專利名稱：真空容器及制造方法、真空處理設備和電子器件制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種諸如處理室或轉移室的真空容器，所述真空容器構成處理例如液
晶顯示器襯底和半導體晶片的真空處理設備，本發(fā)明還涉及包括該真空容器的真空處理設備、真空容器制造方法以及電子器件制造方法。
背景技術：
在例如液晶顯示器襯底和半導體晶片上的諸如薄膜形成以及所形成薄膜的干法刻蝕和加熱之類的處理主要在真空中執(zhí)行。為在真空中處理這些處理對象作準備的對準、運輸以及類似處理也經常在真空中持續(xù)地執(zhí)行。為了執(zhí)行這些處理，通常使用通過經由閘閥連接多個真空容器而形成的真空處理設備(日本專利特開No. 2002-057203)。
近年來，液晶顯示器襯底的尺寸日益增大。結果，甚至周邊的邊長大于3米的矩形襯底也已經變得可用。為了在真空中處理這種較大的襯底，較大的真空容器是必要的。通過切割單金屬材料的內部可以制造具有極好氣密性的較小的真空容器。然而，因為難于獲得這樣大的金屬元件，所以不能通過上述用于制造較小真空容器的方法來制造較大的真空容器。 在這些情況下，傳統的大真空容器形成為通過以下措施來維持氣密性，S卩，通過在給定的焊接區(qū)中焊接多個金屬板的組合來確保給定的機械強度。 然而，以這種方式制造的真空容器不期望地是重的。另外，所制造的真空容器由于
與焊接相關聯的因素而經常不期望地受到熱應變。為此，在該方法中在焊接之后必須進行
二次切割。此外，較大的焊接的真空容器經常難于運輸，這是因為較大的焊接的真空容器的
運輸受到例如運輸車輛的可接受的重量、寬度和高度以及某些法律約束的限制。 為了解決這些問題，經常使用兩個彎曲的金屬板的組合以形成封閉空間。本發(fā)明
的發(fā)明人已經考察了一種真空容器，其通過在封閉空間中容納堅固的結構并且由一個形成
為封閉曲線的密封構件密封金屬板之間的結合部分而維持所形成的封閉空間的氣密性。 本發(fā)明的發(fā)明人也已經考察了一種方法，其通過螺栓將金屬板可靠地固定到用作
設置在容器內的結構的柱上以固定金屬板之間的結合部分。 圖17和18分別是由本發(fā)明的發(fā)明人考察的真空容器的外部視圖和在該真空容器中的結合部分的剖視圖。 如圖17和18中所示，兩個金屬板(彎曲構件20和30)通過諸如螺栓的緊固構件
61、62和密封固定板63、64可靠地固定在用作設置在容器內的結構的柱50上。 然而，這種固定兩個金屬板之間的結合部分的方法引起以下問題。因為兩個金屬
板通過螺栓固定在容器內的結構上，以便可靠地擠壓用作與兩個金屬板之間的結合部分相
對應的密封構件4的0型環(huán)，所以真空容器容易抽空但具有復雜的結構。 為了通過螺栓將用作容器壁的金屬板(彎曲構件20和30)固定到真空容器內的
柱50上，必要的是在容器壁中形成孔20a和30a以插入螺栓，并且繼而必要的是通過繞孔
20a和30a布置其它的0型環(huán)65和66來維持封閉空間的氣密。為此，對于兩個金屬板必要的是多孔形成和密封面制造。由于隨之增加了制造成本并且使真空性能的可靠性退化，所 以這是有問題的。 本發(fā)明考慮到上述背景技術的問題，并且目的在于提高形成具有簡單結構的真空 容器的板構件之間的結合部分中的氣密性。

發(fā)明內容
根據本發(fā)明的一個方面，提供一種真空容器，所述真空容器包括多個板構件和密
封構件，每個板構件都部分地或整個地由金屬制成，并且所述板構件相互結合以在所述板
構件內形成封閉空間，所述密封構件密封所述板構件之間的結合部分，所述真空容器包括
結構，所述結構容納在所述封閉空間中，抵靠所述密封構件和所述板構件的內表面，并且整
個地或部分地由鐵磁體形成；以及永磁體，所述永磁體布置在所述板構件的外表面上并且
通過作用在所述結構的鐵磁體上的磁吸引力使所述板構件壓靠所述密封構件。 根據本發(fā)明的另一方面，提供一種真空容器，所述真空容器包括一對板構件和一
個密封構件，所述板構件通過彎曲金屬板而形成并且相互結合以在板構件內形成封閉空
間，所述密封構件形成為封閉曲線并且密封所述一對板構件之間的結合部分，所述真空容
器包括結構，所述結構容納在所述封閉空間中，抵靠所述密封構件和所述板構件的內表
面，并且整個地或部分地由鐵磁體形成；以及永磁體，所述永磁體布置在所述板構件的與所
述內表面相對的外表面上，并且通過作用在所述結構的鐵磁體上的磁吸引力使所述板構件
壓靠所述密封構件。 根據本發(fā)明的又一方面，提供一種真空容器制造方法，所述真空容器制造方法包 括第一步驟，彎曲金屬板以形成一對板，所述一對板相互結合以在板構件內形成封閉空 間；第二步驟，在所述封閉空間中容納整個地或部分地由鐵磁體形成且抵靠所述板構件的 內表面的結構，并且沿著所述一對板構件之間的結合部分在所述一對板構件的內表面與所 述結構的外表面之間設置一個密封構件，所述一個密封構件形成為封閉曲線并且密封所述 結合部分；以及第三步驟，在所述一對板構件的與所述內表面相對的外表面上布置多個永 磁體，并且通過作用在所述結構的磁體上的磁吸引力使所述一對板構件壓靠所述密封構 件。 根據本發(fā)明的再一方面，提供一種真空處理設備，所述真空處理設備包括處理 室，所述處理室包括上述的真空容器并且在減小壓力的氣氛下在真空容器中處理對象。
根據本發(fā)明的又一方面，提供一種電子器件制造方法，所述電子器件制造方法包 括以下步驟使用上述的真空處理設備處理對象。 根據本發(fā)明，由于與形成真空容器的金屬板之間的結合部分相對應的密封構件可 以在不使用例如緊固金屬板的螺栓的情況下被可靠地擠壓，所以真空容器容易抽空并且具 有高度可靠的真空性能。由于其簡單的結構，也能夠減少真空容器的制造成本。此外，容易 制造真空容器。 本發(fā)明的其它特征將從以下參照附圖的示例性實施例的說明變得清楚。


圖1是根據本發(fā)明的一個實施例的真空容器的外部視 圖2是真空容器的分解透視圖，在該真空容器中沒有示出圖1中所示的磁體單 元； 圖3是用于解釋圖1中所示的一對彎曲構件的視圖； 圖4是用于解釋圖1中所示的結構的視圖； 圖5A至5C是示出形成圖1所示結構的柱的布置示例的視圖； 圖6是示出作為圖1中所示的密封構件的0型環(huán)的視圖； 圖7是圖1中所示的彎曲構件之間的結合部分的剖視圖； 圖8是當蓋從該磁體單元卸下時圖1所示磁體單元的外部視圖； 圖9是示出其中蓋附裝至圖8所示磁體單元的狀態(tài)的視圖； 圖10是沿著圖7中的線A-A得到的剖視圖； 圖11是與圖1所示彎曲構件的彎曲部分相對應布置的磁體單元的剖視圖； 圖12是與圖1所示彎曲構件的角部相對應布置的磁體單元的前視圖； 圖13是示出圖1中所示的磁體單元的第一修改方案(設置有四個磁體的情況) 的剖視圖； 圖14是示出圖1中所示的磁體單元的第二修改方案(設置有一個磁體的情況) 的剖視圖； 圖15是作為形成圖1所示結構的柱的修改方案的柱的剖視圖； 圖16是示出應用根據本發(fā)明實施例的真空容器的真空處理設備的一個示例的視
圖； 圖17是具有本發(fā)明所要解決的問題并由本發(fā)明的發(fā)明人考察過的真空容器的外 部視圖； 圖18是圖17所示彎曲構件之間的結合部分的剖視圖；禾口 圖19是示出a-Si TFT(薄膜晶體管)的截面結構的截面圖。
具體實施例方式以下將參照

本發(fā)明的詳細實施例。 圖1示出根據本發(fā)明的一個實施例的真空容器。該實施例將舉例說明一種六面體 的真空容器。圖2是圖1中所示的真空容器的分解透視圖。 如圖1和2中所示，真空容器1包括一對彎曲構件20和30。彎曲構件20和30通 過將金屬板彎曲成預定的形狀而形成。通過使彎曲構件20和30相互結合以在彎曲構件20 和30內形成封閉空間，而形成真空容器l。真空容器1還包括密封構件4和立方格子結構 5。密封構件4密封彎曲構件20和30之間的結合部分中的間隙。結構5容納在封閉空間 中而同時抵靠彎曲構件20和30的內表面。真空容器1還包括磁體單元70，所述磁體單元 70例如包括永磁體。磁體單元70將彎曲構件20和30固定到結構5上，并且沿著彎曲構件 20和30之間的結合部分對用作密封構件4的0型環(huán)加壓以密封結合部分。
彎曲構件20和30僅需要由至少具有給定機械強度和可加工性的材料制成，以便 使由該材料制成的兩個彎曲構件的組合可以形成一個封閉空間。 各彎曲構件20和30都是一個較薄的板構件并且都通過彎曲具有期望機械強度的 金屬板而形成。彎曲構件20和30之間的結合部分通過一個形成為封閉曲線(一條連續(xù)曲線)的密封構件4氣密地密封。由兩個彎曲構件20和30圍繞的空間形成真空容器1。真 空容器1通過兩個彎曲構件20和30和一個形成為封閉曲線的密封構件4維持氣密。
在根據該實施例的布置中，真空容器1形成六面體并且包括具有期望剛度的結構 5。在該實施例中，結構5包括位于與六面體的面的邊相對應的部分中的柱50，并由此形成 為立方格子圖案，12個柱50按照所述立方格子圖案而成為一體。結構5設置在由一對彎曲 構件20和30圍繞的真空中，并且結構5支承真空容器1，以便承受施加到真空容器1的大 氣壓力以抑制真空容器1的變形。 將參照圖3解釋形成真空容器1的彎曲構件20和30，并且將參照圖4和5解釋結
構5。而且，將參照圖6解釋密封構件4，并且將參照圖7解釋成對的彎曲構件20和30之
間的結合結構。此外，將參照圖8至14解釋磁體單元70。 現在將首先參照圖3解釋形成真空容器1的彎曲構件20和30。 如圖3中所示，一對彎曲構件20和30各自都通過將例如一個板狀的矩形金屬板
縱向彎曲成U形而形成。 當彎曲構件20和30彎曲成U形時，彎曲構件20和30的內表面與真空容器1的真 空側相對應，并且因此用作真空容器l的內表面。彎曲構件20上形成有兩個彎曲部分21。 類似地，彎曲構件30上形成有兩個彎曲部分31。 兩個彎曲部分21和31是直線的折皺，其中彎曲構件20和30沿著與寬度方向平 行的直線彎曲。從而，各彎曲部分21和31都形成六面體的一個邊，所述六面體形成用作真 空容器l的封閉空間。形成封閉空間的真空容器的形狀不限于六面體，而可以是由例如三 個或更多個側面和兩個底面限定的多面體。 在該實施例中，彎曲部分21和31彎曲成直角。而且，彎曲部分21和31具有大約 100mm至300mm的彎曲的曲率半徑和弧形的橫截面。應當注意到，對于彎曲部分21和31設 定較小的曲率半徑是不優(yōu)選的，因為這會在所彎曲的金屬板的表面中產生不均勻性。
如后面將說明的，通過結合一對彎曲構件20和30形成的真空容器1通過諸如0 型環(huán)的密封構件4(參見圖2)并且通過調整形成真空容器1的彎曲構件20和30的表面狀 態(tài)而維持氣密。 為此，必要的是使彎曲構件20和30在與密封構件4接觸的部分中的表面平滑。鑒 于此，對于彎曲部分21和31設定較大的彎曲的曲率半徑可以抑制在彎曲構件20和30的 表面中發(fā)生不均勻性，導致與密封構件4的良好接觸特性。 彎曲構件20的四個角部22和彎曲構件30的四個角部32分別類似地具有大約 100mm至300mm的彎曲的曲率半徑并且切割成弧形。這使角部22和32的曲率半徑等于彎 曲構件20和30的彎曲部分21和31的彎曲的曲率半徑，當結合彎曲構件20和30時所述 彎曲部分21和31分別與角部32和22組合。 真空容器1中一般形成有開口 9，以將襯底轉移到真空容器1中并且容納多種裝 置。在該實施例中，彎曲構件30構造成使得矩形開口9形成在兩個相對的平坦表面中。開 口 9容納其它真空容器、裝置、或蓋子以便最終維持真空容器1的內部中的氣密性。
彎曲構件20和30可以由諸如鋁或非磁性不銹鋼的非磁性金屬材料制成。彎曲構 件20和30優(yōu)選具有大約0. lmm至3mm的厚度。形成具有這種厚度的彎曲構件使得能夠容 易地彎曲這些彎曲構件并且使它們的彎曲部分中的表面平滑。太厚的彎曲構件在彎曲時在它們的彎曲部分的表面中產生不均勻性，并且這樣難于密封真空容器1。與此相反，太薄的 彎曲構件在抽空真空容器1時導致變形或者不能可靠地擠壓諸如0型環(huán)的密封構件4，并且 這同樣難于密封真空容器1。 由鐵磁金屬制成彎曲構件20和30是不優(yōu)選的，因為這樣減小了磁體單元70對結
構5 (后面將說明)的磁吸引力。然而，當彎曲構件20和30充分地薄時，彎曲構件20和30
可以由鐵磁金屬制成，因為雖然磁體單元70作用在結構5上的磁吸引力稍微減弱，但是磁
體單元70仍可以吸引結構5。 圖4示出結構5的布置的示例。 在該實施例中，結構5包括12個設置在與六面體的面的邊相對應的位置處的柱 50。柱50由整個地或部分地含有鐵磁材料的剛性金屬材料制成。使用的鐵磁材料例如是 SUS430或鐵。在此將舉例說明其中柱50整個地由鐵磁材料制成的情況，并且后面將說明其 中柱50部分地由鐵磁材料制成的情況。 每個柱50都通過緊固螺栓(未示出)固定和組裝，以便具有足夠大的機械強度以 抵抗施加到真空容器l的大氣壓力而支承真空容器l。由于所有的柱50都容納在真空容器 1中，所以柱50不必經過任何用于維持真空容器1的氣密性的處理。這又使得不必將柱50 相互焊接和在柱50上形成密封面。 柱50的外形形成為與真空容器1的內表面的形狀一致，所述真空容器1的內表面 的形狀通過組合兩個彎曲構件20和30而形成。因此，在形成結構5的六面體的12個邊中， 四個邊上形成有與真空容器l的內表面的形狀一致的曲面。換言之，結構5上形成有曲面 部分401和402，所述曲面部分401和402具有與彎曲構件20和30的彎曲部分21和31相 對應的曲率。 圖5A至5C示出結構5的布置的其它示例。在各圖5A至5C中示出的布置示例中， 結構5上形成有曲面部分401和402，所述曲面部分401和402具有與彎曲構件20和30的 彎曲部分21和31相對應的曲率。為了清楚示出柱50的結構，圖5A至5C沒有示出曲面部 分401和402。 圖4中所示的結構5包括僅位于六面體的邊上的柱50。因此，柱50未支承彎曲構 件20和30內表面處的部分(例如，面的中央部分)可能由于大氣壓力而變形。如果真空 容器1的變形變得較大，則真空容器1可能無法維持封閉空間的氣密或者可能會被破壞。
在這些情況下，為了進一步減小形成真空容器1的內壁的彎曲構件20和30的變 形，形成結構5的柱50可以等距地布置成柵欄圖案，如圖5A中所示?；蛘?，布置成格子圖 案的柱50'也可以設置在左柱與右柱50之間，如圖5B中所示。又或者，真空容器l的內壁 的變形可以通過用平板構件51覆蓋由柱50圍繞的至少一個表面而顯著地減小，如圖5C中 所示。 另一方面，增加柱50的數量或者用平板構件51覆蓋由柱50圍繞的表面導致真空 容器1的重量和制造成本二者增加。因此，形成結構5的柱50的數量可期望地設置成在真 空容器1的變形的允許范圍內盡可能小。 圖6是作為密封構件4的一個示例的0型環(huán)的透視圖。密封構件4可以是由橡膠 材料制成的O型環(huán)。例如，使用形成為連續(xù)環(huán)形形狀的、具有圓形截面的0型環(huán)。如圖2和 6中所示，密封構件4的形狀可以變形成與兩個彎曲構件20和30之間的結合部分的形狀一
7樣。密封構件4密封兩個彎曲構件20和30之間的結合部分的整個區(qū)域。 圖7是用于解釋在該實施例中兩個彎曲構件20和30之間的結合狀態(tài)的剖視圖。 密封構件4通過三個表面夾持柱50的一個側表面以及彎曲構件20和30的內表
面。柱50制造成使得柱50抵靠密封構件4的表面相對于真空容器1的內壁(即，彎曲構
件20和30的內表面)形成45°的角。在該實施例中，一組圍繞密封構件4的三個表面的
橫截面是等腰直角三角形。 在密封構件4與彎曲構件20之間的位置處以及在密封構件4與彎曲構件30之間 的位置處，通過彎曲構件20和30對密封構件4加壓，并且因此密封構件4與彎曲構件20 和30的接觸部分是平坦的。平坦的接觸部分起密封部分4a的作用以用于維持真空容器1 的氣密性。密封構件4通過柱50支承。真空容器l的內部通過由密封部分4a密封彎曲構 件20和30之間的結合部分的整個區(qū)域而滿意地維持氣密。 磁體單元70布置在彎曲構件20和30的大氣側的表面的外周中。磁體單元70固 定成在彎曲構件20和30之間的結合部分的整個區(qū)域上對密封構件4加壓并且將彎曲構件 20和30推靠在柱50上。 磁體單元70包括作為永磁體的磁體71、由鐵磁材料制成的軛72、密封固定板73 和蓋74。 磁體71是永磁體并且在其磁面面對柱50時在柱50上產生吸引力。例如，磁體71 可以由鐵氧體或釹制成。由于鐵氧體磁體具有較弱的磁力，所以鐵氧體磁體適用于較小的 真空容器。由于較大的真空容器自然包括作為密封構件4的大直徑O型環(huán)，所以具有較強 磁力的釹磁體適于作為較大真空容器中的磁體71以便可靠地擠壓0型環(huán)。
磁體71固定在密封固定板73上。密封固定板73由諸如鋁或非磁性不銹鋼的非 磁性剛性材料制成。密封固定板73要求給定的厚度以維持給定的剛度。同時，密封固定板 73需要具有一定厚度，在此厚度，在磁體71與柱50之間的間隔足夠窄以允許磁體71產生 大的吸引力。為了滿足這些要求，在密封固定板73中布置磁體71的部分中形成有與磁體 71的形狀一致的凹槽，以將磁體71固定到該凹槽中。借助該結構，磁體71與柱50之間的 間隔可以在固定磁體71的部分中較窄，而同時維持密封固定板73的給定剛度。此時，密封 固定板73在固定磁體71的部分中的厚度a是大約lmm。該厚度允許磁體71與柱50之間 的磁力足夠大以滿意地固定彎曲構件。 密封固定板73沿著彎曲構件20和30的外周布置，以便可靠地擠壓密封構件4。 磁體71的吸引力被傳遞到密封固定板73以擠壓密封構件4。雖然該實施例舉例說明了其 中密封固定板73擠壓密封構件4的情況，但是密封構件4可以在沒有密封固定板73的情 況下僅被磁體71擠壓，只要磁體71的尺寸大致與密封固定板73的尺寸相同即可。然而， 在該情況中，當多個磁體71并置時，相鄰的磁體71相互吸引，所以磁體71難于操縱。自然 地，不包括密封固定板73的布置可用于例如包括弱磁體的小真空容器。
蓋74附裝至磁體單元70，這是因為在磁體單元70定位于真空容器1上之后讓具 有強磁力的磁體71露出是危險的。蓋74可以由非磁性金屬或諸如丙烯酸酯的樹脂制成， 并且蓋74在某種程度上與磁體71和軛72間隔開。后面將說明軛72。
圖8至10示出磁體單元70的詳細布置。 圖8是磁體單元70的透視圖。磁體單元70包括兩個磁體71、軛72、密封固定板73和螺釘75，所述軛72將磁體71相互連接并且由鐵磁材料制成。而且，圖9示出其中為 了操縱安全將蓋74附裝至磁體單元70以圍繞磁體71和軛72的情況。應當注意到，圖1 為了清楚看到內部布置而示出了沒有蓋74的磁體單元70。 圖10是當磁體單元70布置在真空容器1中時沿著圖7中的線A-A得到的剖視圖。
兩個磁體71布置成使得其相對的磁極面對柱50。軛72連接兩個磁體71在與柱 50相對的側上的表面。圖10示出此時的磁力線76。在該狀態(tài)中，磁力線76幾乎完全穿過 柱50和作為鐵磁體的軛72。由此形成的磁路是優(yōu)選的，這是因為與其中一個磁體吸引柱 50的情況相比，磁通密度增大并且繼而磁力增大。 兩個螺紋通孔77延伸通過密封固定板73，并且比螺紋孔77的深度更長的螺釘75 插入螺紋孔77中。螺釘75用于將磁體單元70從真空容器1拆卸。 當磁體單元70固定在真空容器1的外表面上時，螺釘75的前端還未到達螺釘75 完全穿透螺紋孔77的位置處?；蛘撸葆?5可以被拉出并從螺紋孔77移除。
為了組裝真空容器1，經常必須拆卸布置在真空容器1中的磁體單元70以進行調 節(jié)或為了與裝配過程相關聯的便利。在該情況中，螺釘75深入旋轉到螺紋孔77中直到螺 釘75的前端從螺紋孔77伸出為止。通過使螺釘75的前端從螺紋孔77伸出而將密封固定 板73與彎曲構件20分離。借助該操作，磁體單元70容易地從真空容器1拆卸。然而，如 果在磁體單元70中使用弱磁體，則操作者也可以在沒有使用任何這種機構的情況下直接 用手拆卸。在該情況中，螺釘75是不必要的。 圖11是示出其中弧形的磁體單元70A位于彎曲構件20彎曲的部分(圖3中所示 的彎曲部分21)中的情況。圖12是示出其中弧形的磁體單元70B位于彎曲構件30的角部 (圖3中所示的角部32)處的情況。 磁體單元70A和70B的形狀與彎曲構件在布置有磁體單元70A和70B的部分中的 表面形狀一致地變化。然而，磁體單元70A和70B的基本結構與圖7至10中所示的磁體單 元70的基本結構相同。 在需要時可以以以下方式改變上述真空容器1的構成部件。 圖13是磁體單元70的第一修改方案，在所述修改方案中磁體單元70包括四個磁 體71。從端部開始，四個磁體71的磁極方向依次交替地彼此相反。軛72在所有磁體71上 方伸展并且連接這些磁體71 。這種磁路中的每個磁體都可以產生與由兩個磁體產生的磁吸 引力相等的磁吸引力。在該情況中，每個磁體單元70都較長，所以當裝配較大的真空容器 1時使用較少數量的磁體單元70，從而幫助裝配。當多個磁體以這種方式并置時，包括四個 或更多個磁體71的磁體單元也是可行的。 圖14是磁體單元70的第二修改方案，在所述第二修改方案中磁體單元70包括一 個磁體71。在該情況中，軛是不必要的。由一個磁體71產生的磁吸引力弱于由兩個磁體 71產生的磁吸引力，所以第二修改方案適用于較小的真空容器。當磁吸引力較弱時，可以沒 有用于拉出磁體單元的螺釘75。 而且，雖然在上述實施例中柱50整個由鐵磁材料制成(圖7)，但是柱50可以部 分地由鐵磁材料制成。圖15舉例說明這種情況。圖15中所示的柱50與磁體71相鄰的表 面部分地由磁性板80形成，并且其余部分由非磁性的材料制成，所述磁性板80由鐵磁材料 制成。磁性板80僅需要具有大約5mm至10mm的厚度以允許磁體71產生充分大的磁吸引力。磁性板80可以通過例如螺栓(未示出)或焊接而固定在柱50上。以這種方式形成柱 50經常便利地避開柱50的材料的約束。另外，能夠減小柱50的重量和結構5的重量。
雖然上述說明已經舉例說明了真空容器由一對板構件形成的情況，所述一對板構 件通過彎曲金屬板形成并且相互結合以在板構件內形成封閉空間，但是本發(fā)明不受該示例 的限制。也能夠由例如三個或更多個板構件形成真空容器1。
接下來將解釋制造真空容器1的方法。 如從圖1和2可以看到，制造真空容器1的方法包括布置結構5的步驟。制造真 空容器1的方法還包括沿著彎曲構件20和30之間的結合部分在彎曲構件20、30的內表面 與結構5的外表面之間插置密封構件4的步驟。制造真空容器1的方法還包括以下步驟 通過將磁體單元70布置在彎曲構件20和30的大氣側上的表面的外周中而將彎曲構件20 和30固定到結構5上，并且通過壓迫密封構件4而結合彎曲構件20和30。
根據上述實施例的真空容器1具有以下效果。 由于真空容器1通過一對由較薄的金屬板制成的彎曲構件20和30形成，所以與 現有技術不同，真空容器1的重量可以減小并且真空容器1可以在不使用較大金屬材料的 情況下制造。因此，根據該實施例，能夠減少真空容器的材料成本。 而且，由于為通過一個形成為封閉曲線的密封構件4密封一對彎曲構件20和30 之間的結合部分作準備，磁體單元70的磁吸引力用作固定彎曲構件20、30和柱50(用作容 器中的結構)的手段，不必在制造真空容器的處理中采用焊接。這使得能夠容易地制造真 空容器和在裝配之前運輸真空容器，并且繼而使得在真空容器的運輸期間能夠方便操縱真 空容器。 而且，由于真空容器可以通過使用磁體單元70的磁吸引力擠壓作為O型環(huán)的密封 構件4而可靠地維持氣密性，所以真空容器容易抽空并且具有高度可靠的真空性能。也能 夠由于真空容器的簡單結構而減少真空容器的制造成本。 而且，根據上述實施例的真空容器1可用于在室中執(zhí)行預定的真空處理的真空處 理設備。圖16示出包括根據該實施例的真空容器1的真空處理設備的示例。
如圖16中所示，真空處理設備用作例如單晶片處理式的真空處理設備，并且包括 用于第一濺射的真空處理室(Prol)42和用于第二濺射的真空處理室(Pro2)43。真空處 理設備還包括分離室(S印)40、加熱/冷卻室(H/C)41和裝載/卸載室(L/UL)44。分離室 (S印)40包括襯底轉移機構。使用根據本實施例的真空容器1形成分離室(S印)40、加熱/ 冷卻室(H/C)41、真空處理室(Prol)42和真空處理室(Pro2) 43，并且室41至43各自都與 分離室(S印)40相鄰。 真空處理設備還包括閘閥46，所述閘閥46布置在(i)分離室(S印)40和用于裝 載待處理的襯底或卸載處理過的襯底的裝載/卸載室(L/UL)44之間；(ii)分離室(S印)40 和加熱/冷卻室(H/C)41之間；(iii)真空處理室(Prol)42和分離室(S印)40之間；以及 (iV)真空處理室(Pro2)43和分離室(S印)40之間。 構成真空處理設備的室41、42、43和44通過閘閥46分隔開，從而在真空中(即， 在減小壓力的氣氛中)裝載和卸載作為待處理對象的襯底45，并且因此可以獨立地維持這 些室的真空。 在排氣系統(未示出)將裝載/卸載室(L/UL)44抽空到預定壓力之后，裝載到裝載/卸載室(L/UL) 44中的襯底45轉移到分離室40中。隨后，根據各種處理，襯底45從分 離室40運輸到加熱/冷卻室41以及真空處理室42和43中。在真空處理完成之后，襯底 45從裝載/卸載室(L/UL) 44通過分離室40卸載。 雖然將濺射沉積設備作為上述實施例中的真空處理設備的示例，但是沉積設備不 限于濺射類型。根據該實施例的真空處理設備可用于使用諸如化學氣相沉積方法的沉積方 法的沉積設備并且也可用于諸如蝕刻設備的處理設備。(電子器件制造方法)現在將參照圖19解釋使用作為根據本發(fā)明的真空處理設 備的濺射設備制造作為電子器件示例的顯示器件的方法。圖19是示出a-SiTFT(薄膜晶體 管)的截面結構的截面圖。在制造顯示器件的方法中，沉積設備用于陣列制造處理和BM(黑 矩陣)制造處理。 在陣列制造處理中，在襯底1901上形成晶體管和互連。主要在以下步驟a、d和e
中使用濺射以用于沉積，并且在以下步驟a至f中相繼堆疊給定的層步驟a:門電極(例 如，Mo或Al) 1902步驟b :門絕緣膜(例如，SiN》1903步驟c :半導體層(例如，a-Si或 a-Si (n+)P) 1904和1905步驟d :源電極/漏電極(例如，Mo或Al) 1906和1907步驟e :透 明電極(例如，ITO) 1908步驟f :保護膜(例如，SiNx) 1909在圖19中所示的TFT的截面結 構中，適用于顯示器件的薄膜通過在步驟a、 d和e中根據作為薄膜材料源的靶的類型調節(jié) 參數而形成，所述參數例如是與濺射氣體、真空度、襯底溫度、放電功率和放電時間相關聯 的特征。 雖然已經參照示例性實施例說明本發(fā)明，但應理解本發(fā)明不受所公開的示例性實 施例限制。下述權利要求的范圍將與最廣泛解釋一致，從而包含所有這些修改和等同結構 以及功能。
權利要求
一種真空容器，包括多個板構件和密封構件，每個板構件都部分地或整個地由金屬制成，并且所述板構件相互結合以在所述板構件內形成封閉空間，所述密封構件密封所述板構件之間的結合部分，所述真空容器包括結構，所述結構容納在所述封閉空間中，抵靠所述密封構件和所述板構件的內表面，并且整個地或部分地由鐵磁體形成；以及永磁體，所述永磁體布置在所述板構件的外表面上并且通過作用在所述結構的鐵磁體上的磁吸引力使所述板構件壓靠所述密封構件。
2. —種真空容器，包括一對板構件和一個密封構件，所述板構件通過彎曲金屬板而形成并且相互結合以在板構件內形成封閉空間，所述密封構件形成為封閉曲線并且密封所述一對板構件之間的結合部分，所述真空容器包括結構，所述結構容納在所述封閉空間中，抵靠所述密封構件和所述板構件的內表面，并且整個地或部分地由鐵磁體形成；以及永磁體，所述永磁體布置在所述板構件的與所述內表面相對的外表面上，并且通過作用在所述結構的鐵磁體上的磁吸引力使所述板構件壓靠所述密封構件。
3. 根據權利要求2所述的容器，其中，所述板構件形成的封閉空間形成多面體，并且所述板構件沿著形成所述多面體的邊的折皺彎曲。
4. 根據權利要求2所述的容器，其中，所述密封構件由三個表面夾持形成所述封閉空間的所述一對板構件的內表面和所述結構的一個側表面。
5. 根據權利要求2所述的容器，其中，所述永磁體與金屬板成為一體，在所述金屬板中形成不少于一個的螺紋通孔，具有比所述螺紋孔的深度更長的長度的螺釘插入所述螺紋孔中，并且所述螺紋孔的深度的方向與所述板構件垂直。
6. 根據權利要求2所述的容器，其中，所述永磁體包括多個永磁體，并且所述多個永磁體中多于一個的永磁體連接至所述鐵磁體的軛以形成磁路。
7. 根據權利要求2所述的容器，其中，所述真空容器包括覆蓋所述永磁體的蓋。
8. —種真空處理設備，包括處理室，所述處理室包括權利要求1至7中任一項所限定的真空容器并且在減小壓力的氣氛下在所述真空容器中處理對象。
9. 一種真空容器制造方法，包括第一步驟，彎曲金屬板以形成一對板，所述一對板相互結合以在板構件內形成封閉空間；第二步驟，在所述封閉空間中容納整個地或部分地由鐵磁體形成且抵靠所述板構件的內表面的結構，并且沿著所述一對板構件之間的結合部分在所述一對板構件的內表面與所述結構的外表面之間設置一個密封構件，所述一個密封構件形成為封閉曲線并且密封所述結合部分；以及第三步驟，在所述一對板構件的與所述內表面相對的外表面上布置多個永磁體，并且通過作用在所述結構的磁體上的磁吸引力使所述一對板構件壓靠所述密封構件。
10. —種電子器件制造方法，包括以下步驟使用權利要求8中限定的真空處理設備處理對象。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種真空容器，其包括一對彎曲構件，這對彎曲構件通過將金屬板彎曲成預定形狀而形成并相互結合以在彎曲構件內形成封閉空間。真空容器還包括密封構件和立方格子結構，該密封構件密封彎曲構件之間的結合部分中的間隙，該立方格子結構抵靠兩個彎曲構件的內表面并容納在封閉空間中。真空容器還包括磁體單元。該磁體單元將彎曲構件固定到結構上并通過沿著彎曲構件之間的結合部分壓迫作為密封構件的O型環(huán)而密封結合部分中的間隙。
文檔編號H01L21/00GK101752221SQ20091025375
公開日2010年6月23日 申請日期2009年12月17日 優(yōu)先權日2008年12月17日
發(fā)明者佐佐木雅夫 申請人:佳能安內華股份有限公司