專利名稱：用于提高晶片產(chǎn)率的帶狀晶體線的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般地涉及線帶狀晶體(string ribbon crystal)，并且更具體而言，本發(fā) 明還涉及用于形成線帶狀晶體的線。
背景技術：
諸如在美國專利No. 4,689，109 (1987年公布并且Emanuel Μ. Sachs為單個發(fā)明 人)中討論的線帶狀晶體可以形成各種電子器件的基礎。例如，Evergreen Solar公司 (Marlborough, Massachusetts)由傳統(tǒng)的線帶狀晶體形成太陽能電池。如所述專利中更詳細討論地，通過使兩個或更多個線穿過熔融硅來形成線帶狀晶 體。該線的組成和性質(zhì)對最終形成的線帶狀晶體的效率產(chǎn)生顯著影響，并且在某些情況下， 對最終形成的線帶狀晶體的成本產(chǎn)生顯著影響。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，帶狀晶體具有主體，該主體具有寬度尺寸；以及線， 該線嵌入該主體內(nèi)。該線具有大體上拉長的橫截面形狀。該(線的)橫截面具有偏離帶狀 晶體主體的寬度尺寸方向的大體上的縱軸。更通常地，線縱軸示例性地不與主體的寬度尺寸平行。在優(yōu)選的實施例中，縱軸基 本上垂直于主體的寬度尺寸。此外，該線的橫截面可以是大體上不規(guī)則的形狀。該線可以是一個線或多個線。晶體還可以具有嵌入主體內(nèi)的第二線，其中，第二線 還具有多個線。在其各種重復中，該線可以造成主體的橫截面具有頸，該頸的厚度大于約60 微米。根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，帶狀晶體具有主體和嵌入主體內(nèi)的線。該線具有大體 上凹形的橫截面形狀。除了其他的之外，該線可以是“T”形、“C”形或十字形中的一種。
根據(jù)本發(fā)明的其他實施例，形成帶狀晶體的方法提供了一組線，每個線具有大體 上拉長的橫截面形狀。每個線的橫截面具有大體上的縱軸。該方法還向坩鍋添加熔融材 料，并且沿著給定方向使所述一組線穿過熔融材料，由此造成熔融材料在界面上方凝固，從 而形成片(sheet)。該片的寬度尺寸大體上垂直于所述一組線的給定方向。至少一個線被 定向為使得其縱軸與片的寬度尺寸偏離。所述一組線的橫截面形狀可以是凸形或凹形。例如，所述一組線的橫截面形狀可 以大體上為有效形成凹形線的橢圓、矩形或一對線。


從下面參照以下總結的附圖所討論的“具體實施方式
”中，本領域技術人員應該更 充分地理解本發(fā)明各種實施例的優(yōu)點。圖1示意性示出可以由根據(jù)本發(fā)明示例性實施例構造的線形成的線帶狀晶體。圖2示意性示出用于形成線帶狀晶體的示例性熔爐。圖3示意性示出具有現(xiàn)有技術線的現(xiàn)有技術帶狀晶體中的一部分的橫截面圖。圖4A示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例形成的線。圖4B示意性示出根據(jù)本發(fā)明的各種實施例的沿著線B-B的圖4A中線的8個橫截 面圖。圖5示出使用根據(jù)本發(fā)明示例性實施例構造的線形成線帶狀晶體的示例性工藝。圖6A、圖6B和圖6C示意性示出根據(jù)使用具有拉長橫截面的線的實施例的帶狀晶 體的橫截面圖。圖7A和圖7B示意性示出具有用于執(zhí)行單線功能的多個線的帶狀晶體的橫截面 圖。圖8A和圖8B示意性示出具有橫截面形狀為大體上凹形的帶狀晶體。
具體實施例方式本發(fā)明的示例性實施例使用具有非圓形橫截面的線，以形成帶狀晶體。具體而言， 發(fā)明人公開的是，某種線的幾何形狀能夠有利地增大帶狀晶體的頸大小而不需要附加的外 部構造設備。結果，帶狀晶體應該更堅固，由此提高了產(chǎn)率。例如，一些實施例使用具有拉長橫截面的線，其中，帶狀晶體的長度尺寸與寬度不 同。作為另一示例，現(xiàn)有的實施例形成具有凸形或凹形的非圓形線的帶狀晶體(而不管它 們是否拉長)。以下討論各種實施例的細節(jié)。圖1示意性示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例構造的線帶狀晶體10。采用與其他帶狀晶體類似的方式，該帶狀晶體10具有大體上矩形形狀并且其前表面和后表面具有相對大 的表面積。例如，帶狀晶體10可以具有約3英寸的寬度，并且其長度可以為約6英寸。如 本領域技術人員所知道的，長度可以發(fā)生顯著變化。例如，在一些已知的工藝中，長度取決 于當帶狀晶體10生長時熔爐操作者對于切割帶狀晶體10的判斷力。另外，可以根據(jù)其形 成帶狀晶體寬度邊界的兩個線12的分離來變化寬度。因此，對于特定長度和寬度的討論是 示例性的，并不意圖限制本發(fā)明的各種實施例。帶狀晶體10的厚度可以發(fā)生變化，并且相對于其長度和寬度尺寸是非常小的。例如，線帶狀晶體10在其寬度上可以具有的厚度的范圍從約60微米至約320微米。盡管厚度 存在這種變化，但是線帶狀晶體10也可以被視為在其長度和/或寬度上具有平均的厚度。帶狀晶體10可以由各種材料(通常被統(tǒng)稱為“帶狀材料”或“晶體材料”)中的 任意一種形成，這取決于其應用方式。當生長帶狀晶體10以供光電應用時，帶狀晶體10可 以由諸如硅的單一元素或諸如硅基材料(例如，硅鍺)的化合物形成。其他示例性的帶狀 晶體可以包括砷化鎵或磷化銦。帶狀晶體可以是各種晶體類型中的任意一種，例如，多晶 (multi-crystalline)、單晶、多晶(polycrystalline)、微晶或半晶。如本領域的技術人員所知的，帶狀晶體10由通常被帶狀材料嵌入/包封的一對線 12形成。簡化起見，所討論的帶狀晶體10由多晶硅帶狀材料形成。但是，應該重申的是，對 于多晶硅的討論不意圖限制所有的實施例。示例性實施例在諸如圖2所示的帶狀晶體生長熔爐14的帶狀晶體生長熔爐14中 生長帶狀晶體10。更具體而言，圖2示意性示出可以用于形成根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的 線帶狀晶體10的硅帶狀晶體生長熔爐14。除了別的之外，熔爐14具有殼體16，該殼體16 形成基本上沒有氧氣(以防止燃燒)的密封內(nèi)部。該內(nèi)部具有某些濃度的諸如氬的其他氣 體或氣體的組合，以替代氧氣。除了別的之外，殼體內(nèi)部還包括坩鍋18和其他組件，用于基 本上同時生長4個硅帶狀晶體10。殼體16中的進料入口 20提供了一種用于將硅給料導向 到內(nèi)部坩鍋18的裝置，而可選的窗口 22使得能夠對內(nèi)部組件進行檢查。如圖所示，坩鍋18被殼體16內(nèi)的內(nèi)部平臺支撐，并且具有基本上平坦的頂表面。 坩鍋18的該實施例具有拉長的形狀，并且具有用于沿著其長度生長并排布置的硅帶狀晶 體10的區(qū)域。在示例性實施例中，坩鍋18由石墨形成，并且對于使硅保持在其熔點之上的 溫度來說是耐熱的。為了改進結果，坩鍋18具有的長度遠大于其寬度。例如，坩鍋18的長 度是其寬度的3倍或更多倍。當然，在一些實施例中，坩鍋18沒有以這種方式拉長。例如， 坩鍋18可以具有稍微方形的形狀或非矩形的形狀。如圖2中所示并且在以下更詳細討論的，熔爐14具有用于容納線12的多個孔 24 (以虛擬方式示出)。具體而言，圖2中的熔爐14具有用于容納四對線12的8個線孔 24。每對線12穿過坩鍋18中的熔融硅，以形成單帶狀晶體10。許多傳統(tǒng)的帶狀晶體生長工藝形成在線附近具有薄頸部的帶狀晶體。更具體而 言，圖3示意性示出具有現(xiàn)有技術線12P的現(xiàn)有技術帶狀晶體IOP中的一部分的橫截面圖。 現(xiàn)有技術的帶狀晶體IOP在帶狀晶體10的線12P和較寬部38之間具有薄頸部36。如果頸 部36太薄，則帶狀晶體IOP會非常脆并且更容易破裂，從而導致產(chǎn)率損失。例如，如果線12 和形成帶狀晶體IOP的帶狀材料(例如，多晶硅)之間的熱膨脹系數(shù)的差足夠大，則帶狀晶 體IOP會更容易在頸部36發(fā)生破裂。 為了增大頸厚度，本領域技術人員對帶狀生長工藝添加設備。例如，一種這樣方案 是將氣體噴射器(未示出)添加到熔爐14中。這些氣體噴射器將相對冷的氣體流導向頸 部36，從而降低了那個區(qū)域的溫度，以增大頸厚度。其他方案涉及添加專用的彎月形物成形 器(meniscusshaper)0與使用這種附加的外部措施不同的是，本發(fā)明的示例性實施例以指定方式設計橫 截面尺寸。然后，示例性實施例以使生長的帶狀晶體10的頸部36的尺寸增大的方式將線 12定位于晶體生長熔爐14內(nèi)。例如，平均厚度為約190微米的所得到的帶狀晶體10可以具有最小厚度為約60微米的頸部36，這會滿足某些應用。這種創(chuàng)新因此減少了產(chǎn)率損失， 從而降低了生產(chǎn)成本。圖4A示意性示出可以根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例形成的線12。雖然該附圖看上 去示出了大體上凸形或圓形的橫截面，但是該附圖應該被視為只是示意性的而不是代表任 何特定的橫截面形狀。為此，圖4B示意性示出根據(jù)本發(fā)明的多個不同實施例沿著橫截面線 B-B的圖4A中線12的8個可能的橫截面圖。例如，這些形狀中的一些形狀通常被拉長，例 如，線1的不規(guī)則形狀、線2的矩形形狀和線3的稍微橢圓形狀。無論它們是否拉長，各種線12可以被分類為大體上凹形或大體上凸形。如本文所 使用的，橫截面形狀當其周邊的任意部分形成至少一個不可忽略的凹度時大體上為凹形。 因此，線1被視為大體上的凹形，盡管其存在其他的凸形部。相反地，橫截面形狀當其周邊 沒有形成不可忽略的凹度時被視為大體上的凸形。因此，圖4中的線2和線3大體上的凸 形。圖4B示出大體上凹形的多個其他橫截面線形狀。事實上，一些可以被視為是拉長 的并且是凹形的。例如，線4大體上為“C”形、凹形和拉長的，而線5大體上為十字形、凹形 的但不是拉長的。線5的形狀(十字形)沒有拉長，這是因為其大體上是對稱的，即十字的 水平部和垂直部大約是相同的尺寸。根據(jù)線8的實際尺寸，線8(大體上為“T”形)會或者 不會被視為拉長的。例如，如果“T”形中向下延伸的部分比其水平部分長，則線8可以被視 為拉長的。在任一情況下，線8被視為大體上是凹形的。一些實施例使用多個線12來形成帶狀晶體10的一個邊緣。線6和線7示出兩個 這種實施例。具體而言，線6示出一個實施例，其中，在最終的帶狀晶體10中各個線12彼此 物理接觸，而線7示出另一實施例，其中，在最終的帶狀晶體10中各個線12彼此分隔。應 該注意的是，使用多個線12的實施例可以使用不止兩個線12。另外，該多個線的實施例中 的各個線12可以具有相同或不同的橫截面形狀(例如，第一橢圓形線12和其他的十字形 或圓形線12)。應該注意的是，圖4B中的特定形狀只是多種不同橫截面線形狀的示例。因此，本 領域技術人員應該理解的是，其他線形狀也落入各種實施例的范圍內(nèi)。圖5示出形成具有根據(jù)本發(fā)明示例性實施例構造的線12的線帶狀晶體10的示例 性工藝。簡化起見，參照圖4B中的線2來討論該工藝，這是因為線2是該附圖中清楚示出 該工藝中所討論的各種線層的僅有的線12。但是，應該注意的是，所討論的原理適用于具有 其他橫截面形狀的線12或由其他工藝形成的其他線。工藝開始于步驟500，即形成芯/基板28，該芯/基板28用作接納難熔材料層 的基板。如在代理人案卷號為3253/172、名稱為“REDUCEDWETTING STRING FOR RIBBON CRYSTAL”、共同待決的美國專利申請(其內(nèi)容通過引用結合于此)更詳細討論的，可以通過 傳統(tǒng)的擠壓工藝由碳來形成芯28。然而，在其他實施例中，芯28可以是引線、細絲或者多個 小導電纖維將會一起作為絲束。例如，后制造工藝可以通過諸如氧化、碳化或滲透的已知制 造工藝來形成單細絲。芯28可以具有所需的橫截面形狀。例如，如圖4B中所示，線2的芯28大體上為 矩形?？商孢x地，芯28可以具有不同的橫截面形狀，而難熔材料應用設備可以專門構造用 于形成所需的橫截面形狀。例如，擠壓設備可以專門構造用于由具有預定橫截面形狀的芯材料形成橫截面形狀，所述預定橫截面形狀與最終的橫截面線形狀相同或不同。在形成芯28之后，工藝形成用作上述難熔材料層30的第一涂層/層(步驟502)。除了其他的之外，第一涂層30可以包括碳化硅、鎢或者碳化硅和鎢的組合。另外，該第一層 可以以多個傳統(tǒng)方式形成，例如用傳統(tǒng)的(通常復雜的)CVD涂覆工藝形成。為了避免CVD工藝中使用復雜的機械和有害化學品，示例性實施例直接將難熔材 料擠壓到芯/基板28上。除了其他的之外，這還會涉及拉擠工藝、將聚合物組分與難熔材 料一起旋壓(spin)，隨后被烘焙。這些工藝結合擠壓/拉擠可以使用碳、硅、碳化硅、氮化 硅、鋁、多鋁紅柱石、二氧化硅、BN顆粒或者混合有聚合物粘合物的纖維中的至少一種組分。 這還會涉及具有碳化硅、碳、硅中的至少一種的芯28和具有氧化物、多鋁紅柱石、碳和/或 碳化硅中的至少一種的鞘的雙組分擠壓。因此，如上所述，芯28有效地用作支撐難熔材料 層30的基板。該步驟因此形成被視為基礎線部26的部分。應該重申的是，基礎線部26可以由 多種材料中的任意一種或多種材料形成。這類材料可以包括石墨纖維或絲束、難熔材料，例 如，鎢、碳化硅或其組合。事實上，一些實施例可以形成沒有芯28的基礎線部26。在該工藝中的此時，基礎線部26具有組合的熱膨脹系數(shù)，該熱膨脹系數(shù)通常優(yōu)選 地匹配帶狀材料的熱膨脹系數(shù)。具體而言，線12的熱膨脹特性應該足以很好地匹配帶狀材 料，使得在界面處沒有出現(xiàn)過多的應力。在合理的隨后帶狀晶體操縱和處理步驟中，如果線 12表現(xiàn)出與帶狀晶體分離，或者如果線12表現(xiàn)出從帶狀晶體邊緣向外或向內(nèi)卷曲的趨勢， 則應力被視為過多。然而，在其他實施例中，基礎線部26的熱膨脹系數(shù)通常與帶狀材料的 熱膨脹系數(shù)不匹配。根據(jù)應用，本發(fā)明的一些實施例可以具有一個或更多個附加層。例如，如在上述并 入的代理人案卷號為3235/172的專利申請中更詳細討論的，線12可以具有非潤濕/降低 潤濕的層32，以增大帶狀材料的晶粒尺寸。在該情況下，工藝進行到步驟504，該步驟504 在基礎線部26上形成暴露的非潤濕/降低潤濕的層32。在對于熱膨脹系數(shù)差敏感的應用 中，該層32優(yōu)選地非常薄，使得它對整體線的熱膨脹系數(shù)的影響可以忽略不計。例如，降低 潤濕的層32應該比難熔材料層30的厚度薄得多。在使用該非潤濕層32的實施例中，應該仔細控制其外表面與帶狀材料的接觸角， 以造成熔融的帶狀材料與之附著---否則，該工藝不能夠形成帶狀晶體10。在使用熔融多 晶硅的應用中，例如，期望的是，在約15度至120度之間的與硅的接觸角應該產(chǎn)生令人滿意 的結果。這類大于25度的角度可以產(chǎn)生更好的結果。在其他方式之中，可以通過CVD工藝、浸涂或其他方法來形成非潤濕層32。例如， 可以采用CVD涂覆的方法，通過在沉積腔室內(nèi)涂布電接觸同時通過腔室進料來涂覆基礎線 部26由此基礎線部26自身受熱。可替選地，可以通過腔室來感應加熱來加熱基礎線 部26。用于實現(xiàn)該步驟的現(xiàn)有技術包括·在CVD熔爐的端部或在重繞期間，溶膠凝膠浸蘸，用于碳氧化硅或氧化鋁，·通過從外部加熱石英并且感應加熱基礎線部26來沉積CVD非潤濕涂層，·用隨后將被燒掉的聚合物粘合物來進行噴涂沉積，·將顆粒搖動到基礎線部26或絲束上，然后將其烘焙到基礎線部26或絲束中，以及 用難熔漿體(例如，碳化硅/ 二氧化硅)或液體對基礎線部26進行涂覆，然后燒掉殘余物。線12還可以具有操縱層34，該操縱層34從難熔材料層30徑向向外，以保持基礎 線部26的完整。為此，如果被包括的話，操縱層34向基礎線部26提供小的壓應力，由此提 高整體線12的堅固性。因此，如果基礎線部26出現(xiàn)裂縫，則操縱層34的壓應力應該減小 線12將破裂的可能性。除了其他的之外，操縱層34可以是碳的薄層(例如，對于具有大體 上已知尺寸的線12，為1微米或2微米厚)。因此，在執(zhí)行步驟504之前，一些實施例可以形成與所產(chǎn)生的非潤濕層32分離的 操縱層34(例如，參見圖4B中的線2)。因此，在這種實施例中，非潤濕層32基本上覆蓋操 縱層34。更具體而言，非潤濕層32覆蓋操縱層34的外圍表面。然而，一些實施例可以將非 潤濕層32集成到操縱層34中。然后，在步驟506中確定所涂覆的線12是否具有延伸穿過非潤濕層32的細絲(這 類細絲在本文中被稱作“晶須”)。這會出現(xiàn)在例如細絲的絲束形成芯28時。如果所涂覆 的線12具有晶須，則在步驟508中將其剃除。隨后，該工藝將循環(huán)回步驟504，步驟504再 涂覆非潤濕層32?？商孢x地，如果線12沒有晶須，則工藝繼續(xù)到步驟510，步驟510向如圖2所示的 熔爐14提供線12。為此，一些實施例為每個帶狀晶體邊緣提供單個線12，或者為每個帶狀 晶體邊緣提供多個線12(例如，圖6B中的線6和線7)。除非作相反地清楚修改(例如，通 過“單個”或“多個”的詞語)，否則在參照形成帶狀晶體10的邊界/寬度提及術語“線”時， 術語“線”通常意味著一個或多個線。與使用以上形成線12的方法不同的是，一些實施例將凹度加工或鉆孔成圓形或 其他另外大體上的凸形線12。因此，線12可以通過其他方法形成。示例性實施例以增大帶狀晶體頸部36的厚度的方式使在熔爐14中的線12被定 向。例如，圖6A至圖6C示意性示出具有線12的三個帶狀晶體10的橫截面圖，該線12具 有拉長的、大體上的橢圓、大體上的凸形橫截面形狀。為了增大頸部36的厚度，這些實施例 定向它們各自的大體上的縱軸42，使得它們偏離其各自的帶狀晶體10的寬度尺寸。換言 之，為了滿足偏離，縱軸42沒有與寬度尺寸不平行——而是，縱軸42和寬度尺寸相交。更具體而言，每個線12的橫截面具有最大的尺寸，每個尺寸都示出為圖6A至圖6C 中的雙箭頭。為了進行參考，這些拉長橫截面形狀中的每個拉長橫截面形狀的縱軸42因此 被視為與最大尺寸共線。本發(fā)明人已知的現(xiàn)有技術該縱軸42被定向為與帶狀晶體10的寬 度尺寸大體上平行。然而，在該領域中清楚教導的相反，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，將縱軸42定向使得它 與帶狀晶體寬度尺寸不同應該增大頸尺寸。例如，圖6A將縱軸42定向為基本上與寬度尺寸垂直，而圖6C將縱軸42定向成與 寬度尺寸形成淺角。圖6B定向圖6A和圖6C的極端之間的縱軸42。當與上述現(xiàn)有技術相 比時，任一個實施例應該增大頸部36的尺寸。該頸尺寸的增大因此應該減少破裂，由此提
高了產(chǎn)率。應該注意的是，與圖6A至圖6C中所示的取向不同的取向應該提供滿意的結果。例 如，以使得滿足從圖6B所示的角度旋轉約90度(順時針或逆時針)的方式，將縱軸42定向也應該增大頸尺寸。當線12移動穿過熔爐14時，熔融的(每個帶狀晶體10的)帶狀材料形成彎月形物。在測試過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)彎月形物的高度升高通常也使頸部36的厚度增大。為此， 發(fā)明人認識到橫截面線形狀的主半徑應該具有某些特定的性質(zhì)。更具體而言，氣體和熔融材料之間的靜態(tài)界面上的壓力差由如下所列的 Young-Laplace等式來限定，其如下所示其中P1是熔融材料的壓力，P11是氣體的壓力，rl和r2是彎月形物的主要曲率半徑，以及σ (rho)是表面張力。發(fā)明人確定的是，如果熔融材料的壓力小于氣體的壓力，則彎月形物高度應該增 大。為了實現(xiàn)這個結果，發(fā)明人確定當彎月形物的主要曲率半徑為正時(即，當橫截面形狀 大體上為凹形時)主曲率半徑應該小。相反，如果第二曲率半徑r2為負時，在這種情況下 橫截面形狀大體上為凸形，第二曲率半徑r2應該大。早期測試至少初步確認了這些結論。此外，這類測試產(chǎn)生另外驚人的結果。具體 而言，發(fā)明人注意到，通過針對帶狀晶體10的單個邊緣使兩個單獨的線12穿過熔融材料使 彎月形物升高的現(xiàn)象。圖7A和圖7B示意性示出使用該技術形成的帶狀晶體10。發(fā)明人還注意到當制備用于每個邊緣的各個線12時的另外驚人的結果(圖7B)。 具體而言，在一個測試過程中，形成單個邊緣的兩個單獨的線12分開約700微米。除了使 頸部36增厚之外，對該邊緣的仔細研究還表現(xiàn)出在該區(qū)域附近有較大的晶粒——其結果 是完全沒有預料到的(這些單獨的線12沒有上述的非潤濕層32)。嚴格來說，發(fā)明人相信 這種技術和相關技術應該還提高了帶狀晶體10的電效率。圖8A和圖8B示意性示出具有橫截面形狀為大體上凹形的線12的兩個帶狀晶體 10。如圖所示，線12被定向為使得它們的凹度完全向著晶片寬度(即，在X方向上)或者 完全遠離晶片寬度(即，在X方向上)定向。具體而言，凹度大體上對稱地定向，例如，凹度 在X軸上方和下方形成鏡面圖像。這種取向是優(yōu)選的，這是因為發(fā)明人相信它將以促進適 當晶體生長的方式使彎月形物成形。然而，從這些方位的顯著旋轉(順時針或逆時針)會 影響彎月形物形狀，以妨礙適當晶體生長。本領域技術人員可以將這種構思應用于線12，該 線12具有多個凹度或者在橫截面形狀(例如，十字形)的相對面上具有多個凹度。此時，對于正在生長的每個帶狀晶體10，工藝使得兩個線12 ( 一起形成最終的帶 狀晶體寬度)穿過熔爐14和坩鍋18，由此形成線帶狀晶體10 (步驟512)。因此，本發(fā)明的示例性實施例使帶狀晶體10內(nèi)專門構造的線12定向，以增大頸厚 度?？商孢x地或另外地，專門構造的線12使熔爐14內(nèi)的彎月形物高度升高，從而進一步增 大頸部厚度。因此，使用該技術生長的帶狀晶體10應該不容易發(fā)生破裂，由此提高了產(chǎn)率。雖然以上的討論公開了本發(fā)明的各種示例性實施例，但是應該清楚的是，本領域 技術人員可以在不脫離本發(fā)明的真實范圍的情況下，對將實現(xiàn)本發(fā)明的這些優(yōu)點進行各種修改.
權利要求
一種帶狀晶體，包括主體，所述主體具有寬度尺寸；以及線，所述線嵌入所述主體內(nèi)，所述線具有大體上拉長的橫截面形狀，所述線的橫截面具有偏離所述寬度尺寸的大體上的縱軸。
2.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，其中，所述縱軸基本上垂直于所述主體的所述寬度尺寸。
3.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，其中， 所述線的橫截面大體上不規(guī)則地成形。
4.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，其中， 所述線包括多個線。
5.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，還包括 嵌入所述主體內(nèi)的第二線，所述第二線包括多個線。
6.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，其中， 所述線的縱軸不與所述寬度尺寸平行。
7.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，其中，所述主體的橫截面具有頸，所述頸的最小厚度大于約60微米。
8.根據(jù)權利要求1所述的帶狀晶體，其中， 所述主體具有大體上的凸形形狀。
9.一種形成帶狀晶體的方法，所述方法包括提供一組線，每個線具有大體上拉長的橫截面形狀，每個線的橫截面具有大體上的縱軸；向坩鍋添加熔融的材料；以給定方向將所述一組線穿過所述熔融材料，使熔融材料在界面上方凝固，以形成片， 所述片具有與所述一組線的所述給定方向大體上垂直的寬度尺寸， 至少一個線被定向，使得其縱軸偏離所述片的寬度尺寸。
10.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中， 所述一組線包括至少兩個線。
11.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，穿過包括以給定方向將兩個線穿過所述熔融材料，所述寬度尺寸大體上由所述兩個線 限定，所述兩個線被定向，使得其縱軸中的每個縱軸偏離所述片的所述寬度尺寸。
12.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中， 所述熔融材料包括硅基材料。
13.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述一組線的橫截面形狀大體上是橢圓形或矩形。
14.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述一組線的橫截面形狀具有與所述縱軸大體上平行的長尺寸，所述一組線的橫截面 形狀還具有與所述長尺寸大體上垂直的短尺寸，所述短尺寸大體上是不規(guī)則的。
15.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述一組線的橫截面形狀大體上是凸形的。
16.根據(jù)權利要求9所述的方法，其中，所述一組線的橫截面形狀是大體上凹形的。
17.一種帶狀晶體，包括 主體；以及線，所述線在所述主體內(nèi)，所述線具有大體上凹形的橫截面形狀。
18.根據(jù)權利要求17所述的帶狀晶體，其中， 所述線為“ T ”形、“ C”形和十字形中的一種。
19.根據(jù)權利要求17所述的帶狀晶體，其中， 所述主體包含硅。
20.根據(jù)權利要求17所述的帶狀晶體，其中，所述線包括一對接觸線，所述一對接觸線大體上形成拉長的、凹形橫截面形狀。
21.根據(jù)權利要求17所述的帶狀晶體，其中，所述主體具有厚度尺寸，所述線包括大體上沿著所述主體的厚度尺寸分割開的一對線。
22.根據(jù)權利要求17所述的帶狀晶體，其中，所述主體形成寬度尺寸，所述線具有圍繞所述寬度尺寸大體上對稱的凹度。
全文摘要
一種帶狀晶體包括具有寬度尺寸的主體以及嵌入主體內(nèi)的線。該線具有大體上拉長的橫截面形狀。(該線的)橫截面具有大體上的縱軸，該縱軸偏離帶狀晶體主體的寬度尺寸。
文檔編號H01L31/18GK101821433SQ200880103858
公開日2010年9月1日 申請日期2008年8月29日 優(yōu)先權日2007年8月31日
發(fā)明者斯科特·賴特斯瑪 申請人:長青太陽能股份有限公司