專利名稱：一種半導(dǎo)體封裝基座的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體封裝基座。
背景技術(shù)：
微光顯微鏡(EMMI，Emission Microscope)是一種非常有效的失效觀察分析方式， 通過(guò)觀察芯片的光電放射，定位芯片失效的方位，再檢查分析芯片失效的原因，能夠快速準(zhǔn) 確的找到芯片的失效點(diǎn)和失效原因。但是芯片的一些深層次的失效，很難通過(guò)芯片的正面 來(lái)觀察查找，因此需要通過(guò)從芯片的背面來(lái)觀察查找。由于傳統(tǒng)的封裝是引線連接，先將 芯片正面向上用膠粘貼于封裝基座的載片區(qū)域，然后用鋁線或者金線引線連接芯片的焊盤(pán) (Pad)和基座的引腳(Lead)，然而封裝基座是陶瓷或PCB材料，所以無(wú)法經(jīng)由芯片的背面來(lái) 查找失效。為解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)通常使用載玻片對(duì)芯片進(jìn)行封裝，然后進(jìn)行EMMI分 析。使用載玻片對(duì)芯片進(jìn)行封裝的方法為先將待測(cè)芯片用熱溶膠粘于載玻片表面；根據(jù) 需要連接的引線的數(shù)量，粘貼相同數(shù)量的鋁箔于載玻片，且使粘貼的鋁箔分布于芯片四周； 連接芯片到鋁箔的引線。完成封裝后對(duì)芯片進(jìn)行EMMI分析。但由于鋁箔的粗糙不平整，引 線連接非常的困難，且只能使用鋁線進(jìn)行引線連接，因此有很大的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體封裝基座，以解決現(xiàn)有技術(shù)中用于微 光顯微鏡的半導(dǎo)體封裝基座在使用時(shí)引線連接困難，使用局限性大的問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝基座，包括底座，所述底座的材質(zhì)為玻璃；位于所述底座正面的載片區(qū)，用于固定半導(dǎo)體芯片；至少一個(gè)位于所述底座正面的手指；位于所述底座正面的引線，每一個(gè)位于所述底座正面的手指對(duì)應(yīng)連接一條所述引 線的一端，所述引線的另一端具有引腳，所述引腳分布在所述載片區(qū)的周?chē)?；以及至少一個(gè)位于所述底座背面的手指，所述位于底座背面的手指的位置與所述 位于底座正面的手指的位置一一對(duì)應(yīng)，所述位置對(duì)應(yīng)的位于所述底座背面和位于所述底座 正面的手指間通過(guò)位于所述手指上的且貫通于所述底座的通孔電性連接?？蛇x的，所述底座的材質(zhì)為鋼化玻璃?？蛇x的，所述引線和所述引腳的材質(zhì)由位于底層的鎳層和位于鎳層之上的金層構(gòu) 成?？蛇x的，所述鎳層的厚度為5 10um?？蛇x的，所述金層的厚度為1 1. 5um?？蛇x的，所述金層為軟金?？蛇x的，所述位于底座正面的手指和所述位于底座背面的手指的材質(zhì)為金。
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可選的，所述位于底座正面的手指和所述位于底座背面的手指的材質(zhì)為硬金。可選的，所述位于底座正面的手指和所述位于底座背面的手指的厚度均大于 0. 5um。本發(fā)明提供的半導(dǎo)體封裝基座在對(duì)芯片進(jìn)行封裝時(shí)易于實(shí)現(xiàn)芯片與封裝基座之 間的引線連接，且可適用于多種引線連接方式，如適用于鋁線楔壓鍵合、金線熱超聲球鍵合 等。同時(shí)，使用該半導(dǎo)體封裝基座可實(shí)現(xiàn)與更多數(shù)量的芯片壓焊點(diǎn)進(jìn)行引線連接，可與芯片 上更小尺寸的壓焊點(diǎn)進(jìn)行引線連接，且可與具有更小壓焊點(diǎn)間距的芯片進(jìn)行引線連接，該 半導(dǎo)體封裝基座可實(shí)現(xiàn)與HPC(高性能計(jì)算)芯片、Fine Pitch(腳距密集化)芯片等芯片 的引線連接和封裝。通過(guò)編制程序，設(shè)定參數(shù)，還可實(shí)現(xiàn)芯片在該封裝基座上的半自動(dòng)或者 自動(dòng)焊接，保證良好的焊接質(zhì)量。由于該封裝基座采用玻璃材質(zhì)，芯片載片區(qū)域的透光率為 全透光率，因此芯片封裝于該封裝基座上可有效提高通過(guò)微光顯微鏡對(duì)芯片進(jìn)行失效分析 的質(zhì)量。


圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座一種實(shí)施例的正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示的半導(dǎo)體封裝基座的背面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座另一種實(shí)施例的正面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為芯片粘結(jié)并引線鍵合至圖1所示的半導(dǎo)體封裝基座的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為使用微光顯微鏡對(duì)封裝于本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座的芯片進(jìn)行觀察分析 的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明所述的一種半導(dǎo)體封裝基座可利用多種替換方式實(shí)現(xiàn)，下面是通過(guò)較佳的 實(shí)施例來(lái)加以說(shuō)明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟 知的一般的替換無(wú)疑涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說(shuō) 明，示意圖不依一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定。請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座中一種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1 所示，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座包括底座1 ；位于所述底座1正面的載片區(qū)2，用于固定半導(dǎo)體芯片；
至少一個(gè)位于所述底座1正面的手指4 ；位于所述底座1正面的引線3，每一個(gè)位于所述底座1正面的手指4對(duì)應(yīng)連接一條 所述引線3的一端，所述引線3的另一端具有引腳5，所述引腳5分布在所述載片區(qū)2的周 圍；以及至少一個(gè)位于所述底座1背面的手指6。請(qǐng)結(jié)合參看圖2，圖2為圖1所示的 半導(dǎo)體封裝基座的背面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，所述位于底座1背面的手指6的位置與所
4述位于底座1正面的手指4的位置一一對(duì)應(yīng)，所述位置對(duì)應(yīng)的位于所述底座1背面和位于 所述底座1正面的手指間通過(guò)位于所述手指上的且貫通于所述底座1的通孔7電性連接。所述底座1的材質(zhì)為玻璃。因鋼化玻璃通?？赡?50°C以上的高溫，故所述底座1 優(yōu)選采用鋼化玻璃。所述引線3和位于所述引線3 —端的所述引腳5的材質(zhì)由位于底層的鎳層和位于 鎳層之上的金層構(gòu)成，所述鎳層的厚度為5 lOum，所述金層的厚度為1 1. 5um，所述金 層優(yōu)選采用軟金。形成所述引線3和所述引腳5時(shí)，首先在所述底座1的正面鍍所述鎳層， 再在所述鎳層上鍍所述金層。所述位于底座1正面的手指4與所述位于底座1背面的手指6的材質(zhì)為金，優(yōu)選 采用硬金，所述底座1正反面手指的厚度均大于0. 5um，通過(guò)將金鍍于所述底座1的表面而 成。請(qǐng)參看圖3，圖3為本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座另一種實(shí)施例的正面結(jié)構(gòu)示意圖。 在該實(shí)施例與圖1所示實(shí)施例不同的是，位于底座正面和背面的手指平行分布于底座的兩 側(cè)，而非底座的四周。請(qǐng)參看圖4，圖4為芯片粘結(jié)并引線鍵合至圖1所示的半導(dǎo)體封裝基座的結(jié)構(gòu)示意 圖。如圖4所示，芯片8被粘貼至所述底座1的載片區(qū)2上，通過(guò)鍵合引線9將芯片壓焊點(diǎn) 10與所述底座1上引線3的引腳5連接起來(lái)，形成芯片封裝體。請(qǐng)參看圖5，圖5為使用微光顯微鏡對(duì)封裝于本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝基座的芯片進(jìn) 行觀察分析的示意圖。如圖5所示，芯片8封裝于封裝基座11上，所述封裝基座11的背面 面對(duì)微光顯微鏡的鏡頭12，在所述封裝基座11背面的手指上加置偏壓，通過(guò)微光顯微鏡觀 察所述芯片8的光電放射實(shí)現(xiàn)對(duì)所述芯片8的失效分析顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝基座，包括底座，所述底座的材質(zhì)為玻璃；位于所述底座正面的載片區(qū)，用于固定半導(dǎo)體芯片；至少一個(gè)位于所述底座正面的手指；位于所述底座正面的引線，每一個(gè)位于所述底座正面的手指對(duì)應(yīng)連接一條所述引線的 一端，所述引線的另一端具有引腳，所述引腳分布在所述載片區(qū)的周?chē)?；以及至少一個(gè)位于所述底座背面的手指，所述位于底座背面的手指的位置與所述位于 底座正面的手指的位置一一對(duì)應(yīng)，所述位置對(duì)應(yīng)的位于所述底座背面和位于所述底座正面 的手指間通過(guò)位于所述手指上的且貫通于所述底座的通孔電性連接。
2.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述底座的材質(zhì)為鋼化玻璃。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述引線和所述引腳的材質(zhì)由 位于底層的鎳層和位于鎳層之上的金層構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述鎳層的厚度為5 lOum。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述金層的厚度為1 1.5um。
6.如權(quán)利要求3或5所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述金層為軟金。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述位于底座正面的手指和所 述位于底座背面的手指的材質(zhì)為金。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述位于底座正面的手指和所 述位于底座背面的手指的材質(zhì)為硬金。
9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝基座，其特征在于，所述位于底座正面的手指和所 述位于底座背面的手指的厚度均大于0. 5um。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝基座，包括底座，所述底座的材質(zhì)為玻璃；位于所述底座正面的載片區(qū)，用于固定半導(dǎo)體芯片；至少一個(gè)位于所述底座正面的手指；位于所述底座正面的引線，每一個(gè)位于所述底座正面的手指對(duì)應(yīng)連接一條所述引線的一端，所述引線的另一端具有引腳，所述引腳分布在所述載片區(qū)的周?chē)?；以及至少一個(gè)位于所述底座背面的手指，所述位于底座背面的手指的位置與所述位于底座正面的手指的位置一一對(duì)應(yīng)，所述位置對(duì)應(yīng)的位于所述底座背面和位于所述底座正面的手指間通過(guò)位于所述手指上的且貫通于所述底座的通孔相連接。該封裝基座易于實(shí)現(xiàn)芯片與封裝基座之間的引線連接，可有效提高通過(guò)微光顯微鏡對(duì)芯片進(jìn)行失效分析的質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L23/15GK102074543SQ200910199210
公開(kāi)日2011年5月25日 申請(qǐng)日期2009年11月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月20日
發(fā)明者李剛, 鄭鵬飛 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司