專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，涉及圖像傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖像傳感器是可以將光信號轉(zhuǎn)換成電信號的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器
可以被分類成諸如電荷耦合器件(CCD)圖像傳感器和互補金屬氧化物 硅(CMOS )圖像傳感器(CIS )等的類別。
在圖像傳感器的制造過程中，可利用離子注入在襯底中形成光電二極 管。為了在不增大芯片尺寸的情況下增加像素的數(shù)量，可減小光電二極管 的尺寸。這會減小接收光的部分的面積。因此，會降低圖像質(zhì)量。
因為堆疊高度不會象接收光的部分的面積那樣減小得那么多，所以， 入射到接收光的部分的光子的數(shù)量也會由于被稱作艾里斑(Airy disk )的 光衍射而降低.
為了解決這種局限性，可利用非晶硅(Si)來形成光電二極管。另夕卜， 可利用諸如晶片到晶片的^^(Wafer-to-wafer bonding)等方法在珪(Si) 襯底中形成讀出電路，并在讀出電路上和/或之上形成光電二極管(稱作 三維(3D )圖像傳感器)。光電二極管可通過金屬互連而與讀出電路相連。
根據(jù)相關(guān)技術(shù)，將光電二極管電連接至讀出電路可能是困難的。也就 是說，可在讀出電路上和/或之上形成金屬互連，并且可進行晶片到晶片 的掩^，使得金屬互連可接觸到光電二極管。因此，金屬互連之間的接觸 可能是困難的，并且金屬互連與光電二極管之間的歐姆接觸可能是困難 的。
在進行晶片到晶片的M之后，可進行蝕刻工藝，并且可分離用于每 個單位像素的光電二極管。光電二極管的界面可被損壞，并且可能發(fā)生不 飽和鍵等。這可能會成為暗電流源。
由于轉(zhuǎn)移晶體管的兩側(cè)的源極和漏極二者均可用N型雜質(zhì)來重摻雜， 因此，可能發(fā)生電荷共享現(xiàn)象。當(dāng)發(fā)生電荷共享現(xiàn)象時，會降低輸出圖像的靈敏度，并且會產(chǎn)生圖像餘溪。另外，由于光電荷不易在光電二極管與
讀出電^Mu'司運動，因此，會產(chǎn)生暗電流并且/或者會降低飽和度和靈敏 度。

發(fā)明內(nèi)容
實施例涉及能夠去除光電二極管的界面中的諸如不飽和鍵等的損壞、
同時提高填充因子的圖像傳感器及其制造方法。實施例涉及能夠防止發(fā)生 電荷共享、同時提高填充因子的圖像傳感器及其制造方法。
實施例涉及通過在光電二極管和讀出電路之間為光電荷提供相對快 速的運動路徑而能夠最小化暗電流源并能夠防止飽和度和靈敏度降低的 圖像傳感器及其制造方法。
根據(jù)實施例， 一種圖4象傳感器可包括下列部件中的至少一個在第一 襯底上和/或之上的讀出電路和金屬互連；包括笫一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層和第 二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層并電連接至所述金屬互連的圖《象感測裝置；形成在所述 圖像感測裝置的像素界面中的第二傳導(dǎo)型的界面層。
根據(jù)實施例，一種制造圖像傳感器的方法可包括下列步驟中的至少一 個在第一襯底上和/或之上形成金屬互連和讀出電路；形成包括第一傳 導(dǎo)型的傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層的圖^象感測裝置；將所述金屬互連電 連接至所述圖像感測裝置；在所述圖像感測裝置的像素界面中形成第二傳 導(dǎo)型的界面層。


示例性的圖1至圖10示出了根據(jù)實施例的圖像傳感器和用于制造圖 4象傳感器的方法。
具體實施例方式
下面將參考附圖詳細描述根據(jù)實施例的圖像傳感器和用于制造圖像 傳感器的方法。
l根據(jù)實施例的圖像傳感器的截面圖。參考示例性圖l，圖 像傳感器包括在第一襯底100之上的讀出電路120和金屬互連150。根據(jù)實施例，圖像傳感器可包括圖像感測裝置210，圖像感測裝置210可包括 第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層214和第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層216，并且可電連接至金 屬互連150。根據(jù)實施例，在圖像傳感器210的像素界面中可形成第二傳 導(dǎo)型的界面層220。
根據(jù)實施例，圖像感測裝置210可以是光電二極管、光柵或其任何組 合。根據(jù)實施例，光電二極管可形成在結(jié)晶半導(dǎo)體層中。根據(jù)實施例，光 電二極管并不局限于此，而是可形成在非晶形半導(dǎo)體層中。
下面將參加示例性圖2至圖9來描述根據(jù)實施例的制造圖像傳感器的 方法。示例性圖2A是根據(jù)實施例的包括金屬互連150和讀出電路120的 第一襯底100的示意圖。示例性圖2B是根據(jù)實施例的第一襯底100的視 圖。
參考示例性圖2B，可制備第一襯底IOO?？稍诘谝灰r底100上和/或 之上形成金屬互連150和讀出電路120。根據(jù)實施例，第一襯底100可以 是第二傳導(dǎo)型的襯底。根據(jù)實施例，第一襯底100可以是任何傳導(dǎo)型的襯 底'
根據(jù)實施例，可在第二傳導(dǎo)型的第 一襯底100中形成裝置隔離層110 ， 并且裝置隔離層110可限定有源區(qū)。讀出電路120可包括形成在有源區(qū)中 的至少一個晶體管。根據(jù)實施例，讀出電路120可包括轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121、復(fù)位晶體管(Rx) 123、驅(qū)動晶體管(Dx) 125和選擇晶體管(Sx) 127。才艮據(jù)實施例，可形成離子注入?yún)^(qū)130的浮動擴散區(qū)(FD) 131，并 且浮動擴散區(qū)(FD) 131可包括各晶體管的源^l/漏極區(qū)133、 135和137。
根據(jù)實施例，在第一襯底100上和/或之上形成讀出電路120可包括 在第一村底100中形成電結(jié)區(qū)140，以及在電結(jié)區(qū)140的上部區(qū)中形成第 一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147。根據(jù)實施例，第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147可電連接 至金屬互連150。
根據(jù)實施例，電結(jié)區(qū)140可以是PN結(jié)。根據(jù)實施例，電結(jié)區(qū)140可 以是任何類型的結(jié)。^iL據(jù)實施例，電結(jié)區(qū)140可包括第一傳導(dǎo)型的離子注 入層143,該第一傳導(dǎo)型的離子注入層143形成在第二傳導(dǎo)型的阱141或 第二傳導(dǎo)型的外延層上和/或之上。電結(jié)區(qū)140可包括形成在第一傳導(dǎo)型 的離子注入層143上和/或之上的第二傳導(dǎo)型的離子注入層145。根據(jù)實施 例，PN結(jié)140可以是P0(145)/N-(143)/P-(141)結(jié)。
根據(jù)實施例，在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121的兩側(cè)上的源極和漏極之間可能存在電位差。根據(jù)實施例，因此可完全轉(zhuǎn)儲(dump)光電荷。根據(jù)實 施例，從光電二極管中產(chǎn)生的光電荷可被完全轉(zhuǎn)儲到浮動擴散區(qū)(FD) 131，并且可最大化輸出圖像的靈敏度。
電結(jié)區(qū)140可形成于第一村底100中，并且位于最接近讀出電路120 處。電結(jié)區(qū)140可允許在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121的兩側(cè)上的源極和漏極之 間產(chǎn)生電位差。這使得光電荷能夠被完全轉(zhuǎn)儲。
將描述根據(jù)實施例的光電荷的轉(zhuǎn)儲結(jié)構(gòu)。與可以是N+結(jié)的浮動擴散 區(qū)(FD ) 131的節(jié)點不同，P/N/P結(jié)140可在預(yù)定電壓被夾斷(pinch off), 該P/N/P結(jié)140可以是電結(jié)區(qū)140，并且所施加的電壓不可被完全轉(zhuǎn)移到 該P/N/P結(jié)140。該電壓可以稱為阻塞電壓(pinning voltage),并且可依 賴于PO區(qū)145和N-區(qū)143的摻雜濃度。
才艮據(jù)實施例，從光電二極管210中產(chǎn)生的電子可運動到PNP結(jié)140， 并且可轉(zhuǎn)移到浮動擴散區(qū)(FD) 131的節(jié)點。然后，如果轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121導(dǎo)通則其可被轉(zhuǎn)化成電壓。
根據(jù)實施例，由于P0/N-ZP-結(jié)140的最大電壓值可變成阻塞電壓，并 且浮動擴散區(qū)(FD) 131的節(jié)點的最大電壓值可編程Vdd-Rxl23的閾電 壓Vth,從芯片的上部中的光電二極管210中產(chǎn)生的電子可完全被轉(zhuǎn)儲到 浮動擴散區(qū)(FD) 131的節(jié)點。由于轉(zhuǎn)移晶體管(Tx) 121兩側(cè)之間的電 位差，這可以在沒有電荷共享的情況下完成。
根據(jù)實施例，在諸如第 一襯底100的珪襯底中可以形成PO/N-/P-阱結(jié)， 而不是N十/P-阱結(jié)。根據(jù)實施例，這可允許在4-Tr有源像素傳感器(Active Pixel Sensor, APS)復(fù)位操作期間將+電壓施加到P0/N-ZP-阱結(jié)的N-區(qū) 143，并將地電壓施加到P0145和P-阱141。根據(jù)實施例，可以用預(yù)定電 壓或更高的電壓對PO/N-ZP-阱雙結(jié)產(chǎn)生夾斷(Pinch-off)。這可能與雙極 結(jié)晶體管(BJT)的結(jié)構(gòu)相似。這可稱為阻塞電壓。^ffl據(jù)實施例，可在轉(zhuǎn) 移晶體管(Tx) 121的兩側(cè)的源極和漏極之間產(chǎn)生電位差。這可防止在轉(zhuǎn) 移晶體管(Tx) 121的通/斷操作過程中發(fā)生電荷共享現(xiàn)象。
根據(jù)實施例，與光電二極管被簡單連接至N+結(jié)的情況不同，可以避 免諸如飽和度降低和靈敏度降低等的局限性。
根據(jù)實施例，可在光電二極管210和讀出電路120之間形成第一傳導(dǎo) 型的連接區(qū)147。這可提供光電荷的相對快速的運動路徑。根據(jù)實施例， 可最小化暗電流源，而且可最小化或防止飽和度降低和靈敏度降低。根據(jù)實施例，第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147可形成在？0/1^-/ -結(jié)140的表 面上和/或之上，所述第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147可以用于歐姆接觸，例如 可以是N+區(qū)147。 N+區(qū)147可形成并可延伸通過PO區(qū)145，并可接觸 N-區(qū)143。
根據(jù)實施例，為了防止第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147變成泄漏源，可最小 化第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147的寬度。根據(jù)實施例，在蝕刻了第一金屬接觸 部151a之后，可進行塞注入(Plug implant )。根據(jù)實施例，可進行其他 工藝。根據(jù)實施例，可形成離子注入圖案。可利用離子注入圖案作為離子 注入掩模來形成第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147。
根據(jù)實施例，通過用N型雜質(zhì)僅局部地重摻雜接觸形成部分，可利 于形成歐姆接觸，同時最小化暗信號。通過重摻雜整個轉(zhuǎn)移晶體管源極， 由于Si表面不飽和鍵可使暗信號增加。
根據(jù)實施例，可在第一襯底100上和/或之上形成層間電介質(zhì)160。然 后，金屬互連150可形成且可延伸通過層間電介質(zhì)160，并可電連接至第 一傳導(dǎo)型的連接區(qū)147。根據(jù)實施例，金屬互連150可包括第一金屬接觸 部151a、第一金屬151、第二金屬152、第三金屬153和第四金屬接觸部 154。根據(jù)實施例，可以使用其他結(jié)構(gòu)。
參考圖3，可在第二襯底200上和/或之上形成結(jié)晶半導(dǎo)體層210a。 根據(jù)實施例，可在結(jié)晶半導(dǎo)體層210a中形成光電二fel管210。根據(jù)實施 例，圖像感測裝置可實現(xiàn)三維(3D)圖像傳感器，其可位于讀出電路120 上和/或之上。這可提高填充因子。根據(jù)實施例，圖像傳感器可形成在結(jié) 晶半導(dǎo)體層內(nèi)，這可防止圖像感測裝置內(nèi)的缺陷。
根據(jù)實施例，可利用外延生長在第二襯底200上和/或之上形成結(jié)晶 半導(dǎo)體層210a。根據(jù)實施例，可在第二襯底200和結(jié)晶半導(dǎo)體層210a之 間注入氫離子。這可形成夾在第二襯底200和結(jié)晶半導(dǎo)體層210a之間的 氳離子注入層207a。根據(jù)實施例，可在用于形成光電二極管210的離子 注入之后進行氫離子的注入。
參考示例性圖4，可利用離子注入在結(jié)晶半導(dǎo)體層210a中形成光電 二極管210。根據(jù)實施例，第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層216可形成在結(jié)晶半導(dǎo)體 層210a的下部中，并且可形成在氫離子注入層207a上和/或之上，并且 可與氫離子注入層207a接觸。例如，通it^沒有掩模的情況下在第二襯 底200的整個表面上和/或之上進行第一毯式離子注入(blanket-ionimplantation )，可在結(jié)晶半導(dǎo)體層210a的下部中形成高濃度P型傳導(dǎo)層 216。
根據(jù)實施例，例如，通it^沒有掩模的情況下在第二襯底200的整個 表面上和/或之上進行第二毯式離子注入，可在第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層216 上和/或之上形成第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層214。根據(jù)實施例，例如，通過在沒 有掩模的情況下在第二襯底200的整個表面上和/或之上進行第三毯式離 子注入，可在第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層214上和/或之上形成高濃度的第一傳 導(dǎo)型的傳導(dǎo)層212。根據(jù)實施例，第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層214可有助于歐姆 接觸。
參考示例性圖5,可掩^第一襯底100和第二襯底200。根據(jù)實施例， 光電二極管210可接觸到金屬互連150。根據(jù)實施例，通過增加可以通過 等離子體的激活而掩^的表面的表面能量，第一襯底100和第二襯底200 可彼此接合在一起。根據(jù)實施例，可利用設(shè)置在M表面上和/或之上的 電介質(zhì)或金屬層來進行^。這可最大化掩^力。
參考示例性圖6，通過對第二襯底200進行熱處理，可將氫離子注入 層207a改變成氫氣層。
參考示例性圖7，根據(jù)實施例，然后可去除第二襯底200的一部分。 根據(jù)實施例，光電二極管210可保持在氫氣層下。根據(jù)實施例，因此可暴 露光電二極管210。根據(jù)實施例，例如，可利用諸如刀片等的切割設(shè)M 除第二襯底200。
參考示例性圖8，可執(zhí)行蝕刻工藝，并可分離用于每個單位像素的光 電二極管。
參考示例性圖9，可在像素間的界面上和/或之上形成第二傳導(dǎo)型的界 面層220。根據(jù)實施例，第二傳導(dǎo)型的界面層220可以是P型界面層。根 據(jù)實施例，第二傳導(dǎo)型的界面層220可以是任何類型的界面層。根據(jù)實施 例，第二傳導(dǎo)型的界面層220可以是用族III元素摻雜的界面層。根據(jù)實 施例，第二傳導(dǎo)型的界面層220可以是BSG界面層。根據(jù)實施例，第二 傳導(dǎo)型的界面層220形成的厚度可以在約500-5000A的范圍中。根據(jù)實施 例，可使用其他工藝。
根據(jù)實施例，如示例性圖9所示，第二傳導(dǎo)型的界面層220可以形成 在光電二極管210的側(cè)表面和上表面上和/或之上。替選地，第二傳導(dǎo)型 的界面層220可以形成在光電二極管210的側(cè)表面上和/或之上。根據(jù)實施例，圖像傳感器可實現(xiàn)垂直型光電二極管，并可具有耦合到 垂直型光電二極管的界面中的不飽和鍵的P型界面層。因此，可去除損壞， 并可最小化暗電流。
根據(jù)實施例，在執(zhí)行了分離用于每個單位像素的光電二極管的蝕刻工
藝后，在光電二極管210上和/或之上可形成BSG層，該BSG層可以為 含硼的硅酸鹽玻璃。因此，產(chǎn)生在可由于對光電二極管210的蝕刻而損壞 的硅界面中的不飽和鍵可被擴散到硼原子(P+雜質(zhì))中。這可將珪界面 轉(zhuǎn)化成P+態(tài)，這可去除損壞并最小化暗電流。
才艮據(jù)實施例，可執(zhí)行形成上電極和濾色器的工藝。
示例性圖10是根據(jù)實施例的圖像傳感器的截面圖。參考示例性圖10， 圖像傳感器可包括第一襯底100之上的讀出電路120和金屬互連150。根 據(jù)實施例，圖像傳感器可包括圖像感測裝置210，該圖像感測裝置210可 包括第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層214和第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層216，并且可電連接 至金屬互連150。根據(jù)實施例，可在圖像感測裝置210的像素界面中形成 第二傳導(dǎo)型的界面層220。根據(jù)實施例，圖像感測裝置210可以不限于光 電二極管。根據(jù)實施例，圖像感測裝置210可以是光電二極管、光柵或其 組合。根據(jù)實施例，圖像傳感器可包括電結(jié)區(qū)140，電結(jié)區(qū)140可以形成 在第一襯底IOO中。
才艮據(jù)實施例，示例性圖10中示出的器件可實現(xiàn)示例性圖1至圖9中 所示的實施例的各種技術(shù)特性。根據(jù)實施例，通過在光電二極管210的界 面上和/或之上形成P型界面層，可去除光電二極管210的界面中的損壞， 并可降低暗電流，同時提高填充因子。根據(jù)實施例，P型界面層可被耦合 到不飽和鍵。
根據(jù)實施例，在轉(zhuǎn)移晶體管(Tx)的兩側(cè)中的源極和漏極之間可存 在電位差。根據(jù)實施例，可完全轉(zhuǎn)儲光電荷。根據(jù)實施例，在光電二極管 210和讀出電路120之間可形成電荷連接區(qū)。這可提供光電荷的比較快速 的運動i M圣。根據(jù)實施例，可最小化暗電流源，并可防止飽和度降低和靈 敏度降低。
與示例性圖1至圖9所示的實施例不同，可在電結(jié)區(qū)140的一側(cè)上和 /或之上形成側(cè)向分開的第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)148。替選地，根據(jù)實施例， 可在PO/N-ZP-結(jié)140上和/或之上形成可用于歐姆接觸的N+連接區(qū)148。 形成N+連接區(qū)148和M1C接觸部151a的工藝可提供泄漏源。這可能是因為器件可利用施加至P0/N-ZP-結(jié)140的反向偏置來工作。因此，在Si 表面上和/或之上可產(chǎn)生電場(EF )。可在接觸形成工藝工程中在電場內(nèi)產(chǎn) 生的晶體缺陷可成為泄漏源。
根據(jù)實施例，如果N+連接區(qū)148形成在？0/]\-^-結(jié)140的表面上和/ 或之上，可由于N+ZP0結(jié)148/145而產(chǎn)生電場。該電場可成為泄漏源。
根據(jù)實施例，可提供這樣的布局，其中可在沒有摻雜PO層、但包括 N+連接區(qū)148并可連接至N-結(jié)143的有源區(qū)中形成第一接觸塞151a。
根據(jù)實施例，可不在a面上和/或之上產(chǎn)生電場。這可有助于降低 3D集成CIS的暗電流。
盡管關(guān)于互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS )圖像傳感器而描述了實施 例，但實施例并不限于CIS。根據(jù)實施例，可使用要求光電二極管的圖像 傳感器。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯和顯然的是，可對所述實施例進行各種修 改和改變。因此，只要這些明顯和顯然的修改和改變在所附權(quán)利要求及其 等價物的范圍之內(nèi)，則所公開的實施例旨在涵蓋這些明顯和顯然的修改和 改變。
ii
權(quán)利要求
1. 一種器件，包括在第一襯底之上的讀出電路和金屬互連；圖像感測裝置，該圖像感測裝置包括第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層，并電連接至所述金屬互連；以及形成在所述圖像感測裝置的像素界面中的第二傳導(dǎo)型的界面層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二傳導(dǎo)型的界面層形 成在所述圖像感測裝置的側(cè)表面和上表面之上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二傳導(dǎo)型的界面層形 成在所述圖測裝置的側(cè)表面之上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二傳導(dǎo)型的界面層包 括含硼的珪酸鹽玻璃(BSG)界面層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述讀出電路包括在所述第 一襯底中的電結(jié)區(qū)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述電結(jié)區(qū)包括 在所述第一襯底中的第一傳導(dǎo)型的離子注入?yún)^(qū)；以及 在所述第 一傳導(dǎo)型的離子注入?yún)^(qū)之上的第二傳導(dǎo)型的離子注入?yún)^(qū)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，包括在所述電結(jié)區(qū)之上電連接至所 述金屬互連的第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述電結(jié)區(qū)包括PNP結(jié)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，包括第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)，所述第 一傳導(dǎo)型的連接區(qū)與所述電結(jié)區(qū)間隔開并電連接至所述金屬互連。
10. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的器件，其中，所述讀出電路包括晶體管， 并且其中在所述晶體管兩側(cè)的源極和漏極之間存在電位差。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中，所述晶體管包括轉(zhuǎn)移晶體 管，并且其中所述晶體管的源極具有比浮動擴散區(qū)的離子注入濃度低的離 子注入濃度。
12. —種方法，包括 在第一村底之上形成金屬互連和讀出電路；在所述第 一襯底之上形成包括第 一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層的圖像感測裝置；將所述金屬互連電連接至所述圖像感測裝置；以及 在所述圖像感測裝置的像素界面中形成第二傳導(dǎo)型的界面層。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括在所述圖像感測裝置的側(cè) 表面和上表面之上形成所述第二傳導(dǎo)型的界面層。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，包括在所述圖像感測裝置的側(cè) 表面之上形成所述第二傳導(dǎo)型的界面層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述讀出電路包括 在所述第一襯底中形成電結(jié)區(qū)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，形成所述電結(jié)區(qū)包括 在所述第一襯底中形成第一傳導(dǎo)型的離子注入?yún)^(qū)；以及 在所述第 一傳導(dǎo)型的離子注入?yún)^(qū)之上形成第二傳導(dǎo)型的離子注入?yún)^(qū)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，包括在所述電結(jié)區(qū)之上形成連 接至所述金屬互連的第 一傳導(dǎo)型的連接區(qū)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述第一傳導(dǎo)型的連接區(qū) 是在執(zhí)行了對所述金屬互連的接觸蝕刻之后形成的。
19. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，包括形成第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)， 所述第一傳導(dǎo)型的連接區(qū)與所述電結(jié)區(qū)間隔開并電連接至所述金屬互連。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述第一傳導(dǎo)型的連接區(qū) 與裝置隔離區(qū)接觸，并連接至所述電結(jié)區(qū)。
全文摘要
提供了圖像傳感器及其制造方法。實施例涉及圖像傳感器。根據(jù)實施例，一種圖像傳感器可以包括金屬互連、讀出電路、第一襯底、圖像感測裝置和第二傳導(dǎo)型的界面層。金屬互連和讀出電路可形成在第一襯底上和/或之上。圖像感測裝置可包括第一傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層和第二傳導(dǎo)型的傳導(dǎo)層，并可電連接至金屬互連。第二傳導(dǎo)型的界面層可形成在圖像感測裝置的像素界面中。
文檔編號H01L27/146GK101471367SQ20081018655
公開日2009年7月1日 申請日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者俊 黃 申請人:東部高科股份有限公司