專利名稱：主動元件陣列基板及其檢測方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種主動元件陣列基板及其檢測方法，特別是涉及能夠防止靜電通過
檢測墊擊傷電路的一種主動元件陣列基板及其檢測方法。
背景技術：
由于主動式平面顯示面板具有體積小、重量輕且反應速度快等優(yōu)點，因此目前已被廣泛地應用于各種電子產品中。主動式平面顯示面板是由主動元件陣列基板、顯示層以及透光基板所構成，其中顯示層是位于主動元件陣列基板與透光基板之間，如液晶顯示面板(liquid crystal displaypanel， LCD panel)的液晶層、電泳顯示面板(elector-phoretic displaypanel, EPD panel)的電泳層等。 請參閱圖l所示，是現(xiàn)有習知的主動元件陣列基板的示意圖?，F(xiàn)有習知的主動元件陣列基板IOO具有顯示區(qū)102與周邊電路區(qū)104，其中顯示區(qū)102內配置有多個像素(像素又稱為畫素，本文均稱為像素)單元IIO，而周邊電路區(qū)104內則配置有多條信號(或稱為訊號)導線120，用以將顯示區(qū)102內的像素單元110電性連接至驅動電路130。
以現(xiàn)行的主動式平面顯示面板的制造過程來說，在完成主動元件陣列基板100上的所有電路配置之后，通常會接著進行電路檢測來確認主動元件陣列基板100上的電路是否有缺陷存在，因此主動元件陣列基板100的周邊電路區(qū)104內會設置有檢測墊140，檢測工具(如探針，圖未示)即是通過檢測墊140而與主動元件陣列基板100上的電路電性連接。 然而，不論是制造設備、操作人員以及主動元件陣列基板100本身都可能會累積許多靜電荷。因此，當主動元件陣列基板100在制造過程中接觸到制造設備、操作人員或其他物體時，這些靜電荷往往容易經(jīng)由這些帶電體而傳至主動元件陣列基板100上，并通過檢測墊140經(jīng)信號導線120傳至顯示區(qū)102內的電路，因而造成顯示區(qū)102內的電路遭受靜電擊傷而損壞主動元件陣列基板100。 請參閱圖2所示，是圖1的主動元件陣列基板沿I-I'線的剖面示意圖。如圖1及圖2所示，為了避免主動元件陣列基板100上的靜電荷通過檢測墊140散逸至顯示區(qū)102內，習知技術是先在信號導線120上形成介電層125，在信號導線120上方的介電層125上形成檢測墊140。換言之，檢測墊140與信號導線120之間隔有介電層125，以避免靜電荷直接由檢測墊140經(jīng)信號導線120傳導至顯示區(qū)102內的電路。檢測墊140上則依序形成有具有開口 152的介電層150及導電層160，且導電層160是通過介電層150的開口 152而與檢測墊140電性連接。當欲進行檢測時，可利用激光熔接檢測墊140與信號導線120，再將檢測工具與導電層160電性接觸，即可對主動元件陣列基板100上的電路進行檢測。
然而，在未利用激光(激光又稱為雷射光，本文均稱為激光)熔接檢測墊140與信號導線120之前，由于檢測墊140、介電層125與信號導線120是構成電容C，因此雖然靜電荷不會直接從檢測墊140傳至信號導線120，但是當檢測墊140上累積過多的靜電荷時，將會在瞬間發(fā)生靜電擊穿的現(xiàn)象，因而對主動元件陣列基板100上的電路造成更大的損傷。
由此可見，上述現(xiàn)有的主動元件陣列基板及其檢測方法在產品結構、檢測方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般產品及方法又沒有適切的結構及方法能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設一種新的主動元件陣列基板及其檢測方法，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的主動元件陣列基板存在的缺陷，而提供一種新的主動元件陣列基板，所要解決的技術問題是使其具有低靜電擊傷率低與高電路穩(wěn)定性。
本發(fā)明的另一 目的在于，克服現(xiàn)有的檢測方法存在的缺陷，而提供一種新的檢測方法，所要解決的技術問題是使其以降低上述主動元件陣列基板的靜電擊傷率，進而提高其電路穩(wěn)定性。 本發(fā)明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現(xiàn)的。為達到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種主動元件陣列基板，具有一顯示區(qū)與一周邊電路區(qū)，且此主動元件陣列基板包括多個像素單元、多條信號導線、多個檢測墊以及第一介電層。其中，上述像素單元是以陣列的方式排列于顯示區(qū)內，上述信號導線與檢測墊則是配置于周邊電路區(qū)內，且第一介電層是覆蓋住上述檢測墊。 在本發(fā)明的較佳實施例中，上述各檢測墊均與上述信號導線其中之一電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題還采用以下的技術方案來實現(xiàn)。為達到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種檢測方法，適于檢測上述主動元件陣列基板，此檢測方法是先移除部分的第一介電層，以暴露出至少一檢測墊，接著再將檢測工具與暴露出的檢測墊電性接觸。
在本發(fā)明的較佳實施例中，上述移除部分的第一介電層的方法包括激光移除。
本發(fā)明的目的及解決其技術問題另外還采用以下技術方案來實現(xiàn)。為達到上述目的，在本發(fā)明的較佳實施例中，上述的主動元件陣列基板還包括第二介電層以及導電層，其中第二介電層是配置于上述檢測墊與信號導線之間，而導電層則是配置于檢測墊上方的第一介電層上。 本發(fā)明的目的及解決其技術問題另外再采用以下技術方案來實現(xiàn)。為達到上述發(fā)明目的，依據(jù)本發(fā)明提出的一種檢測方法，適于檢測上述主動元件陣列基板，此檢測方法是將導電層與上述檢測墊至少其中之一熔接在一起，并且將熔接至導電層的檢測墊與位于其下方的信號導線熔接在一起。之后，將檢測工具與上述導電層電性接觸。
在本發(fā)明的較佳實施例中，熔接導電層與檢測墊的方法包括激光熔接。
在本發(fā)明的較佳實施例中，熔接檢測墊與信號導線的方法包括激光熔接。
在本發(fā)明的較佳實施例中，上述導電層的材料例如是透明導電材料，如銦錫氧化物(Indium Tin 0xide， IT0)、銦鋅氧化物(Indium Zinc 0xide， IZ0)、氧化鋅(Zinc 0xide，Zn0)或銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium ZincOxide， IGZ0)。 在本發(fā)明的較佳實施例中，上述主動元件陣列基板更包括多個驅動晶片，配置于上述周邊電路區(qū)內，且上述驅動晶片是分別通過上述信號導線而電性連接至上述像素單元。
借由上述技術方案，本發(fā)明主動元件陣列基板及其檢測方法至少具有下列優(yōu)點及有益效果在本發(fā)明的主動元件陣列基板中，由于檢測墊在進行檢測過程前是藉由介電層的保護而與外界電性絕緣，因此能夠防止主動元件陣列基板上的靜電荷由檢測墊經(jīng)信號導線傳入像素單元內，以避免像素單元遭受靜電擊傷。 綜上所述，本發(fā)明主動元件陣列基板具有顯示區(qū)與周邊電路區(qū)，且此主動元件陣列基板包括多個像素單元、多條信號導線、多個檢測墊以及第一介電層。像素單元是以陣列的方式排列于顯示區(qū)內，信號導線與檢測墊則是配置于周邊電路區(qū)內，且第一介電層是覆蓋住檢測墊。此主動元件陣列基板的檢測方法則是先移除部分的第一介電層，以暴露出欲與檢測工具電性接觸的檢測墊。也就是說，在進行檢測之前，檢測墊是與外界電性絕緣，因而能夠避免靜電荷由檢測墊經(jīng)信號導線對像素單元造成靜電擊傷，以提高主動元件陣列基板的電路穩(wěn)定性。本發(fā)明在技術上有顯著的進步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設計。 上述說明僅是本發(fā)明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


示意圖,
圖1是習知技術的主動元件陣列基板的示意圖。圖2是圖1的主動元件陣列基板沿I-I'線的剖面示意圖。圖3是本發(fā)明的主動元件陣列基板在一實施例中的示意圖。
圖4是本發(fā)明的主動元件陣列基板在一實施例中在配置有檢測墊之處的剖面示
圖5A與圖5B分別是本發(fā)明的主動元件陣列基板在其他實施例中的示意圖。圖6A至圖6B是圖3的主動元件陣列基板在檢測過程中的部分剖面示意圖。圖7是本發(fā)明的主動元件陣列基板在另一實施例中在配置有檢測墊之處的剖面
圖8A至圖8B是本發(fā)明的主動元件陣列基板在另一實施例中在檢測過程中的部分
剖面示意圖,
100、300 :主動元件陣列基板104、304 :周邊電路區(qū)120、320 :信號導線130 、350 :驅動電路152 :開口
掃瞄配線主動元件
312316340710
第一介電層第二介電層
102、302 :顯示區(qū)
110、310 :像素單元
125U50 :介電層140、330 :檢測墊160、720 :導電層
314 :資料配線318 :像素電極
600、800 :檢測工具810、820 :激光光
C:電容
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的主動元件陣列基板及其檢測方法其具體實施方式
、結構、檢測方法、步驟、特征及其功效，詳細說明如后。 請參閱圖3及圖4，圖3是本發(fā)明的主動元件陣列基板在一實施例中的示意圖，圖4則繪示為本發(fā)明的主動元件陣列基板在一實施例中于配置有檢測墊之處的剖面示意圖。本發(fā)明一實施例中的主動元件陣列基板300具有顯示區(qū)302與周邊電路區(qū)304，且主動元件陣列基板300包括多個像素單元310、多條信號導線320、多個檢測墊330以及第一介電層340。 上述的像素單元310是以陣列的方式配置于顯示區(qū)302內。 上述的每一像素單元310包括掃瞄配線(scan line) 312、資料配線(dataline) 314、主動元件316以及像素電極(pixel electrode) 318。 該掃瞄配線312與資料配線314彼此垂直，而主動元件316與像素電極318則是配置于掃瞄配線312與資料配線314所圍成的區(qū)域內，并與掃瞄配線312、資料配線314及像素電極318電性連接。在本實施例中，主動元件316可以是薄膜電晶體(thin filmtransistor, TFT)或其他主動式開關元件。 上述的信號導線320是配置于主動元件陣列基板300的周邊電路區(qū)304內，且顯示區(qū)302內的這些像素單元310是藉由信號導線320而與周邊電路區(qū)304內的電路電性連接。以本實施例來說，像素單元310即是藉由信號導線320電性連接至驅動電路350。也就是說來說，驅動電路350所輸出的信號是經(jīng)由信號導線320而傳輸至像素單元310的掃瞄配線312或資料配線314，以驅動像素單元310。 上述的檢測墊330同樣是配置于周邊電路區(qū)304內，且如圖4所示，本實施例的檢測墊330與信號導線320是位于同一膜層，并彼此電性連接。值得一提的是，本發(fā)明并不限定檢測墊330的形狀輪廓，其可以是如圖3所示的橢圓形，也可以是圖5A所示的四邊形或圖5B所示的具有弧形曲線的四邊形。 上述的第一介電層340是覆蓋于檢測墊330上，且第一介電層340并未具有任何暴露出檢測墊330的開口。如此一來，存在主動元件陣列基板100上的靜電荷即無法經(jīng)由檢測墊330傳至顯示區(qū)302內。也就是說，本實施例的第一介電層340可以作為檢測墊330的電性保護層，以避免靜電荷經(jīng)由檢測墊330與信號導線320傳至顯示區(qū)302內而使像素單元310遭受靜電擊傷。在本實施例中，由于檢測墊330與信號導線320同層，因此第一介電層340亦同時覆蓋住信號導線320。 以下將舉實施例說明上述主動元件陣列基板的檢測方法。請參閱圖6A至圖6B所示，是圖3的主動元件陣列基板在檢測過程中的部分剖面示意圖。如圖6A所示，當欲通過檢測墊330對顯示區(qū)302內的電路進行檢測時，則需先移除部分的第一介電層340，以暴露出欲與檢測工具電性接觸的檢測墊330。在本實施例中，其例如是以激光移除的方法來移除部分的第一介電層340。 如圖6B所示，接著即是將檢測工具600與暴露于第一介電層340外的檢測墊330電性接觸。熟習此技術者應該知道，檢測工具600可以是連接至檢測機臺(圖未示)的探針(probe)，用以將檢測信號通過檢測墊330與信號導線320輸入至顯示區(qū)302內的像素單元310，以對各像素單元310的電性進行檢測。除此之外，檢測工具600也可以是連接至電性量測表(如三用電表)的探針，用以通過檢測墊330來檢測信號導線320是否存在短路或斷路的異常情況。 請參閱圖7所示，是本發(fā)明的主動元件陣列基板在另一實施例中于配置有檢測墊之處的剖面示意圖。以下僅針對本實施例與前述實施例的相異處加以說明，其余與前述實施例的標號相同的元件，請參照前述實施例的說明，以下不再贅述。 如圖7所示，本實施例的主動元件陣列基板除了包括有圖3與圖4所示的像素單元310、信號導線320、檢測墊330及第一介電層340之外，更包括第二介電層710與導電層720。其中，第二介電層710是配置于檢測墊330與信號導線320之間，也就是說，本實施例的檢測墊330與信號導線320并不同層。而導電層720則是配置于檢測墊330上方的第一介電層340上。 請同時參閱圖3與圖7所示，在未進行檢測前，本實施例的檢測墊330并未與信號導線320電性連接，因此即使累積于導電層720的靜電荷擊穿至檢測墊330，其亦不會由檢測墊330經(jīng)信號導線320進入至顯示區(qū)302內的電路，因而能夠保護顯示區(qū)302內的像素單元310免于遭受靜電擊傷。 以下將舉實施例說明上述主動元件陣列基板的檢測方法。請參閱圖8A至圖8B所示，是本發(fā)明的主動元件陣列基板在另一實施例中在檢測過程中的部分剖面示意圖。如圖8A所示，當欲通過檢測墊330對顯示區(qū)302內的電路進行檢測時，則需將導電層720與檢測墊330熔接在一起，并且將檢測墊330與信號導線320熔接在一起。其中，本實施例例如是以激光熔接的方式熔接導電層720與檢測墊330以及檢測墊330與信號導線320。詳細來說，以激光熔接導電層720與檢測墊330的方法例如是令激光810從導電層720上方入射。而如欲熔接檢測墊330與信號導線320，則需令激光820從信號導線320的下方入射。
如圖8B所示，在完成導電層720與檢測墊330以及檢測墊330與信號導線320的熔接之后，接著即是將檢測工具800與導電層720電性接觸，以便于通過檢測工具800對主動元件陣列基板700上的電路進行檢測。如同前述實施例所述，檢測工具800可以是連接至檢測機臺的探針，也可以是連接至電性量測表的探針，熟習此技術者可以自行依據(jù)檢測過程所需來選擇所欲使用的檢測工具800。 由上述可知，本發(fā)明的主動元件陣列基板是將介電層覆蓋在檢測墊上，以作為檢測墊的電性保護層。在對本發(fā)明的主動元件陣列基板進行檢測的過程中，若檢測墊與信號導線同層，且檢測墊上方的介電層上未配置有任何膜層，則僅需將檢測墊上方的介電層移除即可暴露出欲與檢測工具電性接觸的檢測墊。另一方面，若檢測墊與信號導線不同層，且檢測墊上方的介電層上配置有導電層，則可先后將導電層與檢測墊及檢測墊與信號導線熔接在一起后，再令檢測工具與熔接至檢測墊的導電層電性接觸，即可對主動元件陣列基板上的電路進行檢測。 綜上所述，本發(fā)明的主動元件陣列基板在進行檢測過程前，其檢測墊是藉由介電層的保護而與外界電性絕緣，因而能夠防止主動元件陣列基板上的靜電荷由檢測墊經(jīng)信號導線傳入像素單元內，以避免像素單元遭受靜電擊傷，并藉此提高主動元件陣列基板的電路穩(wěn)定性。 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術人 員，在不脫離本發(fā)明技術方案范圍內，當可利用上述揭示的方法及技術內容作出些許的更 動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術方案的內容，依據(jù)本發(fā)明的 技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術方案 的范圍內。
權利要求
一種主動元件陣列基板，具有一顯示區(qū)與一周邊電路區(qū)，其特征在于該主動元件陣列基板包括多個像素單元，陣列排列于該顯示區(qū)內；多條信號導線，配置于該周邊電路區(qū)內，并電性連接至所述像素單元；多個檢測墊，配置于該周邊電路區(qū)內；以及一第一介電層，覆蓋所述檢測墊。
2. 根據(jù)權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于其中所述的檢測墊是分別與 所述信號導線其中之一電性連接。
3. 根據(jù)權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于其還包括 一第二介電層，配置于所述檢測墊與所述信號導線之間；以及 一導電層，配置于所述檢測墊上方的該第一介電層上。
4. 根據(jù)權利要求3所述的主動元件陣列基板，其特征在于其中所述的導電層的材料為 透明導電材料。
5. 根據(jù)權利要求4所述的主動元件陣列基板，其特征在于其中所述的導電層的材料為 銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅或銦鎵鋅氧化物。
6. 根據(jù)權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于其還包括多個驅動晶片，配 置于該周邊電路區(qū)內，且所述驅動晶片是分別通過所述信號導線而電性連接至所述像素單 元。
7. —種檢測方法，適于檢測權利要求1所述的主動元件陣列基板，其特征在于該檢測方法包括以下步驟移除部分的該第一介電層，以暴露出所述檢測墊至少其中之一 ；以及 將一檢測工具與暴露出的該檢測墊電性接觸。
8. 根據(jù)權利要求7所述的檢測方法，其特征在于其中所述的移除部分的該第一介電層 的方法包括激光移除。
9. 一種檢測方法，適于檢測權利要求3所述的主動元件陣列基板，其特征在于該檢測 方法包括以下步驟熔接該導電層與所述檢測墊至少其中之一；將熔接至該導電層的該檢測墊與位于其下方的該信號導線熔接；以及 將一檢測工具與該導電層電性接觸。
10. 根據(jù)權利要求9所述的檢測方法，其特征在于其中所述的熔接該導電層與所述檢 測墊至少其中之一的方法包括激光熔接。
11. 根據(jù)權利要求9所述的檢測方法，其特征在于其中所述的將熔接至該導電層的該 檢測墊與位于其下方的該信號導線熔接的方法包括激光熔接。
全文摘要
本發(fā)明是有關一種主動元件陣列基板及其檢測方法。此主動元件陣列基板具有顯示區(qū)與周邊電路區(qū)，此主動元件陣列基板包括多個像素單元、多條信號導線、多個檢測墊以及第一介電層。像素單元是以陣列的方式排列于顯示區(qū)內，信號導線與檢測墊則是配置于周邊電路區(qū)內，且第一介電層是覆蓋住檢測墊。此主動元件陣列基板的檢測方法則是先移除部分的第一介電層，以暴露出欲與檢測工具電性接觸的檢測墊。也就是說，在進行檢測之前，檢測墊是與外界電性絕緣，因而能夠避免靜電荷由檢測墊經(jīng)信號導線對像素單元造成靜電擊傷，以提高主動元件陣列基板的電路穩(wěn)定性。
文檔編號H01L23/544GK101728397SQ20081017119
公開日2010年6月9日 申請日期2008年10月22日 優(yōu)先權日2008年10月22日
發(fā)明者劉全豐, 張恒豪 申請人:元太科技工業(yè)股份有限公司