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電阻結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:6938336閱讀:246來源:國知局
專利名稱:電阻結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì),特別涉及電阻結(jié)構(gòu)。
技術(shù)背景
常規(guī)的電阻結(jié)構(gòu)為兩端結(jié)構(gòu),當(dāng)其上有電流經(jīng)過時,由于電流經(jīng)過的有效方塊 數(shù)等于該電阻兩端間的方塊數(shù),因此模擬該類型電阻結(jié)構(gòu)的阻值只需通過簡單計(jì)算電阻 兩端間的方塊數(shù)即可。但該方法對于多端結(jié)構(gòu)的電阻就不太適合。
圖1為一種多端結(jié)構(gòu)的電阻示意圖。參照圖1所示,電阻10包括線型的電 阻本體、電阻10的兩個終端11、12、終端11、12之間的兩個引出端13、14。所述終端 11、12以及引出端13、14通過在電阻本體的相應(yīng)延伸部分形成接觸孔來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)在終端 11及引出端13間有電流通過時,所述電阻10中電流經(jīng)過的有效方塊數(shù)并非是終端11及 引出端13之間的方塊數(shù)。
圖2為圖1所示電阻在終端11及引出端13間有電流通過時的一種近似示意圖。 參照圖2所示,此時,電流經(jīng)由終端11處的接觸孔向引出端13傳輸?shù)穆窂匠尸F(xiàn)出向引出 端13處的接觸孔或接觸孔間集中的趨勢。因此,此時電阻10中電流經(jīng)過的有效方塊數(shù) 就不是終端11及引出端13之間的全部方塊數(shù)。并且,要準(zhǔn)確計(jì)算該電流經(jīng)過的有效方 塊數(shù)是相當(dāng)困難的。因而,目前的電阻結(jié)構(gòu)并不太符合準(zhǔn)確模擬電阻結(jié)構(gòu)阻值的要求。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)電阻結(jié)構(gòu)不太符合準(zhǔn)確模擬電阻結(jié)構(gòu)阻值的要求的問題。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種電阻結(jié)構(gòu),包括線型的電阻本體、電阻本體 兩端具有接觸孔的終端以及兩個終端間的多個引出端,其中,所述引出端包括與所述電 阻本體交叉電氣連接的導(dǎo)電介質(zhì),所述引出端至少在電阻本體的一側(cè)具有與所述導(dǎo)電介 質(zhì)電氣連接的接觸孔,所述導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率匹配于所述接觸孔的電阻率。
可選地,所述引出端在電阻本體的一側(cè)具有與所述導(dǎo)電介質(zhì)電氣連接的接觸 孔。
可選地,所述引出端在電阻本體的兩側(cè)均具有與所述導(dǎo)電介質(zhì)電氣連接的接觸 孔。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,上述電阻結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn)所述引出端通過導(dǎo)電介質(zhì)與所 述電阻本體交叉相連,使得所述導(dǎo)電介質(zhì)與電阻本體交叉相連的部分成為引出端在電阻 本體上的延伸部分,當(dāng)電流在電阻結(jié)構(gòu)的終端及引出端間傳輸時,電流路徑將呈現(xiàn)沿電 阻本體的兩個終端方向分布的趨勢。所述電阻結(jié)構(gòu)上電流經(jīng)過的有效方塊數(shù)將可以進(jìn)行 準(zhǔn)確地計(jì)算,滿足了準(zhǔn)確模擬電阻結(jié)構(gòu)阻值的要求。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種多端結(jié)構(gòu)的電阻示意圖2是圖1所示電阻在終端11及引出端13間有電流通過時的一種近似示意圖3是本發(fā)明電阻結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施例示意圖4是圖3所示電阻在終端110及引出端130間有電流通過時的一種近似示意圖。
具體實(shí)施方式
通過以上對現(xiàn)有技術(shù)的多端結(jié)構(gòu)的電阻說明可知,現(xiàn)有技術(shù)的多端結(jié)構(gòu)的電 阻,電阻本體材料的電阻率遠(yuǎn)大于終端及引出端處的接觸孔的電阻率。由于現(xiàn)有技術(shù)的 多端結(jié)構(gòu)的電阻的引出端是通過在電阻本體的兩個終端間的延伸部分上形成接觸孔來實(shí) 現(xiàn)的,當(dāng)電流在電阻結(jié)構(gòu)的終端及引出端間傳輸時,電流就呈現(xiàn)出向具有較小電阻率的 接觸孔區(qū)域集中的趨勢。
因此,若能夠使得電阻本體上也存在具有較小電阻率且與引出端電氣連接的區(qū) 域,則應(yīng)能夠改善所述電流集中的現(xiàn)象。
參照圖3所示,本發(fā)明電阻結(jié)構(gòu)100的一種實(shí)施例包括
電阻本體(圖未標(biāo));
電阻本體兩端具有接觸孔的終端110、120 ;
終端110、120之間的引出端130、140,所述引出端130包括與所述電阻本體交 叉電氣連接的導(dǎo)電介質(zhì)131,所述引出端140包括與所述電阻本體交叉電氣連接的導(dǎo)電介 質(zhì) 141。
其中,導(dǎo)電介質(zhì)131、141的電阻率匹配于所述接觸孔的電阻率。例如,所述接 觸孔的電阻率為12歐姆 米(Ω - m),則所述導(dǎo)電介質(zhì)131、141的電阻率可以為8歐 姆 米。而相對來說,電阻本體的電阻率遠(yuǎn)大于所述接觸孔以及所述導(dǎo)電介質(zhì)131、141 的電阻率,通常可以達(dá)到300歐姆 米。需要說明的是,此處電阻率的數(shù)據(jù)僅為舉例, 并非用以限定??蛇x地,所述導(dǎo)電介質(zhì)131、141的材料可以為多晶硅。
其中,終端110、120的接觸孔位于電阻本體兩端的延伸部分上。
引出端130在電阻本體的兩側(cè)均具有接觸孔,所述接觸孔位于電阻本體沿引出 端130方向的延伸部分上,且與所述導(dǎo)電介質(zhì)131電氣連接。
引出端140在電阻本體的兩側(cè)均具有接觸孔,所述接觸孔位于電阻本體沿引出 端140方向的延伸部分上,且與所述導(dǎo)電介質(zhì)141電氣連接。
上述電阻結(jié)構(gòu)100的實(shí)施例中,終端110、120,以及引出端130、140的接觸孔 的數(shù)量由接觸孔電阻的設(shè)計(jì)要求及電阻結(jié)構(gòu)的面積容限限定。此處僅舉例性說明如下 終端110、120分別具有四個接觸孔,引出端130、140在電阻本體的兩側(cè)分別具有兩個接 觸孔。
圖4為圖3所示電阻在終端110及引出端130間有電流通過時的一種近似示意 圖。參照圖4所示,由于導(dǎo)電介質(zhì)構(gòu)成了引出端130在電阻本體上的延伸部分,相當(dāng)于引 出端130的導(dǎo)通區(qū)域不再只局限于接觸孔部分,還包括了所述導(dǎo)電介質(zhì)覆蓋的區(qū)域。并 且,所述導(dǎo)電介質(zhì)以及接觸孔的電阻率都遠(yuǎn)小于電阻本體。因此,當(dāng)電流經(jīng)由終端110 處的接觸孔向引出端130傳輸時,電流路徑將呈現(xiàn)出更加均勻的分布趨勢,例如圖4中顯 示的四條幾乎平行的電流路徑。此時,相對于前述提及的現(xiàn)有技術(shù)電阻結(jié)構(gòu)中電流集中的情況,本例中電流路徑經(jīng)過的有效方塊數(shù)能夠進(jìn)行更為準(zhǔn)確的計(jì)算,以方便準(zhǔn)確地模 擬所述電阻結(jié)構(gòu)的阻值。
同理可知,對于電流經(jīng)由終端110處的接觸孔向引出端140傳輸?shù)那闆r,電流經(jīng) 由終端120處的接觸孔向引出端140傳輸?shù)那闆r,電流經(jīng)由終端120處的接觸孔向引出端 130傳輸?shù)那闆r,也能夠準(zhǔn)確地計(jì)算出相應(yīng)的有效面積。
此外,本例中引出端130、140在電阻本體的兩側(cè)均具有接觸孔,也使得電流傳 輸時分布更均勻。當(dāng)然,若引出端僅在電阻本體的一側(cè)具有接觸孔,相對現(xiàn)有技術(shù)的電 阻結(jié)構(gòu)來說,也同樣具有更均勻的電流分布情況。此處就不再對于引出端僅在電阻本體 的一側(cè)具有接觸孔的情況贅述了。
綜上所述,本發(fā)明電阻結(jié)構(gòu)的引出端通過導(dǎo)電介質(zhì)與所述電阻本體交叉相連, 使得所述導(dǎo)電介質(zhì)與電阻本體交叉相連的部分成為引出端在電阻本體上的延伸部分,當(dāng) 電流在電阻結(jié)構(gòu)的終端及引出端間傳輸時,電流路徑將呈現(xiàn)沿電阻本體的兩個終端方向 分布的趨勢。所述電阻結(jié)構(gòu)上電流經(jīng)過的有效方塊數(shù)將可以進(jìn)行準(zhǔn)確地計(jì)算,滿足了準(zhǔn) 確模擬電阻結(jié)構(gòu)阻值的要求。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上,但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技 術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動與修改,因此本發(fā)明的保護(hù) 范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種電阻結(jié)構(gòu),包括線型的電阻本體、電阻本體兩端具有接觸孔的終端以及兩個 終端間的多個引出端,其特征在于,所述引出端包括與所述電阻本體交叉電氣連接的導(dǎo) 電介質(zhì),所述引出端至少在電阻本體的一側(cè)具有與所述導(dǎo)電介質(zhì)電氣連接的接觸孔,所 述導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率匹配于所述接觸孔的電阻率。
2.如權(quán)利要求1所述的電阻結(jié)構(gòu),其特征在于,所述引出端在電阻本體的一側(cè)具有與 所述導(dǎo)電介質(zhì)電氣連接的接觸孔。
3.如權(quán)利要求1所述的電阻結(jié)構(gòu),其特征在于,所述引出端在電阻本體的兩側(cè)均具有 與所述導(dǎo)電介質(zhì)電氣連接的接觸孔。
4.如權(quán)利要求1所述的電阻結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率匹配小于或等 于所述接觸孔的電阻率。
5.如權(quán)利要求1所述的電阻結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)電介質(zhì)的材料為多晶硅。
全文摘要
一種電阻結(jié)構(gòu),包括線型的電阻本體、電阻本體兩端具有接觸孔的終端以及兩個終端間的多個引出端,其中,所述引出端包括與所述電阻本體交叉電氣連接的導(dǎo)電介質(zhì),所述引出端至少在電阻本體的一側(cè)具有與所述導(dǎo)電介質(zhì)電氣連接的接觸孔,所述導(dǎo)電介質(zhì)的電阻率匹配于所述接觸孔的電阻率。所述電阻結(jié)構(gòu)上電流經(jīng)過的有效方塊數(shù)將可以進(jìn)行準(zhǔn)確地計(jì)算,滿足了準(zhǔn)確模擬電阻結(jié)構(gòu)阻值的要求。
文檔編號H01C1/16GK102024539SQ200910195960
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月17日
發(fā)明者張昊, 許丹 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
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