duì)苯二胺衍生物、間苯二胺衍生物、l，l-雙(4-二芳基氨基苯基)環(huán)己烷衍 生物、4，4' -二 (二芳基氨基)聯(lián)苯衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷衍生物、4， 4"-二 (二芳基氨基)三聯(lián)苯衍生物、4，4"' -二 (二芳基氨基)四聯(lián)苯衍生物、4，4' -二 (二芳基氨基)二苯醚衍生物、4，4'-二 (二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、雙[4-(二芳基 氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]-二 (三氟甲基)甲烷衍生物 等發(fā)光波峰在660nm 680nm的紅光熒光或紅光磷光材料，以及在主體材料中摻雜有紅光 發(fā)光客體材料的摻雜物?？腕w材料為下面材料中的一種并四苯衍生物、并五苯衍生物、芘 衍生物、銪等的金屬絡(luò)合物、苯并嘩喃衍生物、4-(兩個(gè)吸電子基取代的亞甲基)-411-吡喃 衍生物、4-(兩個(gè)吸電子基取代的亞甲基)-4H-噻喃衍生物、羅丹明衍生物、苯并噻噸衍生 物、嚇琳衍生物、perifranthene衍生物，其中，優(yōu)選[2-叔丁基_6_[反式-2-(2， 3， 5， 6-四 氫-1 ， 1 ， 7， 7-四甲基苯并[i， j]喹嗪-9-基)乙烯基]普吡喃+亞基]-1 ， 3-丙二腈、 [2-甲基-6-[反式-2-(2，3，5，6-四氫-l，l，7，7-四甲基苯并[[i， j]喹嗪-9-基)乙烯 基]-4H-吡喃_4-亞基]-1，3-丙二腈、二苯并四苯基呋喃等。還優(yōu)選雙(2-苯基吡啶)(乙 酰基丙酮酸)合銥(ni)，2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉合鉑((II)等磷 光物質(zhì)。主體材料和客體材料的重量配比為1% 10%。 紅色發(fā)光層可以如下制作使用濺射法、離子電鍍法、真空共蒸鍍法、旋涂法、電子 束共蒸鍍法等公知的成膜方法，將這些材料在陽(yáng)極2、空穴注入層和/或空穴傳輸層3上成 膜。 電子傳輸層和/或電子注入層5 :層5可以是電子傳輸層，也可以是電子注入層， 還可以既有電子傳輸層，也有電子注入層，當(dāng)兩者都有時(shí)，電子傳輸層應(yīng)在發(fā)光層和電子注 入層之間。 電子傳輸層可以是單層結(jié)構(gòu)，從減少電子傳輸性材料和發(fā)光層材料的激基復(fù)合物 或CT絡(luò)合物形成等的相互作用的角度考慮，優(yōu)選為雙層結(jié)構(gòu)。由此，可以提高有機(jī)EL元件 的發(fā)光效率，延長(zhǎng)元件壽命。 電子傳輸層可如下制備使用濺射法、離子電鍍法、真空蒸鍍法、旋涂法、電子束蒸 鍍法等公知的成膜方法，將上述材料在發(fā)光層4上成膜。 可用于電子注入層的材料只要是使電子注入層具有上述性能的物質(zhì)即可，沒(méi)有特 別限制，例如有鋰、鈉、銫等堿金屬，鈣、鎂、鍶等堿土金屬，氟化鋰、氟化鋇、氟化鎂、氧化 鋰、氟化鈣、氟化鍶等堿金屬化合物、堿土金屬的氟化物、氧化物、氯化物、硫化物等，其中優(yōu)
6選氟化鋰。電子注入層可以由單獨(dú)的材料形成，也可以由多種材料形成。 電子注入層可如下制備通過(guò)濺射法、離子電鍍法、真空蒸鍍法、旋涂法、電子束蒸 鍍法等公知的成膜方法，將上述材料在電子傳輸層上成膜。 陰極6 :是向上述發(fā)光層4、電子傳輸層和/或電子注入層5注入電子的電極，為提 高電子注入效率，采用功函數(shù)例如低于4. 5eV的金屬或合金、導(dǎo)電性化合物以及它們的混 合物作為電極物質(zhì)。 所述陰極材料例如有鋰、鈉、f丐、錫、鈦、錳、鉻、鋁、銦、鎂、銀、銅、鋁-f丐合金、 鋁-鎂合金、鋁-鋰合金、鎂-銦合金、鋰-銦合金、鈉-鉀合金、鎂-銀合金、鎂/銅混合物、 鋁/氧化鋁混合物等。還可以使用作為陽(yáng)極2所采用的材料。 陰極6可以由上述材料單獨(dú)形成，也可以由多種材料形成。 陰極6可通過(guò)真空蒸鍍法、濺射法、離子蒸鍍法、離子電鍍法、電子束蒸鍍法等公 知的薄膜成膜法，在電子傳輸層和/或電子注入層5或上述保護(hù)層上形成。 除上述設(shè)置外，還可以適當(dāng)設(shè)定上述以外的層。 下面給出三個(gè)實(shí)例的制備方法[實(shí)例一]:參見(jiàn)圖3。 準(zhǔn)備形成IT0層陽(yáng)極層2的玻璃基板l，將該基板進(jìn)行洗滌?；逑礈煲来芜M(jìn)行堿 洗滌、純水洗滌，干燥后進(jìn)行紫外線臭氧洗滌。 通過(guò)真空蒸鍍裝置，依次制作空穴注入層和空穴傳輸層3，藍(lán)色發(fā)光層和紅色發(fā)光 層(同一層)，電子傳輸層和電子注入層5，金屬電極層6，從而形成本實(shí)用新型有機(jī)電致發(fā) 光光源。[實(shí)例二]:參見(jiàn)圖3。 準(zhǔn)備形成IT0層陽(yáng)極層2的玻璃基板l，將該基板進(jìn)行洗滌?；逑礈煲来芜M(jìn)行堿 洗滌、純水洗滌，干燥后進(jìn)行紫外線臭氧洗滌。 通過(guò)真空蒸鍍裝置，依次制作空穴注入層和空穴傳輸層3，藍(lán)色發(fā)光層，紅色發(fā)光 層，電子傳輸層和電子注入層5，金屬電極層6，從而形成本實(shí)用新型有機(jī)電致發(fā)光光源。[實(shí)例三]:參見(jiàn)圖4。 準(zhǔn)備形成IT0層陽(yáng)極層2的玻璃基板l，將該基板進(jìn)行洗滌?；逑礈煲来芜M(jìn)行
堿洗滌、純水洗滌，干燥后進(jìn)行紫外線臭氧洗滌。在與ITO玻璃基板相反的一面涂上紅色轉(zhuǎn)
換層7，紅色轉(zhuǎn)換層7材料是熒光效率較高的有機(jī)或者無(wú)機(jī)染料，發(fā)射光譜在64(T680nm之
間。根據(jù)植物生長(zhǎng)需要調(diào)整膜厚，膜厚通過(guò)染料溶液的濃度和甩膠速率來(lái)控制。 通過(guò)真空蒸鍍裝置，依次制作空穴注入層和空穴傳輸層3，藍(lán)色發(fā)光層，電子傳輸
層和電子注入層5，金屬電極層6，從而形成本實(shí)用新型有機(jī)電致發(fā)光光源。 圖1給出葉綠素的吸收光譜和植物的吸收光譜，圖2給出日光、白熾燈和白色熒光
燈的發(fā)射光譜，供參考研究。
權(quán)利要求一種基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，發(fā)出適合綠色植物葉綠素吸收的光，包括基板(1)，其特征是在基板(1)的一側(cè)配置陽(yáng)極(2)、陰極(6)以及它們之間的發(fā)光層(4)，在陽(yáng)極(2)和發(fā)光層(4)之間配置空穴注入層和/或空穴傳輸層(3)，在陰極(6)和發(fā)光層(4)之間配置電子注入層和/或電子傳輸層(5)，發(fā)光層(4)的材料能使光譜為400nm～480nm的藍(lán)紫光區(qū)和600nm～680nm的紅橙光區(qū)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，其特征是所述發(fā)光層(4)為藍(lán) 光材料層和紅光材料層在同一層構(gòu)成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，其特征是所述在發(fā)光層(4)為 先配置一層藍(lán)光材料層，再配置一層紅光材料層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，其特征是發(fā)光層(4)為一層藍(lán) 光材料層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于0LED的植物生長(zhǎng)光源，其特征是在所述基板(1)與陽(yáng) 極(2)相反的一側(cè)配置一層紅色轉(zhuǎn)換層(7)，該紅色轉(zhuǎn)換層(7)能將部分藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅光。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2、或3、或4所述的基于OLED的植物生長(zhǎng)光源，其特征是所述藍(lán)光 材料層的材料是以下材料中的任一種二芳香基蒽、二苯乙烯芳香族、芘的衍生物、二苯乙 烯基亞芳基衍生物、咔唑衍生物、蒽衍生物、三芳基胺衍生物、雙(2-甲基-8-羚基喹啉) (4-苯代苯酚)合鋁等羥基喹啉系金屬絡(luò)合物、4，4'-雙(2，2-二芳基乙烯基)聯(lián)苯衍生 物等發(fā)光波峰在430nm 450nm的藍(lán)光主體材料，以及在主體材料中摻雜有深藍(lán)光發(fā)光客 體材料的摻雜物。客體材料為下面材料中的任一種8-羥基喹啉硼化鋰、聯(lián)奈衍生物(如 4〃 ，4〃 ' -N， N-diphenylamine-4，4' -diphenyl-l， 1' -bin即hthyl) 、二苯乙烯基胺衍 生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、菲衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基亞芳 基衍生物、二乙烯基亞芳基衍生物、三苯乙烯基亞芳基衍生物、三芳基乙烯衍生物、四芳基 丁二烯衍生物等。主體材料和客體材料的重量配比為1% 3%。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2、或3所述的基于0LED的植物生長(zhǎng)光源，其特征是所述紅光材料層 的材料是以下材料中的任一種羅丹明類染料摻雜物、咔啉類及其稀有金屬配合物、多環(huán)芳 香族碳?xì)浠衔铩灲饘馘e(cuò)合物(Iridium quinoxaline complexes)、三胺衍生物、四胺衍 生物、聯(lián)苯胺衍生物、三芳基胺衍生物、芳撐二胺衍生物、苯二胺衍生物、對(duì)苯二胺衍生物、 間苯二胺衍生物、l，l-雙(4-二芳基氨基苯基)環(huán)己烷衍生物、4，4' -二 (二芳基氨基) 聯(lián)苯衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]甲烷衍生物、4，4"-二 (二芳基氨基)三聯(lián)苯衍 生物、4，4"'-二 (二芳基氨基)四聯(lián)苯衍生物、4，4'-二 (二芳基氨基)二苯醚衍生物、4， 4'-二 (二芳基氨基)二苯基硫烷衍生物、雙[4-(二芳基氨基)苯基]二甲基甲烷衍生物、 雙[4- ( 二芳基氨基)苯基]-二 (三氟甲基)甲烷衍生物等發(fā)光波峰在660nm 680nm的 紅光熒光或紅光磷光材料，以及在主體材料中摻雜有紅光發(fā)光客體材料的摻雜物。客體材 料為下面材料中的任一種并四苯衍生物、并五苯衍生物、芘衍生物、銪等的金屬絡(luò)合物、苯 并嗶喃衍生物、4-(兩個(gè)吸電子基取代的亞甲基)-4H-吡喃衍生物、4-(兩個(gè)吸電子基取代 的亞甲基)-4H-噻喃衍生物、羅丹明衍生物、苯并噻噸衍生物、嚇琳衍生物、perifranthene 衍生物。主體材料和客體材料的重量配比為1% 10%。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種基于OLED的植物生長(zhǎng)光源。它包括基板，在基板的一側(cè)配置陽(yáng)極、陰極以及它們之間的發(fā)光層，在陽(yáng)極和發(fā)光層之間配置空穴注入層和/或空穴傳輸層，在陰極和發(fā)光層之間配置電子注入層和/或電子傳輸層；發(fā)光層的材料能使光譜為400～480nm的藍(lán)紫光區(qū)和600～680nm的紅橙光區(qū)。本實(shí)用新型為分布式平面光源，能耗低，工作電壓低，使用維護(hù)安全，壽命長(zhǎng)，環(huán)保，能提高植物產(chǎn)量。
文檔編號(hào)H01L51/50GK201527998SQ20092021022
公開(kāi)日2010年7月14日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者張勇, 張建華, 曹進(jìn), 汪敏, 魏斌 申請(qǐng)人:上海大學(xué)