專利名稱：帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓led集成芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片。
背景技術(shù)：
倒裝芯片技術(shù)是當(dāng)今最先進(jìn)的微電子封裝技術(shù)之一，它既是一種芯片互 連技術(shù)，又是一種理想的芯片粘接技術(shù)，它將電路組裝密度提升到了一個(gè)新 的高度。在所有表面安裝技術(shù)中，倒裝芯片可以達(dá)到最小、最薄的封裝，隨 著電子產(chǎn)品體積的進(jìn)一步縮小，倒裝芯片的應(yīng)用將會(huì)越來(lái)越廣泛。將LED裸 芯片倒扣在襯底上的封裝形式稱為倒裝LED。傳統(tǒng)的倒裝LED采用面積較大 的數(shù)量較少的功率型LED，成本較高，由于芯片面積較大，熱源集中，因此 散熱效果不好；同時(shí)，這種倒裝LED較難實(shí)現(xiàn)多芯片集成。
目前還出現(xiàn)了用擴(kuò)散隔離法制造的在硅襯底上帶靜電保護(hù)二極管的倒裝 LED集成芯片，當(dāng)LED集成芯片的裸芯片串聯(lián)的集成度較高時(shí)，即LED集 成芯片的裸芯片串聯(lián)數(shù)量較多時(shí)，整個(gè)LED集成芯片的額定電壓較高，此時(shí) 硅襯底內(nèi)與LED正負(fù)極相聯(lián)接的擴(kuò)散層與硅襯底內(nèi)的阱區(qū)及硅襯底之間形成 的寄生晶閘管易發(fā)生發(fā)射極與集電極之間導(dǎo)通漏電而產(chǎn)生耐壓不足的現(xiàn)象， 同時(shí)也使本應(yīng)絕緣的硅襯底也帶有電位，故當(dāng)整個(gè)集成芯片二次封裝在金屬 殼內(nèi)以后，金屬殼也容易產(chǎn)生電位，難以再進(jìn)一步將己二次封裝好的集成芯 片再進(jìn)行串聯(lián)應(yīng)用，以上幾點(diǎn)使得整個(gè)LED集成芯片在高壓時(shí)容易出現(xiàn)不穩(wěn) 定，甚至根本達(dá)不到額定電壓，致使芯片的亮度達(dá)不到設(shè)計(jì)要求。尤其是當(dāng) 將整個(gè)芯片設(shè)計(jì)成兩極直接接于220V或110V的交流電源應(yīng)用時(shí)，即若干個(gè) LED裸芯片串聯(lián)或串并聯(lián)組合連接時(shí)，漏電現(xiàn)象更是嚴(yán)重。因此，現(xiàn)有的LED 集成芯片的耐高壓性能不好。正裝芯片技術(shù)是傳統(tǒng)的微電子封裝技術(shù)，其技術(shù)成熟，應(yīng)用范圍廣泛。
目前絕大多數(shù)LED均為正裝LED, LED裸芯片的襯底無(wú)論是砷化鎵還是碳 化硅，在襯底外都鍍有一層金屬層作為N型電極，同時(shí)也兼作散熱之用，其 正裝在一個(gè)帶有反射杯的支架上作為陰極，其上面的P型外延層再通過(guò)金屬 線焊接在陽(yáng)極引線上，由于此種裸芯片的上面及襯底面各作為電極的一端， 故習(xí)稱為"單電極芯片"，目前，黃光和紅光LED較多采用這種單電極芯片。 除上述單電極LED裸芯片外(芯片正反面各有一個(gè)電極)，近年來(lái)有的LED 裸芯片的襯底為絕緣材料如氧化鋁，所以正(P型)與負(fù)(N型)電極均需 設(shè)置于裸芯片的表面，亦即所謂的"雙電極芯片"，目前，藍(lán)光和綠光LED 較多采用這種雙電極芯片。將多個(gè)LED裸芯片集成在一個(gè)線路板上稱為集成 芯片。無(wú)論是單電極LED裸芯片還是雙電極LED裸芯片均可應(yīng)用在LED集 成芯片上。由于常用的LED線路板均為鋁基板，鋁基板本身是導(dǎo)體，故在集 成芯片的加工過(guò)程中極易短路，無(wú)法實(shí)現(xiàn)串聯(lián)連接。
同樣，目前還出現(xiàn)了用擴(kuò)散隔離法制造的在硅襯底上帶靜電保護(hù)二極管 的正裝LED集成芯片，其同樣具有耐高壓性能不好的缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種成本 低、易于集成、散熱效果好、耐高壓性能好的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED 集成芯片。
本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是本實(shí)用新型帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓 LED集成芯片包括若干個(gè)LED裸芯片和硅襯底，所述LED裸芯片包括襯底 和N型外延層、P型外延層，所述硅襯底上生成有導(dǎo)熱絕緣層I ，所述導(dǎo)熱 絕緣層I上生成有導(dǎo)熱絕緣層II，所述導(dǎo)熱絕緣層II上沉積有金屬層，各所 述LED裸芯片正裝或倒裝在各所述金屬層上，若干個(gè)所述LED裸芯片之間通過(guò)所述金屬層相連接組成電路，所述導(dǎo)熱絕緣層I與所述導(dǎo)熱絕緣層II之
間于每個(gè)所述LED裸芯片處均設(shè)有一個(gè)多晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間 為多晶硅區(qū)I、兩側(cè)為與所述多晶硅區(qū)I極性相反的多晶硅區(qū)II，兩個(gè)分離 的所述金屬層分別與位于同一個(gè)所述多晶硅塊內(nèi)的兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)II相連接。
各所述LED裸芯片對(duì)應(yīng)的所述P型外延層、所述N型外延層分別通過(guò) 焊球倒裝焊接在兩個(gè)分離的所述金屬層上，所述焊球?yàn)榻鹎蛩ɑ蜚~球栓或錫 球。
或者，所述LED裸芯片為單電極芯片，所述襯底為砷化鎵或碳化硅襯底，
所述襯底用銀漿或錫粘合在所述金屬層上，所述LED裸芯片的電極接點(diǎn)通過(guò)
金屬線焊接在相鄰的一個(gè)所述金屬層上。
或者，所述LED裸芯片為雙電極芯片，所述襯底為氧化鋁襯底，所述襯
底用銀漿或錫粘合在所述金屬層上，所述P型外延層、所述N型外延層分別
通過(guò)金屬線焊接在相鄰的兩個(gè)所述金屬層上。
進(jìn)一步，所述硅襯底的正面向內(nèi)擴(kuò)散有一層N+擴(kuò)散層。 進(jìn)一步，所述硅襯底的背面還有由一層或多層金屬構(gòu)成的散熱層。 若干個(gè)所述LED裸芯片之間串聯(lián)或并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接。 所述導(dǎo)熱絕緣層I由氮化硅層或二氧化硅層或氮化硅層與二氧化硅層組
合構(gòu)成，所述導(dǎo)熱絕緣層II由二氧化硅層構(gòu)成。
所述金屬層的外表面為反光面，所述硅襯底為P型或N型，所述金屬層
為鋁或銅或硅鋁合金。
本實(shí)用新型的有益效果是由于本實(shí)用新型的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓 LED集成芯片若干個(gè)所述LED裸芯片之間通過(guò)所述金屬層相連接組成電路， 若干個(gè)所述LED裸芯片之間可以串聯(lián)或并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接，多個(gè)所述 LED裸芯片分布面積廣，發(fā)光效果更好，且制造成本比采用單顆面積較大的 功率型LED芯片更低；另外，本實(shí)用新型使用到集成電路的光刻、氧化、蝕刻等技術(shù)，所以所述金屬層的尺寸比現(xiàn)有在線路板上直接安裝若干個(gè)LED的 技術(shù)的金屬層尺寸更小，其占用面積較小，可實(shí)現(xiàn)小芯片集成，以達(dá)到降低 成本的目的，故本實(shí)用新型成本低、易于集成；
由于本實(shí)用新型的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片所述硅襯底上 生成有導(dǎo)熱絕緣層I ，所述導(dǎo)熱絕緣層I上生成有導(dǎo)熱絕緣層II ，所述形成 導(dǎo)熱絕緣層II上沉積有金屬層，各所述LED裸芯片正裝或倒裝在各所述金屬 層上，若干個(gè)所述LED裸芯片之間通過(guò)所述金屬層相連接組成電路，所述導(dǎo) 熱絕緣層I與所述導(dǎo)熱絕緣層II之間于每個(gè)所述LED裸芯片處均設(shè)有一個(gè)多 晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū)I 、兩側(cè)為與所述多晶硅區(qū)I 極性相反的多晶硅區(qū)II，兩個(gè)分離的所述金屬層分別與位于同一個(gè)所述多晶 硅塊內(nèi)的兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)II相連接，每個(gè)所述LED裸芯片通過(guò)與其相接 的兩個(gè)所述焊球?qū)崃總鞯剿鼋饘賹踊蛘咄ㄟ^(guò)襯底及金屬線將熱量傳到所 述金屬層，并通過(guò)所述多晶硅塊、所述導(dǎo)熱絕緣層II、所述導(dǎo)熱絕緣層I將 熱量傳給所述硅襯底及所述散熱層，所述導(dǎo)熱絕緣層I由氮化硅層或二氧化 硅層或氮化硅層與二氧化硅層組合構(gòu)成，所述導(dǎo)熱絕緣層II由二氧化硅層構(gòu) 成，其導(dǎo)熱系數(shù)比一般導(dǎo)熱膠高數(shù)10倍至100多倍，同時(shí)所述導(dǎo)熱絕緣層I 、 所述導(dǎo)熱絕緣層II的厚度薄，因此導(dǎo)熱性好，所述金屬層及所述散熱層的面 積較大，熱源較分散，散熱效果好，使用壽命長(zhǎng)，故本實(shí)用新型的帶靜電保 護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片散熱效果好、使用壽命長(zhǎng)；
由于本實(shí)用新型的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片所述硅襯底上
生成有導(dǎo)熱絕緣層I ，所述導(dǎo)熱絕緣層I與所述導(dǎo)熱絕緣層n之間于每個(gè)所
述LED裸芯片處均設(shè)有一個(gè)多晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū) I、兩側(cè)為與所述多晶硅區(qū)I極性相反的多晶硅區(qū)II，兩個(gè)分離的所述金屬 層分別與位于同一個(gè)所述多晶硅塊內(nèi)的兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)II相連接，所述 導(dǎo)熱絕緣層II的二氧化硅能夠起到良好的導(dǎo)熱及散熱作用，同時(shí)二氧化硅的 絕緣性好，使得本實(shí)用新型的集成芯片的耐高壓性好，所述多晶硅區(qū)I9與
7兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)I15分別構(gòu)成靜電保護(hù)二極管，起到在封裝過(guò)程中靜電 保護(hù)的作用，防止漏電或短路，各個(gè)所述LED裸芯片相互間可以產(chǎn)生串聯(lián)或 并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接的多種電路連接方式，避免了現(xiàn)有的采用在一塊金屬 襯底上各個(gè)LED裸芯片只能并聯(lián)連接無(wú)法實(shí)現(xiàn)串聯(lián)及串并聯(lián)組合連接的弊 端，同時(shí)多晶硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，也能夠起到良好的導(dǎo)熱及散熱作用，經(jīng)試驗(yàn)， 當(dāng)將數(shù)個(gè)串聯(lián)的集成芯片再串聯(lián)后的兩極直接接于220V或110V的交流電源 應(yīng)用時(shí)，本實(shí)用新型能夠滿足耐高壓要求不漏電，故本實(shí)用新型的帶靜電保 護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片耐高壓性能好、散熱效果好、可實(shí)現(xiàn)多種連接 方式，為L(zhǎng)ED集成芯片直接接于市電應(yīng)用提供了廣闊的前景；
由于本實(shí)用新型的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片所述金屬層的 外表面為反光面，所述LED裸芯片的PN結(jié)在底面發(fā)出的光線遇到所述金屬 層會(huì)發(fā)生反射，反射的光線又從正面射出，這樣從所述LED裸芯片的PN結(jié) 的底面發(fā)出的光得到了有效利用，減少了底面光的浪費(fèi)，提高了發(fā)光效率， 故本實(shí)用新型的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片發(fā)光效率高、正面出 光強(qiáng)度高。


圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的斷 面結(jié)構(gòu)示意圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制 造方法中步驟(a)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖3、圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯 片的制造方法中步驟(b)過(guò)程的斷面結(jié)構(gòu)示意圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制 造方法中步驟(c)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制造方法中步驟(d)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制 造方法中步驟(e)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制
造方法中步驟(f)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖9是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制 造方法中步驟(g)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖10是本實(shí)用新型實(shí)施例一帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(g')完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖11是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 斷面結(jié)構(gòu)示意圖12是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(a0)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖13是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(a)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖14、圖15是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成 芯片的制造方法中步驟(b)過(guò)程的斷面結(jié)構(gòu)示意圖16是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(c)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖17是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(d)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖18是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(e)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖19是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(f)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖20是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制造方法中步驟(g)完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖21是本實(shí)用新型實(shí)施例二帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 制造方法中步驟(g')完成后的斷面結(jié)構(gòu)示意圖22是本實(shí)用新型實(shí)施例三帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 斷面結(jié)構(gòu)示意圖23是本實(shí)用新型實(shí)施例四帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 斷面結(jié)構(gòu)示意圖24是本實(shí)用新型實(shí)施例五帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 斷面結(jié)構(gòu)示意圖25是本實(shí)用新型實(shí)施例六帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的 斷面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例一
如圖1所示，本實(shí)施例的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片包括若 干個(gè)LED裸芯片1和硅襯底2，所述LED裸芯片1包括藍(lán)寶石(A1203)襯 底10和氮化鎵(GaN) N型外延層11、 P型外延層12，當(dāng)然，所述襯底10 也可以為碳化硅(SiC)等其他材料的襯底，所述硅襯底2為P型硅襯底，所 述硅襯底2上生成有導(dǎo)熱絕緣層141，所述導(dǎo)熱絕緣層141由氮化硅層構(gòu)成， 氮化硅的導(dǎo)熱系數(shù)很高，其導(dǎo)熱系數(shù)比一般導(dǎo)熱膠高100多倍，同時(shí)所述導(dǎo) 熱絕緣層I41的厚度薄，因此導(dǎo)熱性好，能夠起到良好的導(dǎo)熱及散熱作用， 同時(shí)氮化硅的絕緣性好，使得本實(shí)用新型的集成芯片的耐高壓性好，所述導(dǎo) 熱絕緣層I 41上生成有導(dǎo)熱絕緣層I142，所述導(dǎo)熱絕緣層I142由二氧化硅層 構(gòu)成，所述導(dǎo)熱絕緣層II42的二氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)也較高，其導(dǎo)熱系數(shù)比一 般導(dǎo)熱膠高數(shù)10倍，同時(shí)所述導(dǎo)熱絕緣層I42的厚度薄，因此導(dǎo)熱性好，能夠起到良好的導(dǎo)熱及散熱作用，同時(shí)二氧化硅的絕緣性好，使得本實(shí)用新
型的集成芯片的耐高壓性好，所述導(dǎo)熱絕緣層II42上沉積有金屬層6，所述 金屬層6的外表面為反光面，所述金屬層6為鋁，當(dāng)然也可以采用銅或硅鋁 合金，所述金屬層6既是電極、導(dǎo)電體，又是LED的散熱片，還是底面光線 的反光體，所述硅襯底2的背面還有由包含鈦、鎳、銀材料構(gòu)成的散熱層7， 當(dāng)然所述散熱層7也可以由一層金屬鋁構(gòu)成，各所述LED裸芯片1對(duì)應(yīng)的所 述P型外延層12、所述N型外延層11分別通過(guò)焊球80、 81倒裝焊接在兩個(gè) 分離的所述金屬層6上，所述焊球80、 81為金球栓，當(dāng)然也可以為銅球栓或 錫球，若干個(gè)所述LED裸芯片1之間通過(guò)所述金屬層6相連接組成全串聯(lián)的 電路，所述導(dǎo)熱絕緣層I 41與所述導(dǎo)熱絕緣層I142之間于每個(gè)所述LED裸 芯片1處均設(shè)有一個(gè)多晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū)I 9、兩 側(cè)為與所述多晶硅區(qū)I 9極性相反的多晶硅區(qū)115，所述多晶硅區(qū)I 9為P型， 所述多晶硅區(qū)I15為N型，兩個(gè)分離的所述金屬層6分別與位于同一個(gè)所述 多晶硅塊內(nèi)的兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)I15相連接，所述多晶硅區(qū)I 9與兩側(cè)的所 述多晶硅區(qū)I15分別構(gòu)成靜電保護(hù)二極管，形成了靜電保護(hù)裝置，起到在封 裝過(guò)程中靜電保護(hù)的作用，防止漏電或短路，同時(shí)多晶硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，亦 能夠起到良好的導(dǎo)熱及散熱作用。
當(dāng)然，所述硅襯底2也可以為N型硅襯底，所述導(dǎo)熱絕緣層I 41也可以 由沉積的二氧化硅層或二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，若干個(gè)所述LED裸 芯片1之間也可以組成并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接的電路。
每個(gè)所述LED裸芯片1通過(guò)與其相接的兩個(gè)所述焊球80、 81將熱量傳 到所述金屬層6，并通過(guò)所述多晶硅塊、所述導(dǎo)熱絕緣層I142、所述導(dǎo)熱絕 緣層I 41將熱量傳給所述硅襯底2及所述散熱層7，所述金屬層6及所述散 熱層7的面積較大，熱源較分散，散熱效果好，使用壽命長(zhǎng)；另外，所述多 晶硅區(qū)I9與兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)I15構(gòu)成的靜電保護(hù)裝置耐高壓靜電性能 好，經(jīng)試驗(yàn)，當(dāng)將數(shù)個(gè)串聯(lián)的集成芯片再串聯(lián)后的兩極直接接于220V或110V的交流電源應(yīng)用時(shí)，本實(shí)用新型能夠滿足耐高壓要求不漏電，為L(zhǎng)ED集成芯 片直接接于市電應(yīng)用提供了廣闊的前景。
如圖1 圖IO所示，本實(shí)施例的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片 的制造方法包括以下步驟
(a) 形成導(dǎo)熱絕緣層I :采用低壓化學(xué)氣相沉積法在所述硅襯底2的 正面沉積厚度為3500埃的氮化硅層，即形成所述導(dǎo)熱絕緣層I41，所述氮化 硅層的厚度范圍可控制在1000 6000埃，所述氮化硅層的厚度隨耐壓要求的 提高而增加，厚度一般是按照每100V耐壓需要1000埃的所述氮化硅層進(jìn)行 控制，此步驟最后形成的斷面圖如圖2所示；當(dāng)然，所述導(dǎo)熱絕緣層I41也 可以通過(guò)沉積二氧化硅形成，二氧化硅層的厚度范圍可控制在1500 8000 埃，所述二氧化硅層的厚度隨耐壓要求的提高而增加，厚度一般是按照每 100V耐壓需要1500埃的所述二氧化硅層進(jìn)行控制；同理，所述導(dǎo)熱絕緣層 141也可以由氮化硅層與二氧化硅層組合構(gòu)，其厚度范圍可按照上述規(guī)律進(jìn) 行控制成，比如先沉積形成400 8000埃的二氧化硅層再沉積形成厚度為 1000 6000埃的氮化硅層，或者先形成1000 6000埃的氮化硅層再形成厚度 為1500 8000埃的二氧化硅層；
(b) 形成多晶硅層及第一氧化層采用低壓化學(xué)氣相沉積法在所述導(dǎo) 熱絕緣層I 41上沉積厚度為7000埃的多晶硅層90,所述多晶硅層90的厚度 范圍可控制在6000 8000埃，如圖3所示，然后用離子注入機(jī)在50 100keV 的能量下將1 X 1013 5X 10"/cn^劑量的P型雜質(zhì)硼離子或二氟化硼離子注入 所述多晶硅層90，注入劑量的多少?zèng)Q定所形成的靜電保護(hù)二極管的導(dǎo)通電壓 的高低，通常注入劑量愈大，靜電保護(hù)二極管的導(dǎo)通電壓愈低，再在氧化爐 管內(nèi)采用濕氧法在卯(TC 1100'C的高溫下驅(qū)入，驅(qū)入同時(shí)熱氧化生長(zhǎng)出厚 度為2000埃的第一氧化層43，所述第一氧化層43的厚度范圍可控制在 1000 3000埃，此步驟最后形成的斷面圖如圖4所示；
(c) 形成阻擋層在光刻機(jī)上利用阻擋層掩模版進(jìn)行光刻，再用含HF
12的腐蝕液對(duì)所述第一氧化層43的光刻圖形部分進(jìn)行蝕刻，去除所述光刻圖形 部分內(nèi)的所述第一氧化層43，剩余的所述第一氧化層43構(gòu)成阻擋層，此步 驟最后形成的斷面圖如圖5所示；
(d) 形成多晶硅塊用離子注入機(jī)在50 80keV的能量下將1 X 1015 5X10"/cn^劑量的N型雜質(zhì)砷離子注入所述多晶硅層90內(nèi)，當(dāng)然也可以注 入磷離子或者在擴(kuò)散爐管內(nèi)將磷離子N型重?fù)诫s注入所述多晶硅層90內(nèi)， 然后在光刻機(jī)上利用多晶硅層掩模版進(jìn)行光刻，再用濕法或干法蝕刻工藝對(duì) 所述多晶硅層90的光刻圖形部分進(jìn)行蝕刻，最終剩余的多晶硅形成由所述多 晶硅區(qū)I9、所述多晶硅區(qū)II5組成的所述多晶硅塊，此步驟最后形成的斷面 圖如圖6所示；
(e) 形成導(dǎo)熱絕緣層n:在擴(kuò)散爐管內(nèi)在90(TC 110(rC高溫下采用濕 氧法將砷離子或磷離子驅(qū)入所述多晶硅區(qū)I15內(nèi)，驅(qū)入同時(shí)熱氧化生長(zhǎng)出厚 度為2000埃的第二氧化層，所述第二氧化層的厚度范圍可控制在1000 3000 埃，使得所述第二氧化層與所述阻擋層結(jié)合在一起形成所述導(dǎo)熱絕緣層I142 并將所述多晶硅區(qū)I9、所述多晶硅區(qū)II5包覆在內(nèi)部；當(dāng)然，也可以采用低 壓化學(xué)氣相沉積法沉積二氧化硅厚度為1000 3000埃的第二氧化層，使得所 述第二氧化層與所述阻擋層結(jié)合在一起形成所述導(dǎo)熱絕緣層1142并將所述多 晶硅區(qū)I9、所述多晶硅區(qū)I15包覆在內(nèi)部，此步驟最后形成的斷面圖如圖7 所示；
(f) 形成接觸孔在光刻機(jī)上利用接觸孔光刻版進(jìn)行光刻，再用干法 或濕法蝕刻工藝對(duì)所述導(dǎo)熱絕緣層II42進(jìn)行蝕刻，形成接觸孔45,此步驟最 后形成的斷面圖如圖8所示；
(g) 形成金屬層以濺射或蒸鍍的方法沉積厚度為20000埃的金屬層， 所述金屬層的厚度范圍可控制在5000 40000埃，然后在光刻機(jī)上利用金屬 光刻掩模版進(jìn)行光刻，再用半導(dǎo)體工藝常用的干法蝕刻工藝對(duì)金屬層進(jìn)行蝕 刻，當(dāng)然，也可以采用濕法蝕刻對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻，蝕刻后剩余的金屬層與倒裝后的LED構(gòu)成串聯(lián)或并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接電路的所述金屬層6，此步 驟最后形成的斷面圖如圖9所示；
(g')形成散熱層先將所述硅襯底2的背面用研磨的方法減薄，將所
述硅襯底2的厚度由400 650微米減薄至200 250微米，以提高散熱能力， 再用金屬濺射或蒸鍍的方法沉積一層鋁金屬層或包含鈦、鎳、銀材料的多層 金屬層于所述硅襯底2的背面，形成所述散熱層7，此步驟最后形成的斷面 圖如圖IO所示；
(h) LED裸芯片封裝對(duì)于每個(gè)所述LED裸芯片1 ，植金球栓于兩個(gè) 分離的所述金屬層6上，再通過(guò)超聲鍵合將若干個(gè)所述LED裸芯片1倒裝在 金球栓上，當(dāng)然金球栓也可以采用銅球栓或錫球代替，當(dāng)采用錫球時(shí)，需通 過(guò)回流焊將若干個(gè)所述LED裸芯片1倒裝在錫球上，此步驟最后形成的斷面 圖如圖1所示。
實(shí)施例二
如圖11所示，本實(shí)施例的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片包括 若干個(gè)LED裸芯片1和硅襯底2，所述LED裸芯片1包括藍(lán)寶石(A1203) 襯底10和氮化鎵(GaN) N型外延層11、 P型外延層12，當(dāng)然，所述襯底 IO也可以為碳化硅(SiC)等其他材料的襯底，所述硅襯底2為P型硅襯底， 所述硅襯底2上生成有導(dǎo)熱絕緣層I 41，所述導(dǎo)熱絕緣層I 41由二氧化硅構(gòu) 成，二氧化硅的導(dǎo)熱系數(shù)較高，其導(dǎo)熱系數(shù)比一般導(dǎo)熱膠高數(shù)10倍，同時(shí)所 述導(dǎo)熱絕緣層I41的厚度薄，因此導(dǎo)熱性好，能夠起到良好的導(dǎo)熱及散熱作 用，同時(shí)二氧化硅的絕緣性好，使得本實(shí)用新型的集成芯片的耐高壓性好， 所述硅襯底2的正面向內(nèi)擴(kuò)散有一層N+擴(kuò)散層3，所述導(dǎo)熱絕緣層I 41上生 成有導(dǎo)熱絕緣層I142，所述導(dǎo)熱絕緣層II42由二氧化硅層構(gòu)成，同理所述導(dǎo) 熱絕緣層I142的導(dǎo)熱性及絕緣性好，也使得本實(shí)用新型的集成芯片的耐高壓 性好，所述導(dǎo)熱絕緣層II42上沉積有金屬層6，所述金屬層6的外表面為反 光面，所述金屬層6為鋁，當(dāng)然也可以采用銅或硅鋁合金，所述金屬層6既是電極、導(dǎo)電體，又是LED的散熱片，還是底面光線的反光體，所述硅襯底 2的背面還有由包含鈦、鎳、銀材料構(gòu)成的散熱層7，當(dāng)然所述散熱層7也可 以由一層金屬鋁構(gòu)成，各所述LED裸芯片1對(duì)應(yīng)的所述P型外延層12、所 述N型外延層11分別通過(guò)焊球80、 81倒裝焊接在兩個(gè)分離的所述金屬層6 上，所述焊球80、 81為金球栓，當(dāng)然也可以為銅球栓或錫球，若干個(gè)所述 LED裸芯片1之間通過(guò)所述金屬層6相連接組成全串聯(lián)的電路，所述導(dǎo)熱絕 緣層I 41與所述導(dǎo)熱絕緣層I142之間于每個(gè)所述LED裸芯片1處均設(shè)有一 個(gè)多晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū)19、兩側(cè)為與所述多晶硅 區(qū)I9極性相反的多晶硅區(qū)I15，所述多晶硅區(qū)I9為N型，所述多晶硅區(qū)II 5為P型，兩個(gè)分離的所述金屬層6分別與位于同一個(gè)所述多晶硅塊內(nèi)的兩 側(cè)的所述多晶硅區(qū)I15相連接，所述多晶硅區(qū)I 9與兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)I15 分別構(gòu)成靜電保護(hù)二極管，形成了靜電保護(hù)裝置，起到在封裝過(guò)程中靜電保 護(hù)的作用，防止漏電或短路，同時(shí)多晶硅的導(dǎo)熱系數(shù)高，也能夠起到良好的 導(dǎo)熱及散熱作用。
當(dāng)然，所述硅襯底2也可以為N型硅襯底，所述導(dǎo)熱絕緣層I 41也可以 由氮化硅層或二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，若千個(gè)所述LED裸芯片1之 間也可以組成并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接的電路。
每個(gè)所述LED裸芯片1通過(guò)與其相接的兩個(gè)所述焊球80、 81將熱量傳 到所述金屬層6，并通過(guò)所述多晶硅塊、所述導(dǎo)熱絕緣層I142、所述導(dǎo)熱絕 緣層I 41將熱量傳給所述硅襯底2及所述散熱層7，所述金屬層6及所述散 熱層7的面積較大，熱源較分散，散熱效果好，使用壽命長(zhǎng)；另外，所述多 晶硅區(qū)I 9與兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)I15構(gòu)成的靜電保護(hù)裝置耐高壓性能好，經(jīng) 試驗(yàn)，當(dāng)將數(shù)個(gè)串聯(lián)的集成芯片再串聯(lián)后的兩極直接接于220V或110V的交 流電源應(yīng)用時(shí)，本實(shí)用新型能夠滿足耐高壓要求不漏電，為L(zhǎng)ED集成芯片直 接接于市電應(yīng)用提供了廣闊的前景。
如圖11 圖21所示，本實(shí)施例的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片的制造方法包括以下步驟
(a0)形成N+擴(kuò)散層在高溫?cái)U(kuò)散爐管內(nèi)在900'C 100(TC下對(duì)所述硅 襯底2的正面摻雜N型雜質(zhì)磷，形成內(nèi)阻為10 40Q/口的所述N+擴(kuò)散層3， 當(dāng)然，也可以用離子注入法將雜質(zhì)磷離子或砷離子注入所述硅襯底2中，再 在高溫下驅(qū)入所述硅襯底2，此步驟最后形成的斷面圖如圖12所示；
(a) 形成導(dǎo)熱絕緣層I:將所述硅襯底2在氧化爐管內(nèi)在90(TC 1100 'C高溫下采用濕氧法熱氧化生長(zhǎng)出厚度為5000埃的二氧化硅層，即形成所述 導(dǎo)熱絕緣層I41，所述二氧化硅層的厚度范圍可控制在3000 8000埃，所述 二氧化硅層的厚度隨耐壓要求的提高而增加，厚度一般是按照每100V耐壓 需要1500埃的所述二氧化硅層進(jìn)行控制；同理，所述導(dǎo)熱絕緣層I41也可 以由二氧化硅層與氮化硅層組合構(gòu)成，其厚度范圍可參照實(shí)施例一進(jìn)行控制； 此步驟最后形成的斷面圖如圖13所示；
(b) 形成多晶硅層及第一氧化層采用低壓化學(xué)氣相沉積法在所述導(dǎo)熱 絕緣層I 41上沉積厚度為7000埃的多晶硅層90，所述多晶硅層90的厚度范 圍可控制在6000 8000埃，如圖14所示，然后用離子注入機(jī)在50 80keV 的能量下將lX10" 5X10"/cii^劑量的N型雜質(zhì)砷離子注入所述多晶硅層 90內(nèi)，注入劑量的多少?zèng)Q定所形成的靜電保護(hù)二極管的導(dǎo)通電壓的高低，通 常注入劑量愈大，靜電保護(hù)二極管的導(dǎo)通電壓愈低，當(dāng)然也可以注入磷離子， 再在氧化爐管內(nèi)采用濕氧法在在90(TC 1100'C的高溫下驅(qū)入，驅(qū)入同時(shí)熱 氧化生長(zhǎng)出厚度為2000埃的第一氧化層43，所述第一氧化層43的厚度范圍 可控制在1000 3000埃，此步驟最后形成的斷面圖如圖15所示；
(c) 形成阻擋層在光刻機(jī)上利用阻擋層掩模版進(jìn)行光刻，再用含HF 的腐蝕液對(duì)所述第一氧化層43的光刻圖形部分進(jìn)行蝕刻，去除所述光刻圖形 部分內(nèi)的所述第一氧化層43,剩余的所述第一氧化層43構(gòu)成阻擋層，此步 驟最后形成的斷面圖如圖16所示；
(d) 形成多晶硅塊用離子注入機(jī)在50 100keV的能量下將1 X 1015
165X10"/cr^劑量的P型雜質(zhì)硼離子或二氟化硼離子注入所述多晶硅層90內(nèi)， 然后在光刻機(jī)上利用多晶硅層掩模版進(jìn)行光刻，再用濕法或干法蝕刻工藝對(duì) 所述多晶硅層90的光刻圖形部分進(jìn)行蝕刻，最終剩余的多晶硅形成由所述多 晶硅區(qū)I9、所述多晶硅區(qū)II5組成的所述多晶硅塊，此步驟最后形成的斷面 圖如圖17所示；
(e) 形成導(dǎo)熱絕緣層Ih在擴(kuò)散爐管內(nèi)在900。C 1100。C高溫下采用濕 氧法將硼離子或二氟化硼離子驅(qū)入所述多晶硅區(qū)I15內(nèi)，驅(qū)入同時(shí)熱氧化生 長(zhǎng)出厚度為2000埃的第二氧化層，所述第二氧化層的厚度范圍可控制在 1000 3000埃，使得所述第二氧化層與所述阻擋層結(jié)合在一起形成所述導(dǎo)熱 絕緣層II42并將所述多晶硅區(qū)19、所述多晶硅區(qū)II5包覆在內(nèi)部；當(dāng)然，也 可以采用低壓化學(xué)氣相沉積法沉積二氧化硅厚度為1000 3000埃的第二氧 化層，使得所述第二氧化層與所述阻擋層結(jié)合在一起形成所述導(dǎo)熱絕緣層II 42并將所述多晶硅區(qū)19、所述多晶硅區(qū)II5包覆在內(nèi)部，此步驟最后形成的 斷面圖如圖18所示；
(f) 形成接觸孔在光刻機(jī)上利用接觸孔光刻版進(jìn)行光刻，再用干法或 濕法蝕刻工藝對(duì)所述導(dǎo)熱絕緣層II42進(jìn)行蝕刻，形成接觸孔45，此步驟最后 形成的斷面圖如圖19所示；
(g) 形成金屬層以濺射或蒸鍍的方法沉積厚度為20000埃的金屬層， 所述金屬層的厚度范圍可控制在5000 40000埃，然后在光刻機(jī)上利用金屬 光刻掩模版進(jìn)行光刻，再用半導(dǎo)體工藝常用的干法蝕刻工藝對(duì)金屬層進(jìn)行蝕 刻，當(dāng)然，也可以采用濕法蝕刻對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻，蝕刻后剩余的金屬層與 倒裝后的LED構(gòu)成串聯(lián)或并聯(lián)或串并聯(lián)組合連接電路的的所述金屬層6，此 步驟最后形成的斷面圖如圖20所示；
(g')形成散熱層先將所述硅襯底2的背面用研磨的方法減薄，將所 述硅襯底2的厚度由400 650微米減薄至200 250微米，以提高散熱能力， 再用金屬濺射或蒸鍍的方法沉積一層鋁金屬層或包含鈦、鎳、銀材料的多層
17金屬層于所述硅襯底2的背面，形成所述散熱層7，此步驟最后形成的斷面
圖如圖21所示；
(h) LED裸芯片封裝對(duì)于每個(gè)所述LED裸芯片1，植金球栓于兩個(gè) 分離的所述金屬層6上，再通過(guò)超聲鍵合將若干個(gè)所述LED裸芯片1倒裝在 金球栓上，當(dāng)然金球栓也可以采用銅球栓或錫球代替，當(dāng)采用錫球時(shí)，需通 過(guò)回流焊將若干個(gè)所述LED裸芯片1倒裝在錫球上，此步驟最后形成的斷面 圖如圖ll所示。
實(shí)施例三
如圖22所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于本實(shí)施例的帶靜電保護(hù) 的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片中所述LED裸芯片1為單電極芯片，所述LED 裸芯片1包括砷化鎵(GaAs)襯底10和N型外延層11、 P型外延層12，當(dāng) 然，所述襯底10也可以為碳化硅(SiC)等其他材料的襯底，各所述LED裸 芯片1正裝在各所述金屬層6上并通過(guò)所述金屬層6相連接組成全串聯(lián)的電 路，所述襯底10用銀槳或錫粘合在所述金屬層6上，所述LED裸芯片1的 電極接點(diǎn)通過(guò)金屬線41焊接在相鄰的一個(gè)所述金屬層6上。
本實(shí)施例其余特征同實(shí)施例一 。
實(shí)施例四
如圖23所示，本實(shí)施例與實(shí)施例二的區(qū)別在于本實(shí)施例的帶靜電保護(hù) 的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片中所述LED裸芯片1為單電極芯片，所述LED 裸芯片1包括砷化鎵(GaAs)襯底10和N型外延層11、 P型外延層12，當(dāng) 然，所述襯底10也可以為碳化硅(SiC)等其他材料的襯底，各所述LED裸 芯片1正裝在各所述金屬層6上并通過(guò)所述金屬層6相連接組成全串聯(lián)的電 路，所述襯底10用銀漿或錫粘合在所述金屬層6上，所述LED裸芯片1的 電極接點(diǎn)通過(guò)金屬線41焊接在相鄰的一個(gè)所述金屬層6上。
本實(shí)施例其余特征同實(shí)施例二。實(shí)施例五
如圖24所示，本實(shí)施例與實(shí)施例一的不同之處在于所述LED裸芯片1 為雙電極芯片，所述襯底10為氧化鋁(藍(lán)寶石，A1203)襯底，所述P型外 延層12、所述N型外延層11分別通過(guò)金屬線43、 45焊接在相鄰的兩個(gè)所述 金屬層6上。
本實(shí)施例其余特征同實(shí)施例一。 實(shí)施例六
如圖25所示，本實(shí)施例與實(shí)施例二的不同之處在于所述LED裸芯片1 為雙電極芯片，所述襯底IO為氧化鋁(藍(lán)寶石，A1203)襯底，所述P型外 延層12、所述N型外延層11分別通過(guò)金屬線43、 45焊接在相鄰的兩個(gè)所述 金屬層6上。
本實(shí)施例其余特征同實(shí)施例二。
本實(shí)用新型的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片將若干個(gè)所述 LED裸芯片1集成在一個(gè)所述硅襯底2上，散熱效果好、使用壽命長(zhǎng)，提高 了發(fā)光效率，成本低，易于實(shí)現(xiàn)多芯片集成，耐高壓性能好，尤其能耐220V 或110V的交流市電電壓，為L(zhǎng)ED集成芯片的應(yīng)用提供了廣闊的前景；同理， 采用本實(shí)用新型的制造方法制造的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片具 有上述優(yōu)點(diǎn)，且該方法工藝簡(jiǎn)便，產(chǎn)品質(zhì)量好。
本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于LED集成芯片領(lǐng)域。
權(quán)利要求1、一種帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，包括若干個(gè)LED裸芯片(1)和硅襯底(2)，所述LED裸芯片(1)包括襯底(10)和N型外延層(11)、P型外延層(12)，其特征在于所述硅襯底(2)上生成有導(dǎo)熱絕緣層I(41)，所述導(dǎo)熱絕緣層I(41)上生成有導(dǎo)熱絕緣層II(42)，所述導(dǎo)熱絕緣層II(42)上沉積有金屬層(6)，各所述LED裸芯片(1)正裝或倒裝在各所述金屬層(6)上，若干個(gè)所述LED裸芯片(1)之間通過(guò)所述金屬層(6)相連接組成電路，所述導(dǎo)熱絕緣層I(41)與所述導(dǎo)熱絕緣層II(42)之間于每個(gè)所述LED裸芯片(1)處均設(shè)有一個(gè)多晶硅塊，每個(gè)所述多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū)I(9)、兩側(cè)為與所述多晶硅區(qū)I(9)極性相反的多晶硅區(qū)II(5)，兩個(gè)分離的所述金屬層(6)分別與位于同一個(gè)所述多晶硅塊內(nèi)的兩側(cè)的所述多晶硅區(qū)II(5)相連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征 在于各所述LED裸芯片(1)對(duì)應(yīng)的所述P型外延層(12)、所述N型 外延層(U)分別通過(guò)焊球(80、 81)倒裝焊接在兩個(gè)分離的所述金屬層(6)上，所述焊球(80、 81)為金球栓或銅球栓或錫球。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征 在于所述LED裸芯片(1)為單電極芯片，所述襯底(10)為砷化鎵或 碳化硅襯底，所述襯底(10)用銀漿或錫粘合在所述金屬層(6)上，所 述LED裸芯片(1)的電極接點(diǎn)通過(guò)金屬線(41)焊接在相鄰的一個(gè)所述 金屬層(6)上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征 在于:所述LED裸芯片(1)為雙電極芯片，所述襯底(10)為氧化鋁襯 底，所述襯底(10)用銀漿或錫粘合在所述金屬層(6)上，所述P型外 延層(12)、所述N型外延層(11)分別通過(guò)金屬線(42、 43)焊接在相 鄰的兩個(gè)所述金屬層(6)上。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征 在于所述硅襯底(2)的正面向內(nèi)擴(kuò)散有一層N+擴(kuò)散層(3)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片，其特征 在于所述硅襯底(2)的背面還有由一層或多層金屬構(gòu)成的散熱層(7)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成 芯片，其特征在于若干個(gè)所述LED裸芯片(1)之間串聯(lián)或并聯(lián)或串并 聯(lián)組合連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成 芯片，其特征在于所述導(dǎo)熱絕緣層I (41)由氮化硅層或二氧化硅層或 氮化硅層與二氧化硅層組合構(gòu)成，所述導(dǎo)熱絕緣層II (42)由二氧化硅層 構(gòu)成。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成 芯片，其特征在于所述金屬層(6)的外表面為反光面，所述硅襯底(2) 為P型或N型，所述金屬層(6)為鋁或銅或硅鋁合金。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種成本低、易于集成、散熱效果好、耐高壓性能好的帶靜電保護(hù)的高導(dǎo)通電壓LED集成芯片。本實(shí)用新型包括若干個(gè)帶有襯底(10)、N型外延層(11)、P型外延層(12)的LED裸芯片(1)和硅襯底(2)，硅襯底(2)上依次設(shè)有導(dǎo)熱絕緣層I(41)、導(dǎo)熱絕緣層II(42)，導(dǎo)熱絕緣層II(42)上有金屬層(6)，導(dǎo)熱絕緣層I(41)與導(dǎo)熱絕緣層II(42)之間于每個(gè)LED裸芯片(1)處均設(shè)有一個(gè)多晶硅塊，每個(gè)多晶硅塊的中間為多晶硅區(qū)I(9)、兩側(cè)為與多晶硅區(qū)I(9)極性相反的多晶硅區(qū)II(5)，兩個(gè)分離的金屬層(6)分別與位于同一個(gè)多晶硅塊內(nèi)的多晶硅區(qū)II(5)相連接。
文檔編號(hào)H01L25/00GK201262955SQ20082005127
公開(kāi)日2009年6月24日 申請(qǐng)日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日
發(fā)明者吳俊緯 申請(qǐng)人:廣州南科集成電子有限公司