專利名稱：發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝方法，特別是涉及一種發(fā)光二極管封裝方法。
背景技術：
芯片倒裝焊封裝技術被廣泛應用于半導體組件封裝技術，對于發(fā)光二極管
而言，芯片倒裝焊封裝技術具有可提升發(fā)光效率的優(yōu)點。但是，公知適用于芯
片倒裝焊封裝工藝的發(fā)光二極管封裝結構，使用金球用以連接發(fā)光二極管的電 極與封裝結構的導電引腳，因而所需的設備有別于傳統(tǒng)發(fā)光二極管封裝工藝設備。
公知芯片倒裝焊封裝工藝的設備至少需要超音波裝置，使發(fā)光二極管電極 上的金球與導電引腳上的金球，在磨擦時能產(chǎn)生足夠的熱將兩磨擦的金球熔化 而連接。因此，導入此種新技術往往伴隨很高的設備投資及新設備調(diào)整所帶來 的成本增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，來解決上 述公知技術設備投資高、成本高等問題。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方 法形成一光刻膠層于一發(fā)光二極管芯片上。借曝光與顯影方式圖案化光刻膠 層來裸露出發(fā)光二極管芯片的要形成凸塊焊墊的區(qū)域。形成數(shù)個凸塊焊墊于發(fā) 光二極管芯片的裸露區(qū)域。提供具有一凹陷的一封裝底座。借異方性導電膠將 發(fā)光二極管芯片以具有凸塊焊墊的表面粘貼于封裝底座的凹陷內(nèi)。
由上所述，本發(fā)明發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，可以減少許多工藝 成本及工時，并可克服支架因材質(zhì)不適合作超音波芯片倒裝焊鍵合工藝的問 題。
以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1至圖4為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種適用于芯片倒裝焊封裝方式
的發(fā)光二極管的凸塊焊墊制造的流程圖；以及
圖5至圖6為依照本發(fā)明一較佳實施例的一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封
裝方式。
其中，附圖標記
跳發(fā)光二極管芯片112a:導電引腳
106:光刻膠層112b:導電引腳
106a:圖案化凹陷114:異方性導電膠
107:透光區(qū)114a:導電粒子
跳凸塊焊墊114b:粘膠
跳表面115:凹陷
110:反光層115a:凹陷底面
m:表面116:發(fā)光方向
112:封裝底座
具體實施例方式
如上所述，本發(fā)明提出一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝結構與方法，以 下將配合較佳實施例來詳細說明此發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝結構與方法。
請參考圖1至圖4，為一種發(fā)光二極管的凸塊焊墊制造流程的剖面圖。此 發(fā)光二極管的凸塊焊墊制造方式加入光刻工藝(photolithography)借以迅速、 準確的形成凸塊焊墊于發(fā)光二極管芯片上。光刻工藝有助于凸塊焊墊之間的距
離能縮的更窄。
在圖1中，首先在尚未切割的數(shù)個發(fā)光二極管芯片104上，形成一光刻膠 層106。
在圖2中，光刻膠層106接著以曝光與顯影方式圖案化，進而形成數(shù)個圖 案化凹陷106a。數(shù)個圖案化凹陷106a用以裸露出發(fā)光二極管芯片106的要形 成凸塊焊墊的區(qū)域。在圖3中，使用蒸鍍、電鍍或印刷方式將金屬焊墊材料填入數(shù)個圖案化凹
陷106a內(nèi)。
在圖4中，去除光刻膠層106，而形成凸塊焊墊108于發(fā)光二極管芯片104上。
請參考圖5至圖6，為一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方式。當上述數(shù) 個發(fā)光二極管芯片104被切割后，接著分別芯片倒裝焊封裝至封裝底座112 內(nèi)。封裝底座112包含兩導電引腳112a、112b與一凹陷115。兩導電引腳112a、 112b均裸露于凹陷115內(nèi)并凸出于封裝底座112夕卜。兩導電引腳112a、 112b 凸出于封裝底座112外的部分用以焊接于另一電路基板(圖中未示)上作為電 性連接之用。當發(fā)光二極管芯片104尚未粘貼于封裝底座112的凹陷115內(nèi)前， 先填入一異方性導電膠114(Anisotropic Conductive Paste)。異方性導電膠 114是一種導電粒子114a與粘膠114b的混合物。當發(fā)光二極管芯片104粘貼 于凹陷115內(nèi)時，部分導電粒子114a用以電性連接凸塊焊墊108與導電引腳 112a、 U2b。但是，因?qū)щ娏Ｗ?14a小于發(fā)光二極管芯片104與凹陷底面115a 的間隙且被絕緣的粘膠114b所包覆，故兩凸塊焊墊108或兩導電引腳112a、 112b之間是絕緣的。異方性導電膠114可以借烤箱烘烤而加速凝固。在發(fā)光 二極管芯片104粘貼于凹陷115后，接著可以填入透明封裝膠體(圖中未示) 將發(fā)光二極管芯片104固定于凹陷115內(nèi)。
此外，可以在發(fā)光二極管芯片104內(nèi)，制造增加一反光層110(例如一金 屬層)于透光區(qū)107內(nèi)(例如P型電極區(qū))。反光層110的目的是阻擋并反射朝 向表面109的光線，使發(fā)光二極管芯片104集中從表面111出光(例如沿方向 116)，使發(fā)光二極管芯片104出光效率更佳。
由上述本發(fā)明較佳實施例可知，應用本發(fā)明的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封 裝結構以及方法，可在量產(chǎn)時比公知的超音波金/金芯片倒裝焊鍵合工藝減少 許多成本及工時。此外，本芯片倒裝焊封裝結構及方法可克服支架因材質(zhì)不適 合作超音波芯片倒裝焊鍵合工藝的問題。
當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情 況下，熟悉本領域的技術人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但這 些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1、一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，其特征在于，至少包含形成一光刻膠層于一發(fā)光二極管芯片上；借曝光與顯影方式圖案化該光刻膠層以裸露出該發(fā)光二極管芯片的要形成凸塊焊墊的區(qū)域；形成數(shù)個凸塊焊墊于該發(fā)光二極管芯片的裸露區(qū)域；提供具有一凹陷的一封裝底座；以及借異方性導電膠將該發(fā)光二極管芯片以具有凸塊焊墊的該表面粘貼于該封裝底座的該凹陷內(nèi)。
2、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，其特征在 于，該異方性導電膠包含數(shù)個導電粒子與粘膠。
3、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，其特征在 于，該封裝底座包含兩導電引腳，該兩導電引腳均裸露于該凹陷并凸出于該封 裝底座外。
4、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的芯片倒裝悍封裝方法，其特征在 于，該發(fā)光二極管芯片內(nèi)具有一反光層接近具有凸塊焊墊的該表面。
5、 根據(jù)權利要求4所述的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，其特征在 于，該反光層位于該發(fā)光二極管芯片的一透光區(qū)內(nèi)。
6、 根據(jù)權利要求5所述的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，其特征在 于，該透光區(qū)為一P型電極區(qū)。
7、 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，其特征在 于，這些凸塊焊墊以蒸鍍、電鍍或印刷方式形成于該發(fā)光二極管芯片的裸露區(qū) 域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，至少包含形成一光刻膠層于一發(fā)光二極管芯片上；借曝光與顯影方式圖案化該光刻膠層以裸露出該發(fā)光二極管芯片的要形成凸塊焊墊的區(qū)域；形成數(shù)個凸塊焊墊于該發(fā)光二極管芯片的裸露區(qū)域；提供具有一凹陷的一封裝底座；以及借異方性導電膠將該發(fā)光二極管芯片以具有凸塊焊墊的該表面粘貼于該封裝底座的該凹陷內(nèi)。本發(fā)明的發(fā)光二極管的芯片倒裝焊封裝方法，可在量產(chǎn)時比公知的超音波金/金芯片倒裝焊鍵合工藝減少許多成本及工時。
文檔編號H01L33/00GK101640245SQ20091015931
公開日2010年2月3日 申請日期2007年4月26日 優(yōu)先權日2007年4月26日
發(fā)明者吳易座, 張嘉顯, 趙自皓 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司