專利名稱：具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子元件封裝體，尤其涉及一種具電磁波相容(EMC)鍍 層的圖像感測元件封裝體。
背景技術(shù)：
抗電磁波干擾(anti-electromagnetic interference,簡稱anti-EMI)或電磁波 相容(electromagnetic compatibility,簡稱EMC)對釆用高解析度電子圖像傳感 器的數(shù)字照相機而言是必需的技術(shù)手段。在傳統(tǒng)上，使用金屬盒做為電磁波 相容的物件，以避免數(shù)字相機系統(tǒng)中其他構(gòu)件所造成的電磁波干擾效應。雖 然使用金屬盒在機械性方面有許多優(yōu)點，然而其占去過多的系統(tǒng)空間。再者， 在組裝時發(fā)生錯誤或之后測試時發(fā)現(xiàn)失效，其返工或重制的工序?qū)⒎浅＠?難，因而導致高制造成本及低工藝合格率。
美國專利早期公開案號US Pub. No. 2003/0223008揭示一相機模塊，由 一圖像感測模塊所構(gòu)成，并且其與一圖像信號處理單元封裝于一基材上。一 EMC層設(shè)置在該基材的背面。
圖1顯示傳統(tǒng)上使用金屬盒組裝于一圖像傳感器模塊上。請參閱圖1， 一光電元件封裝體10包括一金屬盒9組裝于一圖像傳感器模塊上。此圖像 傳感器模塊是由一圖像傳感器芯片級封裝體(CSP)3， 一玻璃頂蓋5設(shè)置于該 CSP上，以及一組具有光圈6的光學透鏡7。應注意的是，欲使上述金屬盒 9順應該圖像傳感器模塊是非常困難的。實際上，具有金屬盒的組裝體將進 一步焊接并封裝于一印刷電路板(未示出)上，再借助印刷電路板的電路延伸 接地。因此需要額外的封裝工藝，以達電磁波相容(EMC)的效果，然而此組 裝步驟也將造成額外的制造成本。再者，此搭配金屬盒的光電元件封裝體10 僅能在組裝于印刷電路板及延伸接地的后段工藝完成之后，方能進行電性測 試。因此，當抗電磁波干擾(anti-EMI)能力測試發(fā)生失效時，此光電元件封裝 體的返工或重制的工序?qū)⑹欠浅＠щy。有鑒于此，業(yè)界急需一種具電磁波相容遮蔽效果的光電元件封裝體，能避免返工時的且避免電磁波散射干擾的效 應。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種具電磁波相容(EMC)遮蔽效果的電子元件封 裝體，以改善上述公知技術(shù)的不足。
有鑒于此，本發(fā)明的實施例提供一種具電磁波相容(EMC)遮蔽效果的電 子元件封裝體。此電子元件封裝體進一步配置一抗電磁波干涉鍍層的光圈， 以避免內(nèi)部電磁波散射干擾的效應。
本發(fā)明的一技術(shù)方案在于提供一種具電磁波相容(EMC)鍍層的電子元件 封裝體，其包括 一芯片級封裝體具有一圖像傳感器陣列芯片以及一組光學 構(gòu)件； 一封膠層定義該芯片級封裝體的外框；以及一電磁波相容(EMC)鍍層 設(shè)置于封膠層上，以避免電磁波干擾效應。
本發(fā)明的另一技術(shù)方案在于提供一種具電磁波相容(EMC)鍍層的電子元 件封裝體，其包括 一芯片級封裝體具有一CMOS圖像傳感器陣列芯片以及 一組光學構(gòu)件； 一封膠層定義該芯片級封裝體的外框； 一遮蔽件設(shè)置于該封 膠層的頂層上； 一框架將該組光學構(gòu)件固定于該封膠層上；以及一電磁波相 容鍍層設(shè)置于封膠層上，以避免電磁波干擾效應。
本發(fā)明上述各實施例的優(yōu)點在于形成不具導電性的電磁波相容鍍層于 電子元件封裝體上，使得源自外界所產(chǎn)生的電磁波EM會被此電磁波相容鍍 層吸收或減弱，以避免電磁波干擾效應。再者，部分電磁波反射層可形成于 一頂遮蔽件上、或透鏡的框架上，及/或于該封膠層的一內(nèi)表面上，以避免或 吸收該電子元件封裝體的內(nèi)部反(散)射光的影響。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施 例，并配合附圖，作詳細說明如下
圖1顯示傳統(tǒng)上使用金屬盒組裝于一圖像傳感器模塊上； 圖2A顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的具電磁波相容(EMC)鍍層的電子元 件封裝體的剖面示意圖；圖2B顯示在圖2A中吸收層140的局部區(qū)域2B的放大圖； 圖3A顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝 體的剖面示意圖3B顯示在圖3A中混層吸收層140和150的局部區(qū)域3B的放大圖； 圖4顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體 的剖面示意圖5顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體 的剖面示意圖；以及
圖6顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體 的剖面示意圖。
其中，附圖標記說明如下
公知部分(圖1)
3 圖像傳感器芯片級封裝體(CSP);
5-玻璃頂蓋；
6~光圈；
7 光學透鏡組；
9 金屬盒；
10 光電元件封裝體。 本發(fā)明部分(圖2A 圖6) 1 OOa-100e~電子元件封裝體；
110 圖像傳感器陣列芯片； 111 CM0S圖像感測芯片； 112 感測陣列面； 113 間隙子(dam)結(jié)構(gòu)；
114 電極墊； 115~間隙； 116 保護層； 117 透明基板；
118 球柵陣列(ba11 grids);
120 頂蓋玻璃；125 封膠層； 130 光學構(gòu)件；
130a和130b 光學透鏡組；
135~光圈；
140、 140a、 140， 電磁波相容(EMC)鍍層;
145 遮蔽件；
150 部分電磁波反射層；
155 部分電磁波反射層；
160a和160b 部分電磁波反射層； 165~框架。
具體實施例方式
以下以各實施例詳細說明并伴隨著
的范例，做為本發(fā)明的參考 依據(jù)。且在附圖中，實施例的形狀或是厚度可擴大，并以簡化或是方便標示。 再者，附圖中各元件的部分將以分別描述說明之，另外，特定的實施例僅為 揭示本發(fā)明使用的特定方式，其并非用以限定本發(fā)明。
圖2A顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的具電磁波相容(EMC)鍍層的電子元 件封裝體的剖面示意圖。圖2B顯示在圖2A中吸收層140的局部區(qū)域2B的 放大圖。請參閱圖2A， 一電子元件封裝體100a包括一芯片級封裝體具有一 圖像傳感器陣列芯片110以及一組光學構(gòu)件130。 一封膠層125模鑄于該芯 片級封裝體之上。 一頂蓋玻璃120設(shè)置于該圖像傳感器陣列芯片110與該組 光學構(gòu)件130之間。 一電磁波相容(EMC)鍍層140設(shè)置于封膠層上，以避免 電磁波干擾效應。
該芯片級封裝體可為一互補式金屬氧化半導體(CMOS)圖像感測芯片。 配置一透明基板117以做為該封裝體的支撐基材。一 CMOS圖像感測芯片 111具有一感測陣列面112及多個電極墊114，貼附于該透明基板117上。 一間隙子(dam)結(jié)構(gòu)113夾置于該圖像感測芯片111和該透明基板117，并形 成一間隙115于感測陣列面112上方。一保護層116形成于該CMOS圖像感 測芯片111上方。多條電性連線(未示出)自所述多個電極墊114延伸至封裝 體背面的保護層116上的球柵陣列(ba11 grids) 118。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，此電磁波相容鍍層140設(shè)置于該封膠層125的 一外表面上。該電磁波相容鍍層140可為一電磁波吸收層，其包括一鐵磁性 (ferromagnetic)材料、 一 亞鐵磁性(ferrite magnetic)材料及 一 反亞鐵磁性 (anti-ferritemagnetic)材料。該電磁波相容鍍層140應為非導電性材料，或不 良導體。再者，該電磁波相容鍍層140可由噴涂法(spraying)、旋轉(zhuǎn)涂布法(spin coating)、浸置法(dipping)、貼附法(tapping)或濺鍍法(sputtering)形成。于元 件運行時，源自外界所產(chǎn)生的電磁波EM會被此電磁波相容鍍層140吸收或 減弱，以避免電磁波干擾效應，如圖2B所示。
更有甚者，該組光學構(gòu)件130包括一組具有光圈的光學透鏡130a和 130b。并且，該圖像傳感器陣列芯片lll包括一內(nèi)部線路延伸接地。
圖3A顯示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝 體的剖面示意圖。圖3B顯示在圖3A中混層吸收層140和150的局部區(qū)域 3B的放大圖。請參閱圖3A， 一電子元件封裝體100b包括一芯片級封裝體具 有一圖像傳感器陣列芯片110以及一組光學構(gòu)件130。 一封膠層125模鑄于 該芯片級封裝體之上。 一頂蓋玻璃120設(shè)置于該圖像傳感器陣列芯片110與 該組光學構(gòu)件130之間。 一混層的電磁波相容鍍層，其包括一電磁波吸收層 140a和一部分電磁波反射層150，且設(shè)置于封膠層上，以避免電磁波干擾效 應。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例，此電磁波相容鍍層140a設(shè)置于該封膠層125 的一外表面上。該電磁波相容鍍層140a可為一電磁波吸收層，其包括一鐵 磁性(ferromagnetic)材料、 一亞鐵磁性(ferrite magnetic)材料及一反亞鐵磁性 (anti-ferritemagnetic)材料。該電磁波相容鍍層140a應為非導電性材料，或不 良導體。該部分電磁波反射層150為一導電金屬，其包括銀、銅、鎳及上述 金屬的任意組合。該部分電磁波反射層150可反射光譜上某一特定波長頻寬 的電磁波，并穿透其他頻段的電磁波。再者，該電磁波相容鍍層140a和部 分電磁波反射層150二者皆可由噴涂法(spraying)、旋轉(zhuǎn)涂布法(spin coating)、 浸置法(dipping)、貼附法(tapping)或濺鍍法(sputtering)形成。于元件運行時， 源自外界所產(chǎn)生的電磁波EM會被部分電磁波反射層150部分反射R且部分 穿透，再借助電磁波相容鍍層140a吸收或減弱，以避免電磁波干擾效應， 如圖3B所示。圖4顯示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體 的剖面示意圖。本發(fā)明第三實施例的電子元件封裝體100c實質(zhì)上與第一實 施例的電子元件封裝體100a等同或近似，為求簡明之故，在此省略相同的 敘述。然而不同之處在于，第三實施例的電子元件封裝體100c的該組光學 構(gòu)件130包括具有一光圈135的光學透鏡組130a和130b。 一遮蔽件145設(shè) 置于該封膠層的頂層上，其中部分電磁波反射層155設(shè)置于該遮蔽件145的 一內(nèi)表面上，以吸收該電子元件封裝體100c的內(nèi)部反(散)射光。
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明第四實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體 的剖面示意圖。本發(fā)明第四實施例的電子元件封裝體100d實質(zhì)上與第一實 施例的電子元件封裝體100a等同或近似，為求簡明之故，在此省略相同的 敘述。然而不同之處在于，第四實施例的電子元件封裝體100d包括一框架 165固定于該封膠層125，其中部分電磁波反射層160a設(shè)置于該框架165上。 另一部分電磁波反射層160b可設(shè)置于該封膠層125的一內(nèi)表面上。因此， 可吸收或避免該電子元件封裝體100c的內(nèi)部反(散)射光的影響。
圖6顯示根據(jù)本發(fā)明第五實施例的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體 的剖面示意圖。本發(fā)明第六實施例的電子元件封裝體100e實質(zhì)上與第一實 施例的電子元件封裝體100a等同或近似，為求簡明之故，在此省略相同的 敘述。然而不同之處在于，第六實施例的電子元件封裝體100e的該組光學 構(gòu)件130的面積小于或等于該圖像傳感器陣列芯片110的面積。再者，該電 磁波相容鍍層140'可順應性地沉積在該組光學構(gòu)件130和該圖像傳感器陣列 芯片上110。
雖然本發(fā)明上述諸實施例是以CMOS圖像傳感器元件封裝體為例，以說 明本發(fā)明的技術(shù)特點，然而其并非用以限定本發(fā)明的范圍，應了解的是光電 元件封裝體，也可借助上述本發(fā)明的技術(shù)特點實施。
本發(fā)明上述各實施例的優(yōu)點在于形成不具導電性的電磁波相容鍍層于 電子元件封裝體上，使得源自外界所產(chǎn)生的電磁波EM會被此電磁波相容鍍 層吸收或減弱，以避免電磁波干擾效應。再者，部分電磁波反射層可形成于 一頂遮蔽件上、或透鏡的框架上，及/或于該封膠層的一內(nèi)表面上，以避免或 吸收該電子元件封裝體的內(nèi)部反(散)射光的影響。
本發(fā)明雖以優(yōu)選實施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可做些許的 更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求書所界定的范圍為 準。
權(quán)利要求
1.一種具電磁波相容(EMC)鍍層的電子元件封裝體，包括一芯片級封裝體具有一圖像傳感器陣列芯片以及一組光學構(gòu)件；一封膠層定義該芯片級封裝體的外框；以及一電磁波相容(EMC)鍍層設(shè)置于封膠層上，以避免電磁波干擾效應。
2. 如權(quán)利要求1所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該電 磁波相容鍍層設(shè)置于該封膠層的一外表面上。
3. 如權(quán)利要求1所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該電 磁波相容鍍層包括一 電磁波吸收層。
4. 如權(quán)利要求3所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該電 磁波吸收層包括一鐵磁性材料、 一亞鐵磁性材料及一反亞鐵磁性材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該電 磁波相容鍍層為一混層結(jié)構(gòu)，其包括一電磁波吸收層和一部分電磁波反射 層。
6. 如權(quán)利要求5所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該部 分電磁波反射層為一導電金屬，其包括銀、銅、鎳及上述金屬的任意組合。
7. 如權(quán)利要求5所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該部 分電磁波反射層設(shè)置于該封膠層的一內(nèi)表面上。
8. 如權(quán)利要求1所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該組 光學構(gòu)件包括一組具有光圈的光學透鏡。
9. 如權(quán)利要求5所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，還包括一 遮蔽件設(shè)置于該封膠層的頂層上，其中該部分電磁波反射層設(shè)置于該遮蔽件 的一內(nèi)表面上。
10. 如權(quán)利要求5所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，還包括 一框架固定于該封膠層，其中該部分電磁波反射層設(shè)置于該框架上。
11. 如權(quán)利要求1所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該 圖像傳感器陣列芯片包括一接地的內(nèi)部線路。
12. 如權(quán)利要求8所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該組光學構(gòu)件的面積小于或等于該圖像傳感器陣列芯片的面積。
13. 如權(quán)利要求12所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該電磁波相容鍍層順應性地沉積在該組光學構(gòu)件和該圖像傳感器陣列芯片上。
14.如權(quán)利要求1所述的具電磁波相容鍍層的電子元件封裝體，其中該 電磁波相容鍍層是由噴涂法、旋轉(zhuǎn)涂布法、浸置法、貼附法或濺鍍法形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具電磁波相容(EMC)鍍層的電子元件封裝體。一電子元件封裝體包括一芯片級封裝體具有一CMOS圖像傳感器陣列芯片以及一組光學構(gòu)件。一封膠層定義該芯片級封裝體的外框，一遮蔽件設(shè)置于該封膠層的頂層上，一框架將該組光學構(gòu)件固定于該封膠層上，以及一電磁波相容鍍層設(shè)置于封膠層上，以避免電磁波干擾效應。本發(fā)明形成不具導電性的電磁波相容鍍層于電子元件封裝體上，使得源自外界所產(chǎn)生的電磁波EM會被此電磁波相容鍍層吸收或減弱，以避免電磁波干擾效應。
文檔編號H01L27/146GK101626027SQ20081017008
公開日2010年1月13日 申請日期2008年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月10日
發(fā)明者曾立鑫, 林孜翰, 熊信昌, 鄭杰元 申請人:采鈺科技股份有限公司