專利名稱：垂直配向的液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種垂直配向的(vertically aligned)液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是使用最廣泛的平板顯示器之一。LCD具有兩個顯 示面板，例如像素電極和公共電極的場產(chǎn)生電極設(shè)置在兩個顯示面板上，液 晶(LC)層設(shè)置在兩個顯示面板之間。LCD還包括連接到像素電極的多個 薄膜晶體管以及例如數(shù)據(jù)線和柵極線的多條信號線，從而通過控制開關(guān)元件
向像素電極施加電壓。
在LCD中，垂直配向(VA)模式的LCD由于其高的對比度和寬的視 角而受到關(guān)注，在垂直配向模式的LCD中LC分子被配向使得LC分子的長 軸在沒有電場的情況下垂直于面板。
在VA^^莫式的LCD中，寬的視角可以通過光照射^f吏配向?qū)优湎驈亩鳯C 分子具有預(yù)傾斜角(pre-tilt angle )來實現(xiàn)。
為實現(xiàn)寬的視角，LC分子應(yīng)該具有至少四個方向的預(yù)傾斜角，從而配 向?qū)颖环殖伤膫€區(qū)域，每個區(qū)域都被照射。每個區(qū)域的光照射通過遮光板 (shadow mask)來控制，從而光只照射在所需的部分上。然而，遮光板和 光照射工藝的數(shù)目隨著區(qū)域數(shù)目的增大而增大，從而使制造工藝復(fù)雜化。
而且，因為LC分子相對于基板的表面預(yù)傾斜，光泄漏可以在常黑模式 的LCD的黑色狀態(tài)中產(chǎn)生，從而對比度會降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了 一種制造LCD的方法，其中用于形成LC分子的預(yù)傾斜角 的光照射工藝的數(shù)目可以被最小化。
本發(fā)明還提供了一種可以具有改善的對比度的LCD。 本發(fā)明的其它的特征將在下面的描述中闡述，并將從該描述中部分地變得明顯，或者可以通過本發(fā)明的實踐而習(xí)知。
本發(fā)明公開了一種LCD，該LCD包括第一基板；設(shè)置在第一基板上 的第一信號線；第二信號線，設(shè)置在第一基板上并與第一信號線交叉；開關(guān) 元件，設(shè)置在第一基板上并連接到第一信號線和第二信號線；第一傾斜構(gòu)件， 設(shè)置在開關(guān)元件上并包括脊(ridge )、谷(valley)以及在脊與谷之間的傾斜 表面；像素電極，設(shè)置在第一傾斜構(gòu)件上并連接到開關(guān)元件；第一配向?qū)樱?設(shè)置在像素電極上并相對于第一基板的表面垂直地配向；面對第一基板的第 二基板；公共電極；設(shè)置在第二基板上；以及液晶層，設(shè)置在第一配向?qū)优c 乂^共電4及之間。
本發(fā)明還公開了一種制造LCD的方法，該方法包括形成第一顯示面板， 第一顯示面板包括第一基板；第一傾斜構(gòu)件，包括谷、脊以及在谷與脊之 間的傾斜表面；像素電極，設(shè)置在第一傾斜構(gòu)件上；以及第一配向?qū)?，設(shè)置 在像素電極上。該方法還包括形成第二顯示面板，第二顯示面板包括第二 基板、公共電極以及設(shè)置在公共電極上的第二配向?qū)?；進(jìn)行光照使第一配向 層在相對于第一基板的表面垂直的方向上配向；進(jìn)行光照使第二配向?qū)釉谙?對于第二基板的表面垂直的方向上配向；以及使第一顯示面板與第二顯示面 板結(jié)合。
應(yīng)當(dāng)理解，前述的一般描述和隨后的詳細(xì)描述是示范性和解釋性的，其 目的是為了提供如所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步的解釋。


附圖被包括以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，并且被并入和構(gòu)成本說明書的一 部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與描述-"^用于解萍奪本發(fā)明的原理。 圖1是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的LCD的布局圖Uayoutview); 圖2是沿圖1的II-II線得到的橫截面圖3和圖4示出了制造圖1和圖2所示液晶顯示器的光配向的光發(fā)射步
驟；
圖5示出圖1和圖2中示出的LCD中的LC分子的預(yù)傾斜角； 圖6是根據(jù)本發(fā)明另 一個示范性實施例的LCD的布局圖； 圖7、圖8、圖9、圖IOA、圖IOB和圖11是根據(jù)本發(fā)明其它示范性實 施例的LCD的^f黃截面圖。
具體實施例方式
在下文中將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的示范 性實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式實施，而不應(yīng)被解釋為僅限 于此處所述的實施例。并且，提供這些實施例是為了^f吏本公開透徹和完整， 并且將本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見， 層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸可以被夸大。附圖中相同的附圖標(biāo)記指代相同的 元件。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一個元件或?qū)釉诹硪辉驅(qū)?上"、"連接到"另一元 件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由匣蛑苯舆B接到另一元件或?qū)?，或?還可以存在插入的元件或?qū)?。相反，?dāng)稱一個元件"直接在"另一元件或?qū)?上、"直接連接到"另一元件或?qū)訒r，不存在插入的元件或?qū)印?br> 圖i是根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的lcd的布局圖，圖2是沿圖i的n-n 線得到的橫截面圖。
參照圖1和圖2,根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的LCD包括互相面對的薄膜 晶體管陣列面板100和公共電極面板200以及在兩個顯示面板100與200之 間的液晶層3。
首先，將參照圖1和圖2描述薄膜晶體管陣列面板100。
多條柵極線121和多條存儲電極線131設(shè)置在絕緣基板110上，絕緣基 板110可以由材料例如透明的玻璃或塑料制成。
柵極線121基本上沿橫向延伸，并傳輸柵極信號。每條柵極線121包括 向上突出的多個柵極電極124。
存儲電極線131被提供預(yù)定的電壓，并且基本上平行于柵極線121延伸。 每條存儲電極線131設(shè)置在兩條相鄰柵極線l21之間的中間點(halfway point)。存儲電極線131包括向上和向下延伸的多個存儲電極133。
柵極絕緣層140可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成，柵極絕 緣層140設(shè)置在柵極線121和存儲電極線131上。
多個半導(dǎo)體島154設(shè)置在柵極絕緣層140上，半導(dǎo)體島154可以由氫化 的非晶硅(縮寫為"a-Si")或多晶硅制成。半導(dǎo)體島154設(shè)置在柵極電極 124上。
多個成對的歐姆接觸島165和167設(shè)置在半導(dǎo)體島154上。歐姆接觸島
8165和167可以由用例如磷的n型雜質(zhì)重?fù)诫s的n+氫化的a-Si制成，或者它 們可以由硅化物制成。
多條數(shù)據(jù)線171和多條漏極電極線175設(shè)置在歐姆接觸165和167以及 才冊極絕纟彖層140上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)電壓并基本上沿縱向延伸，且與柵極線121和存儲 電極線131交叉。每條數(shù)據(jù)線171包括多個源極電極173，多個源極電極173 向柵極電極124突出并彎曲成"U"狀。
漏極電極175與數(shù)據(jù)線171分隔開，并相對于柵極電極124與源極電極 173相對。
每個漏極電極175包括具有大面積的寬端部177以及具有條形的另一端 部。寬端部177與存儲電極133交疊，條形的端部#1源才及電才及173部分地圍繞。
柵極電極124、源極電極173和漏極電極175連同半導(dǎo)體島154 —起形 成具有溝道的TFT,該溝道在源極電極173與漏極電極175之間的半導(dǎo)體島 154中形成。
鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175以及暴露的半導(dǎo)體島154 上。鈍化層180可以在必要時省略。
多個傾斜構(gòu)件160設(shè)置在鈍化層180上，多個傾斜構(gòu)件160形成脊161、 162、 163和164以及谷。傾斜構(gòu)件160可以由有才幾層制成。
傾斜構(gòu)件160和鈍化層180具有暴露漏極電極175的寬端部177的多個 接觸孔181。
多個像素電極190設(shè)置在傾斜構(gòu)件160上。像素電極190可以由例如ITO 或IZO的透明導(dǎo)體制成，或者可以由例如Ag、 Al、鉻或其合金的反光導(dǎo)體 制成。像素電極190通過接觸孔181連接到漏極電極l乃的寬端部177,并 包括多個剪切部分(cutout) 191、 192和193。
由傾斜構(gòu)件160形成的谷和脊161、 162、 163、 164將在下面詳細(xì)地描述。
第一脊161包括桿(stem),平行于柵極線121并與存儲電極133交 疊；上傾斜部分(upper oblique portion)和下傾斜部分，分別從桿沿傾斜方 向向上和向下傾斜；上分支(upper branch),從上傾斜部分向上延伸，平行 于數(shù)據(jù)線171，并近似地與像素電極190的右邊緣交疊；下分支，從下傾斜部分向下延伸，平行于數(shù)據(jù)線171,并與像素電極190的右邊緣交疊。
第二脊162包括中央部分，與數(shù)據(jù)電極133交叉且與像素電極190的左邊緣交疊；上傾斜部分和下傾斜部分，從中央部分沿傾斜方向分別向上和向下延伸；上分支，從上傾斜部分向上延伸，平行于數(shù)據(jù)線171，并與像素電極190的右邊緣交疊；下分支，從下傾斜部分向下延伸，平行于數(shù)據(jù)線171，并與像素電極190的右邊緣交疊。
第三脊163包括傾斜部分(oblique portion),設(shè)置在像素電極190的左下角上并沿傾斜方向延伸；縱向分支，從傾斜部分向上延伸，平行于數(shù)據(jù)線171,并與像素電極190的左邊緣交疊；橫向分支，從傾斜部分向右延伸，平行于柵極線121,并與像素電極190的下邊緣交疊。
第四脊164包括傾斜部分，設(shè)置在像素電極190的左上角上并沿傾斜方向延伸；縱向分支，從傾斜部分向下延伸，平行于數(shù)據(jù)線171,并與像素電極190的左邊緣交疊；橫向分支，由傾斜部分向右延伸，平行于柵極線121,并與像素電極190的上邊緣交疊。
谷設(shè)置在脊161、 162、 163和164之間。也就是，谷設(shè)置在第一脊161與第二脊162、第二脊162與第三脊163以及第二脊162和第四脊164中的每個之間。像素電極190的剪切部分191、 192和193設(shè)置在谷中。第一剪切部分191設(shè)置在第一脊161與第二脊162之間，并可以具有側(cè)向放置的"V"形狀；第二剪切部分192和第三剪切部分193，分別設(shè)置在第二脊與第三脊以及第二脊與第四脊之間，可以具有沿傾斜方向延伸的條狀。
傾斜表面形成于脊161、 162、 163和164與谷之間。傾斜表面相對于基板110的傾斜角可以為大約0.5°到5°。如果角度小于0.5°， LC分子的預(yù)傾斜角不會產(chǎn)生；如果角度大于5。，傾斜表面會變得陡峭，從而會使LC分子通過光配向相對于基板110垂直配向變得困難。
下配向?qū)?1設(shè)置在像素電極190上。下配向?qū)?1通過例如紫外線的光照射相對于基板110垂直配向。因此，接觸下配向?qū)?1的LC分子相對于基板110垂直地布置。
接著，將參照圖1和圖2描述公共電極板200。
光阻擋構(gòu)件220設(shè)置在絕緣基板210上，光阻擋構(gòu)件220可以是包括鉻和氧化鉻或有機材料的單層或雙層，絕緣基板210可以由透明的玻璃或塑料制成，濾色器230設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220上。光阻擋構(gòu)件220可以具有以矩陣形狀布置的多個開口，濾色器230包括紅色、綠色、藍(lán)色的濾色器或者紅色、綠色、藍(lán)色和白色的濾色器，并填充光阻擋構(gòu)件220的開口。
覆蓋層(overcoat) 250設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220和濾色器230上，覆蓋層250可以由透明的有機絕緣材料制成；公共電極270設(shè)置在覆蓋層250上，公共電極270可以由例如ITO或IZO的透明的導(dǎo)電材料制成。覆蓋層250可以—皮省略。
上配向?qū)?1設(shè)置在公共電極270上。上配向?qū)?1通過例如紫外線的光照射相對于基板210垂直地配向。因此，接觸上配向?qū)?1的LC分子相對于基板210垂直地布置。
LC層3包括具有負(fù)介電各向異性(negative dielectric anisotropy )的LC分子，從而LC分子通過下配向?qū)?1和上配向?qū)?1最初垂直于基板110和210布置。
現(xiàn)在將參照圖3和圖4描述在制造圖1和圖2中示出的液晶顯示器的過程中進(jìn)行的光配向。
圖3示出通過光照使下配向?qū)?1配向的工藝，圖4示出通過光照使上配向?qū)?1配向的工藝。
如圖3和圖4所示，在光垂直照射到兩個基^反110和210的表面期間，下配向?qū)?1和上配向?qū)?1最初通過例如采用紫外線的光照射來配向。這里，光照射可以通過線性橫截面的光束掃描來進(jìn)行。
光垂直照射到基板110和210的表面上，從而配向?qū)?1和21使LC分子垂直于基板110和210配向。這里，兩個配向?qū)?1和21分別通過單獨的光照射工藝來配向，從而簡化了光配向工藝。此外，在光照射期間可以不必部分地覆蓋配向?qū)?1和21，所以可以不需要遮光板，從而減小了制造成本。
接著，當(dāng)下配向?qū)?1和上配向?qū)?1的光配向完成時，兩個顯示面板100和200被結(jié)合，LC分子被注入到兩者之間。LC分子可以在兩個顯示面板100和200由密封劑結(jié)合后采用壓力差注入，或者通過在兩個顯示面板100或200之一的外圍形成密封劑、沉積LC分子于該板中、再將另 一個板200或100結(jié)合到該一反而注入。
這樣，傾斜構(gòu)件160被形成并且LC分子最初相對于基板110和210垂直地配向，從而亮度可以在黑色狀態(tài)下大大降低；預(yù)傾斜角被提供給LC分子從而LC分子可以易于形成多個LC域(domain )。將參照圖5對此進(jìn)行更
lii羊纟田的4苗述。
在圖5中，LC配向方向相對于基板110和210垂直并相對于傾斜構(gòu)件160的傾斜表面的法線成9角。這里，像素電極190設(shè)置在傾斜構(gòu)件160上，從而它"l妄照傾斜構(gòu)件160的傾斜表面形成。因此，當(dāng)電場施加到像素電極190與公共電極270之間時，電場線相對于像素電才及190附近的傾斜表面垂直。也就是，電場線形成在傾斜表面的法線方向， >人而LC分子具有相對于電場線的預(yù)傾斜角0。這樣，LC分子的預(yù)傾斜方向可以由施加的電壓決定，這可以提高LC分子的響應(yīng)速度；可以形成LC分子均勻地傾斜的多個域，這可以提高LCD的可視角度。這里，域被傾斜構(gòu)件160的脊161、 162、 163和164以及谷分開。
另一方面，在像素電極190與7>共電4及270之間沒有施加電場時，LC分子相對于基板110和210垂直地配向，從而通過LC層3的光的偏振受到LC分子最小的影響(如果有的話)。因此，在常黑模式的LCD的情況下，通過下偏振器的偏振光被上偏振器(檢偏器(analyzer))阻擋，從而黑色的亮度變得更小。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一個示范性實施例的LCD的布局圖。圖6的LCD的大部分部件與圖1和圖2中示出的LCD的相同，除了每個剪切部分191、 192和193具有多個微小狹縫(minute slits) 1911、 1921和1931。微小狹縫1911、 1921和1931沿垂直于剪切部分191、 192和193的長度方向延伸。微小狹縫1911、 1921和1931在配向?qū)?1和21的表面上形成溝槽，從而配向力可以在施加電場時一皮增強，LC分子通過該配向力相對于剪切部分191 、 192和193垂直地傾斜。
.圖7、圖8、圖9、圖IO和圖11是根據(jù)本發(fā)明其它示范性實施例的LCD的橫截面圖。
首先，圖7的LCD包括上配向?qū)?1'，上配向?qū)?1'可以由聚酰亞胺制成，與圖1和圖2的LCD中的相比，其為簡單的垂直配向?qū)?。圖7的上配向?qū)?1'在沒有光照射時配向，LC分子通過聚酰亞胺的性質(zhì)相對于基板210垂直地配向。與由光照射配向的配向?qū)拥呐湎蛄ο啾?，配向力可能是弱的。然而，可以省略額外的使上配向?qū)?1'配向的光照射工藝，從而簡化了 LCD的制造工藝。
接著，圖8的LCD包括/>共電才及270, />共電才及270包括剪切部分271。剪切部分271 #^居傾斜構(gòu)件160的脊在對應(yīng)于脊的位置形成。剪切部分271向平行于基板210的電場提供水平分量(horizontal component )，從而LC分子在每個域中均勻地配向。
圖9的LCD包括上基板210，上基板210具有形成脊的上傾斜構(gòu)件260。上傾斜構(gòu)件260具有脊和谷，上傾斜構(gòu)件260的脊"i殳置在對應(yīng)于下傾斜構(gòu)件160的谷位置處，上傾斜構(gòu)件260的谷設(shè)置在對應(yīng)于下傾斜構(gòu)件160的脊的位置處。這樣，當(dāng)具有脊和谷的上傾斜構(gòu)件260形成時，靠近上配向?qū)?1的LC分子也相對于電場線預(yù)傾斜，從而可以提高LC分子的響應(yīng)速度，并可以改善LC域中LC分子的排列的均勻性。
圖10A的LCD包括公共電極270上的突起(protrusions ) 280和設(shè)置在突起280上的上配向?qū)?1',突起280可以由有機材料制成。上配向?qū)?1'可以是由聚酰亞胺制成的普通垂直配向?qū)?。突?80根據(jù)傾斜構(gòu)件160的脊布置在對應(yīng)于脊的位置處。因此，突起280附近的LC分子相對于由突起280形成的傾斜表面垂直配向，從而它們具有相對于公共電極270的預(yù)傾斜角。這樣，當(dāng)突起280形成時，突起280附近的LC分子在施加電場時相對于電場線預(yù)傾斜，從而可以提高LC分子的響應(yīng)速度，并可以改善LC域中LC分子的配向均勻性。可選地，如圖10B所示，突起280可以設(shè)置在基板210與/>共電才及270之間。
圖11的LCD包括上配向?qū)?2和23,上配向?qū)?2和23 ^L分成多個區(qū)域，該多個區(qū)域通過光照射在不同的方向配向。上配向?qū)?2和23^皮分成各自的域并通過光照射配向，從而在每個域中LC分子向傾斜構(gòu)件160的谷傾斜。因此，參照圖11,上配向?qū)?2和23在四個方向配向。因此，當(dāng)上配向?qū)?2和23對于每個域以不同的方向配向時，上配向?qū)?2和23附近的LC分子相對于電場線預(yù)傾斜，從而可以提高LC分子的響應(yīng)速度，并可以改善LC域中LC分子的配向均勻性。
對本領(lǐng)域技術(shù)人員是明顯的，可以在本發(fā)明中進(jìn)行各種修改和變化而不背離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明的目的在于涵蓋本發(fā)明的修改和變化，只要這些修改和變化在附加的權(quán)利要求書及其等價物的范圍內(nèi)。
本申請要求于2008年2月15日提交的韓國專利申請第10-2008-0014173號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其內(nèi)容通過引用的方式整體并入本文中。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示器，包括第一基板；第一信號線，設(shè)置在所述第一基板上；第二信號線，設(shè)置在所述第一基板上并與所述第一信號線交叉；開關(guān)元件，設(shè)置在所述第一基板上，所述開關(guān)元件連接到所述第一信號線和所述第二信號線；第一傾斜構(gòu)件，設(shè)置在所述開關(guān)元件上，所述第一傾斜構(gòu)件包括脊、谷以及在該脊與該谷之間的傾斜表面；像素電極，設(shè)置在所述第一傾斜構(gòu)件上，所述像素電極連接到所述開關(guān)元件；第一配向?qū)?，設(shè)置在所述像素電極上，所述第一配向?qū)酉鄬τ谒龅谝换宓谋砻娲怪钡嘏湎?；第二基板，面對所述第一基板；公共電極，設(shè)置在所述第二基板上；以及液晶層，設(shè)置在所述第一配向?qū)优c所述公共電極之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括 第二配向?qū)?，設(shè)置在所述公共電極與所述液晶層之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中 所述第二配向?qū)邮怯删埘啺分瞥傻拇怪迸湎驅(qū)印?br> 4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中 所述第二配向?qū)影ň哂胁煌呐湎蚍较虻亩鄠€配向區(qū)域。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中 所述公共電極包括至少一個剪切部分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中所述至少一個剪切部分設(shè)置在對應(yīng)于所述第一傾斜構(gòu)件的脊的位置處。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，還包括 第二傾斜構(gòu)件，設(shè)置在所述第二基板和所述公共電極之間。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中所述第一傾斜構(gòu)件的脊和谷被分別設(shè)置在對應(yīng)于所述第二傾斜構(gòu)件的脊和谷的^立置處。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，還包括 有機突起層，設(shè)置在所述公共電極與所述第二配向?qū)又g。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中 所述有^L突起層設(shè)置在對應(yīng)于所述第一傾斜構(gòu)件的脊的位置處。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，還包括 有機突起層，設(shè)置在所述公共電極與所述第二基板之間。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中 所述有機突起層設(shè)置在對應(yīng)于所述第一傾斜構(gòu)件的脊的位置處。
13. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器，其中 所述第二配向?qū)酉鄬τ谒龅诙宓谋砻娲怪钡嘏湎颉?br> 14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中 所述像素電極包括至少一個剪切部分。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中 所述剪切部分設(shè)置在對應(yīng)于所述第一傾斜構(gòu)件的谷的位置處。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中所述第一傾斜構(gòu)件包括多個脊，所述第一傾斜構(gòu)件的谷設(shè)置在所述第一 傾斜構(gòu)件的兩個脊之間。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中 所述第一傾斜構(gòu)件包括第一脊、第二脊、第三脊和第四脊，其中 所述第一脊包括:桿，平行于所述第一信號線，上傾斜部分和下傾斜部分，分別從所述桿沿傾斜方向向上和向下延伸，上分支，從所述上傾斜部分向上延伸，平行于所述第二信號線，并 與所述i象素電極的右邊緣交疊，和下分支，從所述下傾斜部分向下延伸，平行于所述第二信號線，并 與所述像素電極的右邊緣交疊； 所述第二脊包括中央部分，與所述像素電極的左邊緣交疊，上傾斜部分和下傾斜部分，分別從所述中央部分沿傾斜方向向上和向下延伸，上分支，從所述上傾斜部分向上延伸，平行于所述第二信號線，并 與所述像素電極的右邊緣交疊，和下分支，從所述下傾斜部分向下延伸，平行于所述第二信號線，并與所述像素電極的右邊緣交疊； 所述第三脊包括傾斜部分，設(shè)置在所述像素電極的左下角，并沿傾斜方向延伸， 縱向分支，從所述傾斜部分向上延伸，平行于所述第二信號線，并 與所述像素電極的左邊緣交疊，和橫向分支，從所述傾斜部分沿右方向延伸，平行于所述第一信號線， 并與所述像素電極的下邊緣交疊；以及 所述第四脊包括傾斜部分，設(shè)置于所述像素電極的左上角，并沿傾斜方向延伸， 縱向分支，從所述傾斜部分向下延伸，平行于所述第二信號線，并 與所述像素電極的左邊緣交疊，和橫向分支，從所述傾斜部分沿右方向延伸，平行于所述第一信號線， 并與所述像素電極的上邊緣交疊。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中所述至少一個剪切部分包括第一剪切部分、第二剪切部分和第三剪切部分；所述第 一剪切部分設(shè)置在所述第 一脊與所述第二脊之間，所述第 一剪切部分具有"v"的形狀；以及所述第二剪切部分和所述第三剪切部分分別設(shè)置在所述第二脊與所述 第三脊以及所述第二脊與所述第四脊之間，所述第二剪切部分和所述第三剪 切部分具有沿傾斜方向延伸的條形。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中所述像素電極包括多個微小狹縫，該多個微小狹縫垂直于所述至少 一個 剪切部分的長度方向延伸。
20. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中所述第一傾斜構(gòu)件的所述傾斜表面相對于所述第一基板的表面形成從 0.5°到5。范圍內(nèi)的角度。
21. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中 所述像素電極包括至少一個剪切部分。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其中所述至少一個剪切部分設(shè)置在對應(yīng)于所述第一傾斜構(gòu)件的谷的位置處。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其中所述像素電極包括垂直于所述至少一個剪切部分的長度方向的微小狹縫。
24. —種制造液晶顯示器的方法，包括形成第一顯示面板，該第一顯示面板包括:第一基板；第一傾斜構(gòu)件， 包括谷、脊以及在谷與脊之間的傾斜表面；像素電極，設(shè)置在所述第一傾斜 構(gòu)件上；以及第一配向?qū)?，設(shè)置在所述像素電極上；形成第二顯示面板，該第二顯示面板包括第二基板、公共電極以及設(shè)置 在所述公共電極上的第二配向?qū)樱贿M(jìn)行光照射從而使所述第一配向?qū)釉谙鄬τ谒龅谝换宓谋砻娴拇?直方向配向；進(jìn)行光照射從而使所述第二配向?qū)釉谙鄬τ谒龅诙宓谋砻娴拇?直方向配向；以及使所述第一顯示面板與所述第二顯示面板結(jié)合。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中 所述光照射通過紫外線進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種垂直配向的液晶顯示器及其制造方法，該液晶顯示器包括第一信號線，設(shè)置在第一基板上；第二信號線，設(shè)置在第一基板上且與第一信號線交叉；開關(guān)元件，設(shè)置在第一基板上，并連接到第一信號線和第二信號線；第一傾斜構(gòu)件，設(shè)置在開關(guān)元件上，并形成脊、谷以及在脊與谷之間的傾斜表面；像素電極，設(shè)置在第一傾斜構(gòu)件上并連接到開關(guān)元件；第一配向?qū)?，設(shè)置在像素電極上，并相對于第一基板的表面垂直地配向；面對第一基板的第二基板；公共電極，設(shè)置在第二基板上；以及液晶層，設(shè)置在第一配向?qū)优c公共電極之間。
文檔編號H01L27/12GK101510032SQ20091000108
公開日2009年8月19日 申請日期2009年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月15日
發(fā)明者昔俊亨, 申暻周, 蔡鐘哲, 鄭美惠 申請人:三星電子株式會社