專利名稱：電子元件以及電子元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種電子元件以及該電子元件的制造方法。
背景技術(shù)：
在以線圈元件為代表的電子元件中，用電弧焊接來把金屬端子與導(dǎo)線接合在一起的方法得到了應(yīng)用(參照下述專利文獻(xiàn)1、2)。電弧焊接是在作為焊接母材的金屬端子與焊接電極之間產(chǎn)生超高溫的電弧，從而使金屬端子熔融，進(jìn)而與扎繞在其上的導(dǎo)線接合在一起的方法。這里，專利文獻(xiàn)2中記載了一種有關(guān)焊接方法的發(fā)明，其是對被電弧所熔融的熔融金屬塊加以氣體強(qiáng)壓等外力，使其強(qiáng)制性地偏向金屬端子的一側(cè)，從而提高了焊接后的電子元件的尺寸的安定性。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-156917號公報；專利文獻(xiàn)2 日本特開平11-320089號公報。

發(fā)明內(nèi)容
但是，由于近年來的電子元件的小型化，導(dǎo)線直徑和金屬端子的尺寸也越來越小。 因此，如專利文獻(xiàn)2所記載的方法那樣，對于接受到電弧熱的熔融金屬塊，精確的施加以外力使其在預(yù)期的位置冷卻硬化，將變得更加困難。這里，在熔融金屬塊未處于預(yù)期的位置的情況下，就會產(chǎn)生如下問題，即不但電子
元件的外形尺寸會變得不安定，而且被扎繞于金屬端子的導(dǎo)線或其他的銅線也會熔融斷 m農(nóng)。本發(fā)明是鑒于上述課題而成的，是以提供一種電子元件以及其制造方法為目的的，該電子元件可以使無論金屬端子和導(dǎo)線的尺寸如何，熔融金屬塊都會在預(yù)期的位置形成，從而實(shí)現(xiàn)高度的尺寸安定性以及成品率。本發(fā)明的電子元件，其包括導(dǎo)線；金屬端子，該金屬端子是由金屬材料所形成，且具有將所述導(dǎo)線的端部包裹在內(nèi)的塊狀部；底座部，該底座部支持并固定了所述金屬端子；和端子鄰接部，該端子鄰接部是由絕緣材料所形成，且與所述塊狀部的表面的至少一部分相鄰接。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，與所述端部相連的所述導(dǎo)線夾持住所述端子鄰接部，并向所述塊狀部的相反側(cè)延伸。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，所述端子鄰接部為板狀，同時直立設(shè)置于所述底座部上，所述塊狀部形成于所述端子鄰接部的主要面的一方。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，所述端子鄰接部的上端上，形成有向所述主要面的另一方延伸的護(hù)檐部。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，對于熔融后的所述金屬材料的濕潤性，所述護(hù)檐部的上端面，比未熔融的所述金屬材料要更加低。
另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，所述導(dǎo)線的所述端部把所述端子鄰接部以及
所述金屬端子一同卷繞在一起。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，所述底座部與所述端子鄰接部是由共同的所述絕緣材料一體成型而成的。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，所述端子鄰接部呈膜狀，并覆蓋在所述塊狀部的至少一部分上。另外，本發(fā)明的電子元件，也可以是，所述塊狀部的直徑在Imm以下。另外，本發(fā)明的電子元件的制造方法，其包括由金屬材料形成的導(dǎo)線扎繞在金屬端子上，該金屬端子的一部分或全部被電弧焊所引起的電弧熱量所熔融，并形成熔融金屬塊的工藝；通過由絕緣材料形成的，被設(shè)置于所述金屬端子的一側(cè)的側(cè)面的端子鄰接部的約束力，使所述熔融金屬塊向所述金屬端子的另一側(cè)的側(cè)面偏倚的工藝；和將偏倚的所述金屬塊進(jìn)行冷卻硬化，并形成將所述導(dǎo)線的一部分包裹在內(nèi)的塊狀部的工藝。另外，本發(fā)明的各種構(gòu)成要素沒有必要分別獨(dú)立存在，由多個構(gòu)成要素形成為一個部件，或者由多個部件形成為一個構(gòu)成要素，或者某個構(gòu)成要素是其他構(gòu)成要素的一部分，或者某個構(gòu)成要素的一部分與其他的構(gòu)成要素的一部分相重復(fù)，等等情形都可以。而且，本發(fā)明中存在規(guī)定了前后左右上下方向的情況，但是這只是為了方便對本發(fā)明的構(gòu)成要素的相對關(guān)系的說明而作的便利性規(guī)定，而并不是一定與重力的上下方向存在對應(yīng)關(guān)系。而且，關(guān)于本發(fā)明的電子元件的制造方法，記載了多個工藝，但這多個工藝的實(shí)施順序并不局限于所記載的順序。而且，關(guān)于本發(fā)明的電子元件的制造方法，并不一定要多個工藝分別在不同的時間段實(shí)施，在某個工藝的實(shí)施過程中進(jìn)行其他的工藝，或者某個工藝的實(shí)施時間段與其他的工藝的實(shí)施時間段的一部分或者全部重疊，等情形都可以。根據(jù)本發(fā)明，由于具有絕緣性且不接受電弧熱量的端子鄰接部的存在，被電弧熱量熔融的金屬端子在端子鄰接部的相反側(cè)形成安定的塊狀部。因此，不存在高溫的塊狀部會使銅線斷裂的危險，從而實(shí)現(xiàn)電子元件的高成品率。另外，由于本發(fā)明，提高了塊狀部的形成位置的再現(xiàn)性，所以可以提供尺寸安定性優(yōu)良的電子元件。另外，上述效果不受金屬端子或?qū)Ь€等的尺寸的影響，因此即使電子元件越來越小型化，本發(fā)明依然奏效。


[圖1]與本發(fā)明實(shí)施形態(tài)相關(guān)的電子元件例子的立體示意圖；[圖2]圖1中虛線II所顯示領(lǐng)域的擴(kuò)大圖；[圖3]金屬端子與導(dǎo)線在電弧焊接之前的狀態(tài)的立體示意圖；[圖4]用成型樹脂將電子元件封裝之后狀態(tài)的立體示意圖；[圖5](a)-(c)為與本實(shí)施形態(tài)相關(guān)的電子元件的制造方法的一例的模式示意圖；[圖6](a)、(b)是本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的局部立體示意圖；[圖7](a)、(b)是本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的局部側(cè)面示意圖。
具體實(shí)施例方式以下，將基于附圖對本發(fā)明形態(tài)進(jìn)行說明。另外，在所有的附圖中，同樣的構(gòu)成要素賦予同樣的符號，并省略具體說明。<第一實(shí)施形態(tài)>(電子元件)圖1是與本發(fā)明的第一實(shí)施形態(tài)相關(guān)的電子元件10的一例的立體示意圖。只是在同圖中，缺省了一部分卷繞好的導(dǎo)線12，并圖示出繞軸芯部50。圖2是圖1中虛線II所顯示領(lǐng)域的擴(kuò)大圖。另外，圖3是與圖2對應(yīng)的金屬端子20與導(dǎo)線12在電弧焊接之前的狀態(tài)的立體示意圖。另外，圖4是用成型樹脂56將圖1中所顯示的電子元件10封裝之后狀態(tài)的立體示意圖。首先，對本實(shí)施狀態(tài)的電子元件10的概要進(jìn)行說明。本實(shí)施狀態(tài)的電子元件10包括導(dǎo)線12 ；金屬端子20，該金屬端子20是由金屬材料所形成，且具有將導(dǎo)線12的端部14包裹在內(nèi)的塊狀部22 ；底座部(凸緣部52)，該底座部支持并固定了金屬端子20 ；和端子鄰接部30，該端子鄰接部30是由絕緣材料所形成，且與塊狀部22的表面的至少一部分相鄰接。其次，將對本實(shí)施形態(tài)的電子元件10進(jìn)行詳細(xì)說明。電子元件10是將線圈12卷繞在繞軸芯部50上的線圈元件。繞軸芯部50是呈從圖1的左手前方向右后方伸展的棒狀，它的兩端分別設(shè)有略呈長方體的凸緣52(5h、52b)。繞軸芯部50是由鐵氧體或者非晶質(zhì)金屬材料等強(qiáng)磁性材料所形成的。凸緣52是由與繞軸芯部50不同的絕緣性樹脂材料所形成的。凸緣部52的一面， 即安裝面51上開孔設(shè)置有安裝孔(未圖示)。把繞軸芯部50對著安裝孔插入，就使凸緣部 52分別安裝在繞軸芯部50的兩端。本實(shí)施形態(tài)的金屬端子20是設(shè)置在凸緣部52當(dāng)中的，與安裝面51不同的另一方的側(cè)面上，且突出出來。即，關(guān)于本實(shí)施形態(tài)的金屬端子20，凸緣部52是相當(dāng)于金屬端子 20的支持固定用底座部。導(dǎo)線12在繞軸芯部50上卷繞有多圈，同時兩端分別被塊狀部22包裹在內(nèi)，由此， 與金屬端子20電連接在一起。金屬端子20與組裝端子M(5^、54b)電連接在一起，組裝端子M(5^、54b)是從凸緣部52的另一個側(cè)面突出出來的。由此，組裝端子Ma、54b就通過導(dǎo)線21形成了互相之間的電連通。本實(shí)施形態(tài)的組裝端子M被形成為板狀，且向著凸緣部52的軸線方向的兩個外側(cè)突出出來。如圖4所示，電子元件10被成型樹脂56所封裝，只露出組裝端子Ma、Mb。 另外，組裝端子Ma、54b被折回去，以使其與略呈長方體的成型樹脂56的一面，即底面57 相鄰接。這樣就制成了，把成型樹脂56的底面57作為組裝面的表面組裝型電子元件10。金屬端子20是把圖3所顯示的端子元件沈，通過電弧焊接時的電弧熱量來熔融， 并使其成為略呈圓球狀的熔融金屬塊，而且將其冷卻硬化，成為塊狀部22。
本實(shí)施形態(tài)的金屬端子20是僅由塊狀部22所構(gòu)成的，但是本發(fā)明并不局限于此。 如下述圖5所示，塊狀部22以及未熔融的端子元件沈一同構(gòu)成金屬端子20也可以。從強(qiáng)度或加工性等觀點(diǎn)來看，磷青銅等銅合金適合使用于端子元件26。本實(shí)施形態(tài)的端子元件沈為矩形板狀。作為一個例子，端子元件沈的尺寸為， 從凸緣部52突出的高度為0. 5-2mm,沿著端子鄰接部30的幅寬尺寸為0. 2-lmm,板厚為 0. 05-0. 5mm。另外，塊狀部22的直徑為Imm以下。這里，塊狀部22的直徑是指，當(dāng)塊狀部22為非圓球形的情況下時，其長徑的意思。從導(dǎo)電性和卷繞性的觀點(diǎn)來看，可以使用銅線作為導(dǎo)線20。本實(shí)施狀態(tài)中使用的導(dǎo)線12的直徑為0. 03-0. 05_。這里，一般與銅合金比起來，銅的熔點(diǎn)低，而且，如上述的細(xì)徑導(dǎo)線12，由于與熔融的端子元件沈相接觸，所以很容易斷裂。端子鄰接部30是阻止除端部14以外的導(dǎo)線12與塊狀部22之間相互接觸的元件， 而且端子鄰接部30與塊狀部22的表面的至少一部分相鄰接。S卩，如圖1、2所示，與端部14相連的導(dǎo)線12，夾持著端子鄰接部30，并向塊狀部22 的相反側(cè)延伸。端子鄰接部30的形狀并沒有什么特別的限定，可以采用板狀、塊狀或膜狀等。更具體而言，本實(shí)施形態(tài)的端子鄰接部30為板狀，同時直立設(shè)置于底座部(凸緣部52)上，塊狀部22形成于端子鄰接部30的主要面32的一方(圖2中右手前側(cè))。這里，端子鄰接部30的主要面32是指，構(gòu)成端子鄰接部30的一個或多個面的意思。無論主要面32的形狀為平面狀或是曲面狀都可以。而且，主要面32可以是構(gòu)成端子鄰接部30的面中面積最大的面，也可以是非面積最大的面。塊狀部22與端子鄰接部30的主要面32相接觸。而且，塊狀部22可以只與端子鄰接部30的主要面32相接觸，也可以與主要面32以及與其鄰接的端子鄰接部30的周面相接觸。另外，本實(shí)施形態(tài)的端子鄰接部30與底座部(凸緣部5 是由共同的絕緣材料一體成型而成的。即，凸緣部52以及端子鄰接部30是用絕緣性樹脂材料同時成型，從而制作而成的。從成型性觀點(diǎn)來看，適合采用熱可塑性樹脂來作為相關(guān)的樹脂材料。這當(dāng)中，從高度耐熱性以及成型時的流動性，和低成型收縮率的觀點(diǎn)來看，液晶高分子聚合樹脂(LCP) 特別適合使用。另外，把云母、硅石、氧化鈦、氫氧化鎂、或者碳酸鈣等絕緣性無機(jī)材料粉末化而成的無機(jī)填充物混合在一起也可。相關(guān)的無機(jī)填充物同樹脂材料混合在一起，可以提高端子鄰接部30的耐熱性，防止因電弧熱量而熔融的端子元件沈傳導(dǎo)來的熱量把端子鄰接部30 熔融或者燒損。(電子元件的制造方法)圖5 (a)-(c)是顯示與本實(shí)施形態(tài)相關(guān)的電子元件10的制造方法(以下，有時也稱本方法)的一例的模式圖。首先，對本發(fā)明的概要進(jìn)行說明。
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本方法包括熔融工藝、偏倚工藝，和冷卻工藝。熔融工藝中，由金屬材料形成的導(dǎo)線12扎繞在金屬端子20上，該金屬端子20的一部分或全部被電弧焊接所引起的電弧熱量所熔融，并形成熔融金屬塊M。偏倚工藝中，通過由絕緣材料形成的，被設(shè)置于金屬端子20的一側(cè)的側(cè)面的端子鄰接部30的約束力，使熔融金屬塊M向金屬端子20的另一側(cè)的側(cè)面偏倚。冷卻工藝中，將偏倚的金屬塊對進(jìn)行冷卻硬化，并形成將導(dǎo)線12的一部分包裹在內(nèi)的塊狀部22。其次，對本方法進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖5(a)所示，互相鄰接的端子元件沈以及端子鄰接部30是從凸緣部52突出設(shè)置的。端子元件26的上端面觀是位于比端子鄰接部30的上端面36更高的位置上。另外，關(guān)于本方法，在無特殊要求的情況下，把從設(shè)置了端子鄰接部30的凸緣部52表面開始的距離稱為“高度”。端子元件沈與端子鄰接部30，在向著同圖的紙面的里面的方向的附近，形成的幅寬方向的尺寸大致相等。端子鄰接部30的上端上，形成有護(hù)檐部34，該護(hù)檐部34向主要面32的另一側(cè)(同圖左方)延伸而去。護(hù)檐部M是把端子鄰接部30的上端回折成護(hù)檐形狀(feves)，由此與端子鄰接部30的底端部的橫截面積比起來，上端面36的面積變得更大。另外，金屬端子20以及端子鄰接部30的橫截面是指垂直于金屬端子20的突出方向切截而成的截面而言的。護(hù)檐部34，如同圖所示，上端面36可以是與凸緣部52平行且很平坦的，也可以是向任意方向傾斜。在使之傾斜的情況下，由于其從端子鄰接部30開始向著端子元件沈向下傾斜的原因，熔融金屬塊M可以很好地沿著該方向得到引導(dǎo)。導(dǎo)線12的端部14是把端子鄰接部30以及金屬端子20 —同卷繞在一起。S卩、端子鄰接部30是作為導(dǎo)線12的扎繞端子來發(fā)揮功能的。由此，端子元件沈被電弧熱量所熔融的時候，可以防止導(dǎo)線12的卷繞變得松弛的情況。這里，端子鄰接部30的上端設(shè)有護(hù)檐部34，由此護(hù)檐部34是作為凸緣部來發(fā)揮功能的。因此，在端子元件沈未熔融以及加熱熔融時，可以進(jìn)一步更好地防止導(dǎo)線12的卷繞變得松弛的情況。對于端子鄰接部30，從防止導(dǎo)線12的卷繞變得松弛的觀點(diǎn)來看，可以形成向著主要面32的面內(nèi)寬度方向突出的護(hù)檐部34來取代本實(shí)施形態(tài)的端子鄰接部30。S卩，可以使主要面32的形狀為T字狀或十字狀，并使護(hù)檐部34沿著與端子鄰接部30垂直設(shè)置的方向相交叉的方向延伸而出。另外，也可以形成護(hù)檐部34，使該護(hù)檐部34沿著與主要面32的面垂直方向的相反方向，以及面內(nèi)寬度方向的兩個方向突出，以取代上述樣態(tài)。圖5(b)是顯示熔融工藝的模式圖。在熔融工藝中，電弧電極40與端子元件沈用保護(hù)氣體(未圖示)保護(hù)住的狀態(tài)下，對電弧電極40印加高電壓。通過印加的高電壓，電弧電極40與端子元件沈之間導(dǎo)通的同時，保護(hù)氣體成為等離子體42，并產(chǎn)生超過10000度的超高溫。端子元件沈，傳導(dǎo)該超高溫的電弧熱量，并被熔融。
這里，金屬端子20的上端面觀位于比端子鄰接部30的上端面36更高的位置，即位于與電弧電極40相接近的位置。而且，端子鄰接部30具有絕緣性，因而電弧電極40與端子鄰接部30不會導(dǎo)通。而且，在熔融工藝中電弧熱量不會直接傳導(dǎo)到端子鄰接部30，并且端子元件沈接受到電弧熱量的時間極其短暫。因此，端子鄰接部30中的溫度響應(yīng)很緩慢，端子鄰接部30比端子元件沈先行熔融或者燒毀的事情不會發(fā)生。圖5(c)是顯示偏倚工藝以及冷卻工藝模式圖。這里，由于電弧熱量而熔融的端子元件沈所成的熔融金屬，比起不同種類的材料所形成的端子鄰接部30，對于端子元件沈的未熔融部分的濕潤性更高。即，對于熔融金屬的濕潤性，護(hù)檐部34的上端面36，比未熔融金屬材料要更加低。所以，偏倚工藝中，由于電弧熱量，端子元件沈的上端逐漸熔融，變成直徑越來越大的熔融金屬塊M，由于與端子鄰接部30相接觸的原因，向著端子鄰接部30的相反側(cè)(同圖右方)偏倚并下降。本方法中，上述熔融工藝和偏倚工藝同時進(jìn)行。這里，熔融工藝與偏倚工藝同時進(jìn)行是指，各個工藝的一部分或者全部是在重疊的時間段內(nèi)進(jìn)行的意思。只是本方法以外，在熔融工藝之后實(shí)施偏倚工藝也行，或者熔融工藝與偏倚工藝交互反復(fù)多次實(shí)施也行。另外，在端子鄰接部30的上端設(shè)有護(hù)檐部34，因此假使熔融金屬塊M向上超越了端子鄰接部30的上端面36，也不會產(chǎn)生熔融金屬塊M越過護(hù)檐部34，而向端子鄰接部30 側(cè)(同圖左方)落下的事情。而且，隨著端子元件沈的熔融的進(jìn)行，熔融金屬塊對到達(dá)導(dǎo)線12的扎繞位置，從而使導(dǎo)線12被熔融金屬塊M包裹在內(nèi)。冷卻工藝中，通過把電弧電極40與熔融金屬塊M之間的距離拉開，或者停止電弧電壓，可以使熔融金屬塊M逐漸冷卻，并硬化成塊狀部22。本方法中，如同圖所示，可以僅僅使端子元件沈的上端側(cè)的一部分被熔融成塊狀部22，或者也可以如圖1、2所示，把端子元件沈中的從凸緣部52突出部分(突出部)的全長都熔融成塊狀部22。如圖5(a)_(c)所示，扎繞在端子鄰接部30的導(dǎo)線12，向著端子元件沈的相反側(cè)， 即護(hù)檐部34的延伸出的方向，被引導(dǎo)而出。由此，即使熔融金屬塊M從端子元件沈向底座部(凸緣部52)落下，導(dǎo)線12也不會因與熔融金屬塊M相接觸而受到熱損傷。根據(jù)本方法，導(dǎo)線12以及其他的銅線不會受到熱損傷，從而提供了高成品率的電子元件10的制造方法。另外，通過本方法得到的電子元件10中，塊狀部22的形成位置的再現(xiàn)性很高，所以具有優(yōu)良的尺寸安定性，并且由于成型樹脂56的良好封裝，使得電特性和耐久性也非常好。另外，本方法并不局限于上述的實(shí)施形態(tài)，能達(dá)成本發(fā)明的目的的種種變形，改良的樣態(tài)也包含在其中。以下，對實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的其他樣態(tài)進(jìn)行說明。<第二實(shí)施形態(tài)>在上述第一形態(tài)中，把板狀的端子元件沈熔融從而形成了金屬端子20，但是本發(fā)明并不局限于此。圖6(a)、(b)是顯示本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的部分立體圖。同圖的(a)顯示了棒狀端子元件沈是呈從底座部(凸緣部5 突出設(shè)置的狀態(tài)。而且，同圖(b)顯示了端子元件沈與導(dǎo)線12的端部14被電弧焊接在一起而成得本實(shí)施形態(tài)的電子元件10。本實(shí)施形態(tài)中，如同圖(a)所示，端子鄰接部30的橫截面為“二”形狀。端子鄰接部30的凹槽38是沿著從凸緣部52突出的方向而延伸出來的。而且，棒狀端子元件沈是鑲嵌在凹槽38內(nèi)的。換一句話說，棒狀端子元件沈中，除了位于同圖的左手前側(cè)的前面四以外的周面，都裝配有端子鄰接部30。本實(shí)施形態(tài)中，例示了角柱狀的端子元件沈，但也可以用圓柱狀的端子元件沈來取代它。這種情況下，可以把端子鄰接部30形成為半個切開的圓筒狀，并在其內(nèi)面安裝端子元件26。在本實(shí)施形態(tài)中，端子鄰接部30的側(cè)面中，與端子元件沈的前面四朝向同樣方向的面被稱為主面32。導(dǎo)線12的端部14被卷繞在端子元件沈以及端子鄰接部30上。如同圖(b)所示，由端子元件沈被電弧熔融而形成的熔融金屬塊M，通過端子鄰接部30的約束力，被形成為向前面四側(cè)偏倚。而且，通過熔融金屬塊M的冷卻硬化，塊狀部22被形成為與端子鄰接部30的主面32相鄰接。即使在本實(shí)施形態(tài)中，導(dǎo)線12夾持住端子鄰接部30，并向塊狀部22的相反側(cè)延伸。由此，即使端子元件沈完全熔融而成的熔融金屬塊M到達(dá)凸緣52的表面，導(dǎo)線12除了扎繞在端子鄰接部30上的端部14以外，不會與熔融金屬塊M相接觸。由此，本實(shí)施形態(tài)中的電子元件10也可以防止導(dǎo)線12的熱損傷?！吹谌龑?shí)施形態(tài)〉上述第一以及第二實(shí)施形態(tài)中，端子鄰接部30是呈板狀的，但本發(fā)明并不局限于此。端子鄰接部30可以引導(dǎo)被電弧熔融的端子元件沈所成的熔融金屬塊M的流下方向， 也可以限定其形狀以及配設(shè)的位置。比如，可以使端子鄰接部30形成為覆蓋于端子元件沈一部分上的膜狀。即，電弧焊接后的端子鄰接部30，可以呈覆蓋了塊狀部22的至少一部分上的膜狀。圖7(a)、(b)是顯示本發(fā)明第三實(shí)施形態(tài)的部分側(cè)面圖。同圖(a)顯示了棒狀端子元件沈被設(shè)置成從底座部(凸緣部5 突出出來的狀態(tài)。而且，同圖(b)顯示了端子元件沈與導(dǎo)線12的端部14被電弧焊接在一起的本實(shí)施形態(tài)的電子元件10。本實(shí)施形態(tài)中，在從底座部(凸緣部5 突出的端子元件沈的一個側(cè)面上，形成有作為端子鄰接部30的耐熱性絕緣皮膜。所以，相關(guān)的絕緣皮膜中，端子元件沈的披覆面成為端子鄰接部30的主面32。作為絕緣皮膜，可以使用聚氨酯瓷釉等有機(jī)絕緣皮膜，或者軟性陶瓷等無機(jī)皮膜。 另外，絕緣皮膜的膜厚并沒有特別的限定。絕緣皮膜可以設(shè)為披覆于端子元件沈的一個側(cè)面的全部上，也可以被設(shè)為披覆于一部分上。另外，本實(shí)施形態(tài)的端子鄰接部30可以連接于底座部(凸緣部52)，也可以與凸緣部52分離開設(shè)置。根據(jù)本實(shí)施形態(tài)，在上述熔融工藝中，接受到電弧熱量的端子元件沈向端子鄰接部30進(jìn)行的熱傳導(dǎo)，比起端子元件沈的內(nèi)部的熱傳導(dǎo)而言，是延遲了的。由此，端子元件 26熔融后成為熔融金屬塊M的時候，絕緣皮膜的端子鄰接部30還未熔融，會對熔融金屬塊樹一直施加約束力，使熔融金屬塊樹產(chǎn)生跟隨性變形。(參照圖7(b)) 由此，本實(shí)施形態(tài)的端子鄰接部30，使熔融金屬塊M形成為向與主面32的相垂直
方向的偏倚。通過相關(guān)的熔融金屬塊M冷卻硬化，塊狀部22就會一直安定地形成于該方向。
權(quán)利要求
1.一種電子元件，其包括導(dǎo)線；金屬端子，該金屬端子是由金屬材料所形成，且具有將所述導(dǎo)線的端部包裹在內(nèi)的塊狀部；底座部，該底座部支持并固定了所述金屬端子；和端子鄰接部，該端子鄰接部是由絕緣材料所形成，且與所述塊狀部的表面的至少一部分相鄰接。
2.權(quán)利要求1所述電子元件，其特征為，與所述端部相連的所述導(dǎo)線夾持住所述端子鄰接部，并向所述塊狀部的相反側(cè)延伸。
3.權(quán)利要求1或2所述的電子元件，其特征為，所述端子鄰接部為板狀，同時直立設(shè)置于所述底座部上，所述塊狀部形成于所述端子鄰接部的主要面的一方。
4.權(quán)利要求3所述的電子元件，其特征為，所述端子鄰接部的上端上，形成有向所述主要面的另一方延伸的護(hù)檐部。
5.權(quán)利要求4所述的電子元件，其特征為，對于熔融后的所述金屬材料的濕潤性，所述護(hù)檐部的上端面，比未熔融的所述金屬材料要更加低。
6.權(quán)利要求1-5任意一項中所述的電子元件，其特征為，所述導(dǎo)線的所述端部把所述端子鄰接部以及所述金屬端子一同卷繞在一起。
7.權(quán)利要求1-6任意一項中所述的電子元件，其特征為，所述底座部與所述端子鄰接部是由共同的所述絕緣材料一體成型而成的。
8.權(quán)利要求1或27所述的電子元件，其特征為，所述端子鄰接部呈膜狀，并覆蓋在所述塊狀部的至少一部分上。
9.權(quán)利要求1-8任意一項中所述的電子元件，其特征為，所述塊狀部的直徑在Imm以下。
10.一種電子元件的制造方法，其包括由金屬材料形成的導(dǎo)線扎繞在金屬端子上，該金屬端子的一部分或全部被電弧焊接所引起的電弧熱量所熔融，并形成熔融金屬塊的工藝；通過由絕緣材料形成的，被設(shè)置于所述金屬端子的一側(cè)的側(cè)面的端子鄰接部的約束力，使所述熔融金屬塊向所述金屬端子的另一側(cè)的側(cè)面偏倚的工藝；和將偏倚的所述金屬塊進(jìn)行冷卻硬化，并形成將所述導(dǎo)線的一部分包裹在內(nèi)的塊狀部的工藝。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電子元件10以及其制造方法，其包括導(dǎo)線12，其夾持住端子鄰接部30，并向塊狀部22的相反側(cè)延伸；金屬端子20，其是由金屬材料所形成，且具有將導(dǎo)線12的端部14包裹在內(nèi)的塊狀部22；底座部(凸緣部52)，其支持并固定了金屬端子20；和端子鄰接部30，其是由絕緣材料所形成，且與塊狀部22的表面的至少一部分相鄰接，同時與凸緣部52由共同的絕緣材料一體成型而成的。
文檔編號H01R43/02GK102165642SQ20088013127
公開日2011年8月24日 申請日期2008年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月24日
發(fā)明者佐藤剛, 佐藤誠二 申請人:勝美達(dá)集團(tuán)株式會社